CN104935287B - 射频接收器及其电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器 - Google Patents
射频接收器及其电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104935287B CN104935287B CN201510362915.1A CN201510362915A CN104935287B CN 104935287 B CN104935287 B CN 104935287B CN 201510362915 A CN201510362915 A CN 201510362915A CN 104935287 B CN104935287 B CN 104935287B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrically connected
- transistor
- node
- inductance
- noise amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 19
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/26—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/265—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45183—Long tailed pairs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45237—Complementary long tailed pairs having parallel inputs and being supplied in series
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/16—Circuits
- H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45621—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising a transformer for phase splitting the input signal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本发明涉及一种射频接收器及其电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器。该射频接收器电路，包括电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器、差分混频器和差分转阻放大器。电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器包括单输入端、平衡‑不平衡转换器和无电感式差分低噪声放大器。平衡‑不平衡转换器包括第一电感和第二电感，用以将单输入端的射频信号转换为差分输出的第一差分信号。无电感式差分低噪声放大器用以将第一差分信号转换为差分输出的第二差分信号，其中第一电感和第二电感的线圈比的倒数和电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器的输入阻抗的乘积与射频接收器电路的外部输入阻抗互相匹配。
Description
技术领域
本发明涉及射频接收器电路，特别是涉及集成变压器和无电感低噪声放大器的射频接收器电路。
背景技术
图1示出了一射频通信***10的一框图。射频通信***10包括一天线11、一模拟处理电路12、一数字模拟转换器13、一模拟数字转换器14、以及一数字处理电路15。模拟处理电路12包括一接收器电路121、一发送器电路122、以及一发送接收切换电路123。射频通信***10通过天线11接收来自无线传输通道的多个高频电磁波信号/或通过天线11发送多个高频电磁波信号。模拟数字转换器14用以将接收器电路121处理这些高频电磁波信号得到的模拟信号转换为数字信号。接收器电路121用以处理天线11所接收的这些高频电磁波信号，其中电路设计者在设计接收器电路121时往往有许多考量，例如，噪声指数、信号线性度、相位延迟、芯片面积、阻抗匹配等等。有鉴于此，本发明提出一种电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器及其射频接收器电路以应用在射频接收器电路121之中。
发明内容
