CN105097884A - 子像素结构及其修补方法、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种子像素结构及其修补方法、显示面板及显示装置，该子像素结构包括第一子像素区域和第二子像素区域，以及连接区域；所述子像素中用于实现显示控制的电极，在所述连接区域，通过过孔，与所述TFT的源漏电极连接，以便在像素修补时，通过切割过孔内的电极材料，以使所述电极与源漏电极处于断路。上述优化设计的子像素结构，可有利用提高显示面板修补成功率，提高显示面板的良品率。

Description

子像素结构及其修补方法、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种子像素结构及其修补方法、显示面板及显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体(AMOLED)显示屏由于OLED电流驱动的特性,在像素(Pixel)设计上原本就带有多TFT及多电容的设计，另外对应于高开口率的需求，顶发射像素的设计也在高端产品上呈现。
在显示面板制作过程，存在多种因素可能致使显示面板中的某些像素单元出现不良的情况，例如破损(defect)、频闪等状况，从而影响显示面板的显示质量。
对于上述状况，现有技术中通常采用激光(laser)修补进行处理，以提高显示面板的良品率。
现有的激光修补方式中是利用激光将出现不良的像素单元所连接的数据线或栅线等控制线打断，即切断不良像素单元的控制线，以使不良像素单元处于断电不显示的状态。但是现有激光修补方式会导致不良像素单元所在像素行或像素列均处于不显示的状态，这样的修补方式显然无法提高显示面板的显示效果，不利于显示面板良品率的提升。同时，现有的激光修补方式还会因为金属的喷溅造成其他正常走线的异常，反而增加显示面板出现缺陷的情况。
发明内容
本发明提供一种子像素结构及其修补方法、显示面板及显示装置，可有利用提高显示面板修补成功率，提高显示面板的良品率。
本发明提供方案如下：
本发明实施例提供了一种子像素结构，包括至少一个TFT，还包括第一子像素区域和第二子像素区域，以及连接区域；
所述子像素中用于实现显示控制的电极，在所述连接区域，通过过孔，与所述TFT的源漏电极连接，以便在像素修补时，通过切割过孔内的电极材料，以使所述电极与源漏电极处于断路。
优选的，在每一个子像素区域，所述子像素结构包括：
阳极图层；
形成于阳极图层之上的电致变发光层；
形成于电致变发光层至上的阴极图层；
所述阳极图层通过所述过孔与所述源漏电极连接。
优选的，所述子像素结构还包括：
用于界定第一子像素区域和第二子像素区域的像素界定层。
优选的，所述子像素结构还包括：
形成于衬底基板之上的栅电极层；
形成于栅电极层之上的栅绝缘层；
形成于栅绝缘层之上的有机半导体层；
形成于栅绝缘层以及有机半导体层之上的源漏电极层；
形成于源漏电极层之上的保护层。
优选的，所述子像素中用于实现显示控制的电极通过形成于保护层中的过孔，与所述源漏电极层连接。
优选的，所述像素界定层形成于所述保护层之上。
优选的，所述保护层包括：
形成于源漏电极层之上的钝化层；
形成于钝化层之上的树脂层。
本发明实施例还提供了一种像素修补方法，包括：
基于子像素结构的图层结构，采用对应波长的激光，切割形成于过孔内的电极材料，以使子像素结构包括的子像素中用于实现显示控制的电极与子像素结构内TFT的源漏电极处于断路，所述过孔位于所述像素结构的连接区域内。
优选的，所述方法还包括：
当子像素结构中形成有源漏金属层或电极图层时，从所述源漏金属层或电极图层之上，采用对应波长的激光，切割形成于所述连接区域内的图层材料；或者，
当子像素结构中形成有像素界定层时，从子像素结构的衬底基板之下，采用对应波长的激光，切割形成于衬底基板之上连接区域内的图层材料。
本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板具体可以包括多个上述本发明实施例提供的子像素结构，多个子像素结构案预设的排列顺序进行排列。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置具体可以包括上述本发明实施例提供的显示面板。
从以上所述可以看出，本发明提供的子像素结构及其修补方法、显示面板及显示装置，该子像素结构包括第一子像素区域和第二子像素区域，以及连接区域；所述子像素中用于实现显示控制的电极，在所述连接区域，通过过孔，与所述TFT的源漏电极连接，以便在像素修补时，通过切割过孔内的电极材料，以使所述电极与源漏电极处于断路。上述优化设计的子像素结构，可有利用提高显示面板修补成功率，提高显示面板的良品率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的子像素结构示意图一；
