CN104932204B - 光刻机曝光参数的获取方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种光刻机曝光参数的获取方法，包括：解析接收到的参数输入指令，以获取在硅片上沿水平方向的第一期望步进长度和沿竖直方向的第二期望步进长度；根据所述第一期望步进长度和所述第二期望步进长度，计算对应的光刻机曝光参数。通过本发明的技术方案，可以根据用户对于各类复杂光刻版（或名掩膜版）的实际光刻需求，推算对于光刻机的曝光参数设置，从而提供一种通用、准确的曝光参数计算方式，简化了曝光参数的计算过程。
Description
技术领域
本发明涉及光刻技术领域，具体而言，涉及一种光刻机曝光参数的获取方法。
背景技术
如图1所示为光刻处理过程的示意图，其中，光刻版102上的图形经过光刻机104的曝光处理后，被显示在硅片106上。由于半导体行业（以及其他如LED、光伏电池、LCD、PCB等有关光刻工艺的制造领域）采用平面光刻工艺，一层层逐次作业，作业到第二层以后才可能发现第一层次的错误，因而曝光程序的参数计算至关重要，且要求不能出任何错误，否则将会直接导致产品的报废。
光刻机本身只能支持一种曝光作业方式，即对单版形式的光刻版的简单曝光；在实践过程中，通过行业内的不断摸索，逐渐发现了一种通过对曝光参数的设置，使得光刻机仍然以原本的方式工作，但却能够支持如复合光刻版和特殊设计的曝光方式，比如插花设计等。
然而，由于各种曝光情况纷繁复杂，使得相关技术中对于曝光参数的设置，一种情况下，主要是基于技术人员的经验设置，对于技术人员的要求较高；另一种情况下，则是需要反复的试探、实践，容易造成大量设备、材料、人工的浪费，且效率低下、效果不一。
因此，如何提出一种通用、简单的曝光参数设置方式，使得提高工作效率和计算准确性，成为行业目前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明正是基于上述问题，提出了一种新的技术方案，可以根据用户对于硅片上的实际光刻需求，推算对于光刻机的曝光参数设置，从而提供一种通用、准确的曝光参数计算方式，简化了曝光参数的计算过程。
有鉴于此，本发明提出了一种光刻机曝光参数的获取方法，包括：解析接收到的参数输入指令，以获取在硅片上沿水平方向的第一期望步进长度和沿竖直方向的第二期望步进长度；根据所述第一期望步进长度和所述第二期望步进长度，计算对应的光刻机曝光参数。
在该技术方案中，鉴于对光刻版及硅片的参数设置的结果，需要在硅片上进行体现，因而直接根据技术人员对于硅片上的步进需求，推算出光刻机的曝光参数，一方面满足技术人员的使用需求和使用心理，另一方面能够准确地计算曝光参数，没有经验方面的要求，也不需要反复试探性地执行光刻操作，有助于提高参数的设置效率，避免试探操作时造成对光刻过程中机台、材料、人工的浪费。
在上述技术方案中，优选地，所述光刻机曝光参数包括：所述硅片上的曝光区域的在水平方向上的第一排列个数和在竖直方向上的第二排列个数。
在该技术方案中，第一期望步进长度和第二期望步进长度，对应于每个曝光区域在硅片上的长度（水平方向）和宽度（竖直方向）情况，即实际上反应了技术人员希望以何种具体图形（光刻版上的图形选取全部或者一部分曝光转移到硅片）和布局（硅片上的图形的实际布局），对光刻版及硅片上的图形进行光刻处理。因而，基于技术人员所期望的步进距离和硅片的实际大小，能够确定在硅片上的曝光区域的数量。其中，光刻机以每个曝光区域为单位操作，将光刻版上的图形曝光生成在每个曝光区域内。
在上述技术方案中，优选地，所述第一排列个数所述第二排列个数其中，Φ为所述光刻版的直径长度，Px为所述第一期望步进长度，Py为所述第二期望步进长度。
在该技术方案中，由于硅片的形状为圆形（底部有一平边，相当于在整个圆形的底部截去一部分），使得在边缘位置的区域在水平/垂直距离上小于第一/第二期望步进长度，但仍将该区域作为一个曝光区域。
在上述技术方案中，优选地，所述光刻机曝光参数包括：所述硅片上沿竖直方向的偏差补偿值（Map offset）：
其中，为中间值，Y为所述硅片上的曝光区域的在竖直方向上的排列个数，Py为所述第二期望步进长度，Φ为所述硅片的直径长度，l为所述光刻版上的平边长度，h为所述光刻版上的激光打码高度，INT(a)为小于或等于a的最大整数。
在该技术方案中，提出了对于整个硅片表面所有曝光图形完全相同情况下，对于偏差补偿值的计算公式。其中，硅片的平边部分存在激光打码，h具体为打上的激光码的最高点与平边的距离。
在上述任一技术方案中，优选地，还包括：解析所述参数输入指令，获取光刻版上的待曝光图形中的测试图形在竖直方向上的实际高度；根据所述第一期望步进长度、所述第二期望步进长度和所述实际高度，计算所述光刻机曝光参数。
在该技术方案中，对于更多的曝光方式下，光刻版上都会同时存在测试图形和主体图形，则需要进一步根据测试图形的实际高度，从而实现在这些情况下的曝光参数的准确计算。
在上述技术方案中，优选地，所述光刻机曝光参数包括：所述光刻版上沿竖直方向的偏差补偿值（Map offset）：
其中，c和f为中间值，Y为所述硅片上的曝光区域的在竖直方向上的排列个数，Py为所述第二期望步进长度，Φ为所述硅片的直径长度，l为所述光刻版上的平边长度，h为所述光刻版上的激光打码高度，INT(a)为小于或等于a的最大整数，t1为所述光刻版上的待曝光图形中的测试图形在竖直方向上的实际高度。
具体地，t1为以无插花的形式仅曝光所述待曝光图形中的主体图形或同时曝光所述待曝光图形中的主体图形和测试图形时，或以插花形式曝光所述主体图形全部或部分和所述测试图形时，所述待曝光图形中的测试图形在竖直方向上的实际高度。
在该技术方案中，提出了对于硅片表面所有曝光单元图形不一定相同（若有不相同，则命名为“插花”）的情况下（如“仅曝光Main且不插花”和“插花”的情形），对于偏差补偿值的计算公式，以实现更为准确的参数计算。
在上述技术方案中，优选地，计算所述光刻机曝光参数的过程包括：建立以光刻版的中心点为原点、所述水平方向为第一轴、所述竖直方向为第二轴的第一直角坐标系；建立以硅片的中心点为原点、所述水平方向为第一轴、所述竖直方向为第二轴的第二直角坐标系；根据所述光刻版中的任一完整图形中的每个待曝光区域在所述第一直角坐标系和所述第二直角坐标系中的位置信息，确定所述光刻机曝光参数。
在该技术方案中，光刻版可以为单版或复合版，则复合版中的每个版面或该单版即为一个完整图形（即一个frame），通过获取待曝光区域的位置信息，即确定了当前需要曝光在光刻版上的图案，以及该图案相对于直角坐标系的原点的偏移情况，从而实现准确地光刻处理。
针对单版的光刻处理过程，本发明提出了下述处理方式：
优选地，所述光刻机曝光参数包括：遮光坐标和中心变换值；当所述光刻版上仅包含一个完整图形时，按照如下方式计算所述光刻机曝光参数：
当所述完整图形仅包含主体图形时，该主体图形的遮光坐标点为Xm=(a-Px)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py-b)/2、Yp=(Py+b)/2，且中心变换值为X=0、Y=0；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以无插花的形式，仅曝光主体图形，则该主体图形的遮光坐标点为Xm=(a-Px)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+t+d1-b)/2、Yp=(Py+t+d1+b)/2-t-d1，且中心变换值为X=0、Y=0；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以无插花的形式，曝光主体图形和测试图形，则该主体图形的遮光坐标点为Xm=(a-Px)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+d1-b)/2、Yp=(Py+d1+b)/2-t-d1，且中心变换值为X=0、Y=0；以及，相应的测试图形的遮光坐标点为Xm=(a-Px)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=(Py+d1+b)/2-t、Yp=(Py+d1+b)/2，且中心变换值为X=0、Y=-d1；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以插花的形式，仅曝光主体图形，则该主体图形的遮光坐标点为Xm=(a-Px)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+t+d1-b)/2、Yp=(Py+t+d1+b)/2-t-d1，且中心变换值为X=0、Y=0；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以插花的形式，曝光主体图形和测试图形，则该主体图形的遮光坐标点为Xm=(a-Px)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+t+d1-b)/2、Yp=(Py+t+d1+b)/2-t-d1-t-d4，且中心变换值为X=0、Y=0；以及，相应的测试图形的遮光坐标点为Xm=(a-Px)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=(Py+t+d1+b)/2-t、Yp=(Py+t+d1+b)/2，且中心变换值为X=0、Y=-t-d1；
