CN104931163A - 一种双soi结构mems压力传感器芯片及其制备方法 - Google Patents
一种双soi结构mems压力传感器芯片及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104931163A CN104931163A CN201510353518.8A CN201510353518A CN104931163A CN 104931163 A CN104931163 A CN 104931163A CN 201510353518 A CN201510353518 A CN 201510353518A CN 104931163 A CN104931163 A CN 104931163A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- soi structure
- pressure sensor
- sensor chip
- soi
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 12
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000006396 nitration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
本发明提出一种双SOI结构MEMS压力传感器芯片及其制备方法,所述压力传感器芯片包括第一SOI结构,构成压力传感器的衬底和压力敏感膜,第二SOI结构为表层SOI结构,包括通过生长绝缘隔离介质,在绝缘介质上淀积掺杂α-硅作为压敏电阻材料,通过刻蚀组成惠斯通电桥结构,该第二SOI结构,取代常规的PN结隔离模式,提高了传感器芯片的工作温度范围。本发明涉及的双SOI结构高温MEMS压力传感器芯片适合大批量生产,一致性好,量程精确、芯片尺寸小、耐高温、可靠性高、成本低。
Description
技术领域
本发明涉及MEMS设计和加工领域,具体为一种双SOI结构MEMS压力传感器芯片及其制备方法。
背景技术
MEMS传感器作为一种新型传感器技术,成本显著减低,2014年硅基MEMS器件市场规模达到1100多亿美元;随着智能手机、平板电脑、可穿戴设备的兴起,以及较为成熟的汽车电子和工业控制领域的巨大市场需求,MEMS产业发展进入快车道,其中,MEMS压力传感器是应用最为广泛的传感器之一。
压力传感器从技术原理上主要分为压阻式,电容式,应变式等,种类分为陶瓷压力传感器、MEMS压力传感器、微溶压力传感器、应变压力传感器、溅射膜压力传感器等,MEMS压力传感器凭借其尺寸小、量程覆盖范围广、可大批量生产、成本低等优势领跑MEMS压力传感器市场。
而MEMS压力传感器主要分为电容式和压阻式,电容式由于工艺复杂,工艺稳定性要求高,尚未大批量得到生产和应用,全球90%以上MEMS压力传感器都为硅压阻式,及常说的扩散硅压阻式压力传感器。该传感器能满足大部分民用需求,但由于其PN结隔离方式,导致其无法应用于高温场合,如某些工控、军工、汽车等领域。
本发明涉及的双SOI结构MEMS压力传感器芯片在SOI衬底上通过低温淀积工艺生产一层α-硅薄膜,形成双SOI结构。本发明涉及的双SOI结构MEMS压力传感器芯片尺寸小、成本低、性能优良,可在350℃环境下工作,制备方法简单,无需长时间的湿法腐蚀工艺,可精确控制压力敏感膜厚,灵敏度一致性好。
发明内容
本发明提供了一种双SOI结构MEMS压力传感器芯片及其制备方法,该压力传感器采用SOI衬底与表层SOI结构相结合的方法,利用SOI衬底的自停止腐蚀能力和ICP刻蚀工艺,减小传感器芯片的尺寸,降低成本,同时精确控制传感器灵敏度的一致性;利用表层SOI结构,大大提高传感器的工作温度范围,实现高温压力传感器应用。
本发明的有益效果是,采用SOI衬底制备压力传感器避免长时间的湿法腐蚀,使芯片体积更小,成本大大降低;利用减薄、抛光工艺控制压力敏感膜的厚度,提高了芯片输出信号的一致性;采用绝缘隔离介质层加α-硅薄膜技术形成表层SOI结构,大大提高了传感器的工作温度范围,残余应力小,无PN结漏电,传感器稳定性好。
附图说明
图1为本发明其中一实施例涉及的双SOI结构MEMS压力传感器芯片表压结构截面图;
图2为本发明其中一实施例涉及的双SOI结构MEMS压力传感器芯片绝压结构截面图;
其中:1为P型或N型衬底硅片,2为衬底SOI结构的绝缘隔离介质层,同时作为ICP刻蚀的自停止层,3为单晶硅压力敏感膜,4为顶层SOI的绝缘隔离介质层,5为α-硅电阻,6为金属电极,7为氮化硅,8为压力参考腔,9为键合玻璃片。
具体实施方式
为了使本领域技术人员更好的理解本发明的技术方案,下面结合附图1-2进行详细描述本发明的具体实施方式。
实施例1
本发明提出一种双SOI结构MEMS压力传感器芯片,参见图1,包括:SOI衬底硅片,该SOI衬底硅片包括底层P型或N型衬底硅片1,SOI绝缘隔离介质层2和单晶硅压力敏感膜3;该绝缘隔离介质层2例如为热氧化生成氧化层;对单晶硅压力敏感膜3抛光后,生长绝缘隔离介质层4,改绝缘隔离介质层4可为氧化层或者氮化层;在绝缘隔离介质层4上沉积低温α-硅薄膜,经离子注入掺杂后,刻蚀成桥路电阻5,经1000-1100℃退火;单晶硅层3、绝缘隔离介质层4、α-硅薄膜层5构成顶层SOI结构;该α-硅薄膜层的厚度为0.4~1微米;在α-硅薄膜桥路电阻5上还包括保护层7、例如为氮化硅钝化层;还包括形成在钝化层上与桥路电阻接触的互连引线6,还包括形成在衬底硅片1中的压力参考腔8。
