CN104932165A - 一种液晶面板及电压调节方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种液晶面板及电压调节方法。其中，该液晶面板包括：显示区域和非显示区域，其中，显示区域包括的多个TFT薄膜晶体管用于驱动与TFT连接的子像素点，以显示图像；非显示区域为围绕显示区域的边界线设置的预设面积的区域，且非显示区域包括预设数量的TFT、垂直方向上的预设数量的Data line数据线以及水平方向上的由显示区域内的至少一条Gate line扫描线延伸的目标Gate line，其中，每条Data line连接一个TFT，每条目标Gate line连接至少一个TFT，每条Data line用于侦测与Data line连接的TFT的漏电流，非显示区域包括的TFT架构与显示区域包括的TFT架构相同，非显示区域包括的每个TFT连接一个子像素点。实施本发明实施例可以提高TFT液晶屏的显示效果。

Description

一种液晶面板及电压调节方法
技术领域
本发明涉及液晶显示屏技术领域，尤其涉及一种液晶面板及电压调节方法。
背景技术
TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)液晶屏中的每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的TFT来驱动，因此，TFT液晶屏相较于其他显示屏具有高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息的优点，越来越受到用户的青睐。然而，实践中发现，由于TFT关闭后漏电流的存在，导致施加在液晶像素点上的像素电压发生偏移，其正负极性电压相对于公共电压不再对称，使得离子被界面捕获而形成内电场，该内电场与施加在液晶像素点上的电场产生叠加效应，这样就会出现影像残留的画面(即液晶面板上显示的图像看起来是之前固定画面留下的残影)，使得TFT液晶屏的显示效果不好。
发明内容
本发明实施例提供了一种液晶面板及电压调节方法，可以提高TFT液晶屏的显示效果。
本发明实施例第一方面公开了一种液晶面板，包括：显示区域和非显示区域，其中，
所述显示区域包括的多个TFT薄膜晶体管用于驱动与所述TFT连接的子像素点，以显示图像；
所述非显示区域为围绕所述显示区域的边界线设置的预设面积的区域，且所述非显示区域包括预设数量的TFT、垂直方向上的所述预设数量的Data line数据线以及水平方向上的由所述显示区域内的至少一条Gate line扫描线延伸的目标Gate line，其中，每条所述Data line连接一个TFT，每条所述目标Gate line连接至少一个TFT，每条所述Data line用于侦测与所述Data line连接的TFT的漏电流，所述侦测的漏电流用于反映所述显示区域中的TFT漏电流特性，所述非显示区域包括的TFT架构与所述显示区域包括的TFT架构相同，所述非显示区域包括的每个TFT连接一个子像素点。
本发明实施例第二方面公开了一种电压调节方法，包括：
检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管是否关闭；
若是，则侦测每个从所述TFT流出的漏电流；
根据侦测到的所述漏电流，确定目标电压；
将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为所述目标电压。
本发明实施例中，液晶面板检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管是否关闭，若是，则通过与TFT连接的data line侦测从该TFT流出的漏电流，进一步地，根据侦测到的漏电流，确定目标电压后，液晶面板就可以将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压。通过本发明实施例，液晶面板将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压，当液晶分子在不断地进行正负极切换时，可以确保液晶电容第一极板上的公共电压与第二极板上的像素电压之间的压差保持不变，使得液晶分子呈电中性，而不会去捕获界面中带电的离子，这样就不会出现影像残留的画面，从而可以提高TFT液晶屏的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例公开的一种液晶面板的结构示意图；
图2是本发明实施例公开的一种液晶面板的显示区域的结构示意图；
图3是本发明实施例公开的一种子像素点的等效电路的结构示意图；
图4是本发明实施例公开的一种电压调节方法的流程示意图；
图5是本发明实施例公开的另一种电压调节方法的流程示意图；
图6是本发明实施例公开的一种液晶面板的结构示意图；
图7是本发明实施例公开的另一种液晶面板的结构示意图；
