CN105080892B - 一种晶圆支撑件的清洗装置及清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种晶圆支撑件的清洗装置及清洗方法，包括第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件，其中，交替使用第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件，当第一组晶圆支撑件处于伸出状态时，则第二组晶圆支撑件处于收缩状态，或当第一组晶圆支撑件处于收缩状态时，则第二组晶圆支撑件处于伸出状态。本发明通过交替使用第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件，当其中的一组晶圆支撑件支撑晶圆时，另一组晶圆支撑件则与清洗液充分接触，使晶圆支撑件始终保持良好的清洁度，避免晶圆支撑件上的污垢污染晶圆，降低了晶圆缺陷，提高了晶圆的良率。

Description

一种晶圆支撑件的清洗装置及清洗方法
技术领域
本发明属于半导体晶圆清洗工艺领域，涉及一种晶圆支撑件的清洗装置及清洗方法。
背景技术
在随着集成电路特征尺寸进入到深亚微米阶段，集成电路晶圆制造工艺中所要求的晶圆表面的洁净度越来越苛刻，为了保证晶圆材料表面的洁净度，集成电路的制造工艺中存在数百道清洗工序，清洗工序占了整个制造过程的20％。
传统对晶圆表面清洗采用产出比较高的槽式清洗设备，清洗设备的主要清洗步骤一般先进行化学液清洗浸泡，然后进行清水洗净工序。晶圆在化学液清洗浸泡后，晶圆表面依旧会残留一些副产物和化学液，所以后续的清水洗净工艺尤为重要，若清洗不干净会在晶圆表面产生如化学液残留或晶圆表面存在颗粒物之类的缺陷。
在现有的槽式清洗设备中，支撑件是清洗槽中用于支撑晶圆的部件，但在长期使用过程中，支撑件与晶圆之间的接触处往往会形成清洁死角，如图1所示，图1为现有晶圆支撑件的结构示意图，晶圆3被支撑件2支撑同时放置于盛有清洗液的清洗槽1中,由于支撑件2与晶圆3之间往往会形成清洁死角，通常会在支撑件2上残留一些污垢，而残留在支撑件2上的污垢往往会重新污染晶圆3，造成晶圆缺陷，导致晶圆良率的降低。因此，本领域技术人员亟待解决现有晶圆支撑件存在清洁死角的问题，提高晶圆的洁净度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种晶圆支撑件的清洗装置及清洗方法，解决现有晶圆支撑件存在清洁死角的问题，提高晶圆的洁净度。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种晶圆支撑件的清洗装置，包括用于清洗半导体晶圆的清洗槽，
第一组晶圆支撑件，设于所述清洗槽内，并可在所述清洗槽中做垂直方向的伸缩运动，所述第一组晶圆支撑件处于伸出状态时，其用于支撑晶圆，所述第一组晶圆支撑件收缩状态时，其与所述清洗槽内的清洗液充分接触，以去除其表面污垢；
第二组晶圆支撑件，设于所述清洗槽内，并可在所述清洗槽中做垂直方向的伸缩运动，所述第二组晶圆支撑件处于伸出状态时，其用于支撑晶圆，所述第二组晶圆支撑件收缩状态时，其与所述清洗槽内的清洗液充分接触，以去除其表面污垢；
其中，交替使用第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件，当第一组晶圆支撑件处于伸出状态时，则第二组晶圆支撑件处于收缩状态，或当第一组晶圆支撑件处于收缩状态时，则第二组晶圆支撑件处于伸出状态。
优选的，所述第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件均包括多个用于支撑晶圆的支撑件。
优选的，所述第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件的数量相等。
优选的，所述第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件均匀的分布在晶圆的边缘。
优选的，所述第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件相互间隔的分布晶圆的边缘。