其中，（Xm，Ym）为第一遮光坐标点，（Xp，Yp）为第二遮光坐标点，Xm和Xp为对应于所述第一轴的参数值、Ym和Yp为对应于所述第二轴的参数值，X为沿所述第一轴的变换值、Y为沿所述第二轴的变换值，Px为所述第一期望步进长度、Py为所述第二期望步进长度，a为所述一个完整图形上的左侧缓冲区在所述第一轴方向上的宽度、b为所述一个完整图形上的下侧缓冲区在所述第二轴方向上的高度，t为所述实际高度，d1为所述主体图形和所述测试图形在所述光刻版上的间距，d4为所述测试图形和部分所述主体图形在所述光刻版上的间距。
针对二合一版的光刻处理过程，本发明提出了下述处理方式：
优选地，所述光刻机曝光参数包括：遮光坐标和中心变换值；若所述光刻版上包含沿所述第一轴对称的两个完整图形，且第一图形位于所述第一轴的上方、第二图形位于所述第一轴的下方，则按照如下方式计算所述光刻机曝光参数：
当所述完整图形仅包含主体图形时，第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=d3/2、Yp=(Py+b)+d3/2，且中心变换值为X=0、Y=-(Py+b+d3)/2；以及，第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+b)-d3/2、Yp=-d3/2，且中心变换值为X=0、Y=(Py+b+d3)/2；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以无插花的形式仅曝光主体图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=d3/2、Yp=(Py+b)+d3/2，且中心变换值为X=0、Y=-(Py+t+d1+b+d3)/2；以及，第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+t+d1+b)-d3/2、Yp=-t-d1-d3/2，且中心变换值为X=0、Y=(Py+t+d1+b+d3)/2；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以无插花的形式曝光主体图形和测试图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=d3/2、Yp=(Py+b)+d3/2，且中心变换值为X=0、Y=-(Py+t+d1+b+d3)/2；第一图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=(Py+d1+b)-t+d3/2、Yp=(Py+d1+b)+d3/2，且中心变换值为X=0、Y=-d1-(Py+d1+b+d3)/2；以及，第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+d1+b)-d3/2、Yp=-t-d1-d3/2，且中心变换值为X=0、Y=(Py+d1+b+d3)/2；第二图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-t-d3/2、Yp=-d3/2，且中心变换值为X=0、Y=-d1+(Py+d1+b+d3)/2；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以插花的形式仅曝光主体图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=d3/2、Yp=(Py+b)+d3/2，且中心变换值为X=0、Y=-(Py+t+d1+b+d3)/2；以及，第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+t+d1+b)-d3/2、Yp=-t-d1-d3/2，且中心变换值为X=0、Y=(Py+t+d1+b+d3)/2；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以插花的形式曝光主体图形和测试图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=d3/2、Yp=(Py+b)-t-d4+d3/2，且中心变换值为X=0、Y=-(Py+t+d1+b+d3)/2；第一图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=(Py+d1+b)+d3/2、Yp=(Py+t+d1+b)+d3/2，且中心变换值为X=0、Y=-t-d1-(Py+t+d1+b+d3)/2；以及，第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+t+d1+b)-d3/2、Yp=-t-d1-t-d4-d3/2，且中心变换值为X=0、Y=(Py+t+d1+b+d3)/2；第二图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-t-d3/2、Yp=-d3/2，且中心变换值为X=0、Y=-t-d1+(Py+t+d1+b+d3)/2；
其中，（Xm，Ym）为第一遮光坐标点，（Xp，Yp）为第二遮光坐标点，Xm和Xp为对应于所述第一轴的参数值、Ym和Yp为对应于所述第二轴的参数值，X为沿所述第一轴的变换值、Y为沿所述第二轴的变换值，Px为所述第一期望步进长度、Py为所述第二期望步进长度，a为所述一个完整图形上的左侧缓冲区在所述第一轴方向上的宽度、b为所述一个完整图形上的下侧缓冲区在所述第二轴方向上的高度，t为所述实际高度，d1为所述主体图形和所述测试图形在所述光刻版上的间距，d3为所述第一图形和所述第二图形在所述第二轴方向上的间距，d4为所述测试图形和部分所述主体图形在所述光刻版上的间距。
针对三合一版的光刻处理过程，本发明提出了下述处理方式：
优选地，所述光刻机曝光参数包括：遮光坐标和中心变换值；若所述光刻版上包含三个完整图形，第一图形和第三图形沿所述第一轴对称，第二图形位于所述第一图形和所述第三图形之间、且第二图形的中心点与所述原点重合，则按照如下方式计算所述光刻机曝光参数：
当所述完整图形仅包含主体图形时，第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=(Py+b)/2+d3、Yp=(Py+b)/2+(Py+b+d3)，且中心变换值为X=0、Y=-(Py+b+d3)；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+b)/2、Yp=(Py+b)/2，且中心变换值为X=0、Y=0；以及，第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+b)/2-(Py+b+d3)、Yp=(Py+b)/2-(Py+b+d3)，且中心变换值为X=0、Y=Py+b+d3；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以无插花的形式仅曝光主体图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=(Py+t+d1+b)/2+d3、Yp=(Py+t+d1+b)/2+(Py+b+d3)，且中心变换值为X=0、Y=-(Py+t+d1+b+d3)；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+t+d1+b)/2、Yp=(Py+t+d1+b)/2-t-d1，且中心变换值为X=0、Y=0；以及，第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+t+d1+b)/2-(Py+t+d1+b+d3)、Yp=-(Py+t+d1+b)/2-t-d1-d3，且中心变换值为X=0、Y=Py+t+d1+b+d3；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以无插花的形式曝光主体图形和测试图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=(Py+d1+b)/2+d3、Yp=(Py+d1+b)/2-t+(Py+b+d3)，且中心变换值为X=0、Y=-(Py+d1+b+d3)；第一图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=(Py+d1+b)/2-t+(Py+d1+b+d3)、Yp=(Py+d1+b)/2+(Py+d1+b+d3)，且中心变换值为X=0、Y=-d1-(Py+d1+b+d3)；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+d1+b)/2、Yp=(Py+d1+b)/2-t-d1，且中心变换值为X=0、Y=0；第二图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=(Py+d1+b)/2-t、Yp=(Py+d1+b)/2，且中心变换值为X=0、Y=-d1；以及，第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+d1+b)/2-(Py+d1+b+d3)、Yp=-(Py+d1+b)/2-t-d1-d3，且中