CN105006237A - 磁记录头和具有该磁记录头的盘装置 - Google Patents

磁记录头和具有该磁记录头的盘装置 Download PDF

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CN105006237A CN201410668942.7A CN201410668942A CN105006237A CN 105006237 A CN105006237 A CN 105006237A CN 201410668942 A CN201410668942 A CN 201410668942A CN 105006237 A CN105006237 A CN 105006237A
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Abstract

本发明涉及磁记录头和具有该磁记录头的盘装置。一种磁记录头：包括磁极，其向记录介质施加记录磁场；发光元件，其被配置为产生光以加热所述记录介质的记录表面；以及波导，其位于所述发光元件的前侧以将入射光导入所述发光元件。所述波导包括第一波导和第二波导，该第一波导具有光进入的入射面，该第二波导具有面向所述第一波导的第一表面、以及面向所述发光元件并且基本垂直于所述记录介质的所述记录表面延伸的第二表面，来自所述第一波导的光通过该第一表面进入，进入所述发光元件的光通过该第二表面。所述第二波导的折射率不同于所述第一波导的折射率。

Description

磁记录头和具有该磁记录头的盘装置
相关申请的交叉引用
本申请基于并要求2014年4月15日提交的申请号为2014-083721的日本专利申请的优先权益，该申请的全部内容通过引用的方式在此纳入。
技术领域
此处描述的实施例一般地涉及使用热辅助记录方法的磁记录头以及具有该磁记录头的盘装置。
背景技术
盘装置的一个实例是一种磁盘装置，该磁盘装置包括：被置于壳体内作为记录介质的磁盘；支撑并旋转地驱动磁盘的主轴电动机；以及从磁盘读取信息以及将信息写入磁盘的磁头。磁头由可旋转头致动器支撑，沿着磁盘的径向被移动并在那定位。
近来已经提出根据垂直磁记录和热辅助记录的磁记录头，以便增加磁盘装置的记录密度和容量并缩减磁盘装置的尺寸。该磁头包括：近场光产生元件，该元件产生朝向记录介质的记录层的近场光；以及传播用于产生近场光的激光的波导。在这种磁记录头中，当写信息时，由激光产生元件产生并且通过波导的激光在波导外部产生表面等离子体激元(plasmon)，该表面等离子体激元在近场光产生元件中激发等离子体激元。据此，记录介质的记录层被来自近场光产生元件远端的近场光照射，并且被局部加热，从而使记录层部分的抗磁力充分降低，这样实现高记录密度。
在磁记录头中，很难获取高能量传播效率，该效率是传播到近场光产生元件的能量与激光能量的比率。当传播效率低时，必须将高电流施加到激光产生元件以产生高功率激光，从而获取具有充足强度的近场光，用于热辅助记录。因此，磁盘装置的功耗增加。而且，未传播的激光从波导的末端发出，这样可导致意外加热记录介质并擦除已记录的数据，同时还会导致波导加热所造成的元件劣化或损坏。
发明内容
实施例提供了一种能够以高效率和稳定性实现热辅助记录的磁记录头以及包括该磁记录头的盘装置。
一般来说，根据一个实施例，一种磁记录头包括：磁极，其向记录介质施加记录磁场；发光元件，其被配置为产生光以加热所述记录介质的记录表面；以及波导，其位于所述发光元件的前侧以将入射光导入所述发光元件。所述波导：包括第一波导，其具有光进入的入射面；以及第二波导，其具有面向所述第一波导的第一表面，以及面向所述发光元件并且基本垂直于所述记录介质的所述记录表面延伸的第二表面，来自所述第一波导的光通过该第一表面进入，进入所述发光元件的光通过该第二表面。所述第二波导的折射率不同于所述第一波导的折射率。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的硬盘驱动器(HDD)的俯视图。
