CN105097618B - 一种晶圆反应腔室及晶圆反应腔室之晶圆保护方法 - Google Patents

一种晶圆反应腔室及晶圆反应腔室之晶圆保护方法 Download PDF

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Abstract

一种晶圆反应腔室，包括：反应腔室本体，设置进气阀门和出气阀门，并围闭形成晶圆的容置腔；托环载体，呈面向设置在反应腔室本体之底板处，并在呈面向设置的一侧形成“凸”型空间，且托环载体在驱动电机的作用下移动；晶圆托环，设置在托环载体之异于底板的一侧；密封垫圈，设置在托环载体之异于底板的一侧内边缘；第一伸缩支架，设置在“凸”型空间内；真空隔离灯罩，可伸缩式的设置在反应腔室本体之顶板处。本发明晶圆反应腔室在机台故障时，可自动形成密闭空间，并在重新建立真空环境，通入反应气体时，将晶圆从密闭空间内回至晶圆托环处，不仅结构简单、使用方便，而且有效避免冲击过程中形成颗粒物污染，提高产品良率。

Description

一种晶圆反应腔室及晶圆反应腔室之晶圆保护方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆反应腔室及晶圆反应腔室之晶圆保护方法。
背景技术
随着晶圆制造技术日趋复杂，在晶圆制造过程中便会存在越来越多的因素可能会导致晶圆制造过程的中断。特别地，针对需要真空环境的制造过程，中断势必会导致反应腔室内真空度发生变化，或者在反应重启后其反应腔室内真空度发生变化。明显地，不同时段的真空度变化都会导致真空反应腔室外的大气冲击真空反应腔室内的晶圆，进而使得晶圆表面形成大量的颗粒物污染。
常规的晶圆反应腔室，例如原位蒸汽氧化器(ISSG)的反应腔室，在机台报警导致反应过程中断时，反应腔室会自动关闭阀门，使反应腔室保持真空环境。但是，当反应重启时，所关闭之阀门便会自动打开，外界的大气必将冲击反应腔室内的晶圆，导致晶圆出现表面颗粒物污染。
对于晶圆表面之颗粒物污染，业界通常采用湿法清洗进行去除。虽然湿法清洗可以将晶圆表面之颗粒物污染去除，但是如果晶圆表面较为脆弱，在不能采用湿法清洗工艺的时候，该被颗粒污染之晶圆只能报废。
寻求一种因机台出现异常而中断时，可自动保护晶圆，避免形成表面颗粒物污染的反应腔室及其晶圆的保护方法已成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。
故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种晶圆反应腔室及晶圆反应腔室之晶圆保护方法。
发明内容
本发明是针对现有技术中，传统的晶圆反应腔室在工艺机台发生故障时真空度变化，导致晶圆出现颗粒物污染，甚至报废等缺陷提供一种晶圆反应腔室及晶圆反应腔室之晶圆保护方法。
本发明之第二目的是针对现有技术中，传统的晶圆反应腔室在工艺机台出现故障时真空度变化，导致晶圆出现颗粒物污染，甚至报废等缺陷提供一种晶圆反应腔室之晶圆保护方法。
为实现本发明之目的，本发明提供一种晶圆反应腔室，所述晶圆反应腔室，包括：反应腔室本体，设置进气阀门和出气阀门，并围闭形成待工艺处理之晶圆的容置腔；托环载体，呈面向设置在所述反应腔室本体之底板处，并在所述托环载体之呈面向设置的一侧形成由第一空间和第二空间纵向叠置的“凸”型空间，且所述托环载体在驱动电机的作用下进行移动；晶圆托环，设置在所述托环载体之异于所述底板的一侧；密封垫圈，设置在所述托环载体之异于所述底板的一侧，且位于所述托环载体之内边缘；第一伸缩支架，设置在由所述托环载体形成的“凸”型空间内；真空隔离灯罩，与所述待工艺处理之晶圆呈面向设置，并可伸缩式的设置在所述反应腔室本体之顶板处。
可选地，所述托环载体在驱动电机的作用下进行相向移动，以实现所述托环载体的合并，或在驱动电机的作用下进行反向移动，以实现所述托环载体的分离。