优选的，所述清洗槽内设有清洗喷头，所述清洗喷头用于向所述第一组晶圆支撑件或第二组晶圆支撑件喷射清洗液。
优选的，所述清洗喷头上设有阀门用于调节清洗液的流量。
本发明还提供一种晶圆支撑件的清洗方法，包括以下步骤：
S01、在第一组晶圆清洗作业过程中，第一组晶圆支撑件伸出并支撑晶圆，第二组晶圆支撑件收缩并与清洗液充分接触，以去除第二组晶圆支撑件上的污垢；
S02、在第二组晶圆清洗作业过程中，第二组晶圆支撑件伸出并支撑晶圆，第一组晶圆支撑件收缩并与清洗液充分接触，以去除第一组晶圆支撑件上的污垢；
S03、在后续晶圆清洗作业过程中，交替使用第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件，直至完成后续晶圆清洗作业。
优选的，所述第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件与清洗液充分接触后，并通过超纯水将其表面的清洗液去除。
与现有的方案相比，本发明提供的晶圆支撑件的清洗装置及清洗方法，通过交替使用第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件，当其中的一组晶圆支撑件处于支撑晶圆状态时，另一组晶圆支撑件则与清洗液充分接触，使晶圆支撑件始终保持良好的清洁度，避免晶圆支撑件上的污垢污染晶圆，降低了晶圆缺陷，提高了晶圆的良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有晶圆支撑件的结构示意图；
图2本发明第一组晶圆支撑件的使用状态的结构示意图；
图3本发明第二组晶圆支撑件的使用状态的结构示意图。
图中附图标记为：
1、清洗槽；2、支撑件；3、晶圆；4、第一组晶圆支撑件；5、第二组晶圆支撑件。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实施方式作进一步地详细描述。本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
上述及其它技术特征和有益效果，将结合实施例及附图2-3对本发明的晶圆支撑件的清洗装置进行详细说明。
如图2-3所示，本发明提供了一种晶圆支撑件的清洗装置，包括用于清洗半导体晶圆的清洗槽1、第一组晶圆支撑件4以及第二组晶圆支撑件5。具体的，第一组晶圆支撑件4设于所述清洗槽1内，并可在清洗槽1中做垂直方向的伸缩运动，第一组晶圆支撑4件处于伸出状态时，其用于支撑晶圆3，第一组晶圆支撑件4收缩状态时，其与清洗槽内的清洗液充分接触，以去除其表面污垢。同样的，第二组晶圆支撑件5也设于清洗槽1内，并可在清洗槽1中做垂直方向的伸缩运动，第二组晶圆支撑件5处于伸出状态时，其用于支撑晶圆3，第二组晶圆支撑件5收缩状态时，其与清洗槽1内的清洗液充分接触，以去除其表面污垢。
本发明为了保持晶圆支撑件的清洁度，交替使用第一组晶圆支撑件4以及第二组晶圆支撑件5，当第一组晶圆支撑件4处于伸出状态时，则第二组晶圆支撑件5处于收缩状态，或当第一组晶圆支撑件4处于收缩状态时，则第二组晶圆支撑件5处于伸出状态。
通过交替使用第一组晶圆支撑件4以及第二组晶圆支撑件5，当其中的一组晶圆支撑件处于支撑晶圆3状态时，另一组晶圆支撑件则与清洗液充分接触，使晶圆支撑件始终保持良好的清洁度。
具体的，本实施例中，第一组晶圆支撑件4以及第二组晶圆支撑件5均包括多个用于支撑晶圆的支撑件。优选方案中，第一组晶圆支撑件4以及第二组晶圆支撑件5的数量相等，同时可以均匀的分布在晶圆3的边缘。
同时，为了使晶圆3的受力更加均匀，第一组晶圆支撑件4以及第二组晶圆支撑件5相互间隔的分布晶圆3的边缘。
为了进一步提高晶圆支撑件的洁净度，清洗槽1内还可设有清洗喷头(图中未示出)，清洗喷头用于向第一组晶圆支撑件4或第二组晶圆支撑件5喷射清洗液。此外，清洗喷头上设有阀门用于调节清洗液的流量，以更好的调节喷向晶圆支撑件的流量以及冲击力。
本发明还提供一种晶圆支撑件的清洗方法，包括以下步骤：
S01、在第一组晶圆清洗作业过程中，第一组晶圆支撑件4伸出并支撑晶圆3，第二组晶圆支撑件5收缩并与清洗液充分接触，以去除第二组晶圆支撑件5上的污垢；