图8是本发明实施例公开的另一种液晶面板的结构示意图；
图9是本发明实施例公开的另一种液晶面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例公开了一种液晶面板及电压调节方法，可以提高TFT液晶屏的显示效果。以下分别进行详细说明。
本发明实施例中，液晶面板可以包括任何配置有TFT薄膜晶体管的液晶屏，该液晶面板可以应用于任何需要配置显示屏的设备，该设备可以包括但不限于电视机、智能手机、笔记本电脑、个人计算机(Personal Computer，PC)、个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA)、移动互联网设备(Mobile InternetDevice，MID)、智能穿戴设备(如智能手表、智能手环)等，本发明实施例不做限定。
请参见图1，图1是本发明实施例公开的一种液晶面板的结构示意图，如图1所示，该液晶面板可以包括显示区域和非显示区域，其中，
显示区域包括的多个TFT薄膜晶体管用于驱动与TFT连接的子像素点，以显示图像；
非显示区域为围绕显示区域的边界线设置的预设面积的区域，且非显示区域包括预设数量的TFT、垂直方向上的预设数量的Data line数据线以及水平方向上的由显示区域内的至少一条Gate line扫描线延伸的目标Gate line，其中，每条Data line连接一个TFT，每条目标Gate line连接至少一个TFT，每条Dataline用于侦测与Data line连接的TFT的漏电流，侦测的漏电流用于反映显示区域中的TFT漏电流特性，非显示区域包括的TFT架构与显示区域包括的TFT架构相同，非显示区域包括的每个TFT连接一个子像素点。
本发明实施例中，非显示区域包括的TFT的数量(即预设数量)可以是预先根据显示区域的画面闪烁的程度确定出来的，如图1所示的6个。当确定了非显示区域包括的TFT的预设数量后，非显示区域也要设置预设数量的Data line数据线，每条data line仅连接一个TFT，这样就可以保证在一帧的时间内完全侦测该TFT的漏电流状况。非显示区域包括的目标Gate line扫描线可以由显示区域内的至少一条Gate line扫描线向一边(如向左边或右边)延伸到非显示区域，也可以由显示区域内的至少一条Gate line扫描线向两边(同时向左边和向右边)延伸到非显示区域，每条目标Gate line连接至少一个TFT。如图1所示，该非显示区域包括6个TFT、6条data line以及3条目标Gate line，该3条目标Gate line由显示区域内相应的3条Gate line(第1条、第m/2条以及第m条)向两边延长至非显示区域而得到的。TFT的位置分别为左上区、右上区、左中区、右中区、左下区、右下区。
本发明实施例中，非显示区域的每条Data line用于侦测与Data line连接的TFT的漏电流，侦测的漏电流用于反映显示区域中的TFT漏电流特性。为了使侦测的结果更加精确，非显示区域包括的TFT架构与显示区域包括的TFT架构相同，且非显示区域包括的每个TFT连接一个子像素点，其中，一个液晶像素点包括3个子像素点(即红、绿、蓝3个子像素点)。
具体地，非显示区域的每条Data line具体用于在与Data line连接的TFT的导通时间内充入电压，以及用于在与Data line连接的TFT的关闭时间内侦测漏电流的变化，其中，漏电流为与Data line连接的TFT在关闭时间内所流出的漏电流。
需要说明的是，图1所示的非显示区域的TFT的数量不限于6个，TFT的位置也不限于图1所示的那些位置，即非显示区域中的TFT位置可以根据实际需要而改变。非显示区域中的TFT的数量越多，反映显示区域中的TFT漏电流情况的准确性就越高，但占用非显示区域的面积会变大，即边框会变宽，用户可以根据具体情况来设置非显示区域中的TFT的数量。
请一并参见图2，图2是本发明实施例公开的一种液晶面板的显示区域的结构示意图，如图2所示，
当显示区域的解析度为n*m时，显示区域被3n条垂直方向的Date line以及m条水平方向的Gate line划分成3n*m个子区域，其中，每个子区域包括一个子像素点，显示区域包括的每条Date line连接多个TFT，显示区域包括的每条Gate line连接多个TFT。
本发明实施例中，当显示区域的解析度为n*m时，该显示区域就有3n*m个子像素点，每个子像素点都是由集成在该子像素点后面的TFT来驱动，因此显示区域就有3n*m个TFT，同时显示区域包括3n条Date line和m条Gate line，这些Date line和Gate line就把显示区域划分成3n*m个子区域，其中，每个子区域包括一个子像素点，显示区域包括的每条Date line连接多个TFT，显示区域包括的每条Gate line连接多个TFT。
请一并参见图3，图3是本发明实施例公开的一种子像素点的等效电路的结构示意图，如图3所示，该等效电路包括TFT、液晶电容以及存储电容，其中，
