CN104941468B - 一种半互穿网络型阴离子交换膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种半互穿网络型阴离子交换膜及其制备方法，其原料组分包括含吡咯烷酮鎓盐的单体经均聚反应形成的聚合物、聚乙烯醇和交联剂，且用上述原料依次经共混、交联、成膜、热处理和化学处理而制得，上述聚合物与聚乙烯醇的质量比为1:1～8，上述交联剂在交联过程中所用的质量为上述聚合物和聚乙烯醇总质量的1～5％，本发明的两种主要原料都是环境友好型材料，成本较低，同时含吡咯烷酮鎓盐的单体所形成的聚合物和PVA均具有很好的成膜性能和热稳定性能。

Description

一种半互穿网络型阴离子交换膜及其制备方法
技术领域
本发明属于离子交换膜技术领域，具体涉及一种半互穿网络型阴离子交换膜及其制备方法。
背景技术
离子交换膜是一种具有离子选择透过性能的高分子功能膜，已广泛运用于海水淡化、盐溶液浓缩、有机或无机化合物的纯化、燃料电池隔膜以及离子选择性电极等领域。根据选择透过的离子的不同，可以将离子交换膜分为阳离子交换膜、阴离子交换膜及两***换膜等类型。其中，阳离子交换膜是指膜体中含有酸性活性基团，它能选择性透过阳离子而不让阴离子透过。这些活性基团主要有：磺酸基、磷酸基、亚磷酸基、羧酸基、酚基等。阴离子交换膜是指膜体中含有碱性活性基团，它能选择性透过阴离子而不让阳离子透过。这些活性基团主要有：季铵基、伯胺基、仲胺基、叔胺基等。
离子交换膜按其自身的结构和制造工艺，可以分成均相离子交换膜，非均相离子交换膜和互穿网络型离子交换膜等。其中均相阴离子交换膜的制备方法主要有(1)辐射接枝法；(2)高分子改性；(3)以含有活性基团的单体为原料进行均聚反应或共聚反应。CN101735471A公开了以高密度聚乙烯作为基膜，辐射接枝制备均相碱性阴离子交换膜的方法，该方法制备的阴离子交换膜离子选择性高、膜电阻低，而且使用的方法和材料无毒、无环境污染，但是得到的阴离子交换膜热稳定性和化学稳定性较差。Junjun Wang等人(Journal of Membrane Science,2014,459:86-95)以聚醚醚酮为基体，氯甲基辛基醚作为氯甲基化试剂进行氯甲基化反应，然后再用1,4-二氮杂二环[2.2.2]辛烷对其进行季铵化反应，最后再用碱浸泡得到阴离子交换膜。在高分子改性制备阴离子交换膜的过程中，氯甲基化反应中往往需要使用具有剧毒和致癌性的试剂，且得到膜的性能均一性较差。传统的非均相阴离子交换膜主要有机/无机杂化膜，导电性能以及化学稳定性均较差。
互穿聚合物网络(IPN)是由两种或两种以上聚合物网络相互穿透或缠结所构成的化学共混网络合金体系，它可以同时具有一般物理共混、接枝、嵌段聚合物的优异性能，当只有一种聚合物交联时，其产物称为半互穿聚合物网络(SIPN)。关于互穿网络型阴离子交换膜的制备，CN103223303A公开了一种聚偏氟乙烯/聚烯类季铵盐阴离子交换膜的制备方法，该方法以聚偏氟乙烯为阴离子交换膜的基体材料，在烯烃类季铵盐和交联剂、引发剂的作用下，最终制备得到聚偏氟乙烯/聚烯类季铵盐阴离子交换合金膜，该膜具有高分子互穿网络结构，膜面电阻低，且避免了条件剧烈的氯甲基化和胺化反应步骤，容易实现大规模工业化生产。但季铵盐类阴离子交换膜的化学稳定性较差，在强碱和高温环境下易发生降解。
CN102206386A公开了一种基于咪唑阳离子的聚合物阴离子交换膜及其制备方法，该方法制备的阴离子交换膜具有较高的电导率，具有良好的热稳定性和化学稳定性，可在200℃下使用，且在强酸、强碱和强氧化剂中保持稳定。但咪唑类阳离子单体气味重，毒性较大，成本较高。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术缺陷，提供一种半互穿网络型阴离子交换膜。