实施例2
本发明还提出一种绝压双SOI结构MEMS压力传感器芯片,参见图2,与实施例1相同的结构和部件不再赘述,区别在于:通过ICP深刻蚀工艺,在衬底硅片1上形成表压芯片压力参考腔8之后,在SOI衬底背面键合玻璃片9,形成绝压压力传感器芯片结构。
实施例3
本发明提出的一种双SOI结构MEMS压力传感器芯片制作方法,包括以下步骤:
(1)根据压力量程要求确定芯片及敏感膜尺寸,通过理论计算确定压力敏感膜上的线性应力区,布置α-硅电阻及金属互连并制作光刻版,完成设计;
(2)P型或N型<100>晶向硅片热氧化,再进行键合,形成SOI衬底硅片,该SOI衬底硅片包括P型或N型衬底硅片1、SOI结构的绝缘隔离介质层2、单晶硅压力敏感膜型3;
(3)对SOI衬底硅片的顶层单晶硅3进行减薄、抛光工艺,减薄至根据理论计算得到的符合要求的单晶硅压力敏感膜厚度,其膜厚由传感器的量程决定;
(4)单晶硅3上进行热氧化生成氧化层或采用LCP工艺生长氮化硅,作为顶层SOI结构的绝缘隔离介质层4;
(5)在绝缘隔离介质层4上通过540-580℃、例如560℃低温工艺淀积α-硅薄膜,该α-硅薄膜的厚度为0.4~1微米,与步骤(4)中的绝缘隔离介质层4的厚度比为1:2~4左右,以形成良好的应力匹配;采用离子注入进行掺杂,再刻蚀后形成桥路电阻5,经1000-1100℃退火;
(6)离子注入形成欧姆接触浓硼区,淀积金属层,刻蚀形成互连引线6;
(7)在金属层上淀积一层氮化硅7,形成钝化层,保护芯片受到污染;
(8)SOI衬底背面通过ICP工艺刻蚀,制作压力参考腔,形成表压或差压压力传感器芯片结构;
(9)通过在SOI衬底背面键合玻璃片9,形成绝压压力传感器芯片结构。
本发明提出一种双SOI结构MEMS压力传感器芯片及其制备方法,所述压力传感器芯片的包括第一SOI结构,构成压力传感器的衬底和压力敏感膜,第二SOI结构为表层SOI结构,包括通过生长绝缘隔离介质,在绝缘介质上淀积掺杂α-硅作为压敏电阻材料,通过刻蚀组成惠斯通电桥结构,该第二SOI结构,取代常规的PN结隔离模式,提高了传感器芯片的工作温度范围。本发明涉及的双SOI结构高温MEMS压力传感器芯片适合大批量生产,一致性好,量程精确、芯片尺寸小、耐高温、可靠性高、成本低。
Claims (10)
1.一种双SOI结构MEMS压力传感器芯片,其特征在于:所述MEMS压力传感器芯片包括第一SOI结构、第二SOI结构、压力参考腔(8),其中所述第一SOI结构包括衬底硅片(1)、第一绝缘隔离介质层(2)、单晶硅压力敏感膜(3),所述第二SOI结构包括单晶硅压力敏感膜(3)、第二绝缘隔离介质层(4)、α-硅薄膜电阻层(5)。
2.根据权利要求1所述的双SOI结构MEMS压力传感器芯片,其特征在于:其中α-硅薄膜电阻层(5)经刻蚀形成惠斯通电桥。
3.根据权利要求1所述的双SOI结构MEMS压力传感器芯片,其特征在于:还包括形成在α-硅薄膜电阻层(5)上的互连引线(6)。
4.根据权利要求1或2所述的双SOI结构MEMS压力传感器芯片,其特征在于:还包括形成在第二绝缘隔离介质层(4)与α-硅薄膜电阻层(5)上的保护层(7)。
5.根据权利要求1所述的双SOI结构MEMS压力传感器芯片,其特征在于:还包括键合在第一SOI结构衬底硅片(1)上的玻璃片(9),以形成绝压压力传感器芯片结构。
6.一种制备双SOI结构MEMS压力传感器芯片的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)制备第一SOI结构;
(2)制备第二SOI结构,所述制备第二SOI结构,包括在第一SOI结构的顶层单晶硅压力敏感膜(3)制备第二绝缘隔离介质层(4),在所述第二绝缘隔离介质层(4)上沉积α-硅薄膜电阻层(5);
(3)对α-硅薄膜电阻层(5)进行离子注入掺杂,并刻蚀形成惠斯通电桥;
(4)制备互连引线(6);
(5)对第一SOI结构进行背面刻蚀,制备压力参考腔(8)。
7.根据权利要求6所述的制备双SOI结构MEMS压力传感器芯片的方法,其特征在于,还包括:
根据压力量程要求确定芯片及敏感膜尺寸,通过理论计算确定压力敏感膜上的线性应力区,布置α-硅电阻及金属互连并制作光刻版的设计步骤。
8.根据权利要求6所述的制备双SOI结构MEMS压力传感器芯片的方法,其特征在于,所述制备第一SOI结构包括:
对P型或N型<100>晶向硅片热氧化,再进行键合,形成第一SOI结构,该第一SOI结构包括P型或N型衬底硅片(1)、第一绝缘隔离介质层(2)、单晶硅压力敏感膜(3)。
9.根据权利要求6所述的制备双SOI结构MEMS压力传感器芯片的方法,其特征在于,所述沉积α-硅薄膜电阻层(5)包括:在第二绝缘隔离介质层(4)上通过540-580℃低温工艺淀积α-硅薄膜,该α-硅薄膜的厚度为0.4~1微米。
10.根据权利要求6所述的制备双SOI结构MEMS压力传感器芯片的方法,其特征在于,还包括在第一SOI结构背面键合玻璃片(9)的步骤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510353518.8A CN104931163B (zh) | 2015-06-24 | 2015-06-24 | 一种双soi结构mems压力传感器芯片及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510353518.8A CN104931163B (zh) | 2015-06-24 | 2015-06-24 | 一种双soi结构mems压力传感器芯片及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104931163A true CN104931163A (zh) | 2015-09-23 |