非显示区域和显示区域的TFT的栅极均连接Gate line，非显示区域和显示区域的TFT的源极均连接Data line，非显示区域和显示区域的TFT的漏极均连接液晶电容的第一极板，且非显示区域和显示区域的TFT的漏极均连接存储电容的第一极板，液晶电容的第二极板以及存储电容的第二极板分别连接公共电极。
本发明实施例中，非显示区域包括的TFT架构与显示区域包括的TFT架构相同，且非显示区域包括的每个TFT均连接一个子像素点，这样，非显示区域中的子像素点的等效电路与显示区域中的子像素点的等效电路相同，因此，非显示区域中的TFT的漏电流情况就可以模拟显示区域中的TFT的漏电流情况。
当T1(即TFT)导通时，Data line上的数据就可以写入液晶电容CLC2，当T1关闭时，存储电容CST2维持每个像素的电压，同时，T1上的漏电流将会反向流入到与该T1连接的Data line中。
下面结合图1～图3对本发明装置实施例的原理进行详细的描述。
本发明实施例中，液晶面板检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管是否关闭，当检测到TFT关闭时，通过与TFT连接的data line侦测从该TFT流出的漏电流，进一步地，根据侦测到的漏电流，确定目标电压后，液晶面板就可以将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压。
具体的，液晶面板可以根据侦测到的漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，分别查询每个漏电流对应的电压，对查询到的电压求和并取平均值，以获得平均电压作为目标电压，或者，液晶面板可以对侦测到的漏电流求和并取平均值，以获得平均漏电流，并根据平均漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，查询平均漏电流对应的目标电压。在获得目标电压后，液晶面板可以将显示区域的每一个液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压。
或者，液晶面板根据侦测到的漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，分别查询每个漏电流对应的目标电压，进一步地，根据预先存储的子区域与TFT的对应关系，确定预先对显示区域划分的多个子区域中每个子区域的目标电压，其中，子区域的目标电压为子区域对应的TFT所流出的漏电流对应的目标电压，并将每个子区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为子区域的目标电压。
通过本发明实施例，液晶面板将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压后，当液晶分子在不断地进行正负极切换时，可以确保液晶电容第一极板上的公共电压与第二极板上的像素电压之间的压差保持不变，使得液晶分子呈电中性，而不会去捕获界面中带电的离子，这样就不会出现影像残留的画面，从而可以提高TFT液晶屏的显示效果。
需要说明的是，原理这里描述的“液晶电容的第一极板上的公共电压”就是上述装置实施例中连接公共电极的液晶电容的第二极板上的公共电压，原理这里描述的“第二极板上的像素电压”就是上述装置实施例中连接TFT漏极的第一极板上的像素电压。
请参见图4，图4是本发明实施例公开的一种电压调节方法的流程示意图，该方法应用于液晶面板。如图4所示，该方法可以包括以下步骤。
S401、检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管是否关闭，若是，执行步骤S402，若否，返回继续执行步骤S401。
本发明实施例中，TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)液晶屏中的每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的TFT来驱动，因此，TFT液晶屏相较于其他显示屏具有高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息的优点，越来越受到用户的青睐。
通常，TFT薄膜晶体管有两种工作状态：导通和关闭，当TFT导通时，对液晶电容快速充电，当TFT关闭时，保持液晶电容的电压。
当写入一行数据后TFT关闭时，理论上液晶电容上的像素电压要保持一帧时间，但TFT关闭后漏电流的存在，导致像素电压偏移，其正负极性相对于液晶电容上的VCOM(公共电压)不再对称。液晶分子在不断地进行正负极切换时，正负极性长时间施加在液晶面板两端的电压不相等，使得离子被界面捕获形成内建电场，从而与本身液晶施加电场(切换成纯灰阶画面时)产生叠加效应，看起来像是之前固定画面留下了残影。