本发明的另一目的在于提供上述半互穿网络型阴离子交换膜的制备方法。
本发明的具体技术方案如下：
一种半互穿网络型阴离子交换膜，其原料组分包括含吡咯烷酮鎓盐的单体经均聚反应形成的聚合物、聚乙烯醇和交联剂，且用上述原料依次经共混、交联、成膜、热处理和化学处理而制得，上述聚合物与聚乙烯醇的质量比为1:1～8，上述交联剂在交联过程中所用的质量为上述聚合物和聚乙烯醇总质量的1～5％，上述含吡咯烷酮鎓盐的单体的结构式和聚合物的结构式分别为：
其中R1、R2为氢原子或碳原子数小于4的烷基，R3为氢原子或碳原子数小于5的烷基；X-为Cl-，Br-，I-、OH-或BF- 4；
上述交联剂的结构式为：
其中，R为0～4个碳原子的直链烷基，0个碳原子表示不含烷基。
一种上述半互穿网络型阴离子交换膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)均聚反应制备聚合物：将含吡咯烷酮鎓盐的单体溶解在溶剂中，加入引发剂，引发剂的质量为含吡咯烷酮鎓盐的单体质量的0.1～0.8％，在惰性气体的保护下，密封、加热回流进行聚合反应，聚合反应的温度为50～90℃，反应完成后取出产物，经反复洗涤、干燥后得到含吡咯烷酮鎓盐的聚合物，所述引发剂的用量为所述含吡咯烷酮鎓盐的单体质量的0.1％～0.8％；
(2)共混、交联和成膜：将步骤(1)得到的聚合物溶解在聚乙烯醇的水溶液中得混合液，该聚乙烯醇的水溶液中聚乙烯醇的质量百分数为5％～20％，在混合液中滴加交联剂，得到铸膜液，用相转化法浇铸成膜，所述聚合物与聚乙烯醇的质量比为1:1～8，所述交联剂的量为上述混合液中聚合物和聚乙烯醇总质量的1～5％；
(3)膜的热处理和化学处理：将步骤(2)中得到的膜进一步进行热处理，再将处理后的膜浸泡在含交联剂的丙酮溶液中，该含交联剂的丙酮溶液中交联剂的质量分数为5～20％，反应完成后取出，再经洗涤和干燥后得到所述半互穿网络型阴离子交换膜，上述热处理的温度为110～150℃，热处理时间为0.5～3小时。
在本发明的一个优选实施方案中，所述引发剂为过硫酸铵和亚硫酸氢钠组成的氧化还原引发剂、或偶氮二异丁腈(AIBN)，或过氧化苯甲酰(BPO)。
在本发明的一个优选实施方案中，所述步骤(1)中的的溶剂为能使含吡咯烷酮鎓盐的单体和引发剂完全溶解的溶剂。
进一步优选的，所述步骤(1)中的溶剂为水、甲醇、乙醇、N,N-二甲基甲酰胺或N,N-二甲基乙酰胺。
在本发明的一个优选实施方案中，所述步骤(3)为：将步骤(2)中得到的膜进一步进行热处理，再将处理后的膜浸泡在含交联剂的丙酮溶液中进行反应，该含交联剂的丙酮溶液中交联剂的质量分数为5～20％，反应完成后取出膜进行转型处理，再经洗涤和干燥后得到所述半互穿网络型阴离子交换膜，上述热处理的温度为110～150℃，热处理时间为0.5～3小时。
进一步优选的，所述转型处理为：将所述膜浸泡在氢氧化钠或氢氧化钾水溶液中转化为氢氧型。
本发明的有益效果是：
1、本发明的半互穿型阴离子交换膜的主要原材料为含吡咯烷酮鎓盐的单体和聚乙烯醇(PVA)，两者都是环境友好型材料，成本较低，同时含吡咯烷酮鎓盐的单体所形成的聚合物和PVA均具有很好的成膜性能和热稳定性能；