CN104931163B CN104931163B (zh) | 2018-08-17 |
Family
ID=54118437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510353518.8A Active CN104931163B (zh) | 2015-06-24 | 2015-06-24 | 一种双soi结构mems压力传感器芯片及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104931163B (zh) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105953955A (zh) * | 2016-07-13 | 2016-09-21 | 西安航天动力测控技术研究所 | 嵌入式压阻微型应力传感器 |
CN107673306A (zh) * | 2017-08-12 | 2018-02-09 | 北方电子研究院安徽有限公司 | 一种mems压力传感器的制备方法 |
CN107827077A (zh) * | 2017-09-21 | 2018-03-23 | 广东电网有限责任公司惠州供电局 | 一种压阻式mems温度传感器及其制作方法 |
CN107957304A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-04-24 | 中国科学院半导体研究所 | 基于二维电子气的mems高温压力传感器及其制备方法 |
CN108147361A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-06-12 | 中国科学院半导体研究所 | 浓硼掺杂硅纳米线压阻式mems压力传感器的制备方法 |
CN108400235A (zh) * | 2018-02-28 | 2018-08-14 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | Si基GaN压力传感器的制备方法 |
CN108981982A (zh) * | 2018-06-05 | 2018-12-11 | 无锡莱顿电子有限公司 | 一种mems压力传感器及其制作方法 |
CN109115391A (zh) * | 2017-06-26 | 2019-01-01 | 上海微联传感科技有限公司 | 一种mems压力传感器 |
CN109341907A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-02-15 | 华景传感科技(无锡)有限公司 | 一种压力传感器 |
CN109642841A (zh) * | 2016-08-25 | 2019-04-16 | 株式会社电装 | 压力传感器 |
CN109799026A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-05-24 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | Mems压力传感器及制备方法 |
CN111912551A (zh) * | 2020-07-16 | 2020-11-10 | 嘉兴学院 | 一种高稳定性单晶硅压力传感器 |
CN112798158A (zh) * | 2021-04-14 | 2021-05-14 | 江西新力传感科技有限公司 | 一种压力传感器芯片及压力传感器 |
CN114485797A (zh) * | 2022-01-27 | 2022-05-13 | 无锡胜脉电子有限公司 | 温压一体式mems传感器芯片及其制备方法 |
WO2023108365A1 (zh) * | 2021-12-13 | 2023-06-22 | 华为技术有限公司 | 微机电***mems微镜及其制备方法、探测装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050274193A1 (en) * | 2004-06-11 | 2005-12-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Monolithic multi-functional integrated sensor and method for fabricating the same |
CN102445301A (zh) * | 2011-11-23 | 2012-05-09 | 无锡芯感智半导体有限公司 | 温漂自补偿soi压力传感器 |
CN202305094U (zh) * | 2011-07-14 | 2012-07-04 | 无锡芯感智半导体有限公司 | Soi结构高温压力传感器 |
CN102998037A (zh) * | 2012-09-15 | 2013-03-27 | 华东光电集成器件研究所 | 介质隔离压阻式压力传感器及其制备方法 |