心变换值为X=0、Y=Py+d1+b+d3；第三图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+d1+b)/2-t-d3、Yp=-(Py+d1+b)/2-d3，且中心变换值为X=0、Y=-d1+(Py+d1+b+d3)；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以插花的形式仅曝光主体图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=(Py+t+d1+b)/2+d3、Yp=(Py+t+d1+b)/2+(Py+b+d3)，且中心变换值为X=0、Y=-(Py+t+d1+b+d3)；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+t+d1+b)/2、Yp=(Py+t+d1+b)/2-t-d1，且中心变换值为X=0、Y=0；以及，第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+t+d1+b)/2-(Py+t+d1+b+d3)、Yp=(Py+t+d1+b)/2-(Py+b+d3)，且中心变换值为X=0、Y=Py+t+d1+b+d3；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以插花的形式曝光主体图形和测试图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=(Py+t+d1+b)/2+d3、Yp=(Py+t+d1+b)/2-t-d4+(Py+b+d3)，且中心变换值为X=0、Y=-(Py+t+d1+b+d3)；第一图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=(Py+t+d1+b)/2+(Py+d1+b+d3)、Yp=(Py+t+d1+b)/2+(Py+t+d1+b+d3)，且中心变换值为X=0、Y=-t-d1-(Py+t+d1+b+d3)；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+t+d1+b)/2、Yp=(Py+t+d1+b)/2-t-d1-t-d4，且中心变换值为X=0、Y=0；第二图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=(Py+t+d1+b)/2-t、Yp=(Py+t+d1+b)/2，且中心变换值为X=0、Y=-t-d1；以及，第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+t+d1+b)/2-(Py+t+d1+b+d3)、Yp=(Py+t+d1+b)/2-t-d1-t-d4-(Py+t+d1+b+d3)，且中心变换值为X=0、Y=Py+t+d1+b+d3；第三图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+t+d1+b)/2-t-d3、Yp=-(Py+t+d1+b)/2-d3，且中心变换值为X=0、Y=Py+b+d3；
其中，（Xm，Ym）为第一遮光坐标点，（Xp，Yp）为第二遮光坐标点，Xm和Xp为对应于所述第一轴的参数值、Ym和Yp为对应于所述第二轴的参数值，X为沿所述第一轴的变换值、Y为沿所述第二轴的变换值，Px为所述第一期望步进长度、Py为所述第二期望步进长度，a为所述一个完整图形上的左侧缓冲区在所述第一轴方向上的宽度、b为所述一个完整图形上的下侧缓冲区在所述第二轴方向上的高度，t为所述实际高度，d1为所述主体图形和所述测试图形在所述光刻版上的间距，d3为所述第一图形和所述第二图形、所述第二图形和所述第三图形在所述第二轴方向上的间距，d4为所述测试图形和部分所述主体图形在所述光刻版上的间距。
针对四合一版的光刻处理过程，本发明提出了下述处理方式：
优选地，所述光刻机曝光参数包括：遮光坐标和中心变换值；若所述光刻版上包含四个完整图形，第一图形位于第一象限、第二图形位于第二象限、第三图形位于第三象限、第四图形位于第四象限，且第一图形和第四图形、第二图形和第三图形分别沿所述第一轴对称，第一图形和第二图形、第三图形和第四图形分别沿所述第二轴对称，则按照如下方式计算所述光刻机曝光参数：
当所述完整图形仅包含主体图形时，第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、Yp=Py+b+d3/2，且中心变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+b+d3)/2；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、Yp=Py+b+d3/2，且中心变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+b+d3)/2；第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+b)-d3/2、Yp=-d3/2，且中心变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=(Py+b+d3)/2；以及，第四图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+b)-d3/2、Yp=-d3/2，且中心变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=(Py+b+d3)/2；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以无插花的形式仅曝光主体图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、Yp=Py+b+d3/2，且中心变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+d1+b+d3)/2；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、Yp=Py+b+d3/2，且中心变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+d1+b+d3)/2；第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+t+d1+b)-d3/2、Yp=-t-d1-d3/2，且中心变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=(Py+t+d1+b+d3)/2；以及，第四图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+t+d1+b)-d3/2、Yp=-t-d1-d3/2，且中心变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=(Py+t+d1+b+d3)/2；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以无插花的形式曝光主体图形和测试图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、Yp=Py+b-t+d3/2，且中心变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+d1+b+d3)/2；第一图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=Py+d1+b-t+d3/2、Yp=Py+d1+b+d3/2，且中心变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=-d1-(Py+d1+b+d3)/2；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、Yp=Py+b-t+d3/2，且中心变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+d1+b+d3)/2；第二图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=Py+d1+b-t+d3/2、Yp=Py+d1+b+d3/2，且中心变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-d1-(Py+d1+b+d3)/2；第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+d1+b)-d3/2、Yp=-t-d1-d3/2，且中心变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=(Py+d1+b+d3)/2；第三图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-t-d3/2、Yp=-d3/2，且中心变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