S02、在第二组晶圆清洗作业过程中，第二组晶圆支撑件5伸出并支撑晶圆3，第一组晶圆支撑件4收缩并与清洗液充分接触，以去除第一组晶圆支撑件4上的污垢；
S03、在后续晶圆清洗作业过程中，交替使用第一组晶圆支撑件4以及第二组晶圆支撑件5，直至完成晶圆清洗作业。
本发明中的清洗液包括化学药液或超纯水，当第一组晶圆支撑件4或第二组晶圆支撑件5与化学药液充分接触后，再通过超纯水将其表面的化学药液去除。
综上所述，本发明提供的晶圆支撑件的清洗装置及清洗方法，通过交替使用第一组晶圆支撑件4以及第二组晶圆支撑件5，当其中的一组晶圆支撑件处于支撑晶圆状态时，另一组晶圆支撑件则与清洗液充分接触，使晶圆支撑件始终保持良好的清洁度，避免晶圆支撑件上的污垢污染晶圆，降低了晶圆缺陷，提高了晶圆的良率。
上述说明示出并描述了本发明的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。

Claims (9)

1.一种晶圆支撑件的清洗装置，包括用于清洗半导体晶圆的清洗槽，其特征在于，
第一组晶圆支撑件，设于所述清洗槽内，并可在所述清洗槽中做垂直方向的伸缩运动，所述第一组晶圆支撑件处于伸出状态时，其用于支撑晶圆，所述第一组晶圆支撑件收缩状态时，其与所述清洗槽内的清洗液充分接触，以去除其表面污垢；
第二组晶圆支撑件，设于所述清洗槽内，并可在所述清洗槽中做垂直方向的伸缩运动，所述第二组晶圆支撑件处于伸出状态时，其用于支撑晶圆，所述第二组晶圆支撑件收缩状态时，其与所述清洗槽内的清洗液充分接触，以去除其表面污垢；
其中，交替使用第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件，当第一组晶圆支撑件处于伸出状态时，则第二组晶圆支撑件处于收缩状态，或当第一组晶圆支撑件处于收缩状态时，则第二组晶圆支撑件处于伸出状态。
2.根据权利要求1所述的晶圆支撑件的清洗装置，其特征在于，所述第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件均包括多个用于支撑晶圆的支撑件。
3.根据权利要求2所述的晶圆支撑件的清洗装置，其特征在于，所述第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件的数量相等。
4.根据权利要求2所述的晶圆支撑件的清洗装置，其特征在于，所述第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件均匀的分布在晶圆的边缘。
5.根据权利要求2所述的晶圆支撑件的清洗装置，其特征在于，所述第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件相互间隔的分布晶圆的边缘。
6.根据权利要求1所述的晶圆支撑件的清洗装置，其特征在于，所述清洗槽内设有清洗喷头，所述清洗喷头用于向所述第一组晶圆支撑件或第二组晶圆支撑件喷射清洗液。
7.根据权利要求6所述的晶圆支撑件的清洗装置，其特征在于，所述清洗喷头上设有阀门用于调节清洗液的流量。
8.一种采用权利要求1～7任一所述的晶圆支撑件的清洗装置的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
S01、在第一组晶圆清洗作业过程中，第一组晶圆支撑件伸出并支撑晶圆，第二组晶圆支撑件收缩并与清洗液充分接触，以去除第二组晶圆支撑件上的污垢；
S02、在第二组晶圆清洗作业过程中，第二组晶圆支撑件伸出并支撑晶圆，第一组晶圆支撑件收缩并与清洗液充分接触，以去除第一组晶圆支撑件上的污垢；
S03、在后续晶圆清洗作业过程中，交替使用第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件，直至完成后续晶圆清洗作业。
9.根据权利要求8所述的晶圆支撑件的清洗装置的清洗方法，其特征在于，所述第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件与清洗液充分接触后，并通过超纯水将其表面的清洗液去除。
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