CN105048274B - 一种被动调q的脉冲式自倍频绿光激光器 - Google Patents
一种被动调q的脉冲式自倍频绿光激光器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105048274B CN105048274B CN201510522002.1A CN201510522002A CN105048274B CN 105048274 B CN105048274 B CN 105048274B CN 201510522002 A CN201510522002 A CN 201510522002A CN 105048274 B CN105048274 B CN 105048274B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystal
- laser
- frequency doubling
- light
- passive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 122
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 238000009738 saturating Methods 0.000 claims description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 2
- 229910052961 molybdenite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- KKGCEIJJOCAQEX-UHFFFAOYSA-N calcium niobium Chemical compound [Ca][Nb] KKGCEIJJOCAQEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLRVHARDDHTXMN-UHFFFAOYSA-N calcium tantalum Chemical compound [Ca][Ta] JLRVHARDDHTXMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 238000001616 ion spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,包括依次沿光路安放的半导体激光泵浦源、谐振腔入射镜、可饱和吸收片、自倍频激光晶体及谐振腔输出镜,自倍频激光晶体为Nd:CNGS晶体或Nd:CTGS晶体,Nd:CNGS晶体或Nd:CTGS晶体的通光方向长度为(0.1‑100)mm,切割方向均为沿1064nm倍频相位匹配方向,钕离子掺杂浓度为(0.1–30)at.%。这两种晶体同时具有激光发射和非线性光学效应,受激发射截面适中,本发明采用一块自倍频激光晶体替代激光晶体和非线性晶体两块晶体,制成的激光器体积更小,结构更加紧凑,生产成本大大降低,同时也简化了加工和装配环节,提高了生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,属于激光技术领域。
背景技术
被动调Q是获得大能量、窄脉宽、高峰值功率激光脉冲的重要技术。LD泵浦的被动调Q绿光激光器在非线性光学、显微手术、污染检测和离子光谱学方面有着重要应用。目前,人们获得该类光源的普遍做法是先用激光晶体产生近红外固体激光(如1064nm),再用可饱和吸收体实现被动调Q脉冲激光运转,然后用非线性光学晶体以腔内倍频、腔外倍频或者复合腔倍频的方式实现脉冲绿光输出。这种激光器涉及的光学元件多,结构复杂,造价高。如果能将激光发射与非线性倍频两种光功能合二为一,则可使生产成本大大降低,同时有利于激光器结构的简化和体积的减小,这种材料人们称为自倍频晶体。到目前为止,人们发现的自倍频晶体有Nd:MgO:LiNbO3、Nd:YCOB、Nd:GdCOB、NYAB等,虽然在连续自倍频输出方面这些材料都取得了不错的结果,但对于高峰值功率的脉冲自倍频输出,这些晶体都存在不同的显著缺陷,如Nd:MgO:LiNbO3的抗光伤阈值较低且具有光折变效应,Nd:YCOB和Nd:GdCOB的激光受激发射截面较小,无法实现被动调Q输出,而NYAB中包含YAB[YAl(BO3)4]和NAB[NdAl(BO3)4]的两种晶格结构,光学均匀性差,难以获得高光学质量的NYAB。因此,至今人们仍未发现真正具有实用价值的脉冲自倍频材料,特别是针对半导体激光泵浦的情况。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器。
术语解释:
1.LD,半导体激光器的简称;
2.Nd:CNGS,掺钕硅酸镓铌钙的简称;
3.Nd:CTGS,掺钕硅酸镓钽钙的简称;
4.Cr:YAG,掺铬钇铝石榴石的简称。
本发明的技术方案如下:
一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,包括从左到右依次沿光路安放的半导体激光泵浦源、谐振腔入射镜、可饱和吸收片、自倍频激光晶体及谐振腔输出镜,所述自倍频激光晶体为Nd:CNGS晶体或Nd:CTGS晶体,所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体的通光方向长度为(0.1-100)mm,所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体的切割方向均为沿1064nm倍频相位匹配方向,所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体的钕离子掺杂浓度为(0.1–30)at.%。