图2为本发明实施例提供的子像素结构示意图二；
图3为本发明实施例提供的子像素结构示意图三；
图4为本发明实施例提供的像素修补方法具体实现示意图一；
图5为本发明实施例提供的像素修补方法具体实现示意图二；
图6为本发明实施例提供的像素修补方法具体实现示意图三。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。
本发明实施例提供了一种子像素结构，该子像素结构包括至少一个用于实现像素开关控制的TFT。
如图1、2所示，该子像素结构包括第一子像素区域1和第二子像素区域2，以及连接区域3；
上述子像素中用于实现显示控制的电极，在连接区域3，通过过孔4，与TFT的源漏电极5连接，以便在像素修补时，通过切割过孔4内的电极材料，以使电极与源漏电极5处于断路。
本发明实施例所提供的子像素结构，将一子像素一份为二(或者更多)，每一个子像素结构中的不同子像素，可显示相同的原色或者不同的原色，并且，每一个子像素中用于实现显示控制的电极，在子像素结构中特殊设置的连接区域3内，通过过孔4，与子像素结构的TFT源漏电极5连接。这样，当一子像素出现显示异常即不良时，只需利用激光修补等方式，将位于过孔4内的该子像素所属的电极材料切割掉，以使电极与TFT源漏电极5断开，从而使该子像素处于不显示的状态，避免了当子像素出现不良时，影响显示效果，同时，不影响另一子像素的正常显示。
而且，本发明实施例所提供的通过打断过孔内电极材料的修补方式，可以利用过孔的侧壁即其他图层，遮挡修补时飞溅的金属碎沫，从而还可避免金属喷溅造成其他正常走线的异常。
另外，本发明实施例所提供的技术方案，还可以基于子像素结构当前的图层结构(即已经存在哪些图层)，对修补光线(例如激光)的能量进行控制，以避免造成更多的金属喷溅。以激光为例，可通过控制激光的波长，以实现对激光能量的控制。
即本发明实施例通过优化的子像素结构设计，从而有利于提高显示面板修补成功率，提高显示面板的良品率。
本发明实施例所提供的子像素结构，为了界定每一个子像素的区域，可以设置有用于界定第一子像素区域和第二子像素区域的像素界定层(PDL)6。即在相邻的子像素之间，形成有像素界定层6的图案。具体可如图1、2所示。
本发明实施例所提供的子像素结构，如图2所示，在每一个子像素区域内，具体可以包括：
阳极7图层；
形成于阳极7图层之上的电致变发光层8；
形成于电致变发光层8至上的阴极9图层。
即本发明实施例所提供的子像素结构，可适用于有源矩阵有机发光二极体(AMOLED)显示面板中，当然，也可以适用于其他结构或类型的显示面板中。
从图2中可以看出，上述阳极7图层通过过孔4与源漏电极5连接。那么在进行像素修补时，可通过将形成于过孔4内的阳极7部分材料切除，以使阳极7与源漏电极5之间处于断路的状态，即两者之间不连接。
同样如图2所示，本发明实施例所提供的子像素结构内，还包括：
形成于衬底基板10之上的栅电极层11；
形成于栅电极层11之上的栅绝缘层12；
形成于栅绝缘层12之上的有机半导体层13；
形成于栅绝缘层12以及有机半导体层13之上的源漏金属层5；
形成于源漏金属层5之上的保护层14。
以上图层结构即构成了子像素结构中的TFT。
本发明实施例中，可仅设置有一个TFT，并使每一个子像素的电极均与该TFT的源漏电极5连接。而在其他实施例中，也可以为每一个子像素设置单独对应的TFT(即设置有与子像素数量对应的TFT)，并使每一个子像素的电极分别通过不同的过孔4，与对应的TFT源漏电极5连接。这样，在进行修补时，可避免对其他子像素产生影响。
上述形成TFT的图层，可形成于子像素结构的连接区域3的范围内。
通过图2所示的实施例可以看出，本发明实施例所涉及的过孔4，具体可形成于保护层14中，即本发明实施例中，子像素中用于实现显示控制的电极通过形成于保护层14中的过孔4，与源漏电极5连接。
上述本发明实施例所涉及的像素界定层6，具体可形成于保护层14之上。
本发明实施例所涉及的保护层14，具体可由钝化层、树脂层中的至少一层图层构成。
另外，如图3所示，在本发明实施例所提的子像素结构所在位置处，显示面板内还可以包括彩膜基板15、黑矩阵16、彩色滤色片17、隔离物18等图层。
以上图1、2、3所示子像素结构，仅为本发明实施例所提供的子像素结构的一个具体实施例，本发明实施例所提供的子像素结构还可以以其他表现形式实现，这里不再一一列举。
本发明实施例还提供了一种像素修补方法，该方法具体可以包括：
基于子像素结构的图层结构，采用对应波长的激光，切割形成于位于过孔4内的电极材料，以使子像素结构包括的子像素中用于实现显示控制的电极与像素结构内TFT的源漏电极5处于断路，过孔4位于子像素结构的连接区域3内。
上述方法的实现，可以基于子像素结构当前的图层结构，对修补激光的能量进行控制，以避免造成更多的金属喷溅。同时，本发明实施例所提供的通过打断过孔内电极材料的修补方式，可以利用过孔的侧壁即其他图层，遮挡修补时飞溅的金属碎沫，从而还可避免金属喷溅造成其他正常走线的异常。