本发明实施例中，TFT液晶屏的显示区域中的TFT关闭时的漏电流会反向流入Data line(数据线)，而Data line在一帧的大部分时间都处于传送电压的状态，很难独立出来作为侦测漏电流的路径。
本发明实施例中，液晶面板预先在非显示区域设置多个TFT，该非显示区域的TFT的架构与显示区域的TFT的架构完全一致，且非显示区域中的每条Data line仅连接一个TFT，Data line接入source IC(即源极驱动)，仅在对应scanline(即扫描线)的时间充入电压，其他时间去侦测该Data line上电流的变化，这样就保证可以在一帧的时间内完全侦测该TFT漏电流的状况。需要说明的是，当非显示区域的TFT的架构与显示区域的TFT的架构完全一致时，液晶面板就可以通过侦测非显示区域的TFT的漏电流情况来反映显示区域的TFT的漏电流特性。
S402、侦测每个从TFT流出的漏电流。
本发明实施例中，当液晶面板检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管关闭时，液晶面板可以侦测每个从TFT流出的漏电流。
具体的，液晶面板可以在Source IC(即源极驱动)上增加对应channel(即通道)去驱动非显示区域中的TFT，并侦测该非显示区域中的TFT所流出的漏电流。
S403、根据侦测到的漏电流，确定目标电压。
本发明实施例中，液晶面板侦测到每个从TFT流出的漏电流之后，液晶面板就可以根据侦测到的漏电流，确定目标电压。
作为一种可选的实施方式，液晶面板根据侦测到的漏电流，确定目标电压的具体实施方式可以包括以下步骤：
11)根据侦测到的漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，分别查询每个漏电流对应的电压；
12)对查询到的电压求和并取平均值，以获得平均电压作为目标电压。
在该实施例中，用户预先在液晶面板中存储了漏电流与电压的对应关系，其中，该对应关系可以为用户预先通过实验获取到的。液晶面板侦测到从每个TFT流出的漏电流之后，液晶面板就可以从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，查询每个漏电流对应的电压，进一步地，液晶面板对查询到的电压求和并取平均值，以获得平均电压作为目标电压。
作为另一种可选的实施方式，液晶面板根据侦测到的漏电流，确定目标电压的具体实施方式可以包括以下步骤：
21)对侦测到的漏电流求和并取平均值，以获得平均漏电流；
22)根据平均漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，查询平均漏电流对应的目标电压。
在该实施例中，用户预先在液晶面板中存储了漏电流与电压的对应关系，其中，该对应关系可以为用户预先通过实验获取到的。液晶面板侦测到从每个TFT流出的漏电流之后，液晶面板就可以对侦测到的漏电流求和并取平均值，以获得平均漏电流，进一步地，液晶面板可以根据平均漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，查询平均漏电流对应的目标电压。
S404、将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压。
本发明实施例中，TFT关闭后漏电流的存在而导致液晶电容上的像素电压发生偏移是无法改变的事实，因此，要使得液晶分子始终保持直流平衡(呈电中性)，就需要液晶电容两极板上的压差为固定值，即液晶电容上的像素电压与液晶电容上的VCOM之间的差值为固定值，此时只有通过调节液晶电容上的VCOM才能确保液晶分子呈电中性，这样，液晶分子就不会去捕获界面中带电的离子，从而TFT液晶屏就不会出现影像残留的画面。
本发明实施例中，液晶面板实时将显示区域的每一个液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压后，就可以确保每一个液晶分子呈电中性，这样，液晶分子就不会去捕获界面中带电的离子。其中，该液晶电容有上下两个极板，分别为第一极板和第二极板，该第一极板上加载的是VCOM，即公共电压，该第二极板上加载的是像素电压。
需要说明的是，方法实施例中的“液晶电容的第一极板”就是上述装置实施例中连接公共电极的液晶电容的第二极板，方法实施例中的“第二极板”就是上述装置实施例中连接TFT漏极的第一极板。后续方法实施例中也一样。
在图4所描述的方法流程中，液晶面板检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管是否关闭，若是，则侦测每个从TFT流出的漏电流，进一步地，根据侦测到的漏电流，确定目标电压后，液晶面板就可以将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压。通过本发明实施例，液晶面板将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压，当液晶分子在不断地进行正负极切换时，可以确保液晶电容的第二极板上的公共电压与第二极板上的像素电压之间的压差保持不变，使得液晶分子呈电中性，而不会去捕获界面中带电的离子，这样就不会出现影像残留的画面，从而可以提高TFT液晶屏的显示效果。