此处设计优势在于,本发明采用提拉法生长的Nd:CNGS晶体或Nd:CTGS晶体作为自倍频激光晶体,这两种晶体具有生长速度快、光学质量好、尺寸大、抗光损伤阈值高等优点,并且,这两种晶体同时具有激光发射和非线性光学效应,受激发射截面适中,位于Nd:YCOB和NYAB之间,既能为被动调Q提供足够强的激光发射,又保持了极佳的能量存储能力,其荧光寿命高达256微秒,有利于获得高能量、高峰值功率的脉冲自倍频激光输出,综合性能十分优异。这两种晶体的脉冲自倍频激光LD泵浦的被动调Q性能(脉冲能量、峰值功率)优于以前发现的所有自倍频晶体;另外,本发明采用一块自倍频激光晶体替代激光晶体和非线性晶体两块晶体,由其制成的激光器体积更小,结构更加紧凑,生产成本大大降低,同时也简化了加工和装配环节,提高了生产效率。
本发明所述被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器的工作过程为:半导体激光泵浦源发射泵浦激光,泵浦激光依次通过所述谐振腔入射镜、所述可饱和吸收体,进入所述自倍频激光晶体,即所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体,自倍频晶体产生1064nm的近红外激光,在可饱和吸收片的作用下实现被动调Q(即由连续波转变为脉冲波),再经自倍频晶体的非线性倍频产生532nm的脉冲绿光,由谐振腔输出镜一端输出腔外。
根据本发明优选的,所述被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器还包括聚焦***,所述聚焦***安放在所述半导体激光泵浦源及所述谐振腔入射镜之间,所述自倍频激光晶体安放在所述聚焦***的焦距上。
此处设计的优势在于,提高了泵浦激光与谐振腔激光的模式匹配度。
根据本发明优选的,所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体的通光方向长度为(5-20)mm;所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体均为长方体或柱状;所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体的钕离子掺杂浓度为(0.1–2)at.%。
根据本发明优选的,所述Nd:CNGS晶体的I类相位匹配的切割角为(θ,φ),其中,θ的取值范围为31.6°-41.6°,φ的取值范围为25.0°-35.0°,所述Nd:CNGS晶体的II类相位匹配的切割角为(θ1,φ1),θ1的取值范围为51.5°-61.5°,φ1的取值范围为-5°-5°;所述Nd:CTGS晶体的I类相位匹配的切割角为(θ2,φ2),θ2的取值范围为33.7°-43.7°,φ2的取值范围为25.0°-35.0°,所述Nd:CTGS晶体的II类相位匹配的切割角为(θ3,φ3),其中,θ3的取值范围为56.1°-66.1°,φ3的取值范围为(-5)°-5°。
根据本发明优选的,所述谐振腔入射镜镀到所述可饱和吸收片上,所述可饱和吸收片左侧通光端面上镀有对(798-818)nm光高透、对1064nm光和532nm光高反的介质膜,所述可饱和吸收片右侧通光端面上镀有(798-818)nm、1064nm的增透膜。
此处设计的优势在于,利于泵浦激光的透过,基频激光的被动调Q,以及倍频激光在谐振腔输出端的输出。
根据本发明优选的,所述谐振腔输出镜镀到所述自倍频激光晶体上,所述自倍频激光晶体的左侧通光端面上镀有(798-818)nm、1064nm、532nm增透膜,所述自倍频激光晶体的右侧通光端面上镀有对(798-818)nm光和1064nm光高反、532nm增透膜。
此处设计的优势在于,利于泵浦激光的吸收,基频激光的腔内振荡和被动调Q,以及倍频激光在谐振腔输出端的输出。
根据本发明优选的,所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体的两个通光端面抛光后镀有(798-818)nm、1064nm、532nm增透膜。
根据本发明优选的,所述可饱和吸收片的两端面均镀有(798-818)nm、1064nm增透膜。
此处设计的优势在于,利于泵浦激光的透过和被动调Q的实现。
根据本发明优选的,所述半导体激光泵浦源为中心波长为(798-818)nm的直接输出半导体激光器或光纤耦合输出半导体激光器;所述谐振腔入射镜镀有对(798-818)nm光高透、对1064nm光和532nm光高反的介质膜;所述谐振腔输出镜镀有对(798-818)nm光和1064nm光高反、对532nm光高透的介质膜;所述可饱和吸收片为Cr:YAG晶体、GaAs半导体、石墨烯、MoS2、WS2中的任一种。
此处设计的优势在于,利于泵浦激光的透过、基频激光的振荡及倍频激光在谐振腔输出端的输出。
本发明的有益效果为:
1、结构紧凑。本发明的自倍频激光晶体为Nd:CNGS晶体或Nd:CTGS晶体,自倍频晶体沿相位匹配方向切割,同时起到激光和非线性变频两种功能,由其制成激光器体积更小,结构更加紧凑。
2、造价低。本发明采用一块自倍频激光晶体替代激光晶体和非线性晶体两块晶体,生产成本大大降低,同时也简化了加工和装配环节,提高了生产效率。
3、易推广。Nd:CNGS晶体及Nd:CTGS晶体为提拉法生长,制备方便,生长周期短,晶体光学质量好,容易得到大体块单晶,并且抗光损伤阈值高、储能本领大,其半导体激光泵浦源的被动调Q自倍频性能优于以往所有自倍频晶体,具有广阔应用前景。
附图说明
图1为本发明实施例1所述被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器的结构示意图;
图2为本发明实施例2所述被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器的结构示意图;