-d1+(Py+d1+b+d3)/2；以及，第四图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+d1+b)-d3/2、Yp=-t-d1-d3/2，且中心变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=(Py+d1+b+d3)/2；第四图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-t-d3/2、Yp=-d3/2，且中心变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=-d1+(Py+d1+b+d3)/2；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以插花的形式仅曝光主体图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、Yp=Py+b+d3/2，且中心变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+d1+b+d3)/2；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、Yp=Py+b+d3/2，且中心变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+d1+b+d3)/2；第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+t+d1+b)-d3/2、Yp=-t-d1-d3/2，且中心变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=(Py+t+d1+b+d3)/2；以及，第四图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+t+d1+b)-d3/2、Yp=-t-d1-d3/2，且中心变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=(Py+t+d1+b+d3)/2；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以插花的形式曝光主体图形和测试图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、Yp=Py+b-t-d4+d3/2，且中心变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+d1+b+d3)/2；第一图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=Py+d1+b+d3/2、Yp=Py+t+b+d1+d3/2，且中心变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=-t-d1-(Py+t+d1+b+d3)/2；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、Yp=Py+b-t-d4+d3/2，且中心变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+d1+b+d3)/2；第二图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=Py+d1+b+d3/2、Yp=Py+t+b+d1+d3/2，且中心变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-t-d1-(Py+t+d1+b+d3)/2；第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+t+d1+b)-d3/2、Yp=-t-d1-t-d4-d3/2，且中心变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=(Py+t+d1+b+d3)/2；第三图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-t-d3/2、Yp=-d3/2，且中心变换值为X=(Px+a+d2)/2、Y=-t-d1+(Py+t+d1+b+d3)/2；以及，第四图形的主体图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+t+d1+b)-d3/2、Yp=-t-d1-t-d4-d3/2，且中心变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=(Py+t+d1+b+d3)/2；第四图形的测试图形的遮光坐标点为Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-t-d3/2、Yp=-d3/2，且中心变换值为X=-(Px+a+d2)/2、Y=-t-d1+(Py+t+d1+b+d3)/2；
其中，（Xm，Ym）为第一遮光坐标点，（Xp，Yp）为第二遮光坐标点，Xm和Xp为对应于所述第一轴的参数值、Ym和Yp为对应于所述第二轴的参数值，X为沿所述第一轴的变换值、Y为沿所述第二轴的变换值，Px为所述第一期望步进长度、Py为所述第二期望步进长度，a为所述一个完整图形上的左侧缓冲区在所述第一轴方向上的宽度、b为所述一个完整图形上的下侧缓冲区在所述第二轴方向上的高度，t为所述实际高度，d1为所述主体图形和所述测试图形在所述光刻版上的间距，d2为所述第一图形和所述第二图形、所述第三图形和所述第四图形在所述第一轴方向上的间距，d3为所述第一图形和所述第四图形、所述第二图形和所述第三图形在所述第二轴方向上的间距，d4为所述测试图形和部分所述主体图形在所述光刻版上的间距。
通过以上技术方案，可以根据用户对于硅片上的实际光刻需求，推算对于光刻机的曝光参数设置，从而提供一种通用、准确的曝光参数计算方式，简化了曝光参数的计算过程。
附图说明
图1示出了相关技术中的光刻处理的示意图；
图2示出了相关技术中的硅片的示意图；
图3示出了根据本发明的实施例的硅片上的曝光区域的示意图；
图4示出了根据本发明的实施例的每个版面的区域划分的示意图；
图5示出了根据本发明的实施例的基于单版建立直角坐标系的示意图；
图6示出了根据本发明的实施例的基于二合一版建立直角坐标系的示意图；
图7示出了根据本发明的实施例的基于三合一版建立直角坐标系的示意图；
图8示出了根据本发明的实施例的基于四合一版建立直角坐标系的示意图；
图9示出了根据本发明的实施例的光刻机曝光参数的获取方法的示意流程图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明并不限于下面公开的具体实施例的限制。
一、术语定义
首先，针对程序编制用到的一些术语进行严格定义：
光刻版（Mask或Reticle；或名“掩膜版”）：方形，具体尺寸不等；其上制作有图形，作为母版，在半导体光刻过程中图形被转移到硅片（光刻版）上。
硅片（Wafer）：圆形，具体尺寸不等。如图2所示，对于8inch以下硅片（即光刻版106）切有平边106A以便定位，同时在平边106A处用激光打码，打码的最高位置与平板106A的距离即为激光打码高度h。半导体产品被制作在硅片上。在光刻过程中，光刻版上的图形被转移至硅片上。
单版：在一块光刻版上仅制作单层光刻图形，称为单版。比如可以参考图5所示的单版，其具体情形将在下文详细介绍。
复合版：在一块光刻版上按一定规范制作多层光刻图形，称为复合版。比如可以参考图6、图7和图8，分别为二合一版、三合一版和四合一版。
光刻图形（Frame）：制作在Mask上的光刻图形，单版有1个，二合一、三合一、四合一复合版分别有2、3、4个（位于复合版的不同位置，坐标不同；但结构、尺寸相同），Frame内图形按照某种曝光方式曝在硅片上，实现对图形的转移。
曝光区域（Shot）：步进式光刻曝光后，如图3所示，在硅片（即光刻版106）上形成大小、尺寸相同的多个独立图形，每一个称为一个Shot（即曝光区域106B）。其中，不同Shot内的图形（来自Mask上的Frame）可以不同。
测试图形（Test）：如果Frame内的图形分为2部分，则上方部分为测试图形，称为Test。
主体图形（Main）：如果Frame内的图形分为2部分，则下方部分为主体图形，称为Main。或者，在另一种情况下，只有主体图形而没有测试图形，则Frame整体称为Main。比如图4示出了一个Frame内的区域分布示意图，其中，对于上述的第一种情况，则以A、B为对角线端点的矩形为主体图形，以C、D为对角线端点的矩形为测试图形；对于上述的第二种情况，则以A、D为对角线端点的矩形为主体图形。
需要说明的是：虽然在本发明所提供的具体实施例中，Test部分在上方、Main部分在下方，但实际上二者的定义是相对的，使得公式的推导也包括Test部分在下方，Main部分在上方的情形，即本发明实际包括了两种情形；其中，仅需要将所有公式中的Main、Test对应的部分直接调换即可适用于Test部分在下方、Main部分在上方的情形，不影响任何计算及实际使用。
