CN104881654B

CN104881654B - 一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别***

Info

Publication number: CN104881654B
Application number: CN201510292446.0A
Authority: CN
Inventors: 刘霖; 刘永; 邱会中; 杨先明; 张晓奕
Original assignee: Ningbo Momi Innovation Works Electronic Technology Co Ltd
Current assignee: Tianjin Huaguoren Cartoon Creation Co ltd
Priority date: 2015-05-30
Filing date: 2015-05-30
Publication date: 2018-01-09
Anticipated expiration: 2035-05-30
Also published as: CN104881654A

Abstract

本发明公开了一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别***，其由红外成像***(1)，与红外成像***(1)相连接的图像识别***(2)组成；所述的图像识别***(2)包括中央处理模块(21)，与中央处理模块(21)相连接的图像处理***(22)、显示器(23)、报警器(24)以及存储器(25)，所述的图像识别***(2)还设置有降噪模块(26)，该降噪模块(26)与图像处理***(22)相连接；本发明通过前置放大电路，可以不失真的对图像信号进行放大，放大后的图像更加清晰，进一步的提升了本发明的识别精度。同时，本发明设置有降噪模块，其可以过滤掉图像信号在传输过程中所出现的干扰噪声，使图像信号恢复到原始的效果。

Description

一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别***

技术领域

本发明涉及一种图像识别***，具体是指一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别***。

背景技术

为了鉴别使用者身份，或者为了安全考虑在某些场合下使用监测***是当前安全保障的一个通常做法。传统的做法是将监测***设置密码，该密码只有特定人员知道。然而，如果密码外泄，其他使用者就可以进行该***，同样会使安全性降低。人的一些体征是无法复制的，所以以人的体征、指纹或者人脸作为判断使用者身份的生物识别***发展很快。

其中，人脸识别技术作为生物识别领域的一个热点问题，很多研究机构和公司都在积极的进行研究和相应的产品开发，并且已经研究出了多种人脸识别算法。使用人脸识别算法进行人脸识别从而进行身份判断的准确率极高，很多产品都能达到90％以上的识别率。但是目前各种算法的产品都不能完全适应光照的变化，也就是说当环境光照变化后会造成识别率降低。国际权威测试(FRVT2002)表明，光照的变化将识别率从97％以上降低到50％左右。为了解决上述问题，出现了一种新的处理方法，即采用红外成像原理对被识别目标进行图像信号采集，由此则可以提高图像采集的精度。然而即使所采集到的图像精度高，但是图像信号在传输的过程中，不可避免的会受到噪声的干扰。因此，如何恢复原始图像，避免图像在识别过程中出像误识别则是人们所急需解决的。

发明内容

本发明的目的在于克服目前传统的图像识别***其图像信号在传输的过程中，容易受到噪声的干扰的缺陷，提供一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别***。

本发明的目的通过下述技术方案实现：一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别***，其由红外成像***，与红外成像***相连接的图像识别***组成；所述的红外成像***由红外光源，与红外光源相连接的光学***，与光学***相连接的扫描机构，与扫描机构相连接的红外探测器，与红外探测器相连接的图像采集模块，以及与图像采集模块相连接的前置放大电路组成；而所述的图像识别***则主要由中央处理模块，与中央处理模块相连接的图像处理***、显示器、报警器以及存储器组成，为了达到本发明的目的，所述的图像识别***还设置有降噪模块，该降噪模块与图像处理***相连接。

进一步的，所述的降噪模块由放大器P1，放大器P2，三极管Q6，三极管Q7，三极管Q8，场效应管MOS2，与非门IC1，与非门IC2，电阻R20，电容C17，N极与放大器P1的输出端相连接、P极则经电阻R20后与与非门IC1的第二输入端相连接的同时接地的二极管D5，一端与与非门IC1的第一输入端相连接、另一端则经电容C17后与与非门IC2的输出端相连接的电阻R21，一端与与非门IC1的输出端相连接、另一端则与电阻R21和电容C17的连接点相连接的电阻R22，以及串接在三极管Q7的发射极和集电极之间的电阻R23组成；所述放大器P1的负极接地、其正极则作为该降噪模块的输入端、其输出端则与三极管Q6的发射极相连接；所述的三极管Q7的基极与三极管Q6的基极相连接、其集电极则与三极管Q6的集电极相连接、其发射极则与场效应管MOS2的漏极相连接；所述场效应管MOS2的漏极与放大器P2的负极相连接、其栅极则与放大器P2的输出端相连接、其源极则与三极管Q8的发射极相连接；所述放大器P2的负极则作为该降噪模块的输出端、其正极接地；所述三极管Q8的基极与电阻R21和电容C17的连接点相连接、其集电极则接地；所述与非门IC2的第二输入端接地、其第一输入端则与与非门IC1的输出端相连接。