图3为实施例2所述的被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器产生的脉冲序列和单脉冲宽度示意图;
图4为实施例2所述的被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器产生的输出的自倍频激光光谱示意图;
图5为本发明实施例3所述被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器的结构示意图;
图6为本发明实施例4所述被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器的结构示意图;
图7为本发明实施例5所述被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器的结构示意图;
其中,1、半导体激光泵浦源,2、聚焦***.,3、谐振腔入射镜,4、可饱和吸收片,5、自倍频激光晶体,6、谐振腔输出镜。
具体实施方式
下面结合说明书附图和实施例对本发明作进一步限定,但不限于此。
实施例1
一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,包括依次沿光路安放的半导体激光泵浦源、谐振腔入射镜、可饱和吸收片、自倍频激光晶体及谐振腔输出镜,所述自倍频激光晶体为Nd:CNGS晶体,所述Nd:CNGS晶体的切割方向为沿1064nm倍频相位匹配方向,所述Nd:CNGS晶体的钕离子掺杂浓度为0.5at.%。
所述Nd:CNGS晶体的I类相位匹配的切割角为(θ,φ),其中,θ的取值为36.6°,φ的取值为30.0°,所述Nd:CNGS晶体的II类相位匹配的切割角为(θ1,φ1),其中,θ1的取值为56.5°,φ1的取值为0°。
所述半导体激光泵浦源为中心波长为808nm的直接输出半导体激光器。
所述谐振腔入射镜镀到所述可饱和吸收片上,所述可饱和吸收片左侧通光端面上镀有对(798-818)nm光高透、对1064nm光和532nm光高反的介质膜,所述可饱和吸收片右侧通光端面上镀有(798-818)nm、1064nm的增透膜。
所述谐振腔输出镜镀到所述自倍频激光晶体上,所述自倍频激光晶体的左侧通光端面上镀有(798-818)nm、1064nm、532nm增透膜,所述自倍频激光晶体的右侧通光端面上镀有对(798-818)nm光和1064nm光高反、532nm增透膜。
所述可饱和吸收片为透过率为94%的Cr:YAG晶体,厚度为0.7mm。
本实施例所述的被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器的结构如图1所示。
实施例2
根据实施例1所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,其区别在于,所述自倍频激光晶体为Nd:CTGS晶体,所述Nd:CTGS晶体的通光方向长度为13mm,所述Nd:CTGS晶体的切割方向为沿1064nm倍频相位匹配方向,所述Nd:CTGS晶体的钕离子掺杂浓度为0.5at.%。
所述Nd:CTGS晶体的I类相位匹配的切割角为(θ2,φ2),其中,θ2的取值为38.7°,φ2的取值范围为30.0°,所述Nd:CTGS晶体的II类相位匹配的切割角为(θ3,φ3),其中,θ3的取值范围为61.1°,φ3的取值范围为0°。
实施例3
根据实施例1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,其区别在于,所述被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器还包括聚焦***,所述聚焦***安放在所述半导体激光泵浦源LD及所述谐振腔入射镜之间,所述自倍频激光晶体安放在所述聚焦***的焦距上。
所述谐振腔入射镜与所述可饱和吸收片独立安放,所述谐振腔入射镜镀有对808nm光高透、对1064nm光和532nm光高反的介质膜。所述可饱和吸收片的两端面均镀有808nm、1064nm增透膜。
所述谐振腔输出镜与所述自倍频激光晶体独立安放,所述谐振腔输出镜镀有对(798-818)nm光和1064nm光高反、对532nm光高透的介质膜。所述自倍频激光晶体两个通光端面抛光后镀有808nm、1064nm、532nm增透膜;
本实施例所述的被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器的结构如图2所示。
当半导体激光泵浦源的功率为3W时,获得9.7mW的自倍频绿光输出,重复频率和单脉冲宽度分别为1.43kHz、14.2ns,对应6.8μJ的单脉冲能量和480W的峰值功率,这是到目前为止单脉冲能量和峰值功率最高的LD泵浦被动调Q自倍频输出,相对于泵浦激光,峰值功率提高了160倍。
图3为本实施例所述的被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器产生的脉冲序列和单脉冲宽度示意图;
图4为本实施例所述的被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器产生的输出的自倍频激光光谱示意图;
实施例4
根据实施例1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,其区别在于,所述被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器还包括聚焦***,所述聚焦***安放在所述半导体激光泵浦源LD及所述谐振腔入射镜之间,所述自倍频激光晶体安放在所述聚焦***的焦距上。
