CN105093823B - 一种狭缝电极的制造方法、狭缝电极及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施例提供一种狭缝电极的制造方法、狭缝电极及显示面板，属于显示器技术领域，用于解决现有技术中制作狭缝电极时刻蚀不干净的问题，该方法包括：在钝化层上形成第一光刻胶图案,第一光刻胶图案的形状与狭缝电极的狭缝的形状相对应；在形成有第一光刻胶图案的钝化层上形成狭缝电极图案，狭缝电极图案上覆盖有第二光刻胶图案，第二光刻胶图案的形状与狭缝电极的形状相对应；对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行剥离。本发明的实施例用于显示器的制造。

Description

一种狭缝电极的制造方法、狭缝电极及显示面板
技术领域
本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种狭缝电极的制造方法、狭缝电极及显示面板。
背景技术
目前，液晶面板按照显示模式可以分为：扭曲向列(英文全称：Twisted Nematic，简称：TN)型、平面转换(英文全称：In Plane Switching,简称：IPS)型和高级超维场开关(英文全称：Advanced Super Dimension Switch,简称：ADS)型等。其中，ADS显示模式的液晶面板是通过同一平面内的狭缝电极所产生的电场和面电极间产生的电场形成多维电场，使在电极之间和电极正上方的所有液晶分子发生旋转，相对于IPS显示模式的液晶面板，能够提高液晶的工作效率且增加了透光效率。由于ADS显示模式的液晶面板具有高画面品质、高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无水波纹(引文名称：push Mura)等优点所以被广泛应用。
现有技术中，在制作ADS显示模式的液晶面板的狭缝电极时通常依次包括：镀膜、涂胶、曝光、显影、刻蚀和剥离等工序，其中刻蚀工艺中最常用的一种工艺是湿法化学刻蚀工艺，然而，湿法化学刻蚀工艺在刻蚀狭缝电极时，常常会出现狭缝处刻蚀不干净，甚至于会出现电极短路的现象，进而导致显示装置的阵列基板出现亮度不均匀(英文名称：Mura)、透过率降低、液晶导向膜(英文全称：Cell polyimide，简称：Cell PI)不均匀等问题。所以如何避免狭缝电极的狭缝处刻蚀残留是本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明的实施例提供一种狭缝电极的制造方法、狭缝电极及显示面板，用于解决现有技术中制作狭缝电极时刻蚀不干净的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种狭缝电极的制造方法，包括：
在钝化层上形成第一光刻胶图案,所述第一光刻胶图案的形状与所述狭缝电极的狭缝的形状相对应；
在形成有第一光刻胶图案的钝化层上形成狭缝电极图案，所述狭缝电极图案上覆盖有第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案的形状与所述狭缝电极的形状相对应；
对所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案进行剥离。
可选的，所述在钝化层上形成第一光刻胶图案，包括：
在钝化层上涂覆第一层光刻胶层；
在所述第一光刻胶层上方设置第一掩膜版，并对所述第一掩膜版未遮挡部位的光刻胶进行曝光；
对曝光后的所述第一光刻胶层进行显影形成第一光刻胶图案。
可选的，所述在形成有第一光刻胶图案的钝化层上形成狭缝电极图案，包括：
在形成有第一光刻胶图案的钝化层上形成一层电极材料膜层；
在所述电极材料膜层上涂覆第二层光刻胶层；
在所述第二光刻胶层上方设置第二掩膜版，并对所述第二掩膜版未遮挡部位的光刻胶进行曝光；
对曝光后的第二光刻胶进行显影形成第二光刻胶图案；
对覆盖有第二光刻胶图案的电极材料膜层进行刻蚀形成所述狭缝电极图案。
可选的，所述在形成有第一光刻胶图案的钝化层上形成一层电极材料膜层，包括：
通过溅射镀膜在形成有第一光刻胶图案的钝化层上形成一层电极材料膜层。
可选的，所述电极图案包括铟锡氧化物图案。
可选的，所述电极图案包括石墨烯图案。
第二方面，提供一种狭缝电极，所述狭缝电极由第一方面任一项所述的狭缝电极制造方法制作获得。