可选地，所述“凸”型空间之第一空间小于所述“凸”型空间之第二空间。
可选地，所述第一伸缩支架的数量为3根。
可选地，所述真空隔离灯罩通过设置在所述反应腔室本体之顶板上的第二伸缩支架可伸缩式的与所述反应腔室本体之顶板相连。
为实现本发明之第二目的，本发明提供一种晶圆反应腔室之晶圆的保护方法，所述晶圆反应腔室之晶圆保护方法，包括：
执行步骤S1：所述晶圆反应腔室之进气阀门和出气阀门关闭，保持所述反应腔室本体内真空状态；
执行步骤：所述第一伸缩支架伸展，并顶持所述待工艺处理之晶圆，且所述托环载体和所述晶圆托环在驱动电机的作用下背向移动，并使得所述“凸”型空间之第一空间大于所述待工艺处理之晶圆的尺寸；
执行步骤S3：所述第一伸缩支架收缩，并承载所述待工艺处理之晶圆向下运动至所述“凸”型空间之第二空间内，且所述托环载体和所述晶圆托环在驱动电机的作用下相向移动，使得所述托环载体和所述晶圆托环均合并密封；
执行步骤S4：所述真空隔离灯罩在所述第二伸缩支架的伸展作用力下沿着所述待工艺处理之晶圆的方向移动，并顶持所述密封垫圈，以形成由所述真空隔离灯罩、密封垫圈和托环载体构成的密闭空间，所述晶圆反应腔室之进气阀门和出气阀门打开，外界大气冲击所述反应腔室本体；
执行步骤S5：重新建立真空环境，并通入反应气体，将所述待工艺处理之晶圆从由述真空隔离灯罩、密封垫圈和托环载体构成的密闭空间内回至所述晶圆托环处。
可选地，所述托环载体之异于反应腔室本体之底板的一侧为可配合成圆的双半圆状。
可选地，所述晶圆托环为可配合成圆的双半圆状。
可选地，所述第一伸缩支架的伸缩量为当所述第一伸缩支架在伸展时可顶持待工艺处理之晶圆，当所述第一伸缩支架在压缩时可承载待工艺处理之晶圆进入所述“凸”型空间之第二空间内。
可选地，所述密封垫圈呈倒“八”字设置在所述托环载体之异于所述底板一侧的内边缘。
综上所述，本发明晶圆反应腔室在机台故障时，可自动形成由所述真空隔离灯罩、密封垫圈和托环载体构成的密闭空间，并在重新建立真空环境，并通入反应气体时，将所述待工艺处理之晶圆从由述真空隔离灯罩、密封垫圈和托环载体构成的密闭空间内回至所述晶圆托环处，不仅结构简单、使用方便，而且有效避免冲击过程中形成颗粒物污染，提高产品良率。
附图说明
图1所示为本发明晶圆反应腔室的侧视图；
图2(a)～图2(b)所述为本发明晶圆反应腔室的阶段性俯视图；
图3(a)～图3(d)所示为本发明晶圆反应腔室之晶圆保护的阶段性示意图。
具体实施方式
为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。
请参阅图1、图2(a)～图2(b)，图1所示为本发明晶圆反应腔室的侧视图。图2(a)～图2(b)所述为本发明晶圆反应腔室的阶段性俯视图。所述晶圆反应腔室1，包括：反应腔室本体11，所述反应腔室本体11设置进气阀门(未图示)和出气阀门(未图示)，并围闭形成待工艺处理之晶圆2的容置腔111；托环载体12，所述托环载体12呈面向设置在所述反应腔室本体11之底板112处，并在所述托环载体12之呈面向设置的一侧形成由第一空间121和第二空间122纵向叠置的“凸”型空间120，且所述托环载体12在驱动电机(未图示)的作用下进行相向移动，以实现所述托环载体12的合并，或在驱动电机的作用下进行反向移动，以实现所述托环载体12的分离；晶圆托环13，所述晶圆托环13设置在所述托环载体12之异于所述底板112的一侧；密封垫圈14，所述密封垫圈14设置在所述托环载体12之异于所述底板112的一侧，且位于所述托环载体12之内边缘；第一伸缩支架15，所述第一伸缩支架15设置在由所述托环载体12形成的“凸”型空间120内；真空隔离灯罩16，所述真空隔离灯罩16与所述待工艺处理之晶圆2呈面向设置，并可伸缩式的设置在所述反应腔室本体11之顶板113处。
