CN104901142B - 同时加工不同结构的同轴线的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种同时加工不同结构的同轴线的方法，不同结构的同轴线至少包括第一同轴线和第二同轴线，第一同轴线至少包括第一外绝缘层、第一屏蔽线层、第一内绝缘层和第一芯线导体层，第二同轴线至少包括第二外绝缘层和第二芯线导体层，所述方法包括：同时切割并剥除第一同轴线的第一外绝缘层和第二同轴线的第二外绝缘层，以暴露出第一屏蔽线层和第二芯线导体层；对第一屏蔽线层进行部分切割，并切断第二芯线导体层；剥除部分切割后的第一屏蔽线层，并对暴露出的第一内绝缘层和第一芯线导体层进行相应的切割处理。由于只是对第一屏蔽线层进行了部分切割，并未切断第一屏蔽线层，因此，不会对内侧的第一内绝缘层进行破坏。

Description

同时加工不同结构的同轴线的方法

技术领域

本发明涉及电气技术领域，更具体地说，涉及一种同时加工不同结构的同轴线的方法。

背景技术

随着电子产品的高度集成化和微型化，极细同轴线的开发应用已经受到越来越高的关注，并且，不同结构的极细同轴线也越来越广泛地应用在电脑主机排线等高精密产品上。

极细同轴线一般由多层(4层甚至5层)线体构成，如图1所示，一种4层的极细同轴线从外到内依次包括第1层的外绝缘层1，第2层的屏蔽线层2，第3层的内绝缘层3，第4层的芯线导体层4。由于极细同轴线在制作时多层线体是一致成型，因此，在使用极细同轴线时，必须对其进行剥切加工，以露出进行焊接的屏蔽线层2和芯线导体层4。

但是，由于直径小于0.5mm的极细同轴线的每一层结构都极薄，因此，在对极细同轴线进行加工，尤其是在对不同结构的极细同轴线进行同时加工时，如何在切割第2层的屏蔽线层时保证第3层的内绝缘层不被破坏，已经成为当前亟待解决的技术难点之一。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种同时加工不同结构的同轴线的方法，以解决现有技术中在切割屏蔽线层时会破坏内绝缘层的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种同时加工不同结构的同轴线的方法，所述不同结构的同轴线至少包括第一同轴线和第二同轴线，所述第一同轴线至少包括第一外绝缘层、第一屏蔽线层、第一内绝缘层和第一芯线导体层，所述第二同轴线至少包括第二外绝缘层和第二芯线导体层，所述方法包括：

同时切割并剥除所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第二外绝缘层，以暴露出所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层；

对所述第一屏蔽线层进行部分切割，并切断所述第二芯线导体层；

剥除部分切割后的所述第一屏蔽线层，并对暴露出的所述第一内绝缘层和所述第一芯线导体层进行相应的切割处理。

优选的，所述同时切割并剥除所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第二外绝缘层，包括：

采用激光切割机切割所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第二外绝缘层；

采用拉拔工装剥离切割后的所述第一外绝缘层和第二外绝缘层，以暴露出所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层。

优选的，在对所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层进行切割之前，还包括：

对所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层进行浸锡处理。

优选的，对所述第一屏蔽线层进行部分切割，并切断所述第二芯线导体层，包括：

采用设定为第一参数的激光切割机对所述第一屏蔽线层进行部分切割；

采用设定为第二参数的所述激光切割机切断所述第二芯线导体层。

优选的，所述第一参数是指所述激光切割机的功率范围为11W～16W，切割速度为80mm/s～110mm/s。

优选的，所述第二参数是指所述激光切割机的功率范围为16W～19W，切割速度为8mm/s～14mm/s。

优选的，所述对所述第一屏蔽线层进行部分切割包括所述第一屏蔽线层的切割厚度大于或等于所述第一屏蔽线层厚度的二分之一。

优选的，所述剥除切割后的所述第一屏蔽线层是指采用拉拔工装剥离所述第一屏蔽线层。

优选的，所述对暴露出的所述第一内绝缘层和所述第一芯线导体层进行相应的切割处理，包括：

采用激光切割机切断所述第一内绝缘层，并采用拉拔工装剥离所述切割后的第一内绝缘层；

对暴露出的所述第一芯线导体层进行浸锡处理，并采用激光切割机切断所述第一芯线导体层。

优选的，所述第一同轴线和第二同轴线为直径小于0.5mm的极细同轴线。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：