图2是示出HDD中的磁头和悬挂部的侧视图。
图3是示意性地示出磁头的透视图。
图4是示出磁头的截面图。
图5是示出磁头的头部的放大截面图。
图6是示意性地示出根据第一实施例的磁头的波导的视图。
图7是示意性地示出根据变型例的磁记录头的截面图。
图8是从浮动表面的一侧观察到的根据变型例的磁记录头的俯视图。
图9是根据第二实施例的HDD中的磁头的头部的放大截面图。
图10是示出根据第三实施例的HDD中的磁头的头部的放大截面图。
图11是示意性地示出根据第三实施例的磁头的波导的视图。
图12是示出根据变型例的磁头的头部的放大截面图。
具体实施方式
将参考下面的附图描述实施例。
(第一实施例)
图1示出根据第一实施例的HDD的内部结构，其中已经移除顶盖，图2示出处于浮动状态的磁头。如图1所示，HDD包括壳体10。该壳体10包括开顶式的呈矩形盒形状的基座12，以及呈矩形板形状的顶盖(未示出)。顶盖通过多个螺丝而被拧到(screw)基座12上，以便关闭基座12的顶部开口。基座12由矩形底壁12a和沿底壁边缘竖立的侧壁12b形成。
在基座12的底壁12a上，设置作为磁记录介质的磁盘16和机构部。机构部包括：主轴电动机18，其支撑并旋转磁盘16；多个(例如两个)磁头33，其将信息记录到磁盘16以及再现(reproduce)来自磁盘16的信息；支架组件14，其相对于磁盘16的表面(盘表面)可移动地支撑磁头33；以及音圈电动机(下文称为VCM)24，其旋转并定位支架组件14。在底壁12a上，安装有：斜坡加载机构25，当磁头33被移动到磁盘16的最***时，该斜坡加载机构使磁头33保持在远离磁盘16的位置上；闩锁机构28，当对HDD施加冲击等时，该机构使支架组件14保持在撤离(evacuation)位置上；以及板单元21，其上安装诸如连接器等之类的电子组件。
控制电路板(未示出)被拧到基座12的外表面上。控制电路板通过板单元21控制主轴电动机18、VCM 24和磁头13的操作。
如图1所示，磁盘16同轴地安装到主轴电动机18的中枢(hub)上，并且由被拧到中枢上端的卡簧(clamp spring)19卡住(clamp)，以便磁盘16被固定到中枢。通过用作驱动电动机的主轴电动机18，使磁盘16以预定的速度沿着箭头A指示的方向旋转。
支架组件14包括固定在基座12的底壁12a上的轴承部26，以及多个从轴承部26伸出的臂27。这些臂27以预定的间隔平行于盘表面设置，从轴承部26开始沿着同一方向延伸。臂27可以与轴承部26的套筒为一体，并在E块(E-block)中形成。
支架组件14包括可弹性变形的悬挂部30，每个悬挂部具有长板形状。每个悬挂部30由板弹簧形成，其近端通过点焊或粘附固定到臂27的远端，并且从臂27延伸。各个悬挂部30可与各个对应的臂27一体地形成。磁头33在各个悬挂部30的延伸端被支撑。臂27和悬挂部30形成头悬挂部，以及头悬挂部和磁头33形成头悬挂部组件。
如图2所示，每个磁头33包括基本呈长方体形的滑块42以及被设置在该滑块42的流出(outflow)端(后端)的用于记录和再现的头部44。磁头33被固定到设置于悬挂部30远端部的常平架(gimbal)弹簧41。由于悬挂部30具有弹性，因此朝向盘表面的头负载G被施加到每个磁头33。两个臂27以预定的间隔相互平行地设置，以及附着到臂27和磁头33的各悬挂部30彼此面对，且磁盘16介于其间。
每个磁头33通过固定到悬挂部30和臂27的中继柔性印刷电路板(下文称为中继FPC)35电连接到板单元21。
通过在磁盘16旋转的状态下将电流传递到VCM 24的音圈，支架组件14旋转，并且磁头33被移动并定位在磁盘16的所需磁道上方。在这些情况下，如图1中的链状双虚线所述，磁头33沿着磁盘16的径向在磁盘16的内边缘部和外边缘部之间被移动。
接下来，将详细地描述是磁盘16和磁头33的结构。图3是示意性地示出整个磁头的透视图，图4是磁头部的截面图，图5是示出磁头33的头部44和磁盘16的放大截面图。