本发明的一实施例提供一种射频接收器电路，用以处理一天线所接收的多个射频信号。该射频接收器电路包括一电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器、一差分混频器、以及一差分转阻放大器。该电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器包括一单输入端、一平衡-不平衡转换器、以及一无电感式差分低噪声放大器。该单输入端用以接收这些射频信号。该平衡-不平衡转换器电性连接至该单输入端，用以将该单输入端的这些射频信号转换为差分输出的多个第一差分信号。该平衡-不平衡转换器包括一第一电感和一第二电感。该第一电感的一第一端电性连接至该单输入端以接收这些射频信号，该第一电感的一第二端则电性连接至地。该第二电感包括用以差分输出这些第一差分信号的一第一端和一第二端。该电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器的一输入阻抗反比于该第一电感和该第二电感的一线圈比的平方，且该线圈比的倒数和该输入阻抗的乘积与该射频接收器电路的一外部输入阻抗互相匹配。该无电感式差分低噪声放大器，电性连接至该平衡-不平衡转换器，用以将这些第一差分信号转换为差分输出的多个第二差分信号。该差分混频器电性连接至该电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器。该差分混频器对所接收的这些第二差分信号执行一降频操作，以产生对应的多个差分交流电流信号。该差分转阻放大器电性连接至该差分混频器。该差分转阻放大器用以将这些差分交流电流信号转换为多个差分交流电压输出信号。
本发明的一实施例提供一种电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器，用以处理一天线所接收的多个射频信号。该电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器包括一单输入端、一平衡-不平衡转换器、以及一无电感式差分低噪声放大器。该单输入端用以接收这些射频信号。该平衡-不平衡转换器，电性连接至该单输入端，用以将该单输入端的这些射频信号转换为差分输出的多个第一差分信号。该平衡-不平衡转换器包括一第一电感和一第二电感。该第一电感的一第一端电性连接至该单输入端以接收这些射频信号，该第一电感的一第二端则电性连接至地。该第二电感包括用以差分输出这些第一差分信号的一第一端和一第二端。该电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器的一输入阻抗反比于该第一电感和该第二电感的一线圈比的平方，且该线圈比的倒数和该输入阻抗的乘积与该电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器的一外部输入阻抗互相匹配。该无电感式差分低噪声放大器，电性连接至该平衡-不平衡转换器，用以将这些第一差分信号转换为差分输出的多个第二差分信号。
附图说明
为能更完整地理解本实施例及其优点，现在参考与附图一起进行的以下描述作出，其中：
图1示出了一射频通信***10的一框图。
图2示出了依据本发明的一第一实施例实现射频接收器电路20的一框图。
图3示出了依据本发明的一第二实施例实现电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器21的一电路图。
图4示出了依据本发明的一第三实施例实现差分混频器电路22的一电路图。
图5示出了依据本发明的一第四实施例实现差分转阻放大器电路23的一电路图。
具体实施方式
本发明所附图示的实施例或例子将如以下说明。本发明的范畴并非以此为限。本领域技术人员应能知悉在不脱离本发明的精神和架构的前提下，可作些许改动、替换和置换。在本发明的实施例中，元件符号可能被重复地使用，本发明的多种实施例可能共用相同的元件符号，但为一实施例所使用的特征元件不必然为另一实施例所使用。
图2示出了依据本发明的一第一实施例实现一射频接收器电路20的一框图。在本发明的该第一实施例中，射频接收器电路20应用于图1所示射频通信***10的接收器电路121。在本发明的该第一实施例中，射频接收器电路20负责处理天线11所接收多个射频信号。射频接收器电路20包括一电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器21、一差分混频器电路22、一差分转阻放大器电路23、以及一单接收输入端24。电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器21电性连接至单接收输入端24，用以将接收自单接收输入端24的多个射频信号转换为差分输出的多个第一差分信号。差分混频器电路22电性连接至电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器21。差分混频器电路22对所接收的这些第一差分信号执行一降频操作，以产生对应的多个差分交流电流信号。差分转阻放大器电路23电性连接至差分混频器电路22。差分转阻放大器电路23用以将这些差分交流电流信号转换为射频接收器电路20所输出的多个差分交流电压输出信号。在本发明的该第一实施例中，单接收输入端24、电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器21、差分混频器电路22和差分转阻放大器电路23集成在同一芯片之中。