本发明所提供的同时加工不同结构的同轴线的方法，同时切割并剥除第一同轴线的第一外绝缘层和第二同轴线的第二外绝缘层后，对所述第一屏蔽线层进行部分切割，并切断所述第二芯线导体层，然后再剥除部分切割后的所述第一屏蔽线层，并对暴露出的所述第一内绝缘层和所述第一芯线导体层进行相应的切割处理。由于本发明提供的方法只是对第一屏蔽线层进行了部分切割，并未切断所述第一屏蔽线层，因此，不会对内侧的第一内绝缘层进行破坏，从而避免了切割屏蔽线层时破坏内绝缘层的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明的一个实施例提供的一种同时加工不同结构的同轴线的方法的流程图；

图2为本发明的一个实施例提供的第一同轴线和第二同轴线的示意图；

图3为本发明的一个实施例提供的第一外绝缘层和第二外绝缘层的切割示意图；

图4为本发明的一个实施例提供的剥离第一外绝缘层和第二外绝缘层后的结构示意图；

图5为本发明的一个实施例提供的第一屏蔽线层和第二芯线导体层的切割示意图；

图6为本发明的一个实施例提供的剥离第一屏蔽线层后的结构示意图；

图7为本发明的一个实施例提供的第一内绝缘层的切割示意图；

图8为本发明的一个实施例提供的第一芯线导体层的切割示意图；

图9为本发明的一个实施例提供的加工完成后的第一同轴线和第二同轴线的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的一个实施例提供了一种同时加工不同结构的同轴线的方法，本实施例中的同轴线均为直径小于0.5mm的极细同轴线，其中，所述不同结构的同轴线至少包括一根第一同轴线和一根第二同轴线，所述第一同轴线从外到内至少依次包括第一外绝缘层、第一屏蔽线层、第一内绝缘层和第一芯线导体层，所述第二同轴线从外到内至少依次包括第二外绝缘层和第二芯线导体层，当然，所述第一芯线导体层内侧还可包括第一内芯绝缘层，所述第二芯线导体层内侧还可包括第二内绝缘层，本发明并不对此进行限定。

其中，芯线导体层的作用是传输信号，屏蔽线层的作用是防止芯线导体层在传输信号时产生电磁干扰，在后续焊接时，屏蔽线层与地线板焊接在一起，芯线导体层与待连接部件的连接端子焊接在一起。基于此，在切割的过程中，需保证芯线导体层和屏蔽线层保留一定的长度。

下面以包括第一外绝缘层10、第一屏蔽线层11、第一内绝缘层12和第一芯线导体层13的第一同轴线1和包括第二外绝缘层20、第二芯线导体层21和第二内绝缘层(图中未示出)的第二同轴线2为例，对本发明提供的不同结构的极细同轴线进行同时加工的方法进行说明，参考图2～图9。

对不同结构的同轴线进行同时加工的方法的流程图如图1所示，包括：

S101：同时切割并剥除所述第一同轴线1的第一外绝缘层10和所述第二同轴线2的第二外绝缘层20，以暴露出所述第一屏蔽线层11和所述第二芯线导体层21；

具体地，同时切割并剥除第一同轴线1的第一外绝缘层10和第二同轴线2的第二外绝缘层20，包括：

参考图2和图3，先采用激光切割机切割第一同轴线1的第一外绝缘层10和第二同轴线2的第二外绝缘层20，其中，激光切割机的工艺参数可根据具体情况进行设定，只需保证第一外绝缘层10和第二外绝缘层20切断，第一屏蔽线层11和第二芯线导体层21未被切割即可。此外，第一外绝缘层10和第二外绝缘层20可以都沿切割线a切断，也可以其中一个按照切割线a切断，另一个按照其他位置的切割线切断，本发明并不仅限于此。但是，需保证切割后露出的第一屏蔽线层11和第二芯线导体层21的长度能够满足后续的切割以及焊接需求。

第一外绝缘层10和第二外绝缘层20切断之后，参考图4，采用拉拔工装剥离切割后的第一外绝缘层10和第二外绝缘层20，以暴露出第一屏蔽线层11和第二芯线导体层21。

S102：对所述第一屏蔽线层11进行部分切割，并切断所述第二芯线导体层21；

其中，在对第一屏蔽线层11和第二芯线导体层21进行切割之前，还需对第一屏蔽线层11和第二芯线导体层21进行浸锡处理，具体地，可以采用特定温度的锡炉进行浸锡处理，浸锡的温度可根据实际情况进行设定。

进行浸锡处理后，参考图5，先将激光切割机设定为第一参数，采用第一参数的所述激光切割机对第一屏蔽线层11进行部分切割，其中，第一参数是指所述激光切割机的功率范围为11W～16W，切割速度为80mm/s～110mm/s；部分切割是指沿切割线c对第一屏蔽线层11进行切割，但是并未将第一屏蔽线层11切断。对第一屏蔽线层11进行部分切割包括切割厚度大于或等于第一屏蔽线层厚度的二分之一，当然，本发明并不对切割的具体厚度进行限定。