缓冲区域（Buffer）：为避免步进缺陷，在实际的Frame图形左边与下方加空白区域，称为Buffer。具体地，图4中左侧宽度为“a”的区域和下方高度为“b”的区域即缓冲区域。
曝光方式：因为单版与复合版、图形区是否有Test图形、在硅片上的具体曝光部分可以不同等因素，不同光刻版、同一光刻版等可以有多种曝光组合，每一种称为一种曝光方式。
表1
具体地，上表1中示出了本发明定义的每种类型的光刻版对应的5种曝光方式；而由于光刻版包括单版和三种复合版，则一共存在20种具体的曝光方式。
二、基本参数定义
表2
作为示意性地，表2给出了基于本发明的一种具体的参数定义方式，当然，对于不同的Design Service以及FAB可以有不同的约定数值。
三、计算曝光参数
图9示出了根据本发明的实施例的光刻机曝光参数的获取方法的示意流程图。
如图9所示，根据本发明的实施例的光刻机曝光参数的获取方法，包括：
步骤902，解析接收到的参数输入指令，以获取在硅片上沿水平方向的第一期望步进长度和沿竖直方向的第二期望步进长度；
步骤904，根据所述第一期望步进长度和所述第二期望步进长度，计算对应的光刻机曝光参数。
在该技术方案中，鉴于对光刻版及硅片的参数设置的结果，需要在硅片上进行体现，因而直接根据技术人员对于硅片上的步进需求，推算出光刻的曝光参数，一方面满足技术人员的使用需求和使用心理，另一方面能够准确地计算曝光参数，没有经验方面的要求，也不需要反复试探性地执行光刻操作，有助于提高参数的设置效率，避免试探操作时造成对光刻版的浪费。
因此，本发明的技术方案中，对于曝光参数的计算，提出了基于在硅片上的步进长度为基准，推导出具体的曝光参数的思路。下面基于该思路进行详细说明。
1、步进参数的定义
表3
其中，参考图5至图8中所示的直角坐标系，则Px即沿X轴方向的步进长度，Py即沿Y轴方向的步进长度。
需要注意的是：t1和t2是选择输入的，其中，对于Frame中包含Main和Test图形，但仅曝光Main的情况下（包括插花或不插花的情形）或是同时曝光Main和Test且插花的情况下，应当选取或输入t1；对于同时曝光Main和Test但不插花的情况下，则应当选取或输入t2。因此，此处通过t1和t2，表达了对于不同情况下，Test区域的高度应当区分对待。
为了便于描述，则在本文的技术方案中，仅以“t”作为Test区域的高度，对于不同情况，本领域技术人员基于上述描述，将其具体赋为t1或t2。
2、计算公式
1）列数(Column)和行数（Row）
列数X/行数Y即为硅片直径容纳“Wafer上Shot的X/Y方向的实际步进”的整数倍，再加左右/上下2个不完整Shot数目。
表述为公式：
其中，Φ为光刻版的直径长度，Px为Wafer上Shot的X方向的实际步进，Py为Wafer上Shot的Y方向的实际步进。
2）Map offset
Map offset值包括在X轴方向上的数值和在Y轴方向上的数值。其中，由于曝光在硅片表面是左右对称的，则X(Map offset)=0；而Y(Map offset)则存在能够应用于所有类型的曝光方式的计算公式：Y(Map offset)：
其中，c和f为中间值，Y为所述硅片上的曝光区域的在竖直方向上的排列个数，Py为所述第二期望步进长度，Φ为所述硅片的直径长度，l为所述光刻版上的平边长度，h为所述光刻版上的激光打码高度，INT(a)为小于或等于a的最大整数，t1为“仅曝Main不插花”及“插花”两种情形时（表1有说明）的光刻版上Test图形的高度。
3）Blind坐标和Center Shift
首先，对应于上述的各类参数等的定义，则光刻版上的每个Frame在如图5-图8中所示的坐标系中可以表示如下：
表4
基于表4，则以图5所示的单版情形为例，能够得到图4所示的Frame中各个端点的坐标值，具体如下表5所示：
表5
依据表5所示，则按照不同类型选取不同点的坐标，即为所需要的Blind坐标的结果；而Center Shift为相应类型的Mask中心位移的负值。
那么，对于如图5所示的单版的情形，可以得到如下表6所示的对应于各种曝光方式下，对于Blind或Center Shift值的具体计算公式。
表6
当然，表5仅示出了图5对应的单版的情况；而对于图6-图8所示的复合版的情况，则由于每个Frame的规格相同，可以根据其在坐标系中的位置变化，由表5进行坐标转换而得到，此处不再赘述。
那么，基于坐标转换后的类似表5所示的端点坐标，能够分别得到对应于二合一版、三合一版和四合一版的曝光参数计算公式，下面分别以表7、表8和表9进行示意性说明。
表7
表8
表9
根据本发明的上述公式计算出的各类曝光参数的数值，可在曝光程序编程时直接引用，无需其它任何操作。
以上结合附图详细说明了本发明的技术方案，考虑到相关技术中的曝光参数需要依靠人工的经验和试探性地试验，效率低下。因此，本发明提出了一种光刻工艺曝光参数的获取方法，可以根据用户对于硅片上的实际光刻需求，推算对于光刻机的曝光参数设置，从而提供一种通用、准确的曝光参数计算方式，简化了曝光参数的计算过程。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、***、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质（包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等）上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备（***）、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种光刻机曝光参数的获取方法，其特征在于，包括：
解析接收到的参数输入指令，以获取在硅片上沿水平方向的第一期望步进长度和沿竖直方向的第二期望步进长度；
根据所述第一期望步进长度和所述第二期望步进长度，计算对应的光刻机曝光参数；
所述光刻机曝光参数包括：光刻版在硅片上的曝光区域的在水平方向上的第一排列个数和在竖直方向上的第二排列个数；
所述第一排列个数所述第二排列个数
其中，Φ为所述硅片的直径长度，Px为所述第一期望步进长度，Py为所述第二期望步进长度；
解析所述参数输入指令，获取所述光刻版上的待曝光图形中的测试图形在竖直方向上的实际高度；
根据所述第一期望步进长度、所述第二期望步进长度和所述实际高度，计算所述光刻机曝光参数；
所述光刻版上的待曝光图形所述光刻机曝光参数包括：
所述硅片上沿竖直方向的偏差补偿值
<mrow>
<mi>f</mi>
<mo>=</mo>
<mfenced open = "{" close = "">
<mtable>
<mtr>
<mtd>
<mrow>
<mfrac>
<msub>
<mi>t</mi>
<mn>1</mn>
</msub>
<mn>2</mn>
</mfrac>
<mo>,</mo>
</mrow>
</mtd>
<mtd>
<mrow>
<msub>
<mi>t</mi>
<mn>1</mn>
</msub>
<mo>></mo>
<mn>0</mn>
<mo>;</mo>
</mrow>
</mtd>
</mtr>
<mtr>
<mtd>
<mrow>
<mn>0</mn>
<mo>,</mo>
</mrow>
</mtd>
<mtd>
<mrow>
<msub>
<mi>t</mi>
<mn>1</mn>
</msub>
<mo>=</mo>
<mn>0</mn>
</mrow>
</mtd>
</mtr>
</mtable>
</mfenced>
<mo>,</mo>
</mrow>
<mrow>
<mi>c</mi>
<mo>=</mo>
<mfrac>
<msqrt>
<mrow>
<msup>
<mi>&Phi;</mi>
<mn>2</mn>
</msup>
<mo>-</mo>
<msup>
<mi>l</mi>
<mn>2</mn>
</msup>
</mrow>
</msqrt>
<mn>2</mn>
</mfrac>
<mo>-</mo>
<mi>h</mi>
<mo>,</mo>
</mrow>
其中，c和f为中间值，Y为所述硅片上的曝光区域的在竖直方向上的排列个数，Py为所述第二期望步进长度，Φ为所述硅片的直径长度，l为所述光刻版上的平边长度，h为所述光刻版上的激光打码高度，INT(a)为小于或等于a的最大整数，t1为所述光刻版上的待曝光图形中的测试图形在竖直方向上的实际高度；
t1为以无插花的形式仅曝光所述待曝光图形中的主体图形或同时曝光所述待曝光图形中的主体图形和测试图形时，或以插花形式曝光所述主体图形的全部或部分和所述测试图形时，所述待曝光图形中的测试图形在竖直方向上的实际高度；
计算所述光刻机曝光参数的过程包括：
建立以所述光刻版的中心点为原点、所述水平方向为第一轴、所述竖直方向为第二轴的第一直角坐标系；
建立以硅片的中心点为原点、所述水平方向为第一轴、所述竖直方向为第二轴的第二直角坐标系；
根据所述光刻版中的任一完整图形中的每个待曝光区域在所述第一直角坐标系和所述第二直角坐标系中的位置信息，确定所述光刻机曝光参数。
2.根据权利要求1所述的光刻机曝光参数的获取方法，其特征在于，所述光刻机曝光参数包括：遮光坐标和中心变换值；
当所述光刻版上仅包含一个完整图形时，按照如下方式计算所述光刻机曝光参数：