请参见图5，图5是本发明实施例公开的另一种电压调节方法的流程示意图。如图5所示，该方法可以包括以下步骤。
S501、液晶面板检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管是否关闭，若是，执行步骤S502，若否，返回继续执行步骤S501。
S502、液晶面板侦测每个从TFT流出的漏电流。
S503、液晶面板根据侦测到的漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，分别查询每个漏电流对应的目标电压。
本发明实施例中，用户预先在液晶面板中存储了漏电流与电压的对应关系，其中，该对应关系可以为用户预先通过实验获取到的。液晶面板侦测到从每个TFT流出的漏电流之后，液晶面板就可以从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，查询每个漏电流对应的目标电压，以获得多个目标电压。
S504、液晶面板根据预先存储的子区域与TFT的对应关系，确定预先对显示区域划分的多个子区域中每个子区域的目标电压。
本发明实施例中，用户预先将液晶面板的显示区域划分为多个子区域，比如：当设置在液晶面板非显示区域中的TFT的数量为6个时，用户可以将液晶面板的显示区域划分为6个子区域、12个子区域或者18个子区域等等，本发明实施例不作限定。用户将液晶面板的显示区域划分为多个子区域之后，用户可以建立每个子区域与非显示区域中的TFT的对应关系，并将该对应关系存储在液晶面板的Source IC中。
本发明实施例中，液晶面板查询到每个从TFT流出的漏电流对应的目标电压后，进一步的，液晶面板可以根据预先存储的子区域与TFT的对应关系，确定每一个子区域对应的TFT，进而，根据查询到的每个从TFT流出的漏电流对应的目标电压，确定每个子区域的目标电压，即每个子区域的目标电压为该子区域对应的TFT所流出的漏电流对应的目标电压。
S505、液晶面板将每个子区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为子区域的目标电压。
本发明实施例中，液晶面板确定预先对显示区域划分的多个子区域中每个子区域的目标电压之后，液晶面板就可以将每个子区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为该子区域的目标电压。
在图5所描述的方法流程中，液晶面板检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管关闭时，侦测每个从TFT流出的漏电流，根据侦测到的漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，分别查询每个漏电流对应的目标电压之后，进一步地，液晶面板可以根据预先存储的子区域与TFT的对应关系，确定预先对显示区域划分的多个子区域中每个子区域的目标电压，并将每个子区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为该子区域的目标电压。当液晶分子在不断地进行正负极切换时，可以确保液晶电容的第二极板上的公共电压与第二极板上的像素电压之间的压差保持不变，使得液晶分子呈电中性，而不会去捕获界面中带电的离子，这样就不会出现影像残留的画面，从而可以提高TFT液晶屏的显示效果。
请参见图6，图6是本发明实施例公开的一种液晶面板的结构示意图，如图6所示，该液晶面板600可以包括：检测单元601、侦测单元602、确定单元603以及调节单元604，其中：
检测单元601，用于检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管是否关闭。
本发明实施例中，TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)液晶屏中的每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的TFT来驱动，因此，TFT液晶屏相较于其他显示屏具有高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息的优点，越来越受到用户的青睐。
通常，TFT薄膜晶体管有两种工作状态：导通和关闭，当TFT导通时，对液晶电容快速充电，当TFT关闭时，保持液晶电容的电压。