第三方面，提供一种显示面板，包括第二方面所述的狭缝电极。
可选的，所述显示面板包括：高级超维场开关型显示面板，所述狭缝电极为所述显示面板的像素电极。
本发明实施例提供的狭缝电极的制作方法，首先在在钝化层上形成第一光刻胶图案，第一光刻胶图案的形状与狭缝电极的狭缝的形状相对应；然后在形成有第一光刻胶图案的钝化层上形成狭缝电极图案，且狭缝电极图案上覆盖有第二光刻胶图案，第二光刻胶图案的形状与狭缝电极的形状相对应；最后对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行剥离；因为在对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行剥离的同时能够同时剥离掉狭缝电极狭缝内未完全刻蚀掉的电极材料，所以本发明的实施例能够解决现有技术中制作狭缝电极时刻蚀不干净的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种狭缝电极制造方法的步骤流程图；
图2为本发明实施例提供的另一种狭缝电极制造方法的步骤流程图；
图3为本发明实施例提供的钝化层和第一光刻胶层的示意性结构图；
图4为本发明实施例提供的第一掩膜版的示意性结构图
图5为本发明实施例提供的第一光刻胶图案的示意性结构图；
图6为本发明实施例提供的电极材料层的示意性结构图；
图7为本发明实施例提供的第二光刻胶层的示意性结构图；
图8为本发明实施例提供的第二掩膜版的示意性结构图；
图9为本发明实施例提供的第二光刻胶图案的示意性结构图；
图10为本发明实施例提供的狭缝电极图案的示意性结构图；
图11为本发明实施例提供的剥离第一光刻胶图案和第二光刻胶图案后的狭缝电极的示意性结构图。
附图标记：
钝化层-30；
第一光刻胶层-31；
第一掩膜版-40；
第一光刻胶图案-50；
电极材料层-60；
第二光刻胶层-70；
第二掩膜版-80；
第二光刻胶图案-90；
狭缝电极图案-100。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本申请中的“第一”、“第二”等字样仅仅是为了对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，“第一”、“第二”等字样并不是在对数量和执行次序进行限定。
此外，本发明实施例中的“上”、“下”以制造狭缝电极时的先后顺序为准，例如，在上的图案是指相对在后形成的图案，在下的图案是指相对在先形成的图案。另一方面，为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，附图中对各层结构的厚度选取了易于观察的厚度比例，但附图中各个层结构的厚度比例并不代表实际显示装置中各层结构的厚度比例，也不能作为对本发明的限制。
本发明的实施例提供一种狭缝电极的制造方法，具体的，参照图1所示，该方法包括：
S101、在钝化层上形成第一光刻胶图案,第一光刻胶图案的形状与狭缝电极的狭缝的形状相对应。
S102、在形成有第一光刻胶图案的钝化层上形成狭缝电极图案，狭缝电极图案上覆盖有第二光刻胶图案，第二光刻胶图案的形状与狭缝电极的形状相对应。
S103、对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行剥离。
本发明实施例提供的狭缝电极的制作方法，首先在在钝化层上形成第一光刻胶图案，第一光刻胶图案的形状与狭缝电极的狭缝的形状相对应；然后在形成有第一光刻胶图案的钝化层上形成狭缝电极图案，且狭缝电极图案上覆盖有第二光刻胶图案，第二光刻胶图案的形状与狭缝电极的形状相对应；最后对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行剥离；因为在对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行剥离的同时能够同时剥离掉狭缝电极狭缝内未完全刻蚀掉的电极材料，所以本发明的实施例能够解决现有技术中制作狭缝电极时刻蚀不干净的问题。
本发明另一实施例提供一种狭缝电极的制造方法，具体的，参照图2所示，该方法包括：
S201、在钝化层上涂覆第一光刻胶层。
其中，钝化层又称为保护层，用于隔离相邻的层结构或者保护其他层结构。例如：阵列基板的栅绝缘层。光刻胶通常包括：聚合物、溶剂、感光剂、添加剂等成分，光刻胶在特定条件下可以发生聚合反应形成聚合物。一种光刻胶在受到光线照射时会发生聚合反应形成聚合物，而另一种光刻胶在未受到光线照射时会发生聚合反应形成聚合物。本发明的实施例中均以光刻胶受到光线照射时会发生聚合反应形成聚合物为例进行说明。