CN204855051U (zh) * | 2015-06-24 | 2015-12-09 | 无锡芯感智半导体有限公司 | 一种双soi结构mems压力传感器芯片 |
-
2015
- 2015-06-24 CN CN201510353518.8A patent/CN104931163B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050274193A1 (en) * | 2004-06-11 | 2005-12-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Monolithic multi-functional integrated sensor and method for fabricating the same |
CN202305094U (zh) * | 2011-07-14 | 2012-07-04 | 无锡芯感智半导体有限公司 | Soi结构高温压力传感器 |
CN102445301A (zh) * | 2011-11-23 | 2012-05-09 | 无锡芯感智半导体有限公司 | 温漂自补偿soi压力传感器 |
CN102998037A (zh) * | 2012-09-15 | 2013-03-27 | 华东光电集成器件研究所 | 介质隔离压阻式压力传感器及其制备方法 |
CN204855051U (zh) * | 2015-06-24 | 2015-12-09 | 无锡芯感智半导体有限公司 | 一种双soi结构mems压力传感器芯片 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
施锦行: "21世纪的硅器件及其新工艺", 《半导体技术》 * |
柴书常: "双SOI结构高性能压力传感器", 《物探装备》 * |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105953955A (zh) * | 2016-07-13 | 2016-09-21 | 西安航天动力测控技术研究所 | 嵌入式压阻微型应力传感器 |
CN109642841B (zh) * | 2016-08-25 | 2021-06-01 | 株式会社电装 | 压力传感器 |
CN109642841A (zh) * | 2016-08-25 | 2019-04-16 | 株式会社电装 | 压力传感器 |
US10921205B2 (en) | 2016-08-25 | 2021-02-16 | Denso Corporation | Pressure sensor including protective film to avoid adhesion of foreign material |
CN109115391B (zh) * | 2017-06-26 | 2024-06-04 | 华景传感科技(无锡)有限公司 | 一种mems压力传感器 |
CN109115391A (zh) * | 2017-06-26 | 2019-01-01 | 上海微联传感科技有限公司 | 一种mems压力传感器 |
CN107673306B (zh) * | 2017-08-12 | 2019-06-21 | 北方电子研究院安徽有限公司 | 一种mems压力传感器的制备方法 |
CN107673306A (zh) * | 2017-08-12 | 2018-02-09 | 北方电子研究院安徽有限公司 | 一种mems压力传感器的制备方法 |
CN107827077A (zh) * | 2017-09-21 | 2018-03-23 | 广东电网有限责任公司惠州供电局 | 一种压阻式mems温度传感器及其制作方法 |
CN107957304A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-04-24 | 中国科学院半导体研究所 | 基于二维电子气的mems高温压力传感器及其制备方法 |
CN108147361A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-06-12 | 中国科学院半导体研究所 | 浓硼掺杂硅纳米线压阻式mems压力传感器的制备方法 |
CN108400235A (zh) * | 2018-02-28 | 2018-08-14 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | Si基GaN压力传感器的制备方法 |
CN108400235B (zh) * | 2018-02-28 | 2021-06-15 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | Si基GaN压力传感器的制备方法 |
CN108981982A (zh) * | 2018-06-05 | 2018-12-11 | 无锡莱顿电子有限公司 | 一种mems压力传感器及其制作方法 |
CN109341907A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-02-15 | 华景传感科技(无锡)有限公司 | 一种压力传感器 |
CN109799026A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-05-24 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | Mems压力传感器及制备方法 |