当写入一行数据后TFT关闭时，理论上液晶电容上的像素电压要保持一帧时间，但TFT关闭后漏电流的存在，导致像素电压偏移，其正负极性相对于液晶电容上的VCOM(公共电压)不再对称。液晶分子在不断地进行正负极切换时，正负极性长时间施加在液晶面板两端的电压不相等，使得离子被界面捕获形成内建电场，从而与本身液晶施加电场(切换成纯灰阶画面时)产生叠加效应，看起来像是之前固定画面留下了残影。
本发明实施例中，TFT液晶屏的显示区域中的TFT关闭时的漏电流会反向流入Data line(数据线)，而Data line在一帧的大部分时间都处于传送电压的状态，很难独立出来作为侦测漏电流的路径。
本发明实施例中，液晶面板预先在非显示区域设置多个TFT，该非显示区域的TFT的架构与显示区域的TFT的架构完全一致，且非显示区域中的每条Data line仅连接一个TFT，Data line接入source IC(即源极驱动)，仅在对应scanline(即扫描线)的时间充入电压，其他时间去侦测该Data line上电流的变化，这样就保证可以在一帧的时间内完全侦测该TFT漏电流的状况。需要说明的是，当非显示区域的TFT的架构与显示区域的TFT的架构完全一致时，检测单元601就可以当检测非显示区域的TFT关闭时，由侦测单元602侦测每个从TFT流出的漏电流情况来反映显示区域的TFT的漏电流特性。
侦测单元602，用于当检测单元601检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管关闭时，侦测每个从TFT流出的漏电流。
本发明实施例中，当检测单元601检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管关闭时，侦测单元602就可以侦测每个从TFT流出的漏电流。
具体的，液晶面板可以在Source IC(即源极驱动)上增加对应channel(即通道)去驱动非显示区域中的TFT，侦测单元602侦测该非显示区域中的TFT所流出的漏电流。
确定单元603，用于根据侦测到的漏电流，确定目标电压。
调节单元604，用于将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压。
本发明实施例中，TFT关闭后漏电流的存在而导致液晶电容上的像素电压发生偏移是无法改变的事实，因此，要使得液晶分子始终保持直流平衡(呈电中性)，就需要液晶电容两极板上的压差为固定值，即液晶电容上的像素电压与液晶电容上的VCOM之间的差值为固定值，此时只有调节单元604通过调节液晶电容上的VCOM才能确保液晶分子呈电中性，这样，液晶分子就不会去捕获界面中带电的离子，从而TFT液晶屏就不会出现影像残留的画面。
本发明实施例中，调节单元604实时将显示区域的每一个液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压后，就可以确保每一个液晶分子呈电中性，这样，液晶分子就不会去捕获界面中带电的离子。其中，该液晶电容有上下两个极板，分别为第一极板和第二极板，该第一极板上加载的是VCOM，即公共电压，该第二极板上加载的是像素电压。
请参见图7，图7是本发明实施例公开的另一种液晶面板的结构示意图，其中，图7所示的液晶面板是在图6所示的液晶面板的基础上进一步优化得到的，与图6所示的液晶面板相比，图7所示的液晶面板除了包括图6所示的液晶面板的所有单元外，确定单元603可以包括：
第一查询子单元6031，用于根据侦测到的漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，分别查询每个漏电流对应的电压。
第一计算子单元6032，用于对查询到的电压求和并取平均值，以获得平均电压作为目标电压。
在该实施例中，用户预先在液晶面板中存储了漏电流与电压的对应关系，其中，该对应关系可以为用户预先通过实验获取到的。侦测单元602侦测到从每个TFT流出的漏电流之后，第一查询子单元6031就可以从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，查询每个漏电流对应的电压，进一步地，第一计算子单元6032对查询到的电压求和并取平均值，以获得平均电压作为目标电压。
上述调节单元604具体用于将显示区域的每一个液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压。
请参见图8，图8是本发明实施例公开的另一种液晶面板的结构示意图，其中，图8所示的液晶面板是在图6所示的液晶面板的基础上进一步优化得到的，与图6所示的液晶面板相比，图8所示的液晶面板除了包括图6所示的液晶面板的所有单元外，确定单元603可以包括：
第二计算子单元6033，用于对侦测到的漏电流求和并取平均值，以获得平均漏电流。
第二查询子单元6034，用于根据平均漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，查询平均漏电流对应的目标电压。
