CN104979488A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件包括依次层叠的导电阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，电子传输层的材质为有机锂、金属单质和有机电子传输材料形成的混合材料，有机锂为4-羟基菲啶锂、2-(5-苯基-1,3,4-噁二唑)-苯酚锂、2,3-二苯基-5-羟基喹啉锂、四(8-羟基喹啉)硼锂、叔丁基环戊二烯锂或乙酰丙酮锂，金属单质和阴极层的材质相同，均为银或铝，有机电子传输材料为8-羟基喹啉铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲，该有机电致发光器件使用寿命长，发光效率较高。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

目前，有机电致发光器件中的电子传输层多采用PN掺杂电子传输层的工艺，该工艺可以降低器件的启动电压以提高光效，并且有利于寿命的提高。对于电子传输层的N掺杂而言，通常采用碱金属化合物进行掺杂，这是由于碱金属功函低，容易实现N掺杂效果，但是碱金属离子体积较小，扩散能力强，在有机层中的扩散距离长，碱金属离子除了掺杂在电子传输层中，还有可能扩散至发光层中，直接导致激子的淬灭，影响器件的光效和寿命。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，所述电子传输层的材质为有机锂、金属单质和有机电子传输材料形成的混合材料，有机锂不易产生游离的金属Li⁺，因而Li⁺扩散现象得以减缓，同时本发明有机电致发光器件的启动电压较低，从而延长了有机电致发光器件的使用寿命和发光效率。

第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，所述电子传输层的材质为有机锂、金属单质和有机电子传输材料形成的混合材料，所述有机锂和金属单质的质量比为5:（1～5），所述有机锂和有机电子传输材料的质量比为（5～30）:100；所述有机锂为4-羟基菲啶锂（Liph）、2-(5-苯基-1,3,4-噁二唑)-苯酚锂(LiOXD)、2,3-二苯基-5-羟基喹啉锂(LiDPQX)、四(8-羟基喹啉)硼锂(LiBq4)、叔丁基环戊二烯锂(Li-TBCPD)或乙酰丙酮锂(Li(acac))，所述金属单质和阴极层的材质相同，均为银或铝，所述有机电子传输材料为8-羟基喹啉铝（Alq3）、4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)。

优选地，所述电子传输层的厚度为20nm～60nm。

优选地，所述空穴传输层的厚度为20nm～60nm。

优选地，所述空穴传输层的材质为P型有机掺杂剂和空穴传输材料按质量比为(1～10):100的比例形成的混合材料，所述P型有机掺杂剂为2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）或2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈(F2-HCNQ)。

更优选地，所述空穴传输材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA）、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（TPD）、（N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯（MeO-TPD）或2,7-双（N,N-二（4-甲氧基苯基）氨基）-9,9-螺二芴（MeO-Sprio-TPD）。

优选地，所述发光层的材质为二甲基喹吖啶酮（DMQA）、5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(C545T)、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi）或4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)。

优选地，所述发光层的厚度为10～30nm。

优选地，所述阴极层的厚度为70～200nm。

优选地，所述导电阳极的方块电阻为5～100Ω/□。

更优选地，所述导电阳极为氧化铟锡（ITO）导电玻璃。

传统的OLED发光装置中，一般采用无机金属锂化合物如Li₂CO₃作为电子传输层的掺杂剂，用于提高传输层的电导率。但是采用无机金属锂化合物作为掺杂剂时，其容易在有机材料中产生游离的碱金属离子，如Li⁺，在电场作用下会扩散到发光层中，经过长时间的扩散作用，容易引起激子的淬灭，因而影响发光效率和使用寿命。

本发明采用有机锂作为掺杂剂，掺杂在电子传输材料中，由于有机锂分子体积比Li₂CO₃等大的多，其不易产生游离的金属Li⁺，因而Li⁺扩散现象得以减缓。

本发明将金属单质和有机锂共同掺杂在有机电子传输材料中，采用金属单质掺杂在有机电子传输材料中，能够提高电子传输层的导电性，从而减少电子在电子传输过程中的淬灭现象，提高电子传输效率；本发明金属单质和阴极层的材质相同，金属单质掺杂在电子传输层中，使阴极层与电子传输层容易形成欧姆接触，从而降低启动电压；同时，金属单质不容易产生游离的离子，因此不会扩散至发光层，对有机电致发光器件的使用寿命无影响。

