CN105015215A - 光学防伪元件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种光学防伪元件及其制造方法,该方法包括:在基材(1)上形成起伏结构层(2),该起伏结构层(2)至少包括具有第一起伏结构的第一区域和与该第一区域相邻的具有第二起伏结构的第二区域,其中该第二起伏结构具有与所述基材(1)平面的夹角大于45度的侧壁,且该第二起伏结构的深宽比小于0.3;在所述起伏结构层(2)上形成镀层(3);以及将所述镀层(3)置于去镀层环境中,直到所述第二区域上的镀层(3)从所述起伏结构层(2)剥离为止。
Description
技术领域
本发明涉及光学防伪领域,尤其涉及一种光学防伪元件及其制造方法。
背景技术
为了防止利用扫描和复印等手段产生的伪造,钞票、***、护照、有价证券和产品包装等各类高安全或高附加值印刷品中广泛采用了光学防伪技术,并且取得了非常好的效果。
在各种光学防伪技术中,为了增加图像的亮度,防伪元件一般采用金属镀层或者高折射率的无机或有机镀层。对该镀层进行镂空从而形成图案化能够大幅度提高光学防伪元件的视觉效果和抗伪造能力。
传统对镀层进行镂空的技术一般有两种,即水洗和碱洗。水洗工艺是在需要镂空的位置先涂布水洗胶层,然后蒸镀反射层,再经过润湿、水洗,使得水洗胶层溶于水中,水洗胶层上覆盖的反射层也随之剥离,达到镂空的目的。碱洗工艺利用碱液对镀层(一般为铝层)的化学腐蚀作用达到镂空的目的,即先蒸镀反射层,然后在不需要镂空的位置涂布保护层,然后浸入碱液以腐蚀掉未被保护层覆盖的反射层,从而形成镂空图文。这两种去镀层技术中,涂布水洗胶层或者保护层均需与膜上的微结构图像进行套印对准。现有设备的套印误差一般都在0.1mm以上,且难以稳定控制,因此得到连续化的、准确定位的镂空图像具有很高的难度。
专利申请US2008/0050660A1提出了一种去镀层方案。首先,提供含有深宽比大的凹凸结构的第一区域和具备平坦的或深宽比更小的凹凸结构的第二区域的起伏结构层。接着,在该起伏结构层上,以均匀的表面密度形成金属反射镀层。然后,在金属反射层上形成感光胶层。然后,从起伏结构层侧将层叠体的整面曝光。这样,由于第一区域和第二区域光透过率的差异,与第一区域对应的感光胶层能够以更高的效率产生光反应。接着,通过采用适当的溶剂等对其进行处理,将第一区域或第二区域对应的感光胶层除去。接着,采用未被除去的感光胶层作为保护层,进行金属反射层的蚀刻处理。这样,只将金属反射层中的与第一区域或第二区域对应的部分除去,达到了准确定位的去反射层镂空效果。但是,感光胶层的加工过程包括前烘、曝光、后烘、显影和去胶,工艺复杂。此外,大深宽比的微结构在复制转移时(尤其使用热塑性树脂材料时),往往会造成压印的镍版中微结构沟槽的堵版现象,造成微结构转移不完全。
专利申请CN102460236A提出了另外一种去反射镀层解决方案。首先,提供含有平坦的或深宽比小的凹凸结构的第一区域和含有深宽比更大的凹凸结构的第二区域的起伏结构层。接着,在该起伏结构层上,以均匀的表面密度形成金属反射层。然后,在金属反射层上蒸镀不同于金属反射层材料的掩膜层,掩膜层一般由无机化合物构成,典型的例如为MgF2。掩膜层的厚度需满足以下条件:在第一区域覆盖有完整连续的掩膜层,而第二区域的掩膜层在凹部或凸部之间有开口。接着,将掩模层暴露于可与金属反射层材料反应的气体或液体中。