CN104950385B - 方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导 - Google Patents

方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导，它由高折射率的第一介质柱在低折射率背景介质中按正方晶格排列而成的光子晶体，在所述光子晶体中移除一排和一列高折射率的第一介质柱以形成直角波导；在所述直角波导的两个拐弯处分别设置高折射率的第二、三介质柱；所述第二、三介质柱为补偿散射柱；所述第一介质柱为高折射率方柱。本发明的结构具有极低的反射率和非常高的传输率，便于大规模光路集成，这为光子晶体的应用提供了更广阔的空间。

Description

方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导
技术领域
本发明涉及光子晶体拐弯波导，尤其是方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导。
背景技术
1987年，美国Bell实验室的E.Yablonovitch在讨论如何抑制自发辐射和Princeton大学的S.John在讨论光子区域各自独立地提出了光子晶体(PC)的概念。光子晶体是一种介电材料在空间中呈周期性排列的物质结构，通常由两种或两种以上具有不同介电常数材料构成的人工晶体。光子晶体对光的传播具有较强、灵活的控制能力，不仅对直线式传导，而且对锐利的直角，其传导的效率也很高。如果在PC结构中引入一个线缺陷，创建一个导光的通道，称为光子晶体光波导(PCW)。这种波导即使在90°的转角处也只有很小的损失。与基本的全内反射的传统光波导完全不同，它主要利用缺陷态的导波效应，缺陷的引入在光子带隙(PBG)中形成新的光子态，而在缺陷态周围的光子态密度为零。因此，光子晶体光波导利用缺陷模式实现光传输不会产生模式泄漏，光子晶体光波导是构成光子集成光路的基本器件，光子晶体拐弯波导可以提高光路集成度，与之相关的研究对于集成光路的发展具有重要意义。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中的不足，提出供一种具有极低的反射率和非常高的传输率的方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导。
本发明的目的通过以下技术方案予以实现。
本发明的方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导由高折射率的第一介质柱在低折射率背景介质中按正方晶格排列而成的光子晶体，在所述光子晶体中移除一排和一列高折射率的第一介质柱以形成直角波导；在所述直角波导的两个拐弯处分别设置高折射率的第二、三介质柱；所述第二、三高折射率介质柱为补偿散射柱；所述第一介质柱为高折射率方柱。
所述第二、三介质柱为等腰直角三角形柱、弓形柱、方柱、三角柱、多边形柱，或者横截面轮廓线为圆滑封闭曲线的柱子。
所述第二、三介质柱为等腰直角三角形柱。
所述高折率背景介质的材料为硅、砷化镓、二氧化钛，或者折射率大于2的介质。
所述高折射率背景介质材料为硅，其折射率为3.4。
所述低折射率背景介质为空气、真空、氟化镁、二氧化硅，或者折射率小于1.6的介质。
所述低折射率背景介质为空气。
所述直角波导为TE工作模式波导。
所述直角波导结构的面积大于或等于7a×7a，所述a为光子晶体的晶格常数。
本发明的光子晶体光波导器件能广泛应用于各种光子集成器件中。它与现有技术相比具有以下积极效果：
1.本发明的方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导有非常低的反射率和非常高的传输率，这为光子晶体的应用提供了更大广阔的空间。
2.本发明结构基于多重散射理论，通过双高折射率介质补偿散射柱对其内传输的光波实现相位和幅度的补偿，以降低反射率，提升透射率，该结构能实现低反射率和高透射率。
3.本发明的方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导基于正方晶格结构，可用于大规模集成光路设计中，光路简洁，便于设计，利于大规模光路集成。
4.本发明的方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导基于正方晶格结构，使得光路中不同光学元件之间以及不同光路之间易于实现连接和耦合，有利于降低成本。
附图说明
图1是本发明的方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导的结构的核心区域示意图。
图2是本发明的方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导的归一化频率——传输特性图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施方式作进一步的阐述。
如图1所示，为本发明的方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导，它由高折射率的第一介质柱在低折射率介质中按正方晶格排列而成的光子晶体，在所述光子晶体中移除一排和一列高折射率的第一介质柱以形成直角波导；在所述直角波导的两个拐弯处分别设置高折射率的第二、三介质柱，所述的第二、三高折射率介质柱分别为补偿散射介质柱，产生补偿反射波与波导本征反射波相抵消；所述补偿散射介质柱还可以采用各种各样的形状，例如：等腰直角三角形柱、弓形柱、方柱、三角柱、多边形柱，当然也可以采用横截面轮廓线为圆滑封闭曲线的柱子，所述第二、三介质柱(补偿散射介质柱)分别为等腰直角三角形柱，所述高折射率背景介质的材料分别采用硅、砷化镓、二氧化钛，或者折射率大于2的介质；所述低折射率背景介质可以采用空气、真空、氟化镁、二氧化硅，或者折射率小于1.6的介质。
根据以上结果给出如下6个实施例：
实施例1.所述正方晶格光子晶体的晶格常数为a；第一介质柱采用方形柱，即高折射率背景介质方柱的边长为0.31a；波导内传输的光波极化形式为TE波；第二介质柱采用等腰直角三角形柱，即左上角等腰直角三角形高折射率介质补偿散射柱的直角边长为0.46255a；其以原点为基准在X向和Z向的位移分别为2.02188a和2.28110a，其旋转角度为163.7度，旋转角的参考轴为水平右向轴，旋转方向为顺时针方向，X轴方向为水平向右，Z轴方向为垂直向上；第三介质柱采用等腰直角三角形柱，即右下角等腰直角三角形高折射率介质补偿散射柱的直角边长为0.48022a；其以原点为基准在X向和Z向的位移分别为0.36482a和0.37634a，其旋转角度为220度；光源距离原点的X向和Z向的位移为(-6.00a，0)；入射光的初始相位为67.8度。所述高折射率介质为硅(Si)，其折射率为3.4；所述低折射率背景介质为空气。所述光子晶体直角波导的结构尺寸为15a×15a，此时所述光子晶体直角波导的回波损耗谱和***损耗谱如图2所示，该图的横轴部分是该结构的工作频率，纵轴部分则是其传输特性，图中的虚线为该结构的回波损耗(定义为LR＝-10log(PR/PI))，而实线则为其***损耗(定义为LI＝-10log(PT/PI))，其中的PI为该结构的入射功率，PR为该结构的反射功率，PT为该结构的透射功率。在归一化频率为0.336(ωa/2πc)处，光子晶体直角波导的最大回波损耗为44.29dB和最小***损耗为0.0022dB。