所述的前置放大电路则由放大芯片U1，三极管Q5，场效应管MOS1，电阻R17，二极管D3，电阻R18，电阻R15，电阻R19，负极经电阻R17后与放大芯片U1的IN管脚相连接、正极则作为该前置放大电路的输入端的电容C14，正极与电容C14的负极相连接、负极则顺次经二极管D3和电阻R18后与放大芯片U1的VCC管脚相连接的电容C15，正极经电阻R15后与放大芯片U1的NF管脚相连接、负极则经电阻R19后与场效应管MOS1的源极相连接的电容C13，一端与放大芯片U1的NF管脚相连接、另一端则与放大芯片U1的GND管脚相连接的同时接地的电阻R16，正极与放大芯片U1的NSC管脚相连接、负极则与三极管Q5的发射极相连接的电容C16，以及N极与三极管Q5的发射极相连接、P极则与场效应管MOS1的漏极相连接的二极管D4组成；所述三极管Q5的基极与放大芯片U1的OUT管脚相连接、其发射极接地、其集电极则与放大芯片U1的ALC管脚相连接；所述场效应管MOS1的栅极则与三极管Q5的集电极相连接；所述三极管Q5的发射极还作为该前置放大电路的的输出端。

所述的图像处理***则由信号输入电路，与信号输入电路相连接的信号处理电路，以及与信号处理电路相连接的触发电路和调谐电路组成。

所述的信号输入电路由三极管Q1，电阻R2，电阻R1，一端与三极管Q1的基极相连接、另一端则顺次经电阻R2和电阻R1后与三极管Q1的发射极相连接的电阻R3，正极与三极管Q1的发射极相连接、负极接地的电容C1，以及正极与三极管Q1的集电极相连接、负极则与信号处理电路相连接的同时接地的电容C2组成；所述的三极管Q1的发射极与信号处理电路相连接。

所述的信号处理电路由处理芯片U，电容C3，电阻R5，电容C5，P极与处理芯片U的SW1管脚相连接、N极则经电容C3后接地的二极管D1，一端与二极管D1的N极相连接、另一端则经电阻R5后与处理芯片U的GND管脚相连接的同时接地的电阻R4，正极与处理芯片U的CTRL管脚相连接、负极接地的电容C4，一端与处理芯片U的CTRL管脚相连接、另一端则经电容C5后接地的电阻R6，正极与处理芯片U的SS管脚相连接、负极则与触发电路相连接的电容C6，以及一端与处理芯片U的PGOOD管脚相连接、另一端则与调谐电路相连接的电阻R7组成；所述处理芯片U的VIN管脚与三极管Q1的发射极相连接、其FB管脚则与电阻R4和电阻R5的连接点相连接、其CTRL管脚则与电容C2的负极相连接、其SHDN管脚则与触发电路相连接。

所述的触发电路由触发芯片K，三极管Q4，电容C12,电容C11，一端与三极管Q4的基极相连接、另一端则与触发芯片K的OUT管脚相连接的电阻R12，一端与三极管Q4的发射极相连接、另一端则经电容C12后与触发芯片K的GND管脚相连接的电阻R14，以及一端与触发芯片K的LX管脚相连接、另一端则经电容C11后与触发芯片K的FB管脚相连接的电阻R13组成；所述触发芯片K的IN管脚与处理芯片U的SHDN管脚相连接、其EN管脚则与电容C6的负极相连接、其GND管脚接地；所述三极管Q4的集电极则与调谐电路相连接。

