CN104914966B - 一种单片机自断电重启电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种单片机自断电重启电路,与单片机连接,包括开关芯片U1、复位芯片U2、P沟道MOS管Q1、N沟道MOS管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、供电电源VCC和受控电源VCC_CTRL。本发明在单片机由于某种故障死机时,单片机的看门狗信号输出端停止输出看门狗信号,复位芯片在超过预设期限未接收到看门狗信号时,复位芯片的复位信号输出端输出低电平,由于开关芯片U1的常开端与开关芯片U1的公共端连接,将N沟道MOS管Q2的栅极电压拉低,使得N沟道MOS管Q2断开,N沟道MOS管Q2的漏极电压被电阻R3拉高,即将P沟道MOS管Q1的栅极电压拉高,P沟道MOS管Q1断开,实现受控电源VCC_CTRL断电,供电电源VCC保持上电状态,电路重新启动。
Description
技术领域
本发明涉及嵌入式***技术领域,特别是涉及一种单片机自断电重启电路。
背景技术
目前,单片机复位电路通常采用专用复位芯片实现,然而对于较强烈干扰环境,如输电线路在线检测线路等,由于某种原因导致专用复位芯片不能正常复位单片机,引起死机,此时,只有通过切断单片机电源并维持断电状态数秒后,***重新上电才能正常工作。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种单片机自断电重启电路,当单片机由于某种故障死机时,单片机的看门狗信号输出端停止输出看门狗信号,复位芯片在超过预设期限未接收到看门狗信号时,复位芯片的复位信号输出端输出低电平,由于开关芯片U1的常开端与开关芯片U1的公共端连接, 将N沟道MOS管Q2的栅极电压拉低,使得N沟道MOS管Q2断开,N沟道MOS管Q2的漏极电压被电阻R3拉高,即将P沟道MOS管Q1的栅极电压拉高,P沟道MOS管Q1断开,实现受控电源VCC_CTRL断电,供电电源VCC保持上电状态,电路重新启动。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:一种单片机自断电重启电路,与单片机连接,包括开关芯片U1、复位芯片U2、P沟道MOS管Q1、N沟道MOS管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、供电电源VCC和受控电源VCC_CTRL,复位芯片的电源端与受控电源VCC_CTRL连接,复位芯片的看门狗信号输入端与单片机的看门狗信号输出端连接,复位芯片的复位信号输出端与开关芯片U1的常开端连接,开关芯片U1的控制输入端通过电阻R1与受控电源VCC_CTRL电连接,开关芯片U1的控制输入端通过电容C1接地,开关芯片U1的电源端与供电电源VCC电连接,开关芯片U1的公共端与N沟道MOS管Q2的栅极连接,N沟道MOS管Q2的栅极通过电阻R2与供电电源VCC连接,N沟道MOS管Q2的漏极通过电阻R3与供电电源VCC连接,N沟道MOS管Q2的栅极通过电容C2接地,N沟道MOS管Q2的源极接地,N沟道MOS管Q2的漏极与P沟道MOS管Q1的栅极连接,P沟道MOS管Q1的源极与供电电源VCC连接,P沟道MOS管Q1的漏极与受控电源VCC_CTRL连接,受控电源VCC_CTRL与单片机的电源端连接。
所述开关芯片U1为单刀双掷开关。
所述开关芯片U1的型号为TS5A3159。
所述P沟道MOS管Q1的型号为SI2347DS,N沟道MOS管Q2的型号为BSS138。
本发明的有益效果是:当单片机由于某种故障死机时,单片机的看门狗信号输出端停止输出看门狗信号,复位芯片在超过预设期限未接收到看门狗信号时,复位芯片的复位信号输出端输出低电平,由于开关芯片U1的常开端与开关芯片U1的公共端连接, 将N沟道MOS管Q2的栅极电压拉低,使得N沟道MOS管Q2断开,N沟道MOS管Q2的漏极电压被电阻R3拉高,即将P沟道MOS管Q1的栅极电压拉高,P沟道MOS管Q1断开,实现受控电源VCC_CTRL断电,供电电源VCC保持上电状态,电路重新启动。
附图说明
图1为本发明单片机自断电重启电路的电路图。
具体实施方式
下面结合附图进一步详细描述本发明的技术方案,但本发明的保护范围不局限于以下所述。