实施例2.所述正方晶格光子晶体的晶格常数a为0.5208微米，使最佳归一化波长为1.31微米；第一介质柱采用方形柱，即高折射率背景介质方柱的边长为0.161448微米；波导内传输的光波极化形式为TE波；第二介质柱采用等腰直角三角形柱，即左上角等腰直角三角形高折射率介质补偿散射柱的直角边长为0.2409微米；其以原点为基准在X向和Z向的位移分别为1.053微米和1.188微米，其旋转角度为299度，旋转角的参考轴为水平右向轴，旋转方向为顺时针方向，X轴方向为水平向右，Z轴方向为垂直向上；第三介质柱采用等腰直角三角形柱，即右下角等腰直角三角形高折射率介质补偿散射柱的直角边长为0.2501微米；其以原点为基准在X向和Z向的位移分别为0.19微米和0.196微米，其旋转角度为131.5度；光源距离原点的X向和Z向的位移为(-3.1248，0)(微米)；入射光的初始相位为67.8度。所述高折射率介质为硅(Si)，其折射率为3.4；所述低折射率背景介质为空气。所述光子晶体直角波导的结构尺寸为15a×15a，其回波损耗为7.254977dB和***损耗为0.905307dB。
实施例3.所述正方晶格光子晶体的晶格常数a为0.5208微米，使最佳归一化波长为1.55微米，第一介质柱采用方形柱，即高折射率背景介质方柱的边长为0.161448微米；波导内传输的光波极化形式为TE波；第二介质柱采用等腰直角三角形柱，即左上角等腰直角三角形高折射率介质补偿散射柱的直角边长为0.2409微米；其以原点为基准在X向和Z向的位移分别为1.053微米和1.188微米，其旋转角度为299度，旋转角的参考轴为水平右向轴，旋转方向为顺时针方向，X轴方向为水平向右，Z轴方向为垂直向上；第三介质柱采用等腰直角三角形柱，即右下角等腰直角三角形高折射率介质补偿散射柱的直角边长为0.2501微米；其以原点为基准在X向和Z向的位移分别为0.19微米和0.196微米，其旋转角度为131.5度；光源距离原点的X向和Z向的位移为(-3.1248，0)(微米)；入射光的初始相位为67.8度。所述高折射率介质为硅(Si)，其折射率为3.4；所述低折射率背景介质为空气。所述光子晶体直角波导的结构尺寸为15a×15a.在归一化频率为0.336(ωa/2πc)处，光子晶体直角波导的最大回波损耗为44.29dB和最小***损耗为0.0022dB。
实施例4.所述正方晶格光子晶体的晶格常数a为0.336微米，使最佳归一化波长为1.00微米，第一介质柱采用方形柱，即高折射率背景介质方柱的边长为0.10416微米；波导内传输的光波极化形式为TE波；第二介质柱采用等腰直角三角形柱，即左上角等腰直角三角形高折射率介质补偿散射柱的直角边长为0.155417微米；其以原点为基准在X向和Z向的位移分别为0.679352微米和0.76645微米，其旋转角度为163.7度，旋转角的参考轴为水平右向轴，旋转方向为顺时针方向，X轴方向为水平向右，Z轴方向为垂直向上；第三介质柱采用等腰直角三角形柱，即右下角等腰直角三角形高折射率介质补偿散射柱的直角边长为0.161354微米；其以原点为基准在X向和Z向的位移分别为0.12258微米和0.12645微米，其旋转角度为220度；光源距离原点的X向和Z向的位移为(-2.016，0)(微米)；入射光的初始相位为67.8度。所述的高折射率介质为硅(Si)，其折射率为3.4；所述低折射率背景介质为空气。所述光子晶体直角波导的结构尺寸为15a×15a，此时所述的光子晶体直角波导的回波损耗谱和***损耗谱如图2所示。在归一化频率为0.336(ωa/2πc)处，光子晶体直角波导的最大回波损耗为44.29dB和最小***损耗为0.0022dB。
实施例5.所述正方晶格光子晶体的晶格常数a为0.49728微米，使最佳归一化波长为1.48微米，第一介质柱采用方形柱，即高折射率背景介质方柱的边长为0.154157微米；波导内传输的光波极化形式为TE波；第二介质柱采用等腰直角三角形柱，即左上角等腰直角三角形高折射率介质补偿散射柱的直角边长为0.230017微米；其以原点为基准在X向和Z向的位移分别为1.00544微米和1.134345微米，其旋转角度为163.7度，旋转角的参考轴为水平右向轴，旋转方向为顺时针方向，X轴方向为水平向右，Z轴方向为垂直向上；第三介质柱采用等腰直角三角形柱，即右下角等腰直角三角形高折射率介质补偿散射柱的直角边长为0.238804微米；其以原点为基准在X向和Z向的位移分别为0.181418微米和0.187146微米，其旋转角度为220度；光源距离原点的X向和Z向的位移为(-2.98368，0)(微米)；入射光的初始相位为67.8度。所述的高折射率介质为硅(Si)，其折射率为3.4；所述的低折射率背景介质为空气。所述光子晶体直角波导的结构尺寸为15a×15a，此时所述的光子晶体直角波导的回波损耗谱和***损耗谱如图2所示。在归一化频率为0.336(ωa/2πc)处，光子晶体直角波导的最大回波损耗为44.29dB和最小***损耗为0.0022dB。
实施例6.所述正方晶格光子晶体的晶格常数a为168微米，使最佳归一化波长为500微米，第一介质柱采用方形柱，即高折射率背景介质方柱的边长为52.08微米；波导内传输的光波极化形式为TE波；第二介质柱采用等腰直角三角形柱，即左上角等腰直角三角形高折射率介质补偿散射柱的直角边长为77.7084微米；其以原点为基准在X向和Z向的位移分别为339.6758微米和383.2248微米，其旋转角度为163.7度，旋转角的参考轴为水平右向轴，旋转方向为顺时针方向，X轴方向为水平向右，Z轴方向为垂直向上；第三介质柱采用等腰直角三角形柱，即右下角等腰直角三角形高折射率介质补偿散射柱的直角边长为80.67696微米；其以原点为基准在X向和Z向的位移分别为61.28976微米和63.22512微米，其旋转角度为220度；光源距离原点的X向和Z向的位移为(-1008，0)(微米)；入射光的初始相位为67.8度。所述高折射率介质为硅(Si)，其折射率为3.4；所述低折射率背景介质为空气。所述光子晶体直角波导的结构尺寸为15a×15a，此时所述的光子晶体直角波导的回波损耗谱和***损耗谱如图2所示。在归一化频率为0.336(ωa/2πc)处，光子晶体直角波导的最大回波损耗为44.29dB和最小***损耗为0.0022dB。
以上之详细描述仅为清楚理解本发明，而不应将其看做是对本发明不必要的限制，因此对本发明的任何改动对本领域中的技术熟练的人是显而易见的。