在该实施例中，用户预先在液晶面板中存储了漏电流与电压的对应关系，其中，该对应关系可以为用户预先通过实验获取到的。侦测单元602侦测到从每个TFT流出的漏电流之后，第二计算子单元6033就可以对侦测到的漏电流求和并取平均值，以获得平均漏电流，进一步地，第二查询子单元6034可以根据平均漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，查询平均漏电流对应的目标电压。
上述调节单元604具体用于将显示区域的每一个液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压。
请参见图9，图9是本发明实施例公开的另一种液晶面板的结构示意图，其中，图9所示的液晶面板是在图6所示的液晶面板的基础上进一步优化得到的，与图6所示的液晶面板相比，图9所示的液晶面板除了包括图6所示的液晶面板的所有单元外，调节单元604可以包括：确定子单元6041和调节子单元6042，其中：
确定单元603，具体用于根据侦测到的漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，分别查询每个漏电流对应的目标电压。
本发明实施例中，用户预先在液晶面板中存储了漏电流与电压的对应关系，其中，该对应关系可以为用户预先通过实验获取到的。侦测单元602侦测到从每个TFT流出的漏电流之后，确定单元603就可以从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，查询每个漏电流对应的目标电压，以获得多个目标电压。
确定子单元6041，用于根据预先存储的子区域与TFT的对应关系，确定预先对显示区域划分的多个子区域中每个子区域的目标电压，其中，子区域的目标电压为子区域对应的TFT所流出的漏电流对应的目标电压。
本发明实施例中，用户预先将液晶面板的显示区域划分为多个子区域，比如：当设置在液晶面板非显示区域中的TFT的数量为6个时，用户可以将液晶面板的显示区域划分为6个子区域、12个子区域或者18个子区域等等，本发明实施例不作限定。用户将液晶面板的显示区域划分为多个子区域之后，用户可以建立每个子区域与非显示区域中的TFT的对应关系，并将该对应关系存储在液晶面板的Source IC中。
本发明实施例中，确定单元603查询到每个从TFT流出的漏电流对应的目标电压后，进一步的，确定子单元6041可以根据预先存储的子区域与TFT的对应关系，确定每一个子区域对应的TFT，进而，根据查询到的每个从TFT流出的漏电流对应的目标电压，确定每个子区域的目标电压，即每个子区域的目标电压为该子区域对应的TFT所流出的漏电流对应的目标电压。
调节子单元6042，用于将每个子区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为子区域的目标电压。
本发明实施例中，确定子单元6041确定预先对显示区域划分的多个子区域中每个子区域的目标电压之后，调节子单元6042就可以将每个子区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为该子区域的目标电压。
在图6～图9所描述的液晶面板600中，检测单元601检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管是否关闭，若是，则侦测单元602侦测每个从TFT流出的漏电流，进一步地，确定单元603根据侦测到的漏电流，确定目标电压后，调节单元604就可以将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压。通过本发明实施例，调节单元604将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压，这样就可以确保液晶电容的第二极板上的公共电压与第二极板上的像素电压之间的压差保持不变，当液晶分子在不断地进行正负极切换时，可以使得液晶分子呈电中性，而不会去捕获界面中带电的离子，这样就不会出现影像残留的画面，从而可以提高TFT液晶屏的显示效果。
需要说明的是，对于前述的各个方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本申请，某一些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和单元并不一定是本申请所必须的。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，的程序可存储于计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory，ROM)或随机存储记忆体(Random Access Memory，RAM)等。
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (9)