如图1、2和5所示，磁盘16包括以盘状形成的基板101，例如具有大约2.5英寸(6.35cm)的直径，并且由非磁体制成。基板101的每个表面设置有：垂直记录层103，该垂直记录层在盘表面的垂直方向上具有很强的各向异性；晶体取向层102，该晶体取向层被设置在垂直记录层103的底部中，以便改善垂直记录层103的取向；散热层104，该散热层被设置在晶体取向层102的底部中，以便限制加热区的扩展；以及保护膜105，其被设置在垂直记录层103的上部之上。
如图2和4所示，磁头33被形成为浮动型磁头，其具有基本以长方体形形成的滑块42以及在滑块42位于流出(后)侧上的端部形成的头部44。滑块42例如由氧化铝和碳化钛的烧结体(ALTIC)制成，头部44通过层压薄膜形成。
滑块42具有面向盘表面的矩形浮动表面(空气轴承表面(ABS))43，以及与浮动表面相对的矩形滑块支撑表面45。滑块42的滑块支撑表面45固定到常平架(gimbal)41。进一步地，激光产生元件(激光二极管)40被安装在滑块支撑表面45或常平架41上作为光源。
滑块42由于根据磁盘16的旋转在盘表面与浮动表面43之间产生的气流B而浮动。气流B的方向与磁盘16的旋转方向A一致。滑块42被设置为使得在盘表面上，浮动表面43的纵向几乎与气流B的方向一致。
滑块42具有位于气流B的流入侧的前端42a，以及位于气流B的流出侧的后端42b。在滑块42的浮动表面43上，形成凹凸结构(前台阶、后台阶、侧台阶、负压腔等)，该结构未示出。
如图4和5所示，头部44形成为分离型磁头，头部包括通过薄膜工艺，在滑块42的后端42b形成的再现头54和记录头(磁记录头)58。
再现头54由具有磁阻效应的磁性膜55、被分别设置在磁性膜55的前侧和后侧以夹着该磁性膜的屏蔽膜56和57形成。磁性膜55和屏蔽膜56和57的下端在滑块42的浮动表面43上暴露。
记录头58被设置为比再现头54更接近滑块42的后端42b侧。记录头58包括：主磁极60，其由具有高导磁率和高饱和磁通密度的软磁性材料制成，以在盘表面的垂直方向上产生记录磁场(相对于记录层103)；前导轭62，其由用于将磁通量传送到主磁极60的软磁材料制成，并位于主磁极60的前侧；连接部63，用于将前导轭62的顶部(远离浮动表面43的端部)物理连接到主磁极60；记录线圈66，其缠绕在包括前导轭62和主磁极60的磁路周围，以便将磁通量传送到主磁极60；近场光产生元件(等离子体激元发生器、近场换能器)65，其被设置在主磁极60的前侧以产生近场光来加热磁盘16的记录层103；以及波导68，其将用于产生近场光的光导入近场光产生元件65。近场光产生元件65是发光元件，其产生指向磁盘16的光并且由金属体(例如，金)制成。波导68将用于产生近场光的光传播到近场光产生元件65。主磁极60的远端表面60a、前导轭62的远端表面62a、以及近场光产生元件65的等离子体激元天线65a在滑块42的浮动表面43上暴露。
波导68包括从滑块42的滑块支撑表面45朝着浮动表面43延伸到近场光产生元件65附近的第一波导68a，以及从该第一波导68a的下端延伸到浮动表面43附近的第二波导68b。第一波导68a和第二波导68b沿着基本垂直于浮动表面43的方向延伸。
第一波导68a包括位于滑块42的滑块支撑表面45上的第一入射面70a，和位于下端的第一发射面70b。第一发射面70b被形成为基本平行于浮动表面43，面向激光产生元件40。第二波导68b包括位于与滑块支撑表面45平行的上端的第二入射面72a，和垂直于该第二入射面72a延伸的第二发射面72b。第二波导68b的第二入射面72a紧靠第一波导68a的第一发射面70b，也就是说，接合在一起。据此，第一波导68a和第二波导68b连续地以直线型延伸。第二波导68b的第二发射面72b基本垂直于浮动表面43延伸，并且面向近场光产生元件65。
第一波导68a和第二波导68b由具有不同折射率的材料制成。在实施例中，第二波导68b以低于第一波导68a的折射率的折射率制成。第一波导68a例如由折射率为2.5的氧化钛制成，第二波导68b由折射率为1.8的氧化镁制成。