2、本发明的半互穿型阴离子交换膜的制备方法以PVA为半互穿网络结构的基体材料，将含有离子交换功能基团的含吡咯烷酮鎓盐的单体形成的聚合物与PVA共混，并在交联剂的作用下进行交联，形成半互穿网络结构的阴离子交换膜。PVA和上述聚合物都含有强亲水性基团，为水溶性聚合物。经过交联后的膜不仅在水中不溶解，而且吸湿后还能保持良好的尺寸稳定性，在水中不会过度溶胀。共混膜经过交联反应后，化学稳定性得到了提高。
3、本发明的制备方法不需要传统阴离子交换膜制备过程中的氯甲基化及季铵化过程，避免了氯甲基化过程中致癌性试剂的使用，防止了季铵化过程中造成的膜结构损伤和铵化不均匀的现象。
4、本发明的半互穿型阴离子交换膜的电导率、含水率和离子交换容量可通过改变铸膜液中聚吡咯烷酮鎓盐与PVA的的配比来调节，25℃下该膜的电导率大于0.02S cm-2，并有优异的机械性能。
附图说明
图1为本发明实施例1所制备的吡咯烷酮鎓盐聚合物的红外光谱图，横坐标为波数Wavenumber(cm-1)，纵坐标为透射率Transmittance(％)。
图2为本发明实施例1所制备的半互穿网络型阴离子交换膜的红外光谱图，横坐标为波数Wavenumber(cm-1)，纵坐标为透射率Transmittance(％)。
图3为本发明实施例1所制备的半互穿网络型阴离子交换膜的热重分析图，横坐标为温度Temperature(℃)，纵坐标为质量百分比Weight(％)。
图4为本发明实施例1所制备的半互穿网络型阴离子交换膜的化学稳定性图，横坐标为膜浸泡在NaOH溶液中的时间Time(h)，纵坐标为电导率Conductivity(10-2S cm-1)。
具体实施方式
以下通过具体实施方式结合附图对本发明的技术方案进行进一步的说明和描述。
实施例1
取一定量的N-甲基-N-乙烯基吡咯烷酮鎓盐单体加入到三颈烧瓶中，加入适量的去离子水，在氮气的保护下，加入过硫酸铵和亚硫酸氢钠(总量为单体质量的0.2％)，混合均匀后，在50℃下搅拌24小时。反应结束后将得到的棕黄色粘稠体转移到烧杯中，并用环己烷进行清洗，最后将产物置于真空干燥箱中干燥，得到聚(N-甲基-N-乙烯基吡咯烷酮鎓盐)(PNVMP)。
取一定量的聚乙烯醇(PVA)溶解在80℃的去离子中，配置成质量分数为5％的溶液，再加入适量的PNVMP，使溶液中PVA和PNVMP的质量比为3:1。溶解完全后，滴加的己二醛(己二醛的量为上述溶液中溶质质量的2％)，继续搅拌均匀，浇铸成膜，并将膜在150℃下热处理1小时，再将膜置于10wt％己二醛的丙酮溶液中浸泡1小时，最后将膜置于1mol L-1的NaOH中浸泡24小时后，用大量去离子水洗至中性，得到氢氧型的基于吡咯烷酮鎓盐的半互穿网络型阴离子交换膜。
经测定，该膜不溶于水，25℃下膜的含水率为56.6％，离子交换容量为1.63mmolg-1，膜在去离子水中的电导率为0.036S cm-1，且电导率随着温度的升高而升高，在90℃下仍具有较高的电导率。
采用红外光谱仪对聚(N-甲基-N-乙烯基吡咯烷酮鎓盐)进行结构测定，其结果如图1所示。1288cm-1处的峰对应于C-N的伸缩振动峰，1658cm-1处的峰是C＝O的吸收振动峰，以上两处峰说明了吡咯烷酮环的存在；3425cm-1处为-OH的吸收峰，2800～3000cm-1处为烷基对称和不对称伸缩振动峰。以上说明成功制备了PNVMP。
采用红外光谱仪对基于吡咯烷酮鎓盐的半互穿网络型阴离子交换膜进行测定，其结果如图2所示。1130cm-1处为C-O-C的特征峰，说明膜发生了化学交联，同时，吡咯烷酮环的特征峰仍然存在，说明膜经过交联处理后吡咯烷酮环没有被破环。
采用热重分析仪测试对基于吡咯烷酮鎓盐的半互穿网络型阴离子交换膜的热稳定性。将被测样品放入石英坩埚中进行测试，测试气氛为氮气，测试温度范围为30～600℃，升温速率为每分钟10℃。其热重分析结果如图3所示。可以看出所制备的阴离子交换膜在280℃以内具有良好的热稳定性。