这样,与第二区域对应的金属反射层和掩膜层均被除去,而与第一区域对应的金属反射层得以完整保留。但是,做到第二区域的掩膜层具有开口结构、同时第一区域的掩膜层保持完整连续是非常困难的。事实上,蒸镀无机化合物材料形成的掩膜层的致密性往往不好,会形成孔洞结构,因此第一区域的部分反射层还是会在最后的去反射层工艺中遭到损坏,形成微小的空洞缺陷。另外,该方法形成的氟化镁为微片状结构,因此得到的去反射层图像边缘不细致,并且无法形成极精细的图像,例如尺寸小于10微米。同样,采用此方法,大深宽比的微结构在复制转移时(尤其使用热塑性树脂材料时),也往往会造成微结构转移不完全。
因此,仍然有必要寻找一种工艺简单、生产高效、质量易控、能够精细准确定位的去镀层镂空解决方案。
发明内容
针对现有技术中存在的缺陷,本发明的一个方面提供一种光学防伪元件,该元件包括:基材;位于所述基材上的起伏结构层,该起伏结构层至少包括具有第一起伏结构的第一区域和与该第一区域相邻的具有第二起伏结构的第二区域,其中该第二起伏结构具有与所述基材平面的夹角大于45度的侧壁,且该第二起伏结构的深宽比小于0.3;以及位于所述第一区域上的镀层。
本发明的另一个方面提供一种光学防伪元件的制造方法,该方法包括:在基材上形成起伏结构层,该起伏结构层至少包括具有第一起伏结构的第一区域和与该第一区域相邻的具有第二起伏结构的第二区域,其中该第二起伏结构具有与所述基材平面的夹角大于45度的侧壁,且该第二起伏结构的深宽比小于0.3;在所述起伏结构层上形成镀层;以及将所述镀层置于去镀层环境中,直到所述第二区域上的镀层从所述起伏结构层剥离为止。
本发明是基于下述的事实和考虑。起伏结构层的第二区域的微结构(即第二起伏结构)具有陡直侧壁,当气态镀层物质从薄膜的上方达到微结构时,镀层物质在侧壁表面的量较少,因而在侧壁形成的镀层很薄,甚至是不连续的“岛”,即侧壁上的镀层是脆弱的。而起伏结构层的第一区域的微结构起伏缓和,因而镀层物质可以均匀完整地覆盖该区域。将上述结构置于某种去镀层环境时,在第二区域,该环境会从微结构的陡直侧壁的脆弱点侵入到达起伏结构层与镀层的界面,从而将第二区域的镀层浮脱剥离。而第一区域的镀层物质均匀完整地覆盖该区域,去镀层环境不能到达起伏结构层与镀层之间的界面,从而镀层没有被剥离掉。至此,便获得了精确位于起伏结构层第一区域上的镀层。因此,该方案工艺简单,效率高,质量易控。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1是根据本发明的实施方式的一种示例性光学防伪元件的俯视图;
图2是沿着图1中的X-X线看到的一种可能的剖面图;以及
图3至图7是根据本发明的实施方式的制造光学防伪元件的方法不同阶段的光学防伪元件的剖面图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
为了使本领域技术人员能够更好地理解本发明的技术方案,下面将结合附图来详细描述根据本发明的制备的光学防伪元件及其制作流程。
为了能够对根据本发明的实施方式光学防伪元件及其制造方法进行更形象的描述,我们以形成图1和图2所示的示例性光学防伪元件为例对根据本发明的方法进行示例性描述,其中图1是示例性光学防伪元件的俯视图,图2是沿着图1的X-X线所看到的一种示例性剖面图,图1中的文字部分为具有镀层的显示区域,其与图2中的第一区域a相对应,一般而言,为了防伪的需要,显示区域往往采用特殊光学技术制备的具有特殊效果(例如,全息效果)的图像,图1中的背景部分为去镀层的镂空区域,其与图2中的第二区域b相对应。此外,如图1和图2所示,本发明的一个实施方式公开了一种光学防伪元件,可以包括:
基材1,该基材1通常是柔性的;
位于所述基材1上的起伏结构层2,该起伏结构层2至少包括具有第一起伏结构的第一区域a和与该第一区域a相邻的具有第二起伏结构的第二区域b,其中该第二起伏结构具有与所述基材平面的夹角大于45度的侧壁,且为便于成型复制,该第二起伏结构的深宽比小于0.3;以及
位于所述第一区域a上的镀层3。
其中,所述第一起伏结构的深宽比由所需的光学效果确定,一般也小于0.3。
其中,第一起伏结构的深宽比可以大于或者可以小于所述第二起伏结构的深宽比。
所述第一起伏结构可以是余弦光栅结构、球面镜结构、柱面镜结构、锯齿形光栅结构、棱锥结构中的一者或多者组合;和/或
所述第二起伏结构可以是方波型光栅结构、锯齿形光栅结构、梯形光栅结构、余弦光栅结构、棱锥结构中的一者或多者组合。
该光学防伪元件还可以包括位于所述镀层3以及所述第二区域b上的其他镀层4(保护层和/或功能涂层)。
下面结合图3至图7对根据本发明的实施方式的制造光学防伪元件的方法进行描述,该方法可以包括步骤S11至S13。
S11:在柔性支撑层(或基材)1上形成起伏结构层2,如图3的剖面图所示。
具体而言,柔性支撑层1可以是至少局部透明的,也可以是有色的介质层,还可以是表面带有功能涂层(比如附着力增强层)的透明介质薄膜,还可以是经过复合而成的多层膜。柔性支撑层1一般由耐物化性能良好且机械强度高的薄膜材料形成,例如,可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)薄膜及聚丙烯(PP)薄膜等塑料薄膜形成柔性支撑层1,而且柔性支撑层1优选由PET材料形成。如果光学防伪元件最终通过烫印的方式应用于有价物品上,则可以在柔性支撑层1上预先形成剥离层,以方便后续工艺中柔性支撑层1与起伏结构层2的分离。
起伏结构层2可以具有这样的性质,即在一定的温度和压力下能够变形,形成所需的起伏结构。起伏结构层2可以选自热塑性材料,也可以选择辐射固化材料。起伏结构层2厚度一般大于0.4um,小于5um,优选大于0.6um,小于1.5um。
如果最终的产品以烫印的形式释放在其他基材上,则可以在柔性支撑层1上预先涂布一层剥离层,以助于柔性支撑层1与起伏结构层2分离。
起伏结构层2至少包括具有无陡直侧壁的第一起伏结构的第一区域a和与第一区域a相邻的具有陡直侧壁的第二起伏结构的第二区域b。第一起伏结构不含有陡直的侧壁,即第一起伏结构的面与薄膜基材1平面的夹角的最大值小于30度,且该角度越小越有利于本发明的实施。第一起伏结构可以为余弦光栅结构、球面镜结构、柱面镜结构、锯齿形光栅结构、棱锥结构中的一者或者它们的组合。第一起伏结构的具体结构以及结构参数(如周期、深度和宽度)根据所需的光学效果而定。比如,最常见的全息结构即为余弦光栅结构,其侧壁面与基材1平面的最大夹角一般小于10度。第二起伏结构含有陡直的侧壁,即第二起伏结构含有与薄膜基材1平面的夹角大于45度的侧壁,且该夹角越大越利于本发明的实施,优选含有与薄膜基材1平面垂直(夹角为90度)的侧壁。第二起伏结构可以为方波型光栅结构、锯齿形光栅结构、梯形光栅结构、余弦光栅结构、棱锥结构中的一者或者它们的组合。第二起伏结构的深度可以位于100nm~1000nm的范围内,宽度可以位于300nm~8000nm的范围内。第二起伏结构可以是一维光栅结构、二维光栅结构中的一者或其组合。如果第二区域b不仅起到使得镀层3定位在第一区域,也要有一定的光学效果,则其第二起伏结构的具体结构以及结构参数(如周期、深度和宽度)也要根据所需的光学效果而定。这时,第二起伏结构去镀层后,应蒸镀第二镀层,以保证视觉亮度。