所述谐振腔输出镜与所述自倍频激光晶体独立安放,所述谐振腔输出镜镀有对(798-818)nm光和1064nm光高反、对532nm光高透的介质膜。所述自倍频激光晶体两个通光端面抛光后镀有808nm、1064nm、532nm增透膜;
本实施例所述的被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器的结构如图5所示。
实施例5
根据实施例1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,其区别在于,所述被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器还包括聚焦***,所述聚焦***安放在所述半导体激光泵浦源LD及所述谐振腔入射镜之间,所述自倍频激光晶体安放在所述聚焦***的焦距上。
所述谐振腔入射镜与所述可饱和吸收片独立安放,所述谐振腔入射镜镀有对808nm光高透、对1064nm光和532nm光高反的介质膜。所述可饱和吸收片的两端面均镀有808nm、1064nm增透膜。
本实施例所述的被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器的结构如图6所示。
实施例6
根据实施例1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,其区别在于,所述被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器还包括聚焦***,所述聚焦***安放在所述半导体激光泵浦源LD及所述谐振腔入射镜之间,所述自倍频激光晶体安放在所述聚焦***的焦距上。
本实施例所述的被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器的结构如图7所示。
Claims (10)
1.一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,包括从左到右依次沿光路安放的半导体激光泵浦源、谐振腔入射镜、可饱和吸收片、自倍频激光晶体及谐振腔输出镜,其特征在于,所述自倍频激光晶体为Nd:CNGS晶体或Nd:CTGS晶体,所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体的通光方向长度为0.1-100mm,所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体的切割方向均为沿1064nm倍频相位匹配方向,所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体的钕离子掺杂浓度为0.1–30at.%。
2.根据权利要求1所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,其特征在于,所述被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器还包括聚焦***,所述聚焦***安放在所述半导体激光泵浦源及所述谐振腔入射镜之间,所述自倍频激光晶体安放在所述聚焦***的焦距上。
3.根据权利要求1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,其特征在于,所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体的通光方向长度为5-20mm;所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体均为长方体或柱状;所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体的钕离子掺杂浓度为0.1–2at.%。
4.根据权利要求1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,其特征在于,所述Nd:CNGS晶体的I类相位匹配的切割角为(θ,φ),其中,θ的取值范围为31.6°-41.6°,φ的取值范围为25.0°-35.0°,所述Nd:CNGS晶体的II类相位匹配的切割角为(θ1,φ1),其中,θ1的取值范围为51.5°-61.5°,φ1的取值范围为-5°-5°;所述Nd:CTGS晶体的I类相位匹配的切割角为(θ2,φ2),θ2的取值范围为33.7°-43.7°,φ2的取值范围为25.0°-35.0°,所述Nd:CTGS晶体的II类相位匹配的切割角为(θ3,φ3),θ3的取值范围为56.1°-66.1°,φ3的取值范围为(-5)°-5°。
5.根据权利要求1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,其特征在于,所述谐振腔入射镜镀到所述可饱和吸收片上,所述可饱和吸收片左侧通光端面上镀有对798-818nm光高透、对1064nm光和532nm光高反的介质膜,所述可饱和吸收片右侧通光端面上镀有798-818nm、1064nm的增透膜;所述谐振腔输出镜镀到所述自倍频激光晶体上,所述自倍频激光晶体的左侧通光端面上镀有798-818nm、1064nm、532nm增透膜,所述自倍频激光晶体的右侧通光端面上镀有对798-818nm光和1064nm光高反、532nm增透膜。
6.根据权利要求2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,其特征在于,所述谐振腔入射镜镀到所述可饱和吸收片上,所述可饱和吸收片左侧通光端面上镀有对798-818nm光高透、对1064nm光和532nm光高反的介质膜,所述可饱和吸收片右侧通光端面上镀有798-818nm、1064nm的增透膜。