第二方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）提供导电阳极，清洗后干燥；在所述导电阳极表面采用真空蒸镀的方法依次制备空穴传输层和发光层；

（2）在所述发光层表面采用真空蒸镀的方法制备电子传输层，所述电子传输层的材质为有机锂、金属单质和有机电子传输材料形成的混合材料，所述有机锂和金属单质的质量比为5:（1～5），所述有机锂和有机电子传输材料的质量比为（5～30）:100；所述有机锂为4-羟基菲啶锂、2-(5-苯基-1,3,4-噁二唑)-苯酚锂、2,3-二苯基-5-羟基喹啉锂、四(8-羟基喹啉)硼锂、叔丁基环戊二烯锂或乙酰丙酮锂，所述金属单质和阴极层的材质相同，均为银或铝，所述有机电子传输材料为8-羟基喹啉铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲，所述真空蒸镀压强为1×10^-5～1×10^-3Pa，蒸镀速度为0.01～0.5nm/s；

（3）在所述电子传输层表面采用真空蒸镀的方法制备阴极层，得到所述有机电致发光器件。

优选地，步骤（1）所述清洗后干燥为将导电阳极依次用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，清洗干净后风干。

优选地，步骤（2）在所述发光层表面采用真空蒸镀的方法制备电子传输层时，所述有机锂和金属单质的蒸镀速度比值为5:（1～5），所述有机锂和有机电子传输材料的蒸镀速度比值为（5～30）:100。

优选地，所述电子传输层的厚度为20nm～60nm。

优选地，所述空穴传输层的厚度为20nm～60nm。

优选地，所述空穴传输层的蒸镀真空度为1×10^-5～1×10^-3Pa，蒸镀速度为0.01～1nm/s。

优选地，所述发光层的蒸镀真空度为1×10^-5～1×10^-3Pa，蒸镀速度为0.1～0.5nm/s。

优选地，所述阴极层的蒸镀真空度为1×10^-5～1×10^-3Pa，蒸镀速度为0.1～1nm/s。

优选地，所述空穴传输层的材质为P型有机掺杂剂和空穴传输材料按质量比为1～10:100形成的混合材料，所述P型有机掺杂剂为2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）或2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈(F2-HCNQ)。

更优选地，所述空穴传输材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA）、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（TPD）、（N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯（MeO-TPD）或2,7-双（N,N-二（4-甲氧基苯基）氨基）-9,9-螺二芴（MeO-Sprio-TPD）。

优选地，制备所述空穴传输层时，所述P型有机掺杂剂和空穴传输材料的蒸镀速度比值为(1～10):100。

优选地，所述发光层的材质为二甲基喹吖啶酮（DMQA）、5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(C545T)、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi）或4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi).。

优选地，所述发光层的厚度为10～30nm。

优选地，所述阴极层的厚度为70～200nm。

优选地，所述导电阳极的方块电阻为5～100Ω/□。

更优选地，所述导电阳极为ITO导电玻璃。

优选地，在制备得到的有机电致发光器件的阴极层表面上覆盖玻璃封装盖板，所述玻璃封装盖板的覆盖方法为现有技术。

传统的OLED发光装置中，一般采用无机金属锂化合物如Li₂CO₃作为电子传输层的掺杂剂，用于提高传输层的电导率。但是采用无机金属锂化合物作为掺杂剂时，其容易在有机材料中产生游离的碱金属离子，如Li⁺，在电场作用下会扩散到发光层中，经过长时间的扩散作用，容易引起激子的淬灭，因而影响发光效率和使用寿命。