参照图3所示，在钝化层30上涂覆第一光刻胶层31。通常涂覆光刻胶的工艺包括静态涂胶工艺和动态涂胶工艺。其中，静态涂胶工艺为：首先将光刻胶通过管道堆积在钝化层的中心，对计量由钝化层的大小和光刻胶的类型确定，然后将堆积的光刻胶铺展开来，再通过旋转对钝化层使光刻胶涂覆均匀；而动态涂胶工艺为：在向钝化层喷洒光刻胶的同时使钝化层旋转，从而使光刻胶在一接触到钝化层时就开始扩散，用动态涂胶工艺可以用较少的光刻胶而形成更均匀的光刻胶膜层。本发明的实施例中不限定涂覆光刻胶的工艺，只要可以形成均匀的光刻胶膜层即可。
S202、在第一光刻胶层上方设置第一掩膜版，并对第一掩膜版未遮挡部位的光刻胶进行曝光。
参照图4所示，在上述步骤S201形成的第一光刻胶层的上方设置第一掩膜版40，掩膜版40为不透光材料制作，对掩膜版未遮挡部位的光刻胶进行曝光后，第一光刻胶层上受到光线照射的光刻胶发生聚合反应形成聚合物。
S203、对曝光后的第一光刻胶层进行显影形成第一光刻胶图案。
第一光刻胶层进过曝光后，第一光刻胶图案的形状记录在光刻胶膜层上，然后通过对未发生聚合反应的光刻胶的化学分解、去除来时使第一光刻胶图案显影。即，通过显影完成掩膜版的图形到光刻胶层上的转移。显影工艺通常包括：湿法显影工艺和干法显影工艺，其中，湿法显影工艺又分为沉浸显影、喷射显影、混凝显影等工艺，干法显影是指使用等离子体刻蚀工艺。以上显影工艺均为现有工艺，为避免赘述本发明在此不做详细介绍。具体的，参照图5所示，在钝化层30上形成第一光刻胶图案50。
S204、通过溅射镀膜在形成有第一光刻胶图案的钝化层上形成一层电极材料膜层。
溅射镀膜的原理为：在真空室中，利用高能量电子轰击靶材表面，使被轰击出的粒子在基板上沉积成膜的技术。溅射过程一般不发生化学反应，属于物理气相沉积法(英文全称：physical vapor deposition,英文简称：PVD)的一种，一般用来形成金属电极。
示例性的，该电极材料可以为：铟锡氧化物(英文全称：Indium Tin Oxide，简称：ITO)或石墨烯。从而使形成的狭缝电极图案为ITO图案或石墨烯图案。其中，ITO是透明电极中最常用的一种材料，其包括氧化铟和氧化锡，氧化铟具有高透过率，氧化锡具有很强导电能力，因此ITO是一种具有高透过率的导电材料。石墨烯是一种由单层碳原子紧密堆积成二维蜂窝状结构的碳质新材料。其具有200,000cm2/Vs的迁移率，比硅高出100倍，其导电性与铜相接近，光透射率可达97.7％，远高于一般导电薄膜，同时石墨烯还具有高柔性，所以选用石墨烯作为电机材料不但可以增加狭缝电极的透过率、导电率，而且还可以增加狭缝电极的强度。具体的，参照图6所示，在形成有第一光刻胶图案50的钝化层30上形成一层电极材料膜层60。
S205、在电极材料膜层上涂覆第二光刻胶层。
步骤S205中在电极材料膜层上涂覆第二光刻胶层的方法与步骤S201中在钝化层上涂覆第一光刻胶层的方法类似，此处不再赘述。具体的，参照图7所示，在电极材料膜层60上涂覆第二光刻胶层70。
S206、在第二光刻胶层上方设置第二掩膜版，并对第二掩膜版未遮挡部位的光刻胶进行曝光。
同样，步骤S206中在第二光刻胶层上方设置第二掩膜版，并对第二掩膜版未遮挡部位的光刻胶进行曝光的方法与步骤S202中在第一光刻胶层上方设置第一掩膜版，并对第一掩膜版未遮挡部位的光刻胶进行曝光的方法类似，不同之处在于步骤S202中使用的第一掩膜版的透光区域的形状与步骤S206中使用的第二掩膜版的透光区域的形状不同，步骤S202中使用的第一掩膜版的非透光区域的形状与狭缝电极的狭缝形状相同，而步骤S206中使用的第二掩膜版的非透光区域的形状与狭缝电极的形状相同。具体的，参照图8所示，在第二光刻胶层70上方设置第二掩膜版80，并对第二掩膜版80未遮挡部位的光刻胶进行曝光。
S207、对曝光后的第二光刻胶层进行显影形成第二光刻胶图案。
步骤S207中显影方法与步骤S203中类似，此处不再赘述，具体的，参照见图9所示，曝光后的第二光刻胶层70进行显影形成第二光刻胶图案90。
S208、对覆盖有第二光刻胶图案的电极材料膜层进行刻蚀形成狭缝电极图案。