7.根据权利要求2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,其特征在于,所述谐振腔输出镜镀到所述自倍频激光晶体上,所述自倍频激光晶体的左侧通光端面上镀有798-818nm、1064nm、532nm增透膜,所述自倍频激光晶体的右侧通光端面上镀有对798-818nm光和1064nm光高反、532nm增透膜。
8.根据权利要求2或6所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,其特征在于,所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体的两个通光端面抛光后镀有798-818nm、1064nm、532nm增透膜。
9.根据权利要求2或7所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,其特征在于,所述可饱和吸收片的两端面均镀有798-818nm、1064nm增透膜。
10.根据权利要求1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,其特征在于,所述半导体激光泵浦源为中心波长为798-818nm的直接输出半导体激光器或光纤耦合输出半导体激光器;所述谐振腔入射镜镀有对798-818nm光高透、对1064nm光和532nm光高反的介质膜;所述谐振腔输出镜镀有对798-818nm光和1064nm光高反、对532nm光高透的介质膜;所述可饱和吸收片为Cr:YAG晶体、GaAs半导体、石墨烯、MoS2、WS2中的任一种。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510522002.1A CN105048274B (zh) | 2015-08-24 | 2015-08-24 | 一种被动调q的脉冲式自倍频绿光激光器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510522002.1A CN105048274B (zh) | 2015-08-24 | 2015-08-24 | 一种被动调q的脉冲式自倍频绿光激光器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105048274A CN105048274A (zh) | 2015-11-11 |
CN105048274B true CN105048274B (zh) | 2018-07-06 |
Family
ID=54454607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510522002.1A Active CN105048274B (zh) | 2015-08-24 | 2015-08-24 | 一种被动调q的脉冲式自倍频绿光激光器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105048274B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105655862B (zh) * | 2016-04-20 | 2019-01-11 | 福建福晶科技股份有限公司 | 一种f-p电光调q倍频激光 |
CN111555107B (zh) * | 2020-05-15 | 2021-07-23 | 山东大学 | 镱离子掺杂abgs晶体及自倍频超短脉冲激光器 |
CN112290367A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-01-29 | 北京理工大学 | 一种新型的直接产生脉冲调q的倍频复杂横模输出的微型激光器装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104503183A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-04-08 | 天津大学 | 自变频太赫兹参量振荡器 |
CN104659648A (zh) * | 2013-11-25 | 2015-05-27 | 中国科学院物理研究所 | 掺钕硅酸镓镧自倍频超短脉冲激光器 |
CN204885812U (zh) * | 2015-08-24 | 2015-12-16 | 山东大学 | 一种被动调q的脉冲式自倍频绿光激光器 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5388114A (en) * | 1994-03-17 | 1995-02-07 | Polaroid Corporation | Miniaturized self-Q-switched frequency-doubled laser |
FR2771107B1 (fr) * | 1997-11-18 | 1999-12-10 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation par croissance par epitaxie en phase liquide de couches monocristallines d'aluminate de lanthane et de magnesium (lma) et composants optiques comprenant ces couches |
US20030031215A1 (en) * | 2001-08-10 | 2003-02-13 | Kane Thomas J. | Compound light source employing passive Q-switching and nonlinear frequency conversion |