近场光产生元件65基本以棱柱形状形成，其包括：从其下端突出并且在浮动表面43上暴露的等离子体激元天线65a；面向第二波导68b的第三入射面65b，以及与该第三入射面65b相对的其它侧面。第三入射面65b从浮动表面43的附近开始，基本垂直于该浮动表面延伸。第三入射面65b面向第二波导68b的第二发射面72b并且与该第二发射面平行，第三入射面与第二发射面之间具有间隙。低折射率层76被设置在近场光产生元件65的第三入射面65b与第二波导68b的第二发射面72b之间的该间隙中。低折射率层76由折射率低于第二波导68b的折射率的材料制成，例如，二氧化硅。第二波导68b可由二氧化硅层包围。
进一步地，如图7和8所示，第二波导68b可被覆层80包围，除了第二发射面72b之外。该覆层80由折射率低于低折射率层76的折射率的材料制成。
如图4和5所示，再现头54和记录头58被非磁性保护绝缘膜74覆盖，除了滑块42暴露给浮动表面43的部分之外。保护绝缘膜74形成滑块42的外形。
被提供给记录头58的记录线圈66的电流和激光产生元件40的驱动电流由HDD的控制电路板(控制单元)控制。当在磁盘16的记录层103中写入信号时，预定的电流被从电源提供给记录线圈66，从而将磁通量传递到主磁极60并产生磁场。进一步地，从作为光源的激光产生元件40产生的激光(激发光)进入波导68并通过波导68被提供给近场光产生元件65。
根据上述配置的HDD，通过驱动VCM 24，支架组件14旋转，并且磁头33被移动并定位在磁盘16的预定磁道上方。进一步地，磁头33因为根据磁盘16的旋转在盘表面与浮动表面43之间产生的气流B而浮动。在HDD操作期间，滑块42的浮动表面43保持面向盘表面，并且二者之间具有间隙。在这种状况下，通过再现头54从磁盘16读取已记录的信息，并且通过记录头58将信息(信号)写入磁盘16。
在写入信息期间，记录线圈66激励主磁极60，并且通过沿着位于主磁极60下方的磁盘16的记录层103的垂直方向施加记录磁场，按照所需的磁道宽度记录信息。进一步地，通过波导68，将激光从激光产生元件40提供给近场光产生元件65，从而通过近场光产生元件65产生近场光。通过使用近场光产生元件65的等离子体激元天线65a所产生的近场光对磁盘16的记录层103进行局部加热，降低该记录层部中的抗磁力。来自主磁极60的记录磁场被施加到该抗磁力降低的区域，从而在此处写入信号。这样，通过在记录层103的局部加热区域(其中抗磁力降低)中写入信号，实现高密度磁记录。近场光产生元件65的等离子体激元天线65a被设置在主磁极60的远端部60a的附近，因为应该在激光所加热的磁盘16冷却下来并且抗磁力恢复之前，将来自磁头33的磁场施加到磁盘16。
当近场光被从近场光产生元件65施加到磁盘16时，来自激光产生元件40的激光通过第一波导68a传播，同时在第一波导68a的芯部的内壁表面(侧面或周面)上被重复地反射，然后通过第一发射面70b和第二入射面72a进入第二波导68b。该激光通过第二波导68b传播，同时在第二波导68b的芯部的内壁表面上被重复地反射。当激光在第二波导68b的第二发射面72b上反射时，反射光在第二发射面72b的外部(第二波导68b的外部)以及在近场光产生元件65的第三入射面65b上产生表面等离子体激元。在近场光产生元件65的第三入射面65b上产生的表面等离子体激元被近场光产生元件65激励以朝着等离子体激元天线65a移动并在等离子体激元天线65a上聚集。从这里，近场光产生元件65通过等离子体激元天线65a所产生的近场光照射磁盘16的记录层103。
鉴于波导68所需的特性，重要的是以无损耗方式将激光产生元件40中产生的激光从激光产生元件40的附近恰好传播到近场光产生元件65的前面。为实现此目标，在波导68的芯部的内壁表面上反射的激光的反射角优选地相对于壁面的垂线为70°及更大。另一方面，为了将能量从波导68传播到近场光产生元件65，最有效的是，在波导68的芯部的内壁表面上反射的激光的反射角相对于壁面的垂线约为40°至50°。