1.一种液晶面板，其特征在于，包括：显示区域和非显示区域，其中，
所述显示区域包括的多个TFT薄膜晶体管用于驱动与所述TFT连接的子像素点，以显示图像；
所述非显示区域为围绕所述显示区域的边界线设置的预设面积的区域，且所述非显示区域包括预设数量的TFT、垂直方向上的所述预设数量的Data line数据线以及水平方向上的由所述显示区域内的至少一条Gate line扫描线延伸的目标Gate line，其中，每条所述Data line连接一个TFT，每条所述目标Gate line连接至少一个TFT，每条所述Data line用于侦测与所述Data line连接的TFT的漏电流，所述侦测的漏电流用于反映所述显示区域中的TFT漏电流特性，所述非显示区域包括的TFT架构与所述显示区域包括的TFT架构相同，所述非显示区域包括的每个TFT连接一个子像素点。
2.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述非显示区域的每条所述Data line具体用于在与所述Data line连接的TFT的导通时间内充入电压，以及用于在与所述Data line连接的TFT的关闭时间内侦测漏电流的变化，其中，所述漏电流为与所述Data line连接的TFT在关闭时间内所流出的漏电流。
3.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，当所述显示区域的解析度为n*m时，所述显示区域被3n条垂直方向的Date line以及m条水平方向的Gate line划分成3n*m个子区域，其中，每个所述子区域包括一个子像素点，所述显示区域包括的每条Date line连接多个TFT，所述显示区域包括的每条Gateline连接多个TFT。
4.根据权利要求1～3任一项所述的液晶面板，其特征在于，所述液晶面板包括多个子像素点的等效电路，每个所述子像素点的等效电路均相同，所述等效电路包括TFT、液晶电容以及存储电容，其中，
所述非显示区域和所述显示区域的TFT的栅极均连接Gate line，所述非显示区域和所述显示区域的TFT的源极均连接Data line，所述非显示区域和所述显示区域的TFT的漏极均连接所述液晶电容的第一极板，且所述非显示区域和所述显示区域的TFT的漏极均连接所述存储电容的第一极板，所述液晶电容的第二极板以及所述存储电容的第二极板分别连接公共电极。
5.一种电压调节方法，应用于液晶面板，其特征在于，包括：
检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管是否关闭；
若是，则侦测每个从所述TFT流出的漏电流；
根据侦测到的所述漏电流，确定目标电压；
将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为所述目标电压。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据侦测到的所述漏电流，确定目标电压包括：
根据侦测到的所述漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，分别查询每个所述漏电流对应的电压；
对查询到的所述电压求和并取平均值，以获得平均电压作为目标电压。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据侦测到的所述漏电流，确定目标电压包括：
对侦测到的所述漏电流求和并取平均值，以获得平均漏电流；
根据所述平均漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，查询所述平均漏电流对应的目标电压。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为所述目标电压包括：
将显示区域的每一个液晶电容的第一极板上的公共电压调节为所述目标电压。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据侦测到的所述漏电流，确定目标电压包括：
根据侦测到的所述漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，分别查询每个所述漏电流对应的目标电压；
所述将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为所述目标电压，包括：
根据预先存储的子区域与TFT的对应关系，确定预先对所述显示区域划分的多个子区域中每个子区域的目标电压，其中，所述子区域的目标电压为所述子区域对应的TFT所流出的漏电流对应的目标电压；
将每个子区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为所述子区域的目标电压。
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