-
2015
- 2015-08-24 CN CN201510522002.1A patent/CN105048274B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104659648A (zh) * | 2013-11-25 | 2015-05-27 | 中国科学院物理研究所 | 掺钕硅酸镓镧自倍频超短脉冲激光器 |
CN104503183A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-04-08 | 天津大学 | 自变频太赫兹参量振荡器 |
CN204885812U (zh) * | 2015-08-24 | 2015-12-16 | 山东大学 | 一种被动调q的脉冲式自倍频绿光激光器 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Crystal growth and characterization of CTGS and Nd:CTGS for self-frequency-doubling applications;Feifei Chen et al.;《CrystEngComm》;20141128;第16卷(第44期);10286-10291 * |
Nd:CNGS晶体的生长及性能研究;张栩朝 等;《第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集》;20150811;64-65 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105048274A (zh) | 2015-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN210201151U (zh) | 一种全固态绿光激光器 | |
CN105071217B (zh) | 一种自倍频全固态黄光激光器 | |
CN105048274B (zh) | 一种被动调q的脉冲式自倍频绿光激光器 | |
CN204885812U (zh) | 一种被动调q的脉冲式自倍频绿光激光器 | |
CN105846300A (zh) | 一种GaN蓝光激光二极管泵浦的全固态可调谐激光器 | |
CN103151699A (zh) | 一种535nm全固态倍频激光器 | |
CN106785878A (zh) | Cr4+被动调Q掺钕钨酸钾钆内腔式1570nmOPO激光器 | |
CN111555107B (zh) | 镱离子掺杂abgs晶体及自倍频超短脉冲激光器 | |
CN105140775A (zh) | 一种1.2μm波长全固态拉曼激光器 | |
CN105098589A (zh) | 一种双波长拉曼锁模激光器 | |
Liu et al. | Continuous-Wave Ultraviolet Generation at 349 nm by Intracavity Frequency Doubling of a Diode-Pumped $\hbox {Pr: LiYF} _ {4} $ Laser | |
CN109698461A (zh) | 一种被动调q的脉冲式自倍频绿光激光器 | |
CN107706733A (zh) | 一种产生亚纳秒脉冲激光的方法 | |
CN102856786B (zh) | 一种基于硼酸氧钙盐晶体的绿光激光器 | |
CN107946894A (zh) | 被动调QNd:YAG内腔式1570nmOPO激光器 | |
CN211045970U (zh) | 光纤激光器 | |
Liu et al. | Efficient laser oscillation of a new disordered Yb: CLNGG crystal | |
CN102522691A (zh) | 采用直线腔的掺钕连续紫外激光器 | |
CN105390931B (zh) | 一种基于方解石型正硼酸盐晶体的全固态拉曼激光器 | |
CN204992239U (zh) | 一种紧凑型全固态腔内倍频激光器 | |
CN204927803U (zh) | 一种基于砷酸钛氧钾晶体的斯托克斯光源 | |
CN101308992A (zh) | 折叠腔自拉曼倍频全固体黄光激光器 | |
CN105048280B (zh) | 一种基于砷酸钛氧钾晶体的斯托克斯光源及其工作方法与应用 | |
CN204651677U (zh) | 一种结构紧凑的高功率全固态激光器 | |
CN103618206A (zh) | 一种全固态单纵模黄光激光器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240328 Address after: 518083 Smart Valley Innovation Plaza 301-A1, No. 542 Minzhi Avenue, Xinniu Community, Minzhi Street, Longhua District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: Shenzhen Youwei Optoelectronic Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: No. 27, mountain Dana Road, Ji'nan City, Shandong, Shandong Patentee before: SHANDONG University Country or region before: China |
|
TR01 | Transfer of patent right |