为方便起伏结构层2的成型,第二起伏结构的深宽比需小于0.3。第一起伏结构的深宽比由所需的光学效果确定,一般也小于0.3。第一起伏结构的深宽比可以大于,或可以小于第二起伏结构的深宽比。
起伏结构层2的材料可以与去镀层环境反应,也可以不与去镀层环境反应。起伏结构层2的材料应优选能够与去镀层环境反应,以加速破坏镀层3和起伏结构层2的结合,使得镀层3从起伏结构层2上剥离。例如,如果去镀层环境为碱液,则起伏结构层2可选择酸值较高的树脂材料,一般要求酸值大于20mg KOH/g,优选50-200mg KOH/g。
S12:在起伏结构层2表面形成镀层3,如图4的剖面图所示。
镀层3的目的一般是增加图像保留区的亮度,或者提供光变效果。镀层3可以是单层物质镀层,也可以是多层物质镀层。就单层物质镀层而言,可以是金属镀层,也可以是无机或有机化合物镀层。单层金属镀层可以是Al、Cu、Ni、Cr、Ag、Fe、Sn、Au、Pt等金属或其混合物和合金,由于铝的成本低廉且亮度高,因此优选为铝。单层金属镀层的光学密度一般大于1.5但小于4.0。单层化合物镀层一般选择折射率较高的材料,如ZnS、TiN、TiO2、TiO、Ti2O3、Ti3O5、Ta2O5、Nb2O5、CeO2、Bi2O3、Cr2O3、Fe2O3、HfO2、ZnO等。就多层物质镀层而言,镀层3可以至少包含第一镀层和第二镀层,其中第一镀层与起伏结构层2邻接,第二镀层位于多层镀层的最外侧,且第二镀层优选不能被去镀层环境腐蚀,第一镀层优选能够被去镀层环境腐蚀。例如,去镀层环境为碱液,反射层为Al/Cu双层结构,其中Al与起伏结构层2邻接。这样设计的好处在于,在去镀层工序中,图像保留区域的镀层不会有任何厚度的损失。多层物质镀层还可以是多层干涉膜型镀层,且结构至少包括依次层叠的反射层、介电层和吸收层,并且该吸收层或者反射层与所述起伏结构层相接触。其中,所述反射层可以由铝、银、铜、锡、铬、镍、钛或它们的合金构成,所述介电层可以由MgF2、SiO2、ZnS、TiN、TiO2、TiO、Ti2O3、Ti3O5、Ta2O5、Nb2O5、CeO2、Bi2O3、Cr2O3、Fe2O3、HfO2或ZnO构成,所述吸收层可以由铬、镍、铝、银、铜、锡、钛或它们的合金构成。去镀层工序后,可以获得具有光变效果的精确定位镀层的薄膜光学防伪元件。镀层3、起伏结构层2以及去镀层环境有很多其他的组合选择,我们将在步骤S13中详细阐述。
S13:对在S12获得的多层结构体置于某种去镀层环境中,直到第二区域的镀层被剥离去除为止,如图5的剖面图所示。
起伏结构层2的第二区域b的微结构(即第二起伏结构)具有陡直侧壁,当气态镀层物质从薄膜的上方达到微结构时,镀层物质在侧壁表面的量较少,因而在侧壁形成的镀层很薄,甚至是不连续的“岛”,即侧壁上的镀层是脆弱的。而起伏结构层2的第一区域a的微结构起伏缓和,因而镀层物质可以均匀完整地覆盖该区域。将上述结构置于某种去镀层环境时,在第二区域b,该环境会从微结构的陡直侧壁的脆弱点侵入到达起伏结构层2与镀层3的界面,从而将第二区域b的镀层物质浮脱剥离。而第一区域a的镀层物质均匀完整地覆盖该区域,去镀层环境不能到达起伏结构层2与镀层3之间的界面,从而镀层没有被剥离掉。所述与起伏结构层2反应的环境可以是气体,也可以是液体。反应的类型可以是化学反应,也可以是物理溶解等物理反应。至此,便获得了精确位于第一区域a的起伏结构层上的镀层3。本质上讲,第二区域b上镀层的去除,是通过破坏镀层与起伏结构层2的结合力而实现的。这不同于以往任何文献中提到的去镀层技术,即镀层物质被腐蚀而被去除的。