请参阅图1，并结合参阅图3(a)～图3(d)，图3(a)～图3(d)所示为本发明晶圆反应腔室之晶圆保护的阶段性示意图。为了更直观的揭露本发明之技术方案，凸显本发明之有益效果，现结合具体实施方式，对本发明之晶圆反应腔室及其晶圆反应腔室之晶圆的保护方法进行阐述。作为具体的实施方式，本发明之晶圆反应腔室的尺寸、元部件数量等仅为列举，不应视为对本发明技术方案的限制。非限制性地，为了实现平衡，例如所述第一伸缩支架15的数量为3根。所述真空隔离灯罩16通过设置在所述反应腔室本体11之顶板113上的第二伸缩支架17可伸缩式的与所述反应腔室本体11之顶板113相连。明显地，所述“凸”型空间120之第一空间121小于所述“凸”型空间120之第二空间122。
请继续参阅图3(a)～图3(d)，当所述工艺机台出现故障时，所述晶圆反应腔室之晶圆保护方法，包括：
执行步骤S1：所述晶圆反应腔室1之进气阀门和出气阀门关闭，保持所述反应腔室本体11内真空状态；
执行步骤S2：所述第一伸缩支架15伸展，并顶持所述待工艺处理之晶圆2，且所述托环载体12和所述晶圆托环13在驱动电机的作用下背向移动，并使得所述“凸”型空间120之第一空间121大于所述待工艺处理之晶圆2的尺寸；
执行步骤S3：所述第一伸缩支架15收缩，并承载所述待工艺处理之晶圆2向下运动至所述“凸”型空间120之第二空间122内，且所述托环载体12和所述晶圆托环13在驱动电机的作用下相向移动，使得所述托环载体12和所述晶圆托环13均合并密封；
执行步骤S4：所述真空隔离灯罩16在所述第二伸缩支架17的伸展作用力下沿着所述待工艺处理之晶圆2的方向移动，并顶持所述密封垫圈14，以形成由所述真空隔离灯罩16、密封垫圈14和托环载体12构成的密闭空间，所述晶圆反应腔室1之进气阀门和出气阀门打开，外界大气冲击所述反应腔室本体11；
执行步骤S5：重新建立真空环境，并通入反应气体，将所述待工艺处理之晶圆2从由述真空隔离灯罩16、密封垫圈14和托环载体12构成的密闭空间内回至所述晶圆托环13处，避免冲击过程中形成颗粒物污染。
作为本领域技术人员，容易理解地，所述待工艺处理之晶圆2从由所述真空隔离灯罩16、密封垫圈14和托环载体12构成的密闭空间内回至所述晶圆托环13处采用与所述待工艺处理之晶圆2进入由述真空隔离灯罩16、密封垫圈14和托环载体12构成的密闭空间相反的执行步骤，在此不予赘述。
作为优选的实施方式，所述托环载体12之异于反应腔室本体11之底板112的一侧为可配合成圆的双半圆状。所述晶圆托环13为可配合成圆的双半圆状。所述第一伸缩支架15的伸缩量以满足所述第一伸缩支架15在伸展时可顶持待工艺处理之晶圆2，所述第一伸缩支架15在压缩时可承载待工艺处理之晶圆2进入所述“凸”型空间120之第二空间122内为宜。更具体地，为了提高并维持由所述真空隔离灯罩16、密封垫圈14和托环载体12构成的密闭空间之真空度，所述密封垫圈14呈倒“八”字设置在所述托环载体12之异于所述底板112一侧的内边缘。
明显地，本发明晶圆反应腔室1在机台故障时，可自动形成由所述真空隔离灯罩16、密封垫圈14和托环载体12构成的密闭空间，并在重新建立真空环境，并通入反应气体时，将所述待工艺处理之晶圆2从由述真空隔离灯罩16、密封垫圈14和托环载体12构成的密闭空间内回至所述晶圆托环13处，不仅结构简单、使用方便，而且有效避免冲击过程中形成颗粒物污染，提高产品良率。
综上所述，本发明晶圆反应腔室在机台故障时，可自动形成由所述真空隔离灯罩、密封垫圈和托环载体构成的密闭空间，并在重新建立真空环境，并通入反应气体时，将所述待工艺处理之晶圆从由述真空隔离灯罩、密封垫圈和托环载体构成的密闭空间内回至所述晶圆托环处，不仅结构简单、使用方便，而且有效避免冲击过程中形成颗粒物污染，提高产品良率。
本领域技术人员均应了解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因而，如果任何修改或变型落入所附权利要求书及等同物的保护范围内时，认为本发明涵盖这些修改和变型。