当所述完整图形仅包含主体图形时，该主体图形的遮光坐标点为Xm＝(a-Px)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py-b)/2、Yp＝(Py+b)/2，且中心变换值为X＝0、Y＝0；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以无插花的形式，仅曝光主体图形，则该主体图形的遮光坐标点为Xm＝(a-Px)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+t+d1-b)/2、Yp＝(Py+t+d1+b)/2-t-d1，且中心变换值为X＝0、Y＝0；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以无插花的形式，曝光主体图形和测试图形，则该主体图形的遮光坐标点为Xm＝(a-Px)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+d1-b)/2、Yp＝(Py+d1+b)/2-t-d1，且中心变换值为X＝0、Y＝0；以及，相应的测试图形的遮光坐标点为Xm＝(a-Px)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝(Py+d1+b)/2-t、Yp＝(Py+d1+b)/2，且中心变换值为X＝0、Y＝-d1；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以插花的形式，仅曝光主体图形，则该主体图形的遮光坐标点为Xm＝(a-Px)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+t+d1-b)/2、Yp＝(Py+t+d1+b)/2-t-d1，且中心变换值为X＝0、Y＝0；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以插花的形式，曝光主体图形和测试图形，则该主体图形的遮光坐标点为Xm＝(a-Px)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+t+d1-b)/2、Yp＝(Py+t+d1+b)/2-t-d1-t-d4，且中心变换值为X＝0、Y＝0；以及，相应的测试图形的遮光坐标点为Xm＝(a-Px)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝(Py+t+d1+b)/2-t、Yp＝(Py+t+d1+b)/2，且中心变换值为X＝0、Y＝-t-d1；
其中，(Xm，Ym)为第一遮光坐标点，(Xp，Yp)为第二遮光坐标点，Xm和Xp为对应于所述第一轴的参数值、Ym和Yp为对应于所述第二轴的参数值，X为沿所述第一轴的变换值、Y为沿所述第二轴的变换值，Px为所述第一期望步进长度、Py为所述第二期望步进长度，a为所述一个完整图形上的左侧缓冲区在所述第一轴方向上的宽度、b为所述一个完整图形上的下侧缓冲区在所述第二轴方向上的高度，t为所述实际高度，d1为所述主体图形和所述测试图形在所述光刻版上的间距，d4为所述测试图形和部分所述主体图形在所述光刻版上的间距。
3.根据权利要求1所述的光刻机曝光参数的获取方法，其特征在于，所述光刻机曝光参数包括：遮光坐标和中心变换值；
若所述光刻版上包含沿所述第一轴对称的两个完整图形，且第一图形位于所述第一轴的上方、第二图形位于所述第一轴的下方，则按照如下方式计算所述光刻机曝光参数：
当所述完整图形仅包含主体图形时，第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝d3/2、Yp＝(Py+b)+d3/2，且中心变换值为X＝0、Y＝-(Py+b+d3)/2；以及，第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+b)-d3/2、Yp＝-d3/2，且中心变换值为X＝0、Y＝(Py+b+d3)/2；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以无插花的形式仅曝光主体图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝d3/2、Yp＝(Py+b)+d3/2，且中心变换值为X＝0、Y＝-(Py+t+d1+b+d3)/2；以及，第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+t+d1+b)-d3/2、Yp＝-t-d1-d3/2，且中心变换值为X＝0、Y＝(Py+t+d1+b+d3)/2；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以无插花的形式曝光主体图形和测试图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝d3/2、Yp＝(Py+b)+d3/2，且中心变换值为X＝0、Y＝-(Py+t+d1+b+d3)/2；第一图形的测试图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝(Py+d1+b)-t+d3/2、Yp＝(Py+d1+b)+d3/2，且中心变换值为X＝0、Y＝-d1-(Py+d1+b+d3)/2；以及，第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+d1+b)-d3/2、Yp＝-t-d1-d3/2，且中心变换值为X＝0、Y＝(Py+d1+b+d3)/2；第二图形的测试图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-t-d3/2、Yp＝-d3/2，且中心变换值为X＝0、Y＝-d1+(Py+d1+b+d3)/2；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以插花的形式仅曝光主体图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝d3/2、Yp＝(Py+b)+d3/2，且中心变换值为X＝0、Y＝-(Py+t+d1+b+d3)/2；以及，第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+t+d1+b)-d3/2、Yp＝-t-d1-d3/2，且中心变换值为X＝0、Y＝(Py+t+d1+b+d3)/2；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以插花的形式曝光主体图形和测试图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝d3/2、Yp＝(Py+b)-t-d4+d3/2，且中心变换值为X＝0、Y＝-(Py+t+d1+b+d3)/2；第一图形的测试图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝(Py+d1+b)+d3/2、Yp＝(Py+t+d1+b)+d3/2，且中心变换值为X＝0、Y＝-t-d1-(Py+t+d1+b+d3)/2；以及，第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+t+d1+b)-d3/2、Yp＝-t-d1-t-d4-d3/2，且中心变换值为X＝0、Y＝(Py+t+d1+b+d3)/2；第二图形的测试图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-t-d3/2、Yp＝-d3/2，且中心变换值为X＝0、Y＝-t-d1+(Py+t+d1+b+d3)/2；
其中，(Xm，Ym)为第一遮光坐标点，(Xp，Yp)为第二遮光坐标点，Xm和Xp为对应于所述第一轴的参数值、Ym和Yp为对应于所述第二轴的参数值，X为沿所述第一轴的变换值、Y为沿所述第二轴的变换值，Px为所述第一期望步进长度、Py为所述第二期望步进长度，a为所述完整图形上的左侧缓冲区在所述第一轴方向上的宽度、b为所述完整图形上的下侧缓冲区在所述第二轴方向上的高度，t为所述实际高度，d1为所述主体图形和所述测试图形在所述光刻版上的间距，d3为所述第一图形和所述第二图形在所述第二轴方向上的间距，d4为所述测试图形和部分所述主体图形在所述光刻版上的间距。
4.根据权利要求1所述的光刻机曝光参数的获取方法，其特征在于，所述光刻机曝光参数包括：遮光坐标和中心变换值；
若所述光刻版上包含三个完整图形，第一图形和第三图形沿所述第一轴对称，第二图形位于所述第一图形和所述第三图形之间、且第二图形的中心点与所述原点重合，则按照如下方式计算所述光刻机曝光参数：