去镀层环境可以是与镀层材料反应环境,也可以是与起伏结构层材料反应环境,也可以是与镀层材料和起伏结构层材料同时反应环境。本质上讲,第二区域镀层的去除,是通过破坏镀层与起伏结构层的结合力而实现的。这不同于以往任何文献中提到的去镀层技术,即镀层物质被腐蚀而被去除的。另外,第二区域的微结构只要具备陡直侧壁即可,无须大的深宽比,因此批量化复制时,不会出现转移不完全等问题。
具体来讲,根据与起伏结构层反应的环境以及镀层的性质,去镀层可以有以下几种方式。
(1)镀层为单层物质镀层,去镀层环境与镀层材料发生反应,不与起伏结构层材料发生反应。例如,镀层为Al,起伏结构层为化学惰性的热塑性材料,去镀层环境为碱液。这样,碱液接触到第二起伏结构的陡直侧壁上的镀层的脆弱点,迅速到达或者直接到达镀层与起伏结构层的界面,使得镀层从起伏结构层上剥离。同时,第一区域a的Al层会受到碱液的轻微腐蚀,而造成厚度有所衰减。但只要保证衰减后的Al层厚度仍然满足所需的厚度,这种方法仍然是有效的。
(2)镀层为单层物质镀层,去镀层环境不与镀层材料发生反应,但与起伏结构层材料发生反应。例如,镀层为Cu,起伏结构层为高酸值的丙烯酸树脂(酸值大于20mg KOH/g),去镀层环境为碱液。这样,碱液通过第二起伏结构的陡直侧壁上Cu层的脆弱点,到达起伏结构层并和其参加反应,使得镀层从起伏结构层上剥离。同时,第一区域a的Cu层均匀完整的覆盖第一起伏结构,且Cu不与碱液反应,因而不会造成厚度的衰减。再例如,镀层为Al,起伏结构层为数均分子量小于10000的树脂,与起伏结构层反应环境为有机溶剂。这样,有机溶剂接触到第二起伏结构的陡直侧壁,与起伏结构层反应(物理溶解),使得镀层从起伏结构层上剥离。由于Al是不会与有机溶剂发生反应,因而采用这种实施方法,第一区域上的Al层得以完整保留。
(3)镀层为单层物质镀层,去镀层环境与镀层材料发生反应,也与起伏结构层材料发生反应。例如,镀层为Al,起伏结构层为高酸值的丙烯酸树脂(酸值大于20mg KOH/g),去镀层环境为碱液。这样,碱液接触到第二起伏结构的陡直侧壁上Al层的脆弱点,迅速到达或者直接到达镀层与起伏结构层的界面,与Al层和起伏结构层同时反应,使得镀层从起伏结构层上剥离。同时,第一区域a的Al层会受到碱液的轻微腐蚀,而造成厚度有衰减。但只要保证衰减后的Al层厚度仍然满足所需的厚度,这种方法仍然是有效的。由于第二区域b高酸值的起伏结构层受到碱液的腐蚀时,与Al层的结合力会迅速衰减,因而剥离的速度是非常快的,而这段时间内,第一区域a的Al层受到的腐蚀是非常有限的。