图3示出了依据本发明的一第二实施例实现电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器21的一电路图。在本发明的该第二实施例中，电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器21包括一平衡-不平衡转换器31和一无电感式差分低噪声放大器32。平衡-不平衡转换器31分别电性连接至单接收输入端24和无电感式差分低噪声放大器32。平衡-不平衡转换器31包括第一电感L1和第二电感L2。在本发明的该第二实施例中，平衡-不平衡转换器31用以将接收自单接收输入端24的这些射频信号转换为差分输出的多个差分电压信号(如图3所示的Dsig1 +和Dsig1 -)。第一电感L1的一第一端电性连接至单接收输入端24以接收这些射频信号，第一电感L1的一第二端则电性连接至地。第二电感L2的一第一端和一第二端则分别输出差分电压信号Dsig1 +和Dsig1 -至下一级的无电感式差分低噪声放大器32。此外，值得注意的是第一电感L1和第二电感L2具有一线圈比Nc。
在本发明的该第二实施例中，无电感式差分低噪声放大器32包括一第一晶体管M1、一第二晶体管M2、一第三晶体管M3、一第四晶体管M4、一偏压晶体管Mb、一第一电阻器R1、一第二电阻器R2、一第一电容器C1、一第二电容器C2、一第三电容器C3、以及一第四电容器C4。如图3所示，第一晶体管M1的一栅极电性连接至一第一节点N1，第一晶体管M1的一源极电性连接至一第一电压源VSS，且第一晶体管M1的一漏极电性连接至一第二节点N2。第二晶体管M2的一栅极电性连接至一第三节点N3，第二晶体管M2的一源极电性连接至一第二电压源VDD，且第二晶体管M2的一漏极电性连接至第二节点N2。第三晶体管M3的一栅极电性连接至一第四节点N4，第三晶体管M3的一源极电性连接至第一电压源VSS，且第三晶体管M3的一漏极电性连接至一第五节点N5。第四晶体管M4的一栅极电性连接至一第六节点N6，第四晶体管M4的一源极电性连接至第二电压源VDD，且第四晶体管M4的一漏极电性连接至第五节点N5。如图3所示，第一电容器C1电性连接在第二电感L2的该第一端和第一节点N1之间；第二电容器C2电性连接在第一节点N1和第三节点N3之间；第三电容器C3电性连接在第二电感L2的该第二端和第四节点N4之间；第四电容器C4电性连接在第四节点N4和第六节点N6之间。如图3所示，第一电阻器R1电性连接在第二节点N2和第三节点N3之间；第二电阻器R2电性连接在第五节点N5和第六节点N6之间。偏压晶体管Mb和一第一电流源I1用以提供第一晶体管M1和第三晶体管M3的直流偏压。
在本发明的该第二实施例中，无电感式差分低噪声放大器32和第二电感L2构成一差分低噪声放大器33，其中差分低噪声放大器33具有一本质滤波器。差分低噪声放大器33接收差分电压信号Dsig1 +和Dsig1 -，并输出对应的差分电压信号Dsig2 +和Dsig2 -。该本质滤波器用以滤除差分电压信号Dsig1 +和Dsig1 -中的噪声。该本质滤波器的一中心频率f0与第一晶体管M1～第四晶体管M4的栅极和源极间的多个寄生电容Cgs,n和Cgs,p以及第二电感L2有关，其关系表示如下：
在本发明的该第二实施例中，差分低噪声放大器33的一输入阻抗Zin33与电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器21的一输入阻抗Zin21以及第一电感L1和第二电感L2的线圈比Nc有关，其关系表示如下：
Zin21＝Zin33/Nc 2…(2)
因此，电路设计者可藉由调整线圈比Nc改变输入阻抗Zin33和输入阻抗Zin21的阻抗转换比，使得输入阻抗Zin21与射频接收器电路20的一外部阻抗(例如50欧姆)互相匹配。在本发明的该第二实施例中，输入阻抗Zin33与第二电感L2的一电阻值RL2和无电感式差分低噪声放大器32的一输入阻抗Zin32有关，其关系表示如下：
Zin33＝Zin32//(QL2*RL2)…(3)
，其中//表示Zin32与RL2并联，QL2为第二电感L2的一品质因数(quality-factor)。因此，电路设计者可藉由调整RL2改变差分低噪声放大器33的输入阻抗Zin33。在本发明的该第二实施例中，由于平衡-不平衡转换器31的第一电感L1和第二电感L2并未直接电性连接，发生在单接收输入端24的一静电放电事件无法影响到差分低噪声放大器33。换句话说，主动元件第一晶体管M1～第四晶体管M4皆未直接与射频接收器电路20的封装接线电性连接而不受静电放电事件影响。也就是说，平衡-不平衡转换器31可以直流阻隔来自单接收输入端24的静电放电电流。因此，本发明的该第二实施例的电路设计可保护射频接收器电路20之中差分低噪声放大器33、差分混频器电路22和差分转阻放大器电路23不受静电放电事件影响。而且，射频接收器电路20之中差分低噪声放大器33、差分混频器电路22和差分转阻放大器电路23可以有效抵抗高频的共模噪声(common-mode noise)。
图4示出了依据本发明的一第三实施例实现差分混频器电路22的一电路图。在本发明的该第三实施例中，差分混频器电路22包括一电容器C41、一电容器C42、一晶体管M41、一晶体管M42、一晶体管M43、以及一晶体管M44。在本发明的该第三实施例中，差分混频器电路22是一差分被动互补式金属氧化物半导体(CMOS)混频器电路。差分混频器电路22接收差分低噪声放大器33所输出对应的差分电压信号Dsig2 +和Dsig2 -，并输出差分交流电流信号Dsig3 +和Dsig3 -。值得注意的是图4所示差分混频器电路22仅为一特定实施例，任何具有相似电路功能的混频器电路皆不脱离本发明的揭示范围。