通过测定膜经60℃的6mmol L-1的碱液处理后的电导率的变化来表征膜的化学稳定性。将基于吡咯烷酮鎓盐的半互穿网络型阴离子交换膜浸泡在60℃下6mmol L-1的NaOH溶液中，间隔一段时间将膜取出并测量膜在25℃下的电导率，并与经浸泡在25℃下的1mmolL-1的NaOH溶液中的膜的电导率进行比较。不同浸泡时间下对应膜的电导率如图4所示，结果表明膜在6mmol L-1的NaOH溶液中浸泡时间长达7天后，依然具有较高的稳定的电导率，说明膜具有较好的化学稳定性。
实施例2
取一定量的N-乙基-N-乙烯基吡咯烷酮鎓盐单体(NVEP)加入到三颈烧瓶中，加入适量的N,N-二甲基乙酰胺，在氮气的保护下，加入溶质质量的0.8％的过氧化苯甲酰为引发剂。混合均匀后，置于85℃油浴中磁力搅拌24小时，反应结束后将得到的棕黄色粘稠体转移到烧杯中，并用环己烷进行清洗，干燥，得到聚(N-乙基-N-乙烯基吡咯烷酮鎓盐)(PNVEP)。
取一定量的PVA溶解在80℃的去离子中，配置成10wt％的溶液，再加入适量的PNVEP，使溶液中PVA和PNVEP的质量比为1:1。溶解完全后，滴加上述溶液中溶质质量的1％的戊二醛，浇铸成膜，并将膜在130℃下热处理1小时，再将膜置于20wt％戊二醛的丙酮溶液中浸泡1小时，最后将膜置于1mol L-1的NaOH中浸泡24小时后，用大量去离子水洗净膜表面。得到氢氧型的基于吡咯烷酮鎓盐的半互穿网络型阴离子交换膜。
经测定，该膜不溶于水，25℃下膜的含水率为58.7％，离子交换容量为1.53mmolg-1，膜在去离子水中的电导率为0.032S cm-1。
实施例3
取N-丁基-N-乙烯基吡咯烷酮鎓盐单体(NVBP)加入到三颈烧瓶中，加入适量的N,N-二甲基甲酰胺，在氮气的保护下，加入溶质质量的0.5％的偶氮二异丁腈。混合均匀后，置于65℃油浴中磁力搅拌24小时。反应结束后将得到的棕黄色粘稠体转移到烧杯中，并用环己烷进行清洗，最后将得到的产物置于真空干燥箱中干燥，得到聚(N-丁基-N-乙烯基吡咯烷酮鎓盐)(PNVBP)。
取一定量的PVA溶解在80℃的去离子中，配置成20wt％的溶液，再加入适量的PNVBP，使溶液中PVA和PNVEP的质量比为6:1。溶解完全后，滴加上述溶液中溶质质量的8％的乙二醛，继续搅拌均匀，浇铸成膜，并将膜在110℃下热处理3小时，再将膜置于5wt％乙二醛的丙酮溶液中浸泡1小时，最后将膜置于1mol L-1的NaOH中浸泡24小时后，用大量去离子水洗至中性。得到氢氧型的基于吡咯烷酮鎓盐的半互穿网络型阴离子交换膜。
经测定，该膜不溶于水，25℃下膜的含水率为51.2％，离子交换容量为1.22mmolg-1，膜去离子水中的电导率0.023S cm-1。
实施例4
取一定量的N-甲基-N-丙烯基吡咯烷酮鎓盐单体加入到三颈烧瓶中，加入适量的去离子水，在氮气的保护下，加入过硫酸铵和亚硫酸氢钠(总量为单体质量的0.5％)，混合均匀后，在65℃下搅拌24小时。反应结束后将得到的棕黄色粘稠体转移到烧杯中，并用环己烷进行清洗，最后将得到的产物置于真空干燥箱中干燥，得到聚(N-甲基-N-丙基吡咯烷酮鎓盐)(PNVPP)。
取一定量的聚乙烯醇(PVA)溶解在80℃的去离子中，配置成质量分数为20％的溶液，再加入适量的PNVPP，使溶液中PVA和PNVPP的质量比为5:1。溶解完全后，滴加的丁二醛(丁二醛的量为上述溶液中溶质质量的6％)，继续搅拌均匀，浇铸成膜，并将膜在150℃下热处理2小时，再将膜置于15wt％丁二醛的丙酮溶液中浸泡2小时，最后将膜置于1mol L-1的NaOH中浸泡24小时后，用大量去离子水洗净膜表面。得到氢氧型的基于吡咯烷酮鎓盐的半互穿网络型阴离子交换膜。