刻蚀工艺通常包括干法刻蚀和湿法刻蚀，其中，干法主要用于非金属膜的刻蚀。包括：等离子刻蚀(英文全称：plasma etching，简称：PE,)反应性离子刻蚀(引文全称：reactive ion etching,简称：RIE)。湿法刻蚀主要用于金属膜的刻蚀，其实质过程为强酸溶液对金属膜进行溶解和氧化还原的过程。本发明实施例中同样不限定刻蚀的方法，只要能够刻蚀形成狭缝电极图案即可。参照图10所示，对覆盖有第二光刻胶70图案的电极材料膜层60进行刻蚀形成狭缝电极图案100。
S209、对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行剥离。
剥离的目的是将经过蚀刻的狭缝电极的光刻胶去除干净，目前普遍使用的光刻胶剥离方法为通过光刻胶剥离液对光刻胶进行剥离。即，将刻蚀后的狭缝电极图案、钝化层、第一光刻胶图案、第二光刻胶图案整体放入光刻胶剥离液中对光刻胶进行溶解，同时，附着于第二光刻胶图案上未刻蚀干净的电极材料也会随着第二光刻胶剥离狭缝电极图案。所以本发明的实施例可以解决现有技术中制作狭缝电极时刻蚀不干净的问题。参照图11所示，图11中100为剥离第一光刻胶图案和第二光刻胶图案后的狭缝电极图案。
本发明再一实施例提供一种狭缝电极，该狭缝电极由上述任一实施例提供的狭缝电极的制作方法制作获得。由于本发明的狭缝电极，由上述任一实施例的提供的狭缝电极制作方法制作获得，所以本发明提供的狭缝电极可以能够解决现有技术中制作狭缝电极时刻蚀不干净的问题。
本发明一实施例，一种显示面板，该显示面板包括上述实施例提供的狭缝电极。
另外，显示面板可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
示例性的，显示面板包括：高级超维场开关型显示面板，狭缝电极为显示面板的像素电极。
当然，显示面板还可以为平面转换(英文全称：In Plane Switching，简称：IPS)模式显示面板和边缘场开关(英文全称：Fringe Field Switching，简称：FFS)模式显示面板，本发明对此不做限定，只要显示面板包括上述实施例提供狭缝电极即可。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (7)

1.一种狭缝电极的制造方法，其特征在于，包括：
在钝化层上形成第一光刻胶图案,所述第一光刻胶图案的形状与所述狭缝电极的狭缝的形状相对应；
在形成有第一光刻胶图案的钝化层上形成狭缝电极图案，所述狭缝电极图案上覆盖有第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案的形状与所述狭缝电极的形状相对应；
对所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案进行剥离；
所述在形成有第一光刻胶图案的钝化层上形成狭缝电极图案，包括：
通过溅射镀膜在形成有第一光刻胶图案的钝化层上形成一层电极材料膜层；
在所述电极材料膜层上涂覆第二层光刻胶层；
在所述第二光刻胶层上方设置第二掩膜版，并对所述第二掩膜版未遮挡部位的光刻胶进行曝光；
对曝光后的第二光刻胶进行显影形成第二光刻胶图案；
对覆盖有第二光刻胶图案的电极材料膜层进行刻蚀形成所述狭缝电极图案。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在钝化层上形成第一光刻胶图案，包括：
在钝化层上涂覆第一层光刻胶层；
在所述第一光刻胶层上方设置第一掩膜版，并对所述第一掩膜版未遮挡部位的光刻胶进行曝光；
对曝光后的所述第一光刻胶层进行显影形成第一光刻胶图案。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电极图案包括铟锡氧化物图案。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电极图案包括石墨烯图案。
5.一种狭缝电极，其特征在于，所述狭缝电极由权利要求1-4任一项所述的狭缝电极的制造方法制作获得。
6.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求5所述的狭缝电极。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：高级超维场开关型显示面板，所述狭缝电极为所述显示面板的像素电极。
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