所述的调谐电路由三极管Q2，三极管Q3，电感L1，电阻R8，电容C8，电阻R9，电阻R7，N极顺次经电感L1和电阻R8后与三极管Q2的集电极相连接、P极则经电容C8后与三极管Q3的发射极相连接的变容二极管D2，一端与变容二极管D2的P极相连接、另一端则接-15V电压的电阻R11，正极与变容二极管D2的P极相连接、负极则与三极管Q4的集电极相连接的电容C9，正极与三极管Q3的发射极相连接、负极则接地的可调电容C10，一端与三极管Q2的发射极相连接、另一端则经电阻R9后接+15V电压的电感L2，正极与电感L2和电阻R9的连接点相连接、负极接地的电容C7，以及一端与电容C7的正极相连接、另一端则与三极管Q3的基极相连接的电阻R10组成；所述三极管Q2的基极经电阻R7后与处理芯片U的PGOOD管脚相连接，而三极管Q3的集电极则接地。

为了确保效果，所述的处理芯片U优选为LT1942集成电路，而触发芯片K则优选为EMD2050集成电路，放大芯片U1则优选为MC2830集成电路来实现。

本发明较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

(1)本发明能够大量抑制自然光中的可见成分，适应夜间、白天，侧、逆、正光等多变环境的使用，大大提高了本发明的应用场合。

(2)本发明采用红外成像原理对目标进行捕获，因此其不易受到外界因素干扰，且获取的信息丰富，在很大程度上提高了图像识别***的精确度。

(3)本发明的成像距离较传统的图像采集器要远，如本发明应用于门禁***中时，被识别对像则不需把脸靠得很近即可进行人脸图像采集，使识别过程更加清洁、卫生。

(4)本发明识别速度快，符合目前人们的快节奏生活的需求。

(5)本发明设置有前置放大电路，其可以不失真的对图像信号进行放大，放大后的图像更加清晰，进一步的提升了本发明的识别精度。

(6)本发明设置有降噪模块，其可以过滤掉图像信号在传输过程中所出现的干扰噪声，使图像信号恢复到原始的效果。

附图说明

图1为本发明的整体结构示意图。

图2为本发明的图像处理***电路结构示意图。

图3为本发明的前置放大电路结构示意图。

图4为本发明的降噪模块电路结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。

实施例

如图1所示，本发明由红外成像***1，与红外成像***1相连接的图像识别***2组成。该红外成像***1用于对被识别物体的图像信号进行采集，其由红外光源11，与红外光源11相连接的光学***12，与光学***12相连接的扫描机构13，与扫描机构13相连接的红外探测器14，与红外探测器14相连接的图像采集模块15，以及与图像采集模块15相连接的前置放大电路16组成。

其中，红外光源11用于发出近红外光，该近红外光为狭窄的光束，其可以使被识别目标在视场中突现出来，使其与背景形成大反差，从而可以获得较为清晰的图像，使本发明可以应用于夜间环境。当红外光照射到被识别目标时，被识别目标会对红外光进行反射，而该红外光再经光学***12进行光学滤波。而扫描机构13则对光学滤波后的红外光进行收集，并输送给红外探测器14。该红外探测器14则用于把红外辐射信号转变成电信号输出，而图像采集模块15则用于将人眼不可见的信号转变成相应的数字图像。前置放大电路16则用于对数字图像进行不失真的放大，并输送给图像识别***2。

该红外光源1采用现有的红外发光二极管来实现，而红外探测器14则优先采用广州市艾礼富电子科技有限公司生产的WS-600HW型红外探测器来实现，该型号的红外探测器的工作温度范围为-10℃～+50℃，且探测距离远。而光学***12和扫描机构13以及图像采集模块15则均采用现有的技术即可实现。

图像识别***2则用于对该红外成像***1所采集到的图像进行识别。其由中央处理模块21，与中央处理模块21相连接的图像处理***22、显示器23、报警器24、存储器25，以及与图像处理***22相连接的降噪模块26组成。