当所述完整图形仅包含主体图形时，第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝(Py+b)/2+d3、Yp＝(Py+b)/2+(Py+b+d3)，且中心变换值为X＝0、Y＝-(Py+b+d3)；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+b)/2、Yp＝(Py+b)/2，且中心变换值为X＝0、Y＝0；以及，第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+b)/2-(Py+b+d3)、Yp＝(Py+b)/2-(Py+b+d3)，且中心变换值为X＝0、Y＝Py+b+d3；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以无插花的形式仅曝光主体图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝(Py+t+d1+b)/2+d3、Yp＝(Py+t+d1+b)/2+(Py+b+d3)，且中心变换值为X＝0、Y＝-(Py+t+d1+b+d3)；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+t+d1+b)/2、Yp＝(Py+t+d1+b)/2-t-d1，且中心变换值为X＝0、Y＝0；以及，第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+t+d1+b)/2-(Py+t+d1+b+d3)、Yp＝-(Py+t+d1+b)/2-t-d1-d3，且中心变换值为X＝0、Y＝Py+t+d1+b+d3；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以无插花的形式曝光主体图形和测试图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝(Py+d1+b)/2+d3、Yp＝(Py+d1+b)/2-t+(Py+b+d3)，且中心变换值为X＝0、Y＝-(Py+d1+b+d3)；第一图形的测试图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝(Py+d1+b)/2-t+(Py+d1+b+d3)、Yp＝(Py+d1+b)/2+(Py+d1+b+d3)，且中心变换值为X＝0、Y＝-d1-(Py+d1+b+d3)；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+d1+b)/2、Yp＝(Py+d1+b)/2-t-d1，且中心变换值为X＝0、Y＝0；第二图形的测试图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝(Py+d1+b)/2-t、Yp＝(Py+d1+b)/2，且中心变换值为X＝0、Y＝-d1；以及，第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+d1+b)/2-(Py+d1+b+d3)、Yp＝-(Py+d1+b)/2-t-d1-d3，且中心变换值为X＝0、Y＝Py+d1+b+d3；第三图形的测试图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+d1+b)/2-t-d3、Yp＝-(Py+d1+b)/2-d3，且中心变换值为X＝0、Y＝-d1+(Py+d1+b+d3)；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以插花的形式仅曝光主体图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝(Py+t+d1+b)/2+d3、Yp＝(Py+t+d1+b)/2+(Py+b+d3)，且中心变换值为X＝0、Y＝-(Py+t+d1+b+d3)；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+t+d1+b)/2、Yp＝(Py+t+d1+b)/2-t-d1，且中心变换值为X＝0、Y＝0；以及，第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+t+d1+b)/2-(Py+t+d1+b+d3)、Yp＝(Py+t+d1+b)/2-(Py+b+d3)，且中心变换值为X＝0、Y＝Py+t+d1+b+d3；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以插花的形式曝光主体图形和测试图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝(Py+t+d1+b)/2+d3、Yp＝(Py+t+d1+b)/2-t-d4+(Py+b+d3)，且中心变换值为X＝0、Y＝-(Py+t+d1+b+d3)；第一图形的测试图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝(Py+t+d1+b)/2+(Py+d1+b+d3)、Yp＝(Py+t+d1+b)/2+(Py+t+d1+b+d3)，且中心变换值为X＝0、Y＝-t-d1-(Py+t+d1+b+d3)；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+t+d1+b)/2、Yp＝(Py+t+d1+b)/2-t-d1-t-d4，且中心变换值为X＝0、Y＝0；第二图形的测试图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝(Py+t+d1+b)/2-t、Yp＝(Py+t+d1+b)/2，且中心变换值为X＝0、Y＝-t-d1；以及，第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+t+d1+b)/2-(Py+t+d1+b+d3)、Yp＝(Py+t+d1+b)/2-t-d1-t-d4-(Py+t+d1+b+d3)，且中心变换值为X＝0、Y＝Py+t+d1+b+d3；第三图形的测试图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)/2、Xp＝(Px+a)/2、Ym＝-(Py+t+d1+b)/2-t-d3、Yp＝-(Py+t+d1+b)/2-d3，且中心变换值为X＝0、Y＝Py+b+d3；
其中，(Xm，Ym)为第一遮光坐标点，(Xp，Yp)为第二遮光坐标点，Xm和Xp为对应于所述第一轴的参数值、Ym和Yp为对应于所述第二轴的参数值，X为沿所述第一轴的变换值、Y为沿所述第二轴的变换值，Px为所述第一期望步进长度、Py为所述第二期望步进长度，a为所述完整图形上的左侧缓冲区在所述第一轴方向上的宽度、b为所述完整图形上的下侧缓冲区在所述第二轴方向上的高度，t为所述实际高度，d1为所述主体图形和所述测试图形在所述光刻版上的间距，d3为所述第一图形和所述第二图形、所述第二图形和所述第三图形在所述第二轴方向上的间距，d4为所述测试图形和部分所述主体图形在所述光刻版上的间距。
5.根据权利要求1所述的光刻机曝光参数的获取方法，其特征在于，所述光刻机曝光参数包括：遮光坐标和中心变换值；
若所述光刻版上包含四个完整图形，第一图形位于第一象限、第二图形位于第二象限、第三图形位于第三象限、第四图形位于第四象限，且第一图形和第四图形、第二图形和第三图形分别沿所述第一轴对称，第一图形和第二图形、第三图形和第四图形分别沿所述第二轴对称，则按照如下方式计算所述光刻机曝光参数：
当所述完整图形仅包含主体图形时，第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝d2/2、Xp＝Px+a+d2/2、Ym＝d3/2、Yp＝Py+b+d3/2，且中心变换值为X＝-(Px+a+d2)/2、Y＝-(Py+b+d3)/2；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)-d2/2、Xp＝-d2/2、Ym＝d3/2、Yp＝Py+b+d3/2，且中心变换值为X＝(Px+a+d2)/2、Y＝-(Py+b+d3)/2；第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)-d2/2、Xp＝-d2/2、Ym＝-(Py+b)-d3/2、Yp＝-d3/2，且中心变换值为X＝(Px+a+d2)/2、Y＝(Py+b+d3)/2；以及，第四图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝d2/2、Xp＝Px+a+d2/2、Ym＝-(Py+b)-d3/2、Yp＝-d3/2，且中心变换值为X＝-(Px+a+d2)/2、Y＝(Py+b+d3)/2；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以无插花的形式仅曝光主体图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝d2/2、Xp＝Px+a+d2/2、Ym＝d3/2、Yp＝Py+b+d3/2，且中心变换值为X＝-(Px+a+d2)/2、Y＝-(Py+t+d1+b+d3)/2；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)-d2/2、Xp＝-d2/2、Ym＝d3/2、Yp＝Py+b+d3/2，且中心变换值为X＝(Px+a+d2)/2、Y＝-(Py+t+d1+b+d3)/2；第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)-d2/2、Xp＝-d2/2、Ym＝-(Py+t+d1+b)-d3/2、Yp＝-t-d1-d3/2，且中心变换值为X＝(Px+a+d2)/2、Y＝(Py+t+d1+b+d3)/2；以及，第四图