本发明采用有机锂作为掺杂剂，掺杂在电子传输材料中，由于有机锂分子体积比Li₂CO₃等大的多，其不易产生游离的金属Li⁺，因而Li⁺扩散现象得以减缓。

本发明将金属单质和有机锂共同掺杂在有机电子传输材料中，采用金属单质掺杂在有机电子传输材料中，能够提高电子传输层的导电性，从而减少电子在电子传输过程中的淬灭现象，提高电子传输效率；本发明金属单质和阴极层的材质相同，金属单质掺杂在电子传输层中，使阴极层与电子传输层容易形成欧姆接触，从而降低启动电压；同时，金属单质不容易产生游离的离子，因此不会扩散至发光层，对有机电致发光器件的使用寿命无影响。

本发明有机电致发光器件的制备方法工艺简单，成本低。

实施本发明实施例，具有以下有益效果：

（1）本发明提供的有机电致发光器件使用寿命较长，发光效率较高；

（2）本发明有机电致发光器件制备方法简单，制备成本较低。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。

实施例1

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）提供ITO导电玻璃作为导电阳极1，并清洗干净，ITO导电玻璃方块电阻为5Ω/□；在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜***中，在ITO导电玻璃表面采用真空蒸镀的方法制备空穴传输层2；空穴传输层的材质为F4-TCNQ和NPB按质量比为1:100的比例形成的混合材料，空穴传输层的厚度为20nm，其中F4-TCNQ的蒸镀速度为0.01nm/s，NPB的蒸镀速度为1nm/s；

在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜***中，在空穴传输层表面采用真空蒸镀的方法制备发光层3，发光层的材质为DMQA，发光层的厚度为10nm，蒸镀速度为0.1nm/s；

（2）在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜***中，在发光层表面采用真空蒸镀的方法制备电子传输层4，电子传输层的材质为Liph、金属Al和Bphen形成的混合材料，Liph和Bphen的质量比为5:100，Liph和金属Al的质量比为5:5，Liph的蒸镀速度为0.01nm/s，Bphen的蒸镀速度为0.2nm/s，Al的蒸镀速度为0.01nm/s，电子传输层厚度为20nm；

（3）在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜***中，在电子传输层4表面采用真空蒸镀的方法制备阴极层5，阴极层的材质为Al，阴极层的厚度为70nm，蒸镀速度为0.1nm/s，制备得到有机电致发光器件。

在制备得到有机电致发光器件后，在阴极层表面覆盖玻璃封装盖板6，其所用的工艺是本行业内常用的封装技术。

图1为本实施例制备的有机电致发光器件100的结构示意图，如图1所示，本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4、阴极层5和玻璃盖板6，具体结构表示为：

ITO/F4-TCNQ:NPB/DMQA/Liph:Bphen:Al/Al/玻璃盖板，其中，斜杠“/”表示依次层叠，F4-TCNQ:NPB和Liph:Bphen:Al中的冒号“：”表示混合，后面实施例中各个符号表示的意义相同。

对比例1

对比例1和实施例1的区别在于：对比例1电子传输层的材质为Liph和Bphen形成的混合材料，不加入金属Al，Liph与Bphen的质量比为5:100，其他均同实施例1。

实施例2

（1）提供ITO导电玻璃作为阳极，并清洗干净，ITO导电玻璃方块电阻为100Ω/□；在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜***中，在ITO导电玻璃表面采用真空蒸镀的方法制备空穴传输层；空穴传输层的材质为F6-TNAP和MeO-TPD按质量比为10:100的比例形成的混合材料，空穴传输层的厚度为60nm，其中F6-TNAP的蒸镀速度为0.05nm/s，MeO-TPD的蒸镀速度为0.5nm/s。

在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜***中，在空穴传输层表面采用真空蒸镀的方法制备发光层，发光层的材质为C545T，发光层的厚度为30nm，蒸镀速度为0.5nm/s；

（2）在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜***中，在发光层表面采用真空蒸镀的方法制备电子传输层，电子传输层的材质为LiOXD、金属Ag和TPBi形成的混合材料，LiOXD和TPBi的质量比为30:100，LiOXD和金属Ag的质量比为5:1，LiOXD的蒸镀速度为0.05nm/s，TPBi的蒸镀速度为0.16nm/s；Ag的蒸镀速度为0.01nm/s，电子传输层厚度为60nm；