即本发明实施例所提供的技术方案，通过对激光波长的控制，以实现对激光能力的控制，在确保电极材料被切断的前提下，使激光的能量与过孔的侧壁高度(由所存在的图层数量、图层厚度等图层结构参数决定)相对应，从而实现利用过孔的侧壁对激光切割过孔4内电极材料时飞溅的金属碎沫进行遮挡，避免金属喷溅造成其他正常走线的异常。以上即为本发明实施例所提供的像素修补方法中所涉及的“基于子像素结构的图层结构，采用对应波长的激光”的具体解释。
子像素结构在制作过程中，各个图层在制作过程也可能出现不良情况，从而导致显示面板显示异常，因此，本发明实施例所提供的像素修补方法，同样也可以应用于对各图层图案的修补。
举例说明：
如图4所示，当子像素结构中形成有源漏金属层即源漏电极5图案时，可从源漏电极5的上方，采用对应波长的激光，例如波长为320-490nm之间的激光，切割形成于连接区域3内的图层材料，例如源漏电极5、栅电极层11等，以实现对子像素结构的修补。
在另一具体实施例中，如图5所示，当子像素结构中形成有阳极7图案时，可在阳极7之上，采用对应波长的激光，切割形成于连接区域3内的图层材料，例如阳极7、源漏电极5等，以实现对子像素结构的修补。
而当子像素结构中形成有像素界定层6时，由于像素界定层6为了保护TFT不受高能光的影响，采用对短波长光不透过的材料(500nm以下透过率小于30％，成分为树脂和染料)，因此，像素界定层6可能会对激光产生遮挡(激光为小于500nm的高能光)，从而影响激光修补效果，因此，可从衬底基板10之下即下方，采用对应波长的激光，切割形成于连接区域3内的图层材料，例如源漏电极5、阳极7等，以实现子像素结构的修补。
本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板具体可以包括多个上述本发明实施例提供的子像素结构，多个子像素结构案预设的排列顺序进行排列。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置具体可以包括上述本发明实施例提供的显示面板。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种子像素结构，包括至少一个TFT，其特征在于，还包括第一子像素区域和第二子像素区域，以及连接区域；
所述子像素中用于实现显示控制的电极，在所述连接区域，通过过孔，与所述TFT的源漏电极连接，以便在像素修补时，通过切割过孔内的电极材料，以使所述电极与源漏电极处于断路。
2.如权利要求1所述的子像素结构，其特征在于，在每一个子像素区域，所述子像素结构包括：
阳极图层；
形成于阳极图层之上的电致变发光层；
形成于电致变发光层至上的阴极图层；
所述阳极图层通过所述过孔与所述源漏电极连接。
3.如权利要求1或2所述的子像素结构，其特征在于，还包括：
用于界定第一子像素区域和第二子像素区域的像素界定层。
4.如权利要求3所述的子像素结构，其特征在于，还包括：
形成于衬底基板之上的栅电极层；
形成于栅电极层之上的栅绝缘层；
形成于栅绝缘层之上的有机半导体层；
形成于栅绝缘层以及有机半导体层之上的源漏电极层；
形成于源漏电极层之上的保护层。
5.如权利要求4所述的子像素结构，其特征在于，所述子像素中用于实现显示控制的电极通过形成于保护层中的过孔，与所述源漏电极层连接。
6.如权利要求4所述的子像素结构，其特征在于，所述像素界定层形成于所述保护层之上。
7.如权利要求4所述的子像素结构，其特征在于，所述保护层包括：
形成于源漏电极层之上的钝化层；
形成于钝化层之上的树脂层。
8.一种像素修补方法，其特征在于，所述方法包括：
基于子像素结构的图层结构，采用对应波长的激光，切割形成于过孔内的电极材料，以使子像素结构包括的子像素中用于实现显示控制的电极与子像素结构内TFT的源漏电极处于断路，所述过孔位于所述子像素结构的连接区域内。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：
当子像素结构中形成有源漏金属层或电极图层时，从所述源漏金属层或电极图层之上，采用对应波长的激光，切割形成于所述连接区域内的图层材料；或者，
当子像素结构中形成有像素界定层时，从子像素结构的衬底基板之下，采用对应波长的激光，切割形成于衬底基板之上连接区域内的图层材料。
10.一种显示面板，其特征在于，包括多个如权利要求1-7任一项所述的子像素结构，多个子像素结构案预设的排列顺序进行排列。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的显示面板。
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