如图1所示,一种单片机自断电重启电路,与单片机连接,包括开关芯片U1、复位芯片U2、P沟道MOS管Q1、N沟道MOS管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、供电电源VCC和受控电源VCC_CTRL,复位芯片的电源端与受控电源VCC_CTRL连接,复位芯片的看门狗信号输入端与单片机的看门狗信号输出端连接,复位芯片的复位信号输出端与开关芯片U1的常开端连接,开关芯片U1的控制输入端通过电阻R1与受控电源VCC_CTRL电连接,开关芯片U1的控制输入端通过电容C1接地,开关芯片U1的电源端与供电电源VCC电连接,开关芯片U1的公共端与N沟道MOS管Q2的栅极连接,N沟道MOS管Q2的栅极通过电阻R2与供电电源VCC连接,N沟道MOS管Q2的漏极通过电阻R3与供电电源VCC连接,N沟道MOS管Q2的栅极通过电容C2接地,N沟道MOS管Q2的源极接地,N沟道MOS管Q2的漏极与P沟道MOS管Q1的栅极连接,P沟道MOS管Q1的源极与供电电源VCC连接,P沟道MOS管Q1的漏极与受控电源VCC_CTRL连接,受控电源VCC_CTRL与单片机的电源端连接。
所述开关芯片U1为单刀双掷开关。
所述开关芯片U1的型号为TS5A3159。
所述P沟道MOS管Q1的型号为SI2347DS,N沟道MOS管Q2的型号为BSS138。
工作时,供电电源VCC上电,开关芯片U1由供电电源VCC供电,开关芯片U1的控制输入端未上电,开关芯片U1的公共端连接到开关芯片U1的常闭端,供电电源VCC通过电阻R2向电容C2充电,充电时间由充电时间常数t2决定,电容C2的电压达到N沟道MOS管Q2的门限电压后,N沟道MOS管Q2导通,N沟道MOS管Q2的漏极和源极接通,由于N沟道MOS管Q2的源极接地,从而拉低P沟道MOS管Q1的栅极电压,使得P沟道MOS管Q1导通,从而接通供电电源VCC与受控电源VCC_CTRL;受控电源VCC_CTRL向复位芯片供电,复位芯片的复位信号输出端输出高电平,受控电源VCC_CTRL通过电阻R1向电容C1充电,充电时间由充电时间常数t1决定,达到门限电压后,开关芯片U1的公共端切换到常开端,从而连接到复位芯片的复位信号输出端,保持高电平,保证P沟道MOS管Q1导通,实现供电电源VCC与受控电源VCC_CTRL接通。
当单片机由于某种故障死机时,单片机的看门狗信号输出端停止输出看门狗信号,复位芯片在超过预设期限未接收到看门狗信号时,复位芯片的复位信号输出端输出低电平,由于开关芯片U1的常开端与开关芯片U1的公共端连接, 将N沟道MOS管Q2的栅极电压拉低,使得N沟道MOS管Q2断开,N沟道MOS管Q2的漏极电压被电阻R3拉高,即将P沟道MOS管Q1的栅极电压拉高,P沟道MOS管Q1断开,实现受控电源VCC_CTRL断电,供电电源VCC保持上电状态,电路重新启动。
本实施例中,电阻R1的阻值为20KΩ,电阻R2的阻值为499KΩ,电容C1的电容值为10μF,电容C2的电容值为10μF,充电时间常数t1=R1*C1=0.2S,充电时间常数t2=R2*C2=4.99S。通过修改电阻R1、电阻R2、电容C1和电容C2的值能够改变自断电重启电路的自断电重启时间。
Claims (4)
1.一种单片机自断电重启电路,与单片机连接,其特征在于:包括开关芯片U1、复位芯片U2、P沟道MOS管Q1、N沟道MOS管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、供电电源VCC和受控电源VCC_CTRL,复位芯片的电源端与受控电源VCC_CTRL连接,复位芯片的看门狗信号输入端与单片机的看门狗信号输出端连接,复位芯片的复位信号输出端与开关芯片U1的常开端连接,开关芯片U1的控制输入端通过电阻R1与受控电源VCC_CTRL电连接,开关芯片U1的控制输入端通过电容C1接地,开关芯片U1的电源端与供电电源VCC电连接,开关芯片U1的公共端与N沟道MOS管Q2的栅极连接,N沟道MOS管Q2的栅极通过电阻R2与供电电源VCC连接,N沟道MOS管Q2的漏极通过电阻R3与供电电源VCC连接,N沟道MOS管Q2的栅极通过电容C2接地,N沟道MOS管Q2的源极接地,N沟道MOS管Q2的漏极与P沟道MOS管Q1的栅极连接,P沟道MOS管Q1的源极与供电电源VCC连接,P沟道MOS管Q1的漏极与受控电源VCC_CTRL连接,受控电源VCC_CTRL与单片机的电源端连接;
当单片机由于某种故障死机时,单片机的看门狗信号输出端停止输出看门狗信号,复位芯片在超过预设期限未接收到看门狗信号时,复位芯片的复位信号输出端输出低电平,由于开关芯片U1的常开端与开关芯片U1的公共端连接, 将N沟道MOS管Q2的栅极电压拉低,使得N沟道MOS管Q2断开,N沟道MOS管Q2的漏极电压被电阻R3拉高,即将P沟道MOS管Q1的栅极电压拉高,P沟道MOS管Q1断开,实现受控电源VCC_CTRL断电,供电电源VCC保持上电状态,电路重新启动。
2.根据权利要求1所述的一种单片机自断电重启电路,其特征在于:所述开关芯片U1为单刀双掷开关。
3.根据权利要求2所述的一种单片机自断电重启电路,其特征在于:所述开关芯片U1的型号为TS5A3159。
4.根据权利要求1所述的一种单片机自断电重启电路,其特征在于:所述P沟道MOS管Q1的型号为SI2347DS,N沟道MOS管Q2的型号为BSS138。
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