CN111912551A (zh) * | 2020-07-16 | 2020-11-10 | 嘉兴学院 | 一种高稳定性单晶硅压力传感器 |
CN112798158A (zh) * | 2021-04-14 | 2021-05-14 | 江西新力传感科技有限公司 | 一种压力传感器芯片及压力传感器 |
WO2023108365A1 (zh) * | 2021-12-13 | 2023-06-22 | 华为技术有限公司 | 微机电***mems微镜及其制备方法、探测装置 |
CN114485797A (zh) * | 2022-01-27 | 2022-05-13 | 无锡胜脉电子有限公司 | 温压一体式mems传感器芯片及其制备方法 |
CN114485797B (zh) * | 2022-01-27 | 2023-06-02 | 无锡胜脉电子有限公司 | 温压一体式mems传感器芯片及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104931163B (zh) | 2018-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104931163A (zh) | 一种双soi结构mems压力传感器芯片及其制备方法 | |
CN1974372B (zh) | 差压/绝压/温度三参数单片集成传感器芯片 | |
CN202305094U (zh) | Soi结构高温压力传感器 | |
CN105241369A (zh) | 一种mems应变计芯片及其制造工艺 | |
CN111076856B (zh) | 温漂自补偿soi压力传感器 | |
CN101271028A (zh) | 基于硅硅键合和绝缘层上硅的压力传感器芯片及方法 | |
Basov et al. | Investigation of high-sensitivity piezoresistive pressure sensors at ultra-low differential pressures | |
CN106644195B (zh) | 一种高温大量程硅-蓝宝石压力传感器结构 | |
CN104058361A (zh) | 一种基于预制空腔soi基片的集成压阻式加速度计与压力计的加工方法 | |
CN105444931A (zh) | 基于牺牲层技术的soi压力敏感芯片及其制造方法 | |
CN105486435A (zh) | 一种mems多晶硅纳米膜压力传感器芯片及其制作方法 | |
CN101290255B (zh) | 0-50Pa单片硅基SOI超低微压传感器的制备方法 | |
CN204855051U (zh) | 一种双soi结构mems压力传感器芯片 | |
San et al. | Silicon–glass-based single piezoresistive pressure sensors for harsh environment applications | |
CN104864988B (zh) | 硅岛膜结构的mems压力传感器及其制作方法 | |
CN105716750B (zh) | 一种mems压阻式压力传感器及其制备方法 | |
CN104425485A (zh) | 一种硅压阻式压力传感器芯片 | |
CN106768514A (zh) | 压力传感器的制备方法及压力传感器 | |
CN105000529B (zh) | 一种基于mems工艺的压力传感器芯片及其制备方法 | |
CN114275731A (zh) | 一种基于mems的双梁式微压感测芯体及其制备工艺 | |
CN114314498B (zh) | Mems薄膜真空计及其制备方法 | |
CN114235232B (zh) | 一种mems压力传感器及其制备方法 | |
CN102359836A (zh) | 一种mems压阻式拉压力芯片及传感器的制作方法 | |
CN102980695B (zh) | 一种基于soi硅片的mems压阻式绝对压力传感器 | |
CN103954383A (zh) | 一种可用于高温环境下壁面剪应力测量的底层隔板微传感器及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP02 | Change in the address of a patent holder | ||
CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: No. 100-17 Dicui Road, Liyuan Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province, 214000 Patentee after: WUXI SENCOCH SEMICONDUCTOR Co.,Ltd. Address before: Room 10-225, Hujing Science and Technology Park, No. 288 Shibawan Road (Meiyuan Jikangli), Binhu District, Wuxi City, Jiangsu Province, 214064 Patentee before: WUXI SENCOCH SEMICONDUCTOR Co.,Ltd. |