(4)镀层为多层物质镀层(其中第一物质镀层与起伏结构层邻接),去镀层环境与第一物质镀层不反应,而与起伏结构层反应。例如,镀层为Cr/MgF2/Al三层干涉膜结构(其中Cr与起伏结构层邻接),起伏结构层为数均分子量小于10000的树脂,与起伏结构层反应环境为有机溶剂。这样,有机溶剂通过第二起伏结构陡直侧壁上镀层的脆弱点接触到起伏结构层,与起伏结构层反应(物理溶解),使得镀层从起伏结构层上剥离。由于镀层外侧是与有机溶剂不发生反应的Al,因而采用这种实施方法,第一区域上的多层镀层得以完整保留。再如,镀层为Cr/MgF2/Al/MgF2四层干涉膜结构(其中Cr与起伏结构层邻接),起伏结构层为高酸值的丙烯酸树脂(酸值大于20mgKOH/g),与起伏结构层反应环境为碱液。这样,碱液通过第二起伏结构陡直侧壁上镀层的脆弱点接触到起伏结构层,与起伏结构层反应(化学反应),使得镀层从起伏结构层上剥离。由于镀层外侧是与碱液不发生反应的MgF2,因而采用这种实施方法,第一区域上的多层镀层得以完整保留。
(5)镀层为多层物质镀层(其中第一物质镀层与起伏结构层邻接),去镀层环境与第一物质镀层反应,与起伏结构层可以反应,也可以不反应。例如,多层镀层为Al/Cu双层结构(其中Al与起伏结构层邻接),起伏结构层为高酸值的丙烯酸树脂(酸值大于20mg KOH/g),与起伏结构层反应环境为碱液。这样,碱液通过第二起伏结构的陡直侧壁上镀层的脆弱点接触到镀层与起伏结构层的界面,与起伏结构层和Al均发生反应,破坏了该双层镀层结构与起伏结构层的结合,使得双层镀层从起伏结构层上剥离。由于镀层外侧是与碱液不发生反应的Cu,因而采用这种实施方法,第一区域上的镀层得以完整保留;另外,由于碱液与起伏结构层和Al层均反应,因而第二区域镀层的剥离速度更快。再如,多层镀层为Al/MgF2/Cr三层干涉膜结构(其中Al与起伏结构层邻接),起伏结构层为化学惰性的丙烯酸树脂。这样,碱液通过第二起伏结构的陡直侧壁上镀层的脆弱点接触到镀层与起伏结构层的界面,与Al发生反应,破坏了该多层镀层结构与起伏结构层的结合,使得多层镀层从起伏结构层上剥离。由于镀层外侧是与碱液不发生反应的Cr,因而采用这种实施方法,第一区域a上的镀层得到了完整的保留。
本领域技术人员应当理解的是,上述五种方法仅仅是示例性的,实际上只要满足镀层没有完全覆盖起伏结构层第二区域的微结构的陡直侧壁,在某种能与起伏结构层反应环境破坏镀层与起伏结构层的结合,从而使镀层从起伏结构层上剥离即可。
至此,根据本发明的制备光学防伪元件的方法就实现了去镀层以进行镂空的目的。
进一步地,根据本发明的实施方式的制造光学防伪元件的方法还可以包括以下步骤:在步骤S13之后,在镂空之后的光学防伪元件上涂布保护层和/或功能涂层4,如图6的剖面图所示。该涂层可以是单层,也可以是多层。涂层一般具有保护作用,保护镀层不被外界环境腐蚀,同时一般还具有与其他基材粘合的作用,例如纸张。
进一步地,在本发明可替换实施方式中,如果去镀层的第二区域仍需要有一定的反射光学效果,则在去镀层工序之后,蒸镀一高折射率的透明镀层5,如图7所示。这样,既不影响位于第一区域的原始图像的镂空效果,又增加了第二区域的光学效果。例如,图1中的字符的背景既是字符的镂空区域,又有一定的反射光学效果,比如全息。该透明镀层的光学密度一般要求小于0.1,具体成分可以是ZnS、MgF2、SiO2、TiN、TiO2、TiO、Ti2O3、Ti3O5、Ta2O5、Nb2O5、CeO2、Bi2O3、Cr2O3、Fe2O3、HfO2或ZnO,优选ZnS。
根据本发明的实施方式的制造光学防伪元件的方法适合于制作标签、标识、宽条、透明窗口、开窗安全线等,尤其适合制作烫印标。