经测定，该膜不溶于水，25℃下膜的含水率为65.1％，离子交换容量为1.33mmolg-1，膜在去离子水中的电导率为0.021S cm-1。
实施例5
用与实施例1相同的方法，不同的是在聚合步骤中，所用引发剂的量为单体质量的0.1％，反应温度为50℃，溶剂为乙醇。所得的膜各项性能指标同实施例1。
实施例6
用与实施例1相同的方法，不同的是在聚合步骤中，所用引发剂的量为单体质量的0.1％，反应温度为50℃，溶剂为甲醇和水。所得的膜各项性能指标同实施例1。
实施例7
用与实施例1相同的方法，在膜的热处理步骤中，热处理的温度为120℃，热处理的时间为3小时。所得的膜各项性能指标同实施例1。
实施例8
用与实施例2相同的方法，聚合步骤中，聚合反应的温度为90℃，所得的膜各项性能指标同实施例2。
实施例9
用与实施例2相同的方法，在膜的热处理步骤中，热处理的温度为140℃，热处理的时间为0.5小时。所得的膜各项性能指标同实施例2。
本领域技术人员可知，本发明的技术方案在下述范围内变化时，能够与上述实施例相同的技术效果：
一种半互穿网络型阴离子交换膜，其原料组分包括含吡咯烷酮鎓盐的单体经均聚反应形成的聚合物、聚乙烯醇和交联剂，且用上述原料依次经共混、交联、成膜、热处理和化学处理而制得，上述聚合物与聚乙烯醇的质量比为1:1～8，上述交联剂在交联过程中所用的质量为上述聚合物和聚乙烯醇总质量的1～5％，上述含吡咯烷酮鎓盐的单体的结构式和聚合物的结构式分别为：
其中R1、R2为氢原子或碳原子数小于4的烷基，R3为氢原子或碳原子数小于5的烷基；X-为Cl-，Br-，I-、OH-或BF- 4；
上述交联剂的结构式为：
其中，R为0～4个碳原子的直链烷基，0个碳原子表示不含烷基。
上述半互穿网络型阴离子交换膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)均聚反应制备聚合物：将含吡咯烷酮鎓盐的单体溶解在溶剂中，加入引发剂，引发剂的质量为含吡咯烷酮鎓盐的单体质量的0.1～0.8％，在惰性气体的保护下，密封、加热回流进行聚合反应，聚合反应的温度为50～90℃，反应完成后取出产物，经反复洗涤、干燥后得到含吡咯烷酮鎓盐的聚合物，所述引发剂的用量为所述含吡咯烷酮鎓盐的单体质量的0.1％～0.8％；
(2)共混、交联和成膜：将步骤(1)得到的聚合物溶解在聚乙烯醇的水溶液中得混合液，该聚乙烯醇的水溶液中聚乙烯醇的质量百分数为5％～20％，在混合液中滴加交联剂，得到铸膜液，用相转化法浇铸成膜，所述聚合物与聚乙烯醇的质量比为1:1～8，所述交联剂的量为上述混合液中聚合物和聚乙烯醇总质量的1～5％；
(3)膜的热处理和化学处理：将步骤(2)中得到的膜进一步进行热处理，再将处理后的膜浸泡在含交联剂的丙酮溶液中进行反应，该含交联剂的丙酮溶液中交联剂的质量分数为5～20％，反应完成后取出膜，再经洗涤和干燥后得到所述半互穿网络型阴离子交换膜，上述热处理的温度为110～150℃，热处理时间为0.5～3小时；或将步骤(2)中得到的膜进一步进行热处理，再将处理后的膜浸泡在含交联剂的丙酮溶液中进行反应，该含交联剂的丙酮溶液中交联剂的质量分数为5～20％，反应完成后取出膜进行转型处理，再经洗涤和干燥后得到所述半互穿网络型阴离子交换膜，上述热处理的温度为110～150℃，热处理时间为0.5～3小时。。
所述引发剂为过硫酸铵和亚硫酸氢钠组成的氧化还原引发剂、或偶氮二异丁腈(AIBN)，或过氧化苯甲酰(BPO)。