图5示出了依据本发明的一第四实施例实现差分转阻放大器电路23的一电路图。在本发明的该第四实施例中，差分转阻放大器电路23将差分混频器电路22所输出的差分交流电流信号Dsig3 +和Dsig3 -转换为差分交流电压信号Dsig4 +和Dsig4 -。如图5所示，差分转阻放大器电路23由构成电阻器R51和R52、电容器C51和C52、以及放大器OP51所组成。值得注意的是图5所示差分转阻放大器电路23仅为一特定实施例，任何具有相似电路功能的转阻放大器电路皆不脱离本发明的揭示范围。
本发明虽以优选实施例揭示如上，使得本领域技术人员能够更清楚地理解本发明的内容。然而，本领域技术人员应理解到他们可轻易地以本发明作为基础，设计或修改流程以及操作不同的射频接收器电路进行相同的目的和/或达到这里介绍的实施例的相同优点。因此本发明的保护范围是以权利要求书为准。
Claims (10)
1.一种电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器，用以处理一天线所接收的多个射频信号，包括；
一单输入端，用以接收上述多个射频信号；
一平衡-不平衡转换器，电性连接至该单输入端，用以将该单输入端的上述多个射频信号转换为差分输出的多个第一差分信号，该平衡-不平衡转换器包括：
一第一电感，其中该第一电感的一第一端电性连接至该单输入端以接收上述多个射频信号，该第一电感的一第二端电性连接至地；以及
一第二电感，包括用以差分输出上述第一差分信号的一第一端和一第二端，其中该电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器的一输入阻抗反比于该第一电感和该第二电感的一线圈比的平方，且该线圈比的倒数和该输入阻抗的乘积与该电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器的一外部输入阻抗互相匹配；以及
一无电感式差分低噪声放大器，电性连接至该平衡-不平衡转换器，用以将上述第一差分信号转换为差分输出的多个第二差分信号。
2.根据权利要求1所述的电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器，其中该第二电感与该无电感式差分低噪声放大器内部多个主动元件的多个寄生电容形成一本质滤波器；以及
其中该本质滤波器滤除上述第一差分信号的噪声，以产生对应的上述第二差分信号。
3.根据权利要求2所述的电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器，其中该无电感式差分低噪声放大器内部上述多个主动元件包括：
一第一晶体管，其中该第一晶体管的一栅极电性连接至一第一节点，该第一晶体管的一源极电性连接至一第一电压源，且该第一晶体管的一漏极电性连接至一第二节点；
一第二晶体管，其中该第二晶体管的一栅极电性连接至一第三节点，该第二晶体管的一源极电性连接至一第二电压源，且该第二晶体管的一漏极电性连接至该第二节点；
一第一电容器，电性连接在该第二电感的该第一端和该第一节点之间；
一第二电容器，电性连接在该第一节点和该第三节点之间；
一第一电阻器，电性连接在该第二节点和该第三节点之间；
一第三晶体管，其中该第三晶体管的一栅极电性连接至一第四节点，该第三晶体管的一源极电性连接至该第一电压源，且该第三晶体管的一漏极电性连接至一第五节点；
一第四晶体管，其中该第四晶体管的一栅极电性连接至一第六节点，该第四晶体管的一源极电性连接至该第二电压源，且该第四晶体管的一漏极电性连接至该第五节点；
一第三电容器，电性连接在该第二电感的该第二端和该第四节点之间；
一第四电容器，电性连接在该第四节点和该第六节点之间；以及
一第二电阻器，电性连接在该第五节点和该第六节点之间。
4.根据权利要求3所述的电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器，其中上述寄生电容包括该第一晶体管的该栅极和该源极间的一寄生电容、该第二晶体管的该栅极和该源极间的一寄生电容、该第三晶体管的该栅极和该源极间的一寄生电容、以及该第四晶体管的该栅极和该源极间的一寄生电容。
5.根据权利要求1所述的电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器，其中该平衡-不平衡转换器还用以直流阻隔来自该单输入端的静电放电电流。
6.一种射频接收器电路，用以处理一天线所接收的多个射频信号，该射频接收器电路包括：
一电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器，包括；
一单输入端，用以接收上述多个射频信号；
一平衡-不平衡转换器，电性连接至该单输入端，用以将该单输入端的上述多个射频信号转换为差分输出的多个第一差分信号，该平衡-不平衡转换器包括：
一第一电感，其中该第一电感的一第一端电性连接至该单输入端以接收上述多个射频信号，该第一电感的一第二端则电性连接至地；以及
一第二电感，包括用以差分输出上述第一差分信号的一第一端和一第二端，其中该电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器的一输入阻抗反比于该第一电感和该第二电感的一线圈比的平方，且该线圈比的倒数和该输入阻抗的乘积与该射频接收器电路的一外部输入阻抗互相匹配；以及
一无电感式差分低噪声放大器，电性连接至该平衡-不平衡转换器，用以将上述第一差分信号转换为差分输出的多个第二差分信号；