之后，将激光切割机设定为第二参数，并采用第二参数的所述激光切割机对第二芯线导体层21进行切割，此时，需保证第二芯线导体层21以及第二芯线导体层21内侧的第二内绝缘层整体切断，且保留侧第二芯线导体层21的长度需满足焊接的需求。其中，第二参数是指所述激光切割机的功率范围为16W～19W，切割速度为8mm/s～14mm/s。

S103：剥除部分切割后的所述第一屏蔽线层11，并对暴露出的所述第一内绝缘层12和所述第一芯线导体层13进行相应的切割处理。

由于已经对第一屏蔽线层11进行了部分切割，因此，可按切割线c对第一同轴线1进行弯折，使第一屏蔽线层11彻底折断，然后采用拉拔工装剥离第一屏蔽线层11。同样，保留下的第一屏蔽线层11的长度需满足后续焊接的需求。

剥离第一屏蔽线层11后，参考图6，会暴露出第一屏蔽线层11内侧的第一内绝缘层12和第一芯线导体层13。

之后，参考图7，采用所述激光切割机，沿切割线d切断第一内绝缘层12，此时需要将激光切割机设定合理的参数，以保证切断第一内绝缘层12的同时不破坏第一芯线导体层13。然后采用拉拔工装剥离切割后的第一内绝缘层12，保留一定长度的第一内绝缘层12，并暴露出第一芯线导体层13，参考图8。

同样，采用特定温度的锡炉对第一芯线导体层13进行浸锡处理，然后采用特定参数的所述激光切割机进行切割，参考图9，沿切割线e切断第一芯线导体层13并保留一定长度的第一芯线导体层13，以用于后续的焊接工艺。

本实施例提供的同时加工不同结构的同轴线的方法，同时切割并剥除第一同轴线的第一外绝缘层和第二同轴线的第二外绝缘层后，对所述第一屏蔽线层进行部分切割，并切断所述第二芯线导体层，然后再剥除部分切割后的所述第一屏蔽线层，并对暴露出的所述第一内绝缘层和所述第一芯线导体层进行相应的切割处理。由于本发明提供的方法只是对第一屏蔽线层进行了部分切割，并未切断所述第一屏蔽线层，因此，不会对内侧的第一内绝缘层进行破坏，从而避免了切割屏蔽线层时破坏内绝缘层的问题。

本发明提供的方法能够高效的对不同结构的直径小于0.5mm的极细同轴线的末端同时进行切割剥离加工，既能确保第一同轴线的第一内绝缘层不被破坏，又能满足焊接要求，且具有量产稳定性。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (6)

1.一种同时加工不同结构的同轴线的方法，其特征在于，所述不同结构的同轴线至少包括第一同轴线和第二同轴线，所述第一同轴线至少包括第一外绝缘层、第一屏蔽线层、第一内绝缘层和第一芯线导体层，所述第二同轴线至少包括第二外绝缘层和第二芯线导体层，所述方法包括：

同时切割并剥除所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第二外绝缘层，以暴露出所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层；

将激光切割机设定为第一参数，并采用设定为所述第一参数的所述激光切割机对所述第一屏蔽线层进行部分切割，将所述激光切割机设定为第二参数，并采用设定为所述第二参数的所述激光切割机切断所述第二芯线导体层，其中，所述对所述第一屏蔽线层进行部分切割包括所述第一屏蔽线层的切割厚度大于或等于所述第一屏蔽线层厚度的二分之一，所述第一参数是指所述激光切割机的功率范围为11W～16W，切割速度为80mm/s～110mm/s，所述第二参数是指所述激光切割机的功率范围为16W～19W，切割速度为8mm/s～14mm/s；

剥除部分切割后的所述第一屏蔽线层，并对暴露出的所述第一内绝缘层和所述第一芯线导体层进行相应的切割处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述同时切割并剥除所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第二外绝缘层，包括：

采用激光切割机切割所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第二外绝缘层；

采用拉拔工装剥离切割后的所述第一外绝缘层和第二外绝缘层，以暴露出所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层进行切割之前，还包括：

对所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层进行浸锡处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述剥除切割后的所述第一屏蔽线层是指采用拉拔工装剥离所述第一屏蔽线层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对暴露出的所述第一内绝缘层和所述第一芯线导体层进行相应的切割处理，包括：

采用激光切割机切断所述第一内绝缘层，并采用拉拔工装剥离所述切割后的第一内绝缘层；

对暴露出的所述第一芯线导体层进行浸锡处理，并采用激光切割机切断所述第一芯线导体层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一同轴线和第二同轴线为直径小于0.5mm的极细同轴线。