Claims (10)

1.一种晶圆反应腔室，其特征在于，所述晶圆反应腔室，包括：
反应腔室本体，设置进气阀门和出气阀门，并围闭形成待工艺处理之晶圆的容置腔；
托环载体，呈面向设置在所述反应腔室本体之底板处，并在所述托环载体之呈面向设置的一侧形成由第一空间和第二空间纵向叠置的“凸”型空间，且所述托环载体在驱动电机的作用下进行移动；
晶圆托环，设置在所述托环载体之异于所述底板的一侧；
密封垫圈，设置在所述托环载体之异于所述底板的一侧，且位于所述托环载体之内边缘；
第一伸缩支架，设置在由所述托环载体形成的“凸”型空间内；
真空隔离灯罩，与所述待工艺处理之晶圆呈面向设置，并可伸缩式的设置在所述反应腔室本体之顶板处。
2.如权利要求1所述的晶圆反应腔室，其特征在于，所述托环载体在驱动电机的作用下进行相向移动，以实现所述托环载体的合并，或在驱动电机的作用下进行反向移动，以实现所述托环载体的分离。
3.如权利要求1所述的晶圆反应腔室，其特征在于，所述“凸”型空间之第一空间小于所述“凸”型空间之第二空间。
4.如权利要求1所述的晶圆反应腔室，其特征在于，所述第一伸缩支架的数量为3根。
5.如权利要求1所述的晶圆反应腔室，其特征在于，所述真空隔离灯罩通过设置在所述反应腔室本体之顶板上的第二伸缩支架可伸缩式的与所述反应腔室本体之顶板相连。
6.一种如权利要求1所述的晶圆反应腔室之晶圆保护方法，其特征在于，所述晶圆反应腔室之晶圆保护方法，包括：
执行步骤S1：所述晶圆反应腔室之进气阀门和出气阀门关闭，保持所述反应腔室本体内真空状态；
执行步骤S2：所述第一伸缩支架伸展，并顶持所述待工艺处理之晶圆，且所述托环载体和所述晶圆托环在驱动电机的作用下背向移动，并使得所述“凸”型空间之第一空间大于所述待工艺处理之晶圆的尺寸；
执行步骤S3：所述第一伸缩支架收缩，并承载所述待工艺处理之晶圆向下运动至所述“凸”型空间之第二空间内，且所述托环载体和所述晶圆托环在驱动电机的作用下相向移动，使得所述托环载体和所述晶圆托环均合并密封；
执行步骤S4：所述真空隔离灯罩在第二伸缩支架的伸展作用力下沿着所述待工艺处理之晶圆的方向移动，并顶持所述密封垫圈，以形成由所述真空隔离灯罩、密封垫圈和托环载体构成的密闭空间，所述晶圆反应腔室之进气阀门和出气阀门打开，外界大气冲击所述反应腔室本体；
执行步骤S5：重新建立真空环境，并通入反应气体，将所述待工艺处理之晶圆从所述真空隔离灯罩、密封垫圈和托环载体构成的密闭空间内回至所述晶圆托环处。
7.如权利要求6所述的晶圆反应腔室之晶圆保护方法，其特征在于，所述托环载体之异于反应腔室本体之底板的一侧为可配合成圆的双半圆状。
8.如权利要求6所述的晶圆反应腔室之晶圆保护方法，其特征在于，所述晶圆托环为可配合成圆的双半圆状。
9.如权利要求6所述的晶圆反应腔室之晶圆保护方法，其特征在于，所述第一伸缩支架的伸缩量为当所述第一伸缩支架在伸展时可顶持待工艺处理之晶圆，当所述第一伸缩支架在压缩时可承载待工艺处理之晶圆进入所述“凸”型空间之第二空间内。
10.如权利要求6所述的晶圆反应腔室之晶圆保护方法，其特征在于，所述密封垫圈呈倒“八”字设置在所述托环载体之异于所述底板一侧的内边缘。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112018007A (zh) * 2019-05-31 2020-12-01 芯恩（青岛）集成电路有限公司 用于smif和机台的连接罩、半导体设备和制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4836434A (en) * 1985-05-31 1989-06-06 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for airtightly packaging semiconductor package
CN1954419A (zh) * 2004-05-25 2007-04-25 有限会社都波岐精工 胶带粘结装置、胶带粘结方法、以及电子器件制造方法
CN101622703A (zh) * 2007-02-28 2010-01-06 周星工程股份有限公司 基板支持框架及包含此支持框架的基板处理设备和利用此支持框架装载与卸载基板的方法
CN102172585A (zh) * 2010-12-31 2011-09-07 上海集成电路研发中心有限公司 浸没式水槽、清洗装置和硅片清洗方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3774951B2 (ja) * 1996-09-26 2006-05-17 神鋼電機株式会社 ウェーハ洗浄装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4836434A (en) * 1985-05-31 1989-06-06 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for airtightly packaging semiconductor package
CN1954419A (zh) * 2004-05-25 2007-04-25 有限会社都波岐精工 胶带粘结装置、胶带粘结方法、以及电子器件制造方法
CN101622703A (zh) * 2007-02-28 2010-01-06 周星工程股份有限公司 基板支持框架及包含此支持框架的基板处理设备和利用此支持框架装载与卸载基板的方法
CN102172585A (zh) * 2010-12-31 2011-09-07 上海集成电路研发中心有限公司 浸没式水槽、清洗装置和硅片清洗方法

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