其中，中央处理模块21作为该图像识别***2的控制中心，其采用现有的单片机来实现。显示器23则用于显示被识别目标的图像，而存储器25则用于预先储存被测目标的图像。当图像识别***2接收到被测目标的实时图像时，存储器25则会把该图像与其内部预先储存的被测目标图像进行对比，如果对比不成功，存储器25则会发出信号给中央处理模块21，让其启动报警器24进行报警。而图像处理***22则用于对数据图像进行处理，使图像更加清晰。因图像信号在传输的过程中容易受到噪声的干扰，而降噪模块26则可以过滤掉干扰噪声，使图像信号恢复到原始的效果。

如图2所示，该图像处理***22则由信号输入电路，与信号输入电路相连接的信号处理电路，以及与信号处理电路相连接的触发电路和调谐电路组成。

其中，信号输入电路由三极管Q1，电阻R2，电阻R1，一端与三极管Q1的基极相连接、另一端则顺次经电阻R2和电阻R1后与三极管Q1的发射极相连接的电阻R3，正极与三极管Q1的发射极相连接、负极接地的电容C1，以及正极与三极管Q1的集电极相连接、负极则与信号处理电路相连接的同时接地的电容C2组成。所述的三极管Q1的发射极与信号处理电路相连接。

而信号处理电路由处理芯片U，电阻R4，电阻R5，电阻R6，电阻R7，电容C3，电容C4，电容C5，电容C6以及二极管D1组成。

连接时，该二极管D1的P极与处理芯片U的SW1管脚相连接、其N极则经电容C3后接地，电阻R4的一端与二极管D1的N极相连接、其另一端则经电阻R5后与处理芯片U的GND管脚相连接的同时接地，电容C4的正极与处理芯片U的CTRL管脚相连接、其负极接地，电阻R6的一端与处理芯片U的CTRL管脚相连接、其另一端则经电容C5后接地，电容C6的正极与处理芯片U的SS管脚相连接、其负极则与触发电路相连接，电阻R7的一端与处理芯片U的PGOOD管脚相连接、其另一端则与调谐电路相连接。

同时，所述处理芯片U的VIN管脚与三极管Q1的发射极相连接、其FB管脚则与电阻R4和电阻R5的连接点相连接、其CTRL管脚则与电容C2的负极相连接、其SHDN管脚则与触发电路相连接。为了确保实施效果，该处理芯片U优先采用LT1942集成电路来实现。

触发电路则由触发芯片K，三极管Q4，电阻R12，电阻R13，电阻R14，电容C11以及电容C12组成。连接时，该电阻R12的一端与三极管Q4的基极相连接、其另一端则与触发芯片K的OUT管脚相连接，电阻R14的一端与三极管Q4的发射极相连接、其另一端则经电容C12后与触发芯片K的GND管脚相连接，电阻R13的一端与触发芯片K的LX管脚相连接、其另一端则经电容C11后与触发芯片K的FB管脚相连接。所述触发芯片K的IN管脚与处理芯片U的SHDN管脚相连接、其EN管脚则与电容C6的负极相连接、其GND管脚接地；所述三极管Q4的集电极则与调谐电路相连接。为了更好的实施本发明，该触发芯片K优选为EMD2050集成电路来实现。

调谐电路可以使图像更加稳定，利于本发明对图像进行识别，其由三极管Q2，三极管Q3，电感L1，电阻R8，电容C8，电阻R9，电阻R7，N极顺次经电感L1和电阻R8后与三极管Q2的集电极相连接、P极则经电容C8后与三极管Q3的发射极相连接的变容二极管D2，一端与变容二极管D2的P极相连接、另一端则接-15V电压的电阻R11，正极与变容二极管D2的P极相连接、负极则与三极管Q4的集电极相连接的电容C9，正极与三极管Q3的发射极相连接、负极则接地的可调电容C10，一端与三极管Q2的发射极相连接、另一端则经电阻R9后接+15V电压的电感L2，正极与电感L2和电阻R9的连接点相连接、负极接地的电容C7，以及一端与电容C7的正极相连接、另一端则与三极管Q3的基极相连接的电阻R10组成。所述三极管Q2的基极经电阻R7后与处理芯片U的PGOOD管脚相连接，而三极管Q3的集电极则接地。

如图3所示，该前置放大电路16由放大芯片U1，三极管Q5，场效应管MOS1，电阻R15，电阻R16，电阻R17，电阻R18，电阻R19，电容C13，电容C14，电容C15，电容C16，二极管D3以及二极管D4组成。