在根据实施例的磁记录头58中，波导68的第一波导68a以高于第二波导68b的折射率的折射率形成。因此，如图6所示，入射到第一波导68a的激光通过第一波导68a传播，同时以相对于壁面的垂线的70°至80°的反射角Ra在第一波导68a的芯部的内壁表面(侧面或周面)上被重复地反射。据此，第一波导68a可通过低传播损耗方式将激光传播到近场光产生元件65的附近。
通过第一波导68a传播的激光通过第一发射面70b和第二入射面(界面)72a并进入第二波导68b。在此，由于第二波导68b的折射率低于第一波导68a的折射率，因此，在第一发射面70b和第二入射面72a中发生折射，第二入射面72a上的折射角Fb变得大于第一发射面70b上的入射角Ia。据此，在第二波导68b内，在第二波导68b的芯部的内壁表面(侧面或周面)上反射的激光的反射角Rb变得小于相对于壁面的垂线的角度70°至80°。例如，当第一波导68a由折射率为2.5的氧化钛制成，并且第二波导68b由折射率为1.8的氧化镁制成时，第一波导68a中的反射角Ra＝80°被更改为第二波导68b中的反射角Rb＝76°，或者第一波导68a中的反射角Ra＝70°被更改为第二波导68b中的反射角Rb＝62°。
如上所述，在限制第一波导68a中的激光传播损耗的同时，可有效地将能量从第二波导68b传播到近场光产生元件65。因此，没必要将高电流施加到激光产生元件40以产生高功率激光，从而减小磁盘装置的功耗。同时，防止激光从波导末端发射，因此可避免意外加热记录介质和擦除数据。根据上面的描述，可获取能够以高效率和稳定性实现热辅助记录的磁记录头以及包括该磁记录头的盘装置。
进一步地，如图7和8的变型例所示，当第二波导68b除了第二波导68b的第二发射面72b之外的外周面被低折射率材料制成的覆层80覆盖时，激光被阻止从第二波导68b朝外发射，并且几乎所有激光可在第二发射面72b的一侧被反射。据此，能量可更有效地被传播到近场光产生元件65。
用于制造第一波导68a和第二波导68b的材料不限于上述实施例中的材料，可以选择多种材料。作为具有低折射率的材料，例如氧化镓、氧化铝、氧化镁、氧化钇、及氧化铪可被使用。作为具有高折射率的材料，例如氧化钽、氧化铌、二氧化钛和一氧化钛可被使用。
进一步地，可选择各种折射率组合。优选地，第一波导68a的折射率n1和第二波导68b的折射率n2的比率(n1/n2)为1.3或更大。例如，当第一波导68a的折射率为2.5，第二波导68b的折射率为1.5时，可获取以下反射角更改量，如表1所示。
[表1]
                          单位：度
进一步地，当第一波导68a的折射率为2.5，第二波导68b的折射率为1.8时，可获取以下反射角更改量，如表2所示。
[表2]
                     单位：度
接下来，将描述根据其它实施例的HDD和磁记录头。在下面描述的其它实施例中，与上述第一实施例相同的部件被标注相同的附图标记，并且省略对它们的详细描述。
(第二实施例)
图9是示出根据第二实施例的HDD中的磁记录头的放大截面图。根据该实施例，近场光产生元件65的第三入射面65b面向且平行于第二波导68b的第二发射面72b，而且与第二发射面72b接触或接合。在第二实施例中，磁记录头58和HDD的其它部件与上述第一实施例相同。在如上配置的第二实施例中，也可获取与第一实施例相同的效果。在第二实施例中，除了第二波导68b的第二发射面72b之外的外周面被低折射率材料制成的覆层覆盖。
(第三实施例)
图10是示出根据第三实施例的HDD中的磁记录头的放大截面图。
根据第三实施例，波导68的第二波导68b不与第一波导68a直线对齐，而是从第一波导68a的直线偏离到近场光产生元件65的一侧。第一波导68a位于浮动表面43侧的端部的侧面形成第一发射面70b。该第一发射面70b基本垂直于滑块42的浮动表面43。第二波导68b的第二入射面72a(界面)基本垂直于滑块42的浮动表面43。第二波导68b的第二入射面72a面向且平行于第一波导68a的第一发射面70b，而且它们彼此接触或接合。