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝d2/2、Xp＝Px+a+d2/2、Ym＝-(Py+t+d1+b)-d3/2、Yp＝-t-d1-d3/2，且中心变换值为X＝-(Px+a+d2)/2、Y＝(Py+t+d1+b+d3)/2；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以无插花的形式曝光主体图形和测试图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝d2/2、Xp＝Px+a+d2/2、Ym＝d3/2、Yp＝Py+b-t+d3/2，且中心变换值为X＝-(Px+a+d2)/2、Y＝-(Py+d1+b+d3)/2；第一图形的测试图形的遮光坐标点为Xm＝d2/2、Xp＝Px+a+d2/2、Ym＝Py+d1+b-t+d3/2、Yp＝Py+d1+b+d3/2，且中心变换值为X＝-(Px+a+d2)/2、Y＝-d1-(Py+d1+b+d3)/2；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)-d2/2、Xp＝-d2/2、Ym＝d3/2、Yp＝Py+b-t+d3/2，且中心变换值为X＝(Px+a+d2)/2、Y＝-(Py+d1+b+d3)/2；第二图形的测试图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)-d2/2、Xp＝-d2/2、Ym＝Py+d1+b-t+d3/2、Yp＝Py+d1+b+d3/2，且中心变换值为X＝(Px+a+d2)/2、Y＝-d1-(Py+d1+b+d3)/2；第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)-d2/2、Xp＝-d2/2、Ym＝-(Py+d1+b)-d3/2、Yp＝-t-d1-d3/2，且中心变换值为X＝(Px+a+d2)/2、Y＝(Py+d1+b+d3)/2；第三图形的测试图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)-d2/2、Xp＝-d2/2、Ym＝-t-d3/2、Yp＝-d3/2，且中心变换值为X＝(Px+a+d2)/2、Y＝-d1+(Py+d1+b+d3)/2；以及，第四图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝d2/2、Xp＝Px+a+d2/2、Ym＝-(Py+d1+b)-d3/2、Yp＝-t-d1-d3/2，且中心变换值为X＝-(Px+a+d2)/2、Y＝(Py+d1+b+d3)/2；第四图形的测试图形的遮光坐标点为Xm＝d2/2、Xp＝Px+a+d2/2、Ym＝-t-d3/2、Yp＝-d3/2，且中心变换值为X＝-(Px+a+d2)/2、Y＝-d1+(Py+d1+b+d3)/2；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以插花的形式仅曝光主体图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝d2/2、Xp＝Px+a+d2/2、Ym＝d3/2、Yp＝Py+b+d3/2，且中心变换值为X＝-(Px+a+d2)/2、Y＝-(Py+t+d1+b+d3)/2；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)-d2/2、Xp＝-d2/2、Ym＝d3/2、Yp＝Py+b+d3/2，且中心变换值为X＝(Px+a+d2)/2、Y＝-(Py+t+d1+b+d3)/2；第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)-d2/2、Xp＝-d2/2、Ym＝-(Py+t+d1+b)-d3/2、Yp＝-t-d1-d3/2，且中心变换值为X＝(Px+a+d2)/2、Y＝(Py+t+d1+b+d3)/2；以及，第四图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝d2/2、Xp＝Px+a+d2/2、Ym＝-(Py+t+d1+b)-d3/2、Yp＝-t-d1-d3/2，且中心变换值为X＝-(Px+a+d2)/2、Y＝(Py+t+d1+b+d3)/2；
当所述完整图形包含主体图形和测试图形时，若以插花的形式曝光主体图形和测试图形，则第一图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝d2/2、Xp＝Px+a+d2/2、Ym＝d3/2、Yp＝Py+b-t-d4+d3/2，且中心变换值为X＝-(Px+a+d2)/2、Y＝-(Py+t+d1+b+d3)/2；第一图形的测试图形的遮光坐标点为Xm＝d2/2、Xp＝Px+a+d2/2、Ym＝Py+d1+b+d3/2、Yp＝Py+t+b+d1+d3/2，且中心变换值为X＝-(Px+a+d2)/2、Y＝-t-d1-(Py+t+d1+b+d3)/2；第二图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)-d2/2、Xp＝-d2/2、Ym＝d3/2、Yp＝Py+b-t-d4+d3/2，且中心变换值为X＝(Px+a+d2)/2、Y＝-(Py+t+d1+b+d3)/2；第二图形的测试图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)-d2/2、Xp＝-d2/2、Ym＝Py+d1+b+d3/2、Yp＝Py+t+b+d1+d3/2，且中心变换值为X＝(Px+a+d2)/2、Y＝-t-d1-(Py+t+d1+b+d3)/2；第三图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)-d2/2、Xp＝-d2/2、Ym＝-(Py+t+d1+b)-d3/2、Yp＝-t-d1-t-d4-d3/2，且中心变换值为X＝(Px+a+d2)/2、Y＝(Py+t+d1+b+d3)/2；第三图形的测试图形的遮光坐标点为Xm＝-(Px+a)-d2/2、Xp＝-d2/2、Ym＝-t-d3/2、Yp＝-d3/2，且中心变换值为X＝(Px+a+d2)/2、Y＝-t-d1+(Py+t+d1+b+d3)/2；以及，第四图形的主体图形的遮光坐标点为Xm＝d2/2、Xp＝Px+a+d2/2、Ym＝-(Py+t+d1+b)-d3/2、Yp＝-t-d1-t-d4-d3/2，且中心变换值为X＝-(Px+a+d2)/2、Y＝(Py+t+d1+b+d3)/2；第四图形的测试图形的遮光坐标点为Xm＝d2/2、Xp＝Px+a+d2/2、Ym＝-t-d3/2、Yp＝-d3/2，且中心变换值为X＝-(Px+a+d2)/2、Y＝-t-d1+(Py+t+d1+b+d3)/2；
其中，(Xm，Ym)为第一遮光坐标点，(Xp，Yp)为第二遮光坐标点，Xm和Xp为对应于所述第一轴的参数值、Ym和Yp为对应于所述第二轴的参数值，X为沿所述第一轴的变换值、Y为沿所述第二轴的变换值，Px为所述第一期望步进长度、Py为所述第二期望步进长度，a为所述完整图形上的左侧缓冲区在所述第一轴方向上的宽度、b为所述完整图形上的下侧缓冲区在所述第二轴方向上的高度，t为所述实际高度，d1为所述主体图形和所述测试图形在所述光刻版上的间距，d2为所述第一图形和所述第二图形、所述第三图形和所述第四图形在所述第一轴方向上的间距，d3为所述第一图形和所述第四图形、所述第二图形和所述第三图形在所述第二轴方向上的间距，d4为所述测试图形和部分所述主体图形在所述光刻版上的间距。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410103636.9A CN104932204B (zh) | 2014-03-19 | 2014-03-19 | 光刻机曝光参数的获取方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| CN201410103636.9A CN104932204B (zh) | 2014-03-19 | 2014-03-19 | 光刻机曝光参数的获取方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104932204A CN104932204A (zh) | 2015-09-23 |
| CN104932204B true CN104932204B (zh) | 2017-08-25 |
Family
ID=54119429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410103636.9A Active CN104932204B (zh) | 2014-03-19 | 2014-03-19 | 光刻机曝光参数的获取方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104932204B (zh) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104932204A (zh) | 2015-09-23 |
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