所述步骤(1)中的的溶剂为能使含吡咯烷酮鎓盐的单体和引发剂完全溶解的溶剂。
所述步骤(1)中的溶剂为水、甲醇、乙醇、N,N-二甲基甲酰胺或N,N-二甲基乙酰胺。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，故不能依此限定本发明实施的范围，即依本发明专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应仍属本发明涵盖的范围内。

Claims (6)

1.一种半互穿网络型阴离子交换膜，其特征在于：其原料组分包括含吡咯烷酮鎓盐的单体经均聚反应形成的聚合物、聚乙烯醇和交联剂，且用上述原料依次经共混、交联、成膜、热处理和化学处理而制得，上述聚合物与聚乙烯醇的质量比为1∶1～8，上述交联剂在交联过程中所用的质量为上述聚合物和聚乙烯醇总质量的1～5％，上述含吡咯烷酮鎓盐的单体的结构式和聚合物的结构式分别为：
其中R1、R2为氢原子或碳原子数小于4的烷基，R3为氢原子或碳原子数小于5的烷基；X-为Cl-，Br-，I-、OH-或BF- 4；
上述交联剂的结构式为：
其中，R为0～4个碳原子的直链烷基，0个碳原子表示不含烷基；
其制备方法包括如下步骤：
(1)均聚反应制备聚合物：将含吡咯烷酮鎓盐的单体溶解在溶剂中，加入引发剂，在惰性气体的保护下，密封、加热回流进行聚合反应，聚合反应的温度为50～90℃，时间为6～48小时，反应完成后取出产物，经反复洗涤、干燥后得到含吡咯烷酮鎓盐的聚合物，所述引发剂的用量为所述含吡咯烷酮鎓盐的单体质量的0.1％～0.8％；
(2)共混、交联和成膜：将步骤(1)得到的聚合物溶解在聚乙烯醇的水溶液中得混合液，该聚乙烯醇的水溶液中聚乙烯醇的质量百分数为5％～20％，在混合液中滴加交联剂，得到铸膜液，用相转化法浇铸成膜，所述聚合物与聚乙烯醇的质量比为1∶1～8，所述交联剂的量为上述混合液中聚合物和聚乙烯醇总质量的1～5％；
(3)膜的热处理和化学处理：将步骤(2)中得到的膜进一步进行热处理，再将处理后的膜浸泡在含交联剂的丙酮溶液中，该含交联剂的丙酮溶液中交联剂的质量分数为5～20％，反应完成后取出，再经洗涤和干燥后得到所述半互穿网络型阴离子交换膜，上述热处理的温度为110～150℃，热处理时间为0.5～3小时。
2.如权利要求1所述的一种半互穿网络型阴离子交换膜，其特征在于：所述引发剂为过硫酸铵和亚硫酸氢钠组成的氧化还原引发剂、或偶氮二异丁腈，或过氧化苯甲酰。
3.如权利要求1所述的一种半互穿网络型阴离子交换膜，其特征在于：所述步骤(1)中的溶剂为能使含吡咯烷酮鎓盐的单体和引发剂完全溶解的溶剂。
4.如权利要求3所述的一种半互穿网络型阴离子交换膜，其特征在于：所述步骤(1)中的溶剂为水、甲醇、乙醇、N，N-二甲基甲酰胺或N，N-二甲基乙酰胺。
5.如权利要求1至4中任一权利要求所述的一种半互穿网络型阴离子交换膜，其特征在于：所述步骤(3)为：将步骤(2)中得到的膜进一步进行热处理，再将处理后的膜浸泡在含交联剂的丙酮溶液中进行反应，该含交联剂的丙酮溶液中交联剂的质量分数为5～20％，反应完成后取出膜进行转型处理，再经洗涤和干燥后得到所述半互穿网络型阴离子交换膜，上述热处理的温度为110～150℃，热处理时间为0.5～3小时。
6.如权利要求5所述的一种半互穿网络型阴离子交换膜，其特征在于：所述转型处理为：将所述膜浸泡在氢氧化钠或氢氧化钾水溶液中转化为氢氧型。
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