第一波导68a和第二波导68b具有不同的折射率。在第三实施例中，第一波导68a的折射率低于第二波导68b的折射率。
近场光产生元件65的第三入射面65b面向且基本平行于第二波导68b的第二发射面72b。在该实施例中，折射率低于第二波导68b的折射率的低折射率层76被设置在第三入射面65b与第二发射面72b之间。
当近场光被从近场光产生元件65施加到磁盘16时，来自激光产生元件40的激光通过第一波导68a传播，同时在第一波导68a的芯部的内壁表面上被重复地反射，然后通过第一发射面70b和第二入射面72a进入第二波导68b。激光通过第二波导68b传播，同时在第二波导68b的芯部的内壁表面上被重复地反射。当激光在第二波导68b的第二发射面72b上反射时，反射光在第二发射面72b的外部(第二波导68b的外部)以及在近场光产生元件65的第三入射面65b上产生表面等离子体激元。在近场光产生元件65的第三入射面65b上产生的该表面等离子体激元被近场光产生元件65激励，以朝着等离子体激元天线65a移动并在等离子体激元天线65a上聚集。从这里，近场光产生元件65通过等离子体激元天线65a产生的近场光照射磁盘16的记录层103。
在根据该实施例的磁记录头58中，第一波导68a以低于第二波导68b的折射率的折射率形成。因此，如图11所示，入射到第一波导68a的激光通过第一波导68a传播，同时以相对于壁面的垂线的70°至80°及更大的反射角Ra在第一波导68a的芯部的内壁表面上被重复地反射。据此，第一波导68a可通过低传播损耗方式将激光传播到近场光产生元件65的附近。
通过第一波导68a传播的激光通过第一发射面70b和第二入射面72a而进入第二波导68b。在此，由于第二波导68b的折射率高于第一波导68a的折射率，因此，在第一发射面70b和第二入射面72a中发生折射，第二入射面72a上的折射角Fb变得小于第一发射面70b上的入射角Ia。据此，在第二波导68b的芯部的内壁表面上反射的激光的反射角Rb变得小于相对于壁面的垂线的70°至80°的角度。例如，当第一波导68a由折射率为1.8的氧化镁制成，并且第二波导68b由折射率为2.5的氧化钛制成时，第一波导68a中的反射角Ra＝80°更改为第二波导68b中的反射角Rb＝76°，并且第一波导68a中的反射角Ra＝70°更改为第二波导68b中的反射角Rb＝62°。
据此，在限制第一波导68a中的激光传播损耗的同时，可有效地将能量从第二波导68b传播到近场光产生元件65。
在第三实施例中，磁头33和HDD的其它部件与上述第一实施例相同。而且在如上配置的第三实施例中，可获取能够以高效率和稳定性实现热辅助记录的磁记录头以及包括该磁记录头的盘装置。
在第三实施例中，如图12所示，近场光产生元件65的第三入射面65b可与第二波导68b的第二发射面72b接触或接合。进一步地，除了第二入射面72a和第二发射面72b之外的第二波导68b的外周面被低折射率材料制成的覆层80覆盖。
尽管已经描述了特定实施例，但是这些实施例仅通过举例的方式呈现，并非旨在限制本发明的范围。实际上，此处描述的新颖实施例可通过多种其它方式实现；而且，在不偏离本发明的精神的情况下，可对此处描述的实施例做出多种形式上的省略、替换和更改。所附权利要求及其等同物旨在涵盖这些落在本发明的精神和范围内的形式或修改。
例如，可根据需要修改形成头部的每个元件的材料、形状和大小。进一步地，在磁盘中，可根据需要增加磁盘和磁头的数量，并且可以多种方式更改磁盘大小。

Claims (20)

1.一种磁记录头，包括：
磁极，其向记录介质施加记录磁场；
发光元件，其被配置为产生光以加热所述记录介质的记录表面；以及
波导，其位于所述发光元件的前侧以将入射光导入所述发光元件，其中
所述波导包括：
第一波导，其具有光进入的入射面，以及
第二波导，其具有面向所述第一波导的第一表面，以及面向所述发光元件并且基本垂直于所述记录介质的所述记录表面延伸的第二表面，来自所述第一波导的光通过该第一表面进入，进入所述发光元件的光通过该第二表面，