（3）在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜***中，在电子传输层表面采用真空蒸镀的方法制备阴极层，阴极层的材质为Ag，阴极层的厚度为200nm，蒸镀速度为1nm/s。

在器件制备完毕后，在阴极层表面还覆盖有玻璃封装盖板，其所用的工艺是本行业内常用的封装技术。

本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和玻璃盖板，具体结构表示为：

ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/C545T/LiOXD:TPBi:Ag/Ag/玻璃盖板。

对比例2

对比例2和实施例2的区别在于：对比例2电子传输层的材质为LiOXD和TPBi形成的混合材料，不加入Ag，LiOXD与TPBi的质量比为30:100，其他均同实施例2。

实施例3

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）提供ITO导电玻璃作为阳极，并清洗干净，ITO导电玻璃方块电阻为50Ω/□；在真空度为1×10^-4Pa的真空镀膜***中，在ITO导电玻璃表面采用真空蒸镀的方法制备空穴传输层；空穴传输层的材质为F2-HCNQ和TPD按质量比为5:100的比例形成的混合材料，空穴传输层的厚度为40nm，其中F2-HCNQ的蒸镀速度为0.01nm/s，TPD的蒸镀速度为0.2nm/s。

在真空度为1×10^-4Pa的真空镀膜***中，在空穴传输层表面采用真空蒸镀的方法制备发光层，发光层的材质为Rubrene，发光层的厚度为15nm，蒸镀速度为0.2nm/s；

（2）在真空度为1×10^-4Pa的真空镀膜***中，在发光层表面采用真空蒸镀的方法制备电子传输层，电子传输层的材质为LiDPQX、金属Ag和Alq3形成的混合材料，LiDPQX和Alq3的质量比为10:100，LiDPQX和金属Ag的质量比为5:5，LiDPQX的蒸镀速度为0.05nm/s，Alq3的蒸镀速度为0.5nm/s，Ag的蒸镀速度为0.05nm/s；电子传输层厚度为40nm；

（3）在真空度为1×10^-4Pa的真空镀膜***中，在电子传输层表面采用真空蒸镀的方法制备阴极层，阴极层的材质为Ag，阴极层的厚度为100nm，蒸镀速度为0.5nm/s。

在器件制备完毕后，在阴极层表面还覆盖有玻璃封装盖板，其所用的工艺是本行业内常用的封装技术。

本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和玻璃盖板，具体结构表示为：

ITO/F2-HCNQ:TPD/Rubrene/LiDPQX:Alq3:Ag/Ag/玻璃盖板。

对比例3

对比例3和实施例3的区别在于：对比例3电子传输层的材质为LiDPQX和Alq3形成的混合材料，不加入金属Ag，LiDPQX与Alq3的质量比为10:100，其他均同实施例3。

实施例4

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）提供ITO导电玻璃作为阳极，并清洗干净，ITO导电玻璃方块电阻为50Ω/□；在真空度为1×10^-4Pa的真空镀膜***中，在ITO导电玻璃表面采用真空蒸镀的方法制备空穴传输层；空穴传输层的材质为F2-HCNQ和m-MTDATA按质量比为8:100的比例形成的混合材料，空穴传输层的厚度为30nm，其中F2-HCNQ的蒸镀速度为0.05nm/s，TPD的蒸镀速度为0.63nm/s。

在真空度为1×10^-4Pa的真空镀膜***中，在空穴传输层表面采用真空蒸镀的方法制备发光层，发光层的材质为DPVBi，发光层的厚度为20nm，蒸镀速度为0.2nm/s；

（2）在真空度为1×10^-4Pa的真空镀膜***中，在发光层表面采用真空蒸镀的方法制备电子传输层，电子传输层的材质为Li-TBCPD、金属Al和BCP形成的混合材料，Li-TBCPD和BCP的质量比为10:100，Li-TBCPD和金属Al的质量比为5:2，Li-TBCPD的蒸镀速度为0.05nm/s，BCP的蒸镀速度为0.5nm/s；Al的蒸镀速度为0.02nm/s，电子传输层的厚度为40nm；

（3）在真空度为1×10^-4Pa的真空镀膜***中，在电子传输层表面采用真空蒸镀的方法制备阴极层，阴极层的材质为Al，阴极层的厚度为150nm，蒸镀速度为1nm/s。