Claims (11)

1.一种方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，它由高折射率的第一介质柱在低折射率背景介质中按正方晶格排列而成的光子晶体，在所述光子晶体中移除一排和一列高折射率的第一介质柱以形成直角波导；在所述直角波导的两个拐弯处分别设置高折射率的第二、三介质柱；所述第二、三高折射率介质柱为补偿散射柱；所述第一介质柱为高折射率方柱。
2.按照权利要求1所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述第二、三介质柱为等腰直角三角形柱、弓形柱、方柱、三角柱、多边形柱，或者横截面轮廓线为圆滑封闭曲线的柱子。
3.按照权利要求2所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述第二、三介质柱分别为等腰直角三角形柱。
4.按照权利要求1所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述高折射率的第一介质柱材料为折射率大于2的介质。
5.按照权利要求1所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述高折射率的第一介质柱材料为硅、砷化镓或者二氧化钛。
6.按照权利要求5所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述高折射率的第一介质柱材料为硅，其折射率为3.4。
7.按照权利要求1所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述低折射率背景介质为折射率小于1.6的介质。
8.按照权利要求1所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述低折射率背景介质为空气、真空、氟化镁或者二氧化硅。
9.按照权利要求8所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述低折射率背景介质为空气。
10.按照权利要求1所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述直角波导为TE工作模式波导。
11.按照权利要求1所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述直角波导结构的面积大于或等于7a×7a，其中a为光子晶体的晶格常数。
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