所述第二波导的折射率不同于所述第一波导的折射率。
2.根据权利要求1所述的磁记录头，其中所述第二波导的所述第一和第二表面相互垂直。
3.根据权利要求1所述的磁记录头，其中所述第二波导的所述第一和第二表面相互平行。
4.根据权利要求3所述的磁记录头，其中所述第一和第二波导分别沿着垂直于所述记录介质的所述记录表面的方向延伸，但是不沿着所述方向对齐。
5.根据权利要求1所述的磁记录头，其中
所述发光元件被设置在所述第二波导与所述磁极之间。
6.根据权利要求1所述的磁记录头，进一步包括：
低折射率层，其被设置在所述发光元件与所述第二波导的所述第二表面之间，所述低折射率层的折射率低于所述第二波导的折射率。
7.根据权利要求1所述的磁记录头，其中
所述发光元件与所述第二波导的所述第二表面接触和接合。
8.根据权利要求1所述的磁记录头，进一步包括：
覆层，其由折射率低于所述第二波导的折射率的材料制成，并且覆盖所述第二波导中除所述第二表面以外的周边。
9.一种盘装置，包括：
盘状记录介质，其包括磁记录层；
驱动单元，其支撑并旋转所述记录介质；
磁记录头，其包括向记录介质施加记录磁场的磁极，被配置为产生光以加热所述记录介质的记录表面的发光元件，以及位于所述发光元件的前侧以将入射光导入所述发光元件的波导；以及
进入所述波导并由所述波导引导的所述入射光的光源，
其中所述波导包括：
第一波导，其具有光进入的入射面，以及
第二波导，其具有面向所述第一波导的第一表面，以及面向所述发光元件并且基本垂直于所述记录介质的所述记录表面延伸的第二表面，来自所述第一波导的光通过该第一表面进入，进入所述发光元件的光通过该第二表面，
所述第二波导的折射率不同于所述第一波导的折射率。
10.根据权利要求9所述的盘装置，其中所述第二波导的所述第一和第二表面相互垂直。
11.根据权利要求9所述的盘装置，其中所述第二波导的所述第一和第二表面相互平行。
12.根据权利要求11所述的盘装置，其中所述第一和第二波导分别沿着垂直于所述记录介质的所述记录表面的方向延伸，但是不沿着所述方向对齐。
13.根据权利要求9所述的盘装置，其中
所述发光元件被设置在所述第二波导与所述磁极之间。
14.根据权利要求9所述的盘装置，进一步包括：
低折射率层，其被设置在所述发光元件与所述第二波导的所述第二表面之间，所述低折射率层的折射率低于所述第二波导的折射率。
15.根据权利要求9所述的盘装置，其中
所述发光元件与所述第二波导的所述第二表面接触和接合。
16.根据权利要求9所述的盘装置，进一步包括：
覆层，其由折射率低于所述第二波导的折射率的材料制成，并且覆盖所述第二波导中除所述第二表面以外的周边。
17.一种用于盘装置的磁记录头，该盘装置包括含有磁记录层的盘状记录介质、支撑并旋转所述记录介质的驱动单元、以及光源，所述磁记录头包括：
主磁极，其向所述记录介质施加记录磁场；
发光元件，其被配置为产生光以加热所述记录介质的记录表面；以及
波导，其位于所述发光元件的与所述主磁极相反的一侧，所述波导包括第一波导以及第二波导，该第一波导具有来自所述光源的光进入的入射面，该第二波导具有面向所述第一波导的第一表面、以及面向所述发光元件并且基本垂直于所述记录介质的所述记录表面延伸的第二表面，来自所述第一波导的光通过该第一表面进入，进入所述发光元件的光通过该第二表面，
其中所述第二波导的折射率小于所述第一波导的折射率。
18.根据权利要求17所述的磁记录头，进一步包括：
低折射率层，其介于所述发光元件与所述第二波导的所述第二表面之间，
其中所述低折射率层的折射率低于所述第二波导的折射率。
19.根据权利要求18所述的磁记录头，进一步包括：
覆层，其由折射率低于所述低折射率层的折射率的材料制成，并且覆盖所述第二波导中除所述第二表面以外的周边。
20.根据权利要求19所述的磁记录头，其中所述覆层具有覆盖所述第一波导的周边的部分。
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