在器件制备完毕后，在阴极层表面还覆盖有玻璃封装盖板，其所用的工艺是本行业内常用的封装技术。

本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和玻璃盖板，具体结构表示为：

ITO/F2-HCNQ:m-MTDATA/DPVBi/Li-TBCPD:BCP:Al/Al/玻璃盖板。

对比例4

对比例4和实施例4的区别在于：对比例4电子传输层的材质为Li-TBCPD和BCP形成的混合材料，Li-TBCPD与BCP的质量比为10:100，其他均同实施例4。

效果实施例

为有效证明本发明有机电致发光器件及其制备方法的有益效果，提供相关实验数据如下。测试与制备设备为高真空镀膜***（沈阳科学仪器研制中心有限公司），美国海洋光学Ocean Optics USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度。

对实施例1,2,3,4和对比例1,2,3,4的有机电致发光器件进行启动电压、发光效率和T70寿命的测试，发光效率是在6V的驱动电压下进行的，T70寿命为有机电致发光器件亮度衰减到初始亮度70%所用的时间，测试结果如表1所示。

表1实施例1～4和对比例1～4的启动电压、T70寿命和发光效率

表1是得到的测试结果，从表中可以看出，实施例1～4的启动电压均低于对比例1～4，实施例1～4的发光效率和T70寿命均优于对比例1～4，这是由于实施例1～4将有机锂和金属单质共同掺杂在有机电子传输材料中，使电子传输层与阴极层之间形成欧姆接触，因而降低电子注入势垒，从而降低启动电压，提高了发光效率，金属单质不容易产生游离的离子，因此不会扩散至发光层，减少了激子淬灭情况，从而延长了器件的使用寿命。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，其特征在于，所述电子传输层的材质为有机锂、金属单质和有机电子传输材料形成的混合材料，所述有机锂和金属单质的质量比为5:（1～5），所述有机锂和有机电子传输材料的质量比为（5～30）:100；所述有机锂为4-羟基菲啶锂、2-(5-苯基-1,3,4-噁二唑)-苯酚锂、2,3-二苯基-5-羟基喹啉锂、四(8-羟基喹啉)硼锂、叔丁基环戊二烯锂或乙酰丙酮锂，所述金属单质和阴极层的材质相同，均为银或铝，所述有机电子传输材料为8-羟基喹啉铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度为20nm～60nm。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为20nm～60nm。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质为P型有机掺杂剂和空穴传输材料按质量比为（1～10）:100的比例形成的混合材料，所述P型有机掺杂剂为2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌或2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈。

5.如权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、（N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯或2,7-双（N,N-二（4-甲氧基苯基）氨基）-9,9-螺二芴。

6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质为二甲基喹吖啶酮、5,6,11,12-四苯基萘并萘、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯或4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯。

7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述导电阳极的方块电阻为5～100Ω/□。

8.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）提供导电阳极，清洗后干燥；在所述导电阳极表面采用真空蒸镀的方法依次制备空穴传输层和发光层；

（2）在所述发光层表面采用真空蒸镀的方法制备电子传输层，所述电子传输层的材质为有机锂、金属单质和有机电子传输材料形成的混合材料，所述有机锂和金属单质的质量比为5:（1～5），所述有机锂和有机电子传输材料的质量比为（5～30）:100；所述有机锂为4-羟基菲啶锂、2-(5-苯基-1,3,4-噁二唑)-苯酚锂、2,3-二苯基-5-羟基喹啉锂、四(8-羟基喹啉)硼锂、叔丁基环戊二烯锂或乙酰丙酮锂，所述金属单质和阴极层的材质相同，均为银或铝，所述有机电子传输材料为8-羟基喹啉铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲，所述真空蒸镀的压强为1×10^-5～1×10^-3Pa，蒸镀速度为0.01～0.5nm/s；

（3）在所述电子传输层表面采用真空蒸镀的方法制备阴极层，得到所述有机电致发光器件。

9.如权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的厚度为20nm～60nm。

10.如权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为20nm～60nm。