一差分混频器，电性连接至该电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器，其中该差分混频器对所接收的上述第二差分信号执行一降频操作，以产生对应的多个差分交流电流信号；以及
一差分转阻放大器，电性连接至该差分混频器，该差分转阻放大器用以将上述差分交流电流信号转换为多个差分交流电压输出信号。
7.根据权利要求6所述的射频接收器电路，其中该第二电感与该无电感式差分低噪声放大器内部多个主动元件的多个寄生电容形成一本质滤波器；以及
其中该本质滤波器滤除上述第一差分信号的噪声，以产生对应的上述第二差分信号。
8.根据权利要求7所述的射频接收器电路，其中该无电感式差分低噪声放大器内部上述主动元件包括：
一第一晶体管，其中该第一晶体管的一栅极电性连接至一第一节点，该第一晶体管的一源极电性连接至一第一电压源，且该第一晶体管的一漏极电性连接至一第二节点；
一第二晶体管，其中该第二晶体管的一栅极电性连接至一第三节点，该第二晶体管的一源极电性连接至一第二电压源，且该第二晶体管的一漏极电性连接至该第二节点；
一第一电容器，电性连接在该第二电感的该第一端和该第一节点之间；
一第二电容器，电性连接在该第一节点和该第三节点之间；
一第一电阻器，电性连接在该第二节点和该第三节点之间；
一第三晶体管，其中该第三晶体管的一栅极电性连接至一第四节点，该第三晶体管的一源极电性连接至该第一电压源，且该第三晶体管的一漏极电性连接至一第五节点；
一第四晶体管，其中该第四晶体管的一栅极电性连接至一第六节点，该第四晶体管的一源极电性连接至该第二电压源，且该第四晶体管的一漏极电性连接至该第五节点；
一第三电容器，电性连接在该第二电感的该第二端和该第四节点之间；
一第四电容器，电性连接在该第四节点和该第六节点之间；以及
一第二电阻器，电性连接在该第五节点和该第六节点之间。
9.根据权利要求8所述的射频接收器电路，其中上述寄生电容包括该第一晶体管的该栅极和该源极间的一寄生电容、该第二晶体管的该栅极和该源极间的一寄生电容、该第三晶体管的该栅极和该源极间的一寄生电容、以及该第四晶体管的该栅极和该源极间的一寄生电容。
10.根据权利要求6所述的射频接收器电路，其中该平衡-不平衡转换器还用以直流阻隔来自该单输入端的静电放电电流。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510362915.1A CN104935287B (zh) | 2015-06-26 | 2015-06-26 | 射频接收器及其电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器 |
| US14/849,684 US9397714B1 (en) | 2015-06-26 | 2015-09-10 | Radio frequency receiver circuit and the inductor-coupling single-ended input differential-output low-noise amplifier thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510362915.1A CN104935287B (zh) | 2015-06-26 | 2015-06-26 | 射频接收器及其电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104935287A CN104935287A (zh) | 2015-09-23 |
| CN104935287B true CN104935287B (zh) | 2018-01-30 |
Family
ID=54122289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510362915.1A Active CN104935287B (zh) | 2015-06-26 | 2015-06-26 | 射频接收器及其电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9397714B1 (zh) |
| CN (1) | CN104935287B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3258597B1 (en) * | 2016-06-13 | 2020-07-29 | Intel IP Corporation | Amplification circuit, apparatus for amplifying, low noise amplifier, radio receiver, mobile terminal, base station, and method for amplifying |
| CN108566217A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-09-21 | 南京中感微电子有限公司 | 低功耗射频接收器 |
| CN110166068A (zh) * | 2018-02-13 | 2019-08-23 | 华为技术有限公司 | 一种信号收发电路 |
| CN108449061A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-08-24 | 厦门亿芯源半导体科技有限公司 | 高带宽tia增益平坦度的优化方法 |