以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复,本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外,本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本发明的思想,其同样应当视为本发明所公开的内容。
Claims (15)
1.一种光学防伪元件,该元件包括:
基材(1);
位于所述基材(1)上的起伏结构层(2),该起伏结构层(2)至少包括具有第一起伏结构的第一区域和与该第一区域相邻的具有第二起伏结构的第二区域,其中该第二起伏结构具有与所述基材(1)平面的夹角大于45度的侧壁,且该第二起伏结构的深宽比小于0.3;以及
位于所述第一区域上的镀层(3)。
2.根据权利要求1所述的光学防伪元件,其中,所述第一起伏结构的侧面与基材平面的夹角的最大值小于30度。
3.根据权利要求1所述的光学防伪元件,其中,所述第一起伏结构的深宽比大于或小于所述第二起伏结构的深宽比。
4.根据权利要求1所述的光学防伪元件,其中,所述第一起伏结构是余弦光栅结构、球面镜结构、柱面镜结构、锯齿形光栅结构、棱锥结构中的一者或组合;和/或
所述第二起伏结构是方波型光栅结构、锯齿形光栅结构、梯形光栅结构、余弦光栅结构、棱锥结构中的一者或组合。
5.根据权利要求1所述的光学防伪元件,该元件还包括位于所述镀层(3)以及所述第二区域上的保护层和/或功能涂层(4)。
6.根据权利要求1所述的光学防伪元件,其中所述镀层(3)包括依次层叠的反射层、介电层和吸收层。
7.一种光学防伪元件的制造方法,该方法包括:
在基材(1)上形成起伏结构层(2),该起伏结构层(2)至少包括具有第一起伏结构的第一区域和与该第一区域相邻的具有第二起伏结构的第二区域,其中该第二起伏结构具有与所述基材(1)平面的夹角大于45度的侧壁,且该第二起伏结构的深宽比小于0.3;
在所述起伏结构层(2)上形成镀层(3);以及
将所述镀层(3)置于去镀层环境中,直到所述第二区域上的镀层(3)从所述起伏结构层(2)剥离为止。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述第一起伏结构的侧面与基材平面的夹角的最大值小于30度。
9.根据权利要求7或8所述的方法,其中,所述第一起伏结构是余弦光栅结构、球面镜结构、柱面镜结构、锯齿形光栅结构、棱锥结构中的一者或组合;和/或
所述第二起伏结构是方波型光栅结构、锯齿形光栅结构、梯形光栅结构、余弦光栅结构、棱锥结构中的一者或组合。
10.根据权利要求7所述的方法,其中,所述基材(1)与所述起伏结构层(2)之间具有剥离层。
11.根据权利要求7所述的方法,其中所述镀层(3)包括至少第一镀层和第二镀层,该第一镀层与所述起伏结构层(2)邻接,该第二镀层不与所述去镀层环境反应。
12.根据权利要求7所述的方法,其中,所述镀层(3)包括依次层叠的反射层、介电层和吸收层。
13.根据权利要求7所述的方法,该方法还包括:
在所述第二区域上的镀层(3)被剥离之后,在该第二区域上蒸镀一透明镀层(5)。
14.根据权利要求7或13所述的方法,该方法还包括:在所述第二区域上的镀层(3)被剥离之后或在所述第二区域上蒸镀一透明镀层(5)之后,涂布保护层和/或功能涂层(4)。
15.一种根据权利要求7-14中任意一项所述的光学防伪元件的制造方法制造的光学防伪元件。
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