| CN111224683B (zh) * | 2019-12-30 | 2022-03-11 | 北斗航天卫星应用科技集团有限公司 | 低噪声大动态射频接收通道 |
| US11094652B1 (en) * | 2020-07-24 | 2021-08-17 | Realtek Semiconductor Corp. | Configurable radio transceiver and method thereof |
| CN117556770B (zh) * | 2024-01-12 | 2024-05-07 | 华南理工大学 | 一种新型GaN HEMT晶体管高频噪声等效电路模型 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1395363A (zh) * | 2002-07-05 | 2003-02-05 | 清华大学 | 变增益的单端到差分的射频低噪声放大器 |
| CN102396152A (zh) * | 2009-04-14 | 2012-03-28 | 高通股份有限公司 | 具有组合的输入匹配、平衡-不平衡转换器与发射/接收开关的低噪声放大器 |
| CN103023837A (zh) * | 2012-12-04 | 2013-04-03 | 美商威睿电通公司 | 频率检测电路、射频信号处理装置以及电感电容校正方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3956799B2 (ja) * | 2002-08-19 | 2007-08-08 | ブラザー工業株式会社 | 通信システムの応答器 |
| DE102004021153B3 (de) * | 2004-04-29 | 2005-09-15 | Infineon Technologies Ag | Ultra-Breitband-Signalverstärker |
| US7224225B2 (en) * | 2005-04-26 | 2007-05-29 | Intel Corporation | Differential inductor based low noise amplifier |
| EP2131492B1 (en) * | 2007-01-30 | 2012-07-18 | Renesas Electronics Corporation | Rf amplification device |
| JP5109874B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2012-12-26 | アイコム株式会社 | 低雑音増幅器 |
| US8626084B2 (en) * | 2010-05-13 | 2014-01-07 | Qualcomm, Incorporated | Area efficient concurrent matching transceiver |
| JP5719259B2 (ja) * | 2011-09-06 | 2015-05-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 高周波電力増幅装置 |
| US8989691B2 (en) * | 2012-04-19 | 2015-03-24 | Qualcomm Incorporated | Impedance balancing for power supply rejection in single-ended receivers |
| US9154356B2 (en) * | 2012-05-25 | 2015-10-06 | Qualcomm Incorporated | Low noise amplifiers for carrier aggregation |
| US20140320252A1 (en) * | 2013-04-29 | 2014-10-30 | Skyworks Solutions, Inc. | Low loss impedance transformers implemented as integrated passive devices and related methods thereof |
| US9312821B2 (en) * | 2013-05-07 | 2016-04-12 | Maxlinear, Inc. | Method and system for a configurable low-noise amplifier with programmable band-selection filters |
| CN103986428A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-08-13 | 无锡中普微电子有限公司 | 超频宽放大器及其设计方法 |
-
2015
- 2015-06-26 CN CN201510362915.1A patent/CN104935287B/zh active Active
- 2015-09-10 US US14/849,684 patent/US9397714B1/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1395363A (zh) * | 2002-07-05 | 2003-02-05 | 清华大学 | 变增益的单端到差分的射频低噪声放大器 |
| CN102396152A (zh) * | 2009-04-14 | 2012-03-28 | 高通股份有限公司 | 具有组合的输入匹配、平衡-不平衡转换器与发射/接收开关的低噪声放大器 |
| CN103023837A (zh) * | 2012-12-04 | 2013-04-03 | 美商威睿电通公司 | 频率检测电路、射频信号处理装置以及电感电容校正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9397714B1 (en) | 2016-07-19 |
| CN104935287A (zh) | 2015-09-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104935287B (zh) | 射频接收器及其电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器 | |
| US8576005B2 (en) | Transceiver and integrated circuit | |
| US7224225B2 (en) | Differential inductor based low noise amplifier | |
| US8787964B2 (en) | Integrated radio frequency front-end circuit | |
| Cha et al. | A CMOS wideband RF front-end with mismatch calibrated harmonic rejection mixer for terrestrial digital TV tuner applications | |
| US9496840B2 (en) | Radio receiver | |
| US8463226B2 (en) | Amplifiers and related receiver systems | |
| WO2013102971A1 (ja) | 保護回路 | |
| US9602055B1 (en) | Single-ended mixer with reduced loss | |
| US10651806B2 (en) | Method and system for a pseudo-differential low-noise amplifier at KU-band | |
| CN103684289A (zh) | 推挽式放大器和差动推挽式放大器 | |
| US10476451B2 (en) | Class-F power amplifier matching network | |
| CN105991093A (zh) | 一种具有差分结构和极点消除结构的低噪声放大器 | |
| CN104065346A (zh) | 一种基于交叉耦合反馈的宽频带低噪声放大器电路 | |
| TWI470927B (zh) | 具有單端輸出的差動放大器 | |
| AU2726500A (en) | Active differential to single-ended converter | |
| CN101931368B (zh) | 低噪声放大器 | |
| US20220321067A1 (en) | Low noise amplifier incorporating sutardja transformer | |
| Badr et al. | Wideband inductorless CMOS RF front-end for LTE receivers | |
| CN104009718B (zh) | 一种宽带低失调的有源Balun电路 | |
| CN109660215B (zh) | 一种宽频射频低噪声放大器的集成电路 | |
| EP3671775A1 (en) | Integrated circuit comprising a balun | |
| CN111903054B (zh) | 单端转差分放大器和射频接收机 | |
| JP2005286993A (ja) | 差動増幅器 | |
| CN108988797B (zh) | 低噪声放大器和电子设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20160704 Address after: American California Applicant after: Intel Corporation Address before: The Cayman Islands, British West Indies Applicant before: Ky Wire Electric Co., Ltd. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200225 Address after: California, USA Patentee after: Apple Inc. Address before: California, USA Patentee before: INTEL Corp. |