连接时，电容C14的负极经电阻R17后与放大芯片U1的IN管脚相连接、其正极则作为该前置放大电路16的输入端，电容C15的正极与电容C14的负极相连接、其负极则顺次经二极管D3和电阻R18后与放大芯片U1的VCC管脚相连接，电容C13的正极经电阻R15后与放大芯片U1的NF管脚相连接、其负极则经电阻R19后与场效应管MOS1的源极相连接，电阻R16的一端与放大芯片U1的NF管脚相连接、其另一端则与放大芯片U1的GND管脚相连接的同时接地，电容C16的正极与放大芯片U1的NSC管脚相连接、其负极则与三极管Q5的发射极相连接，二极管D4的N极与三极管Q5的发射极极相连接、其P极则与场效应管MOS1的漏极相连接。

所述三极管Q5的基极与放大芯片U1的OUT管脚相连接、其发射极接地、其集电极则与放大芯片U1的ALC管脚相连接。所述场效应管MOS1的栅极则与三极管Q5的集电极相连接。所述三极管Q5的发射极还作为该前置放大电路的16的输出端。

当图像信号输送进来后经放大芯片U1、电阻R17以及电阻R16所组成的放大器进行放大，放大后的图像信号由三极管Q5、二极管D4以及MOS1所构成的信号锁频电路进行处理，从而使该前置放大电路所输出的图像信号更加清晰。而电容C13和电容C14则可以压制波动电压，避免波动电压对图像信号造成影响。为了达到更好的实施效果，该放大芯片U1优选为MC2830集成电路来实现。

降噪模块26则为本发明的重点所在，如图4所示，其由放大器P1，放大器P2，三极管Q6，三极管Q7，三极管Q8，场效应管MOS2，与非门IC1，与非门IC2，电阻R20，电阻R21，电阻R22，电阻R23，电容C17以及二极管D5组成。

连接时，该二极管D5的N极与放大器P1的输出端相连接、其P极则经电阻R20后与与非门IC1的第二输入端相连接的同时接地，电阻R21的一端与与非门IC1的第一输入端相连接、其另一端则经电容C17后与与非门IC2的输出端相连接，电阻R22的一端与与非门IC1的输出端相连接、其另一端则与电阻R21和电容C17的连接点相连接，电阻R23则串接在三极管Q7的发射极和集电极之间。

同时，所述放大器P1的负极接地、其正极则作为该降噪模块26的输入端、其输出端则与三极管Q6的发射极相连接。所述的三极管Q7的基极与三极管Q6的基极相连接、其集电极则与三极管Q6的集电极相连接、其发射极则与场效应管MOS2的漏极相连接。所述场效应管MOS2的漏极与放大器P2的负极相连接、其栅极则与放大器P2的输出端相连接、其源极则与三极管Q8的发射极相连接。所述放大器P2的负极则作为该降噪模块26的输出端、其正极接地。所述三极管Q8的基极与电阻R21和电容C17的连接点相连接、其集电极则接地。所述与非门IC2的第二输入端接地、其第一输入端则与与非门IC1的输出端相连接。

图像信号输送进来后经放大器P1进行放大处理，而该放大后的图像信号则再经由三极管Q6，三极管Q7，电阻R23，场效应管MOS2以及放大器P2所构成的均值滤波器进行滤波处理，该均值滤波器能够有效的过滤掉图像信号中的加性噪声，避免图像信号受到噪声的干扰。

如上所述，便可以很好的实现本发明。

Claims

1.一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别***，其由红外成像***(1)，与红外成像***(1)相连接的图像识别***(2)组成；所述的红外成像***(1)由红外光源(11)，与红外光源(11)相连接的光学***(12)，与光学***(12)相连接的扫描机构(13)，与扫描机构(13)相连接的红外探测器(14)，与红外探测器(14)相连接的图像采集模块(15)，以及与图像采集模块(15)相连接的前置放大电路(16)组成；而所述的图像识别***(2)则主要由中央处理模块(21)，与中央处理模块(21)相连接的图像处理***(22)、显示器(23)、报警器(24)以及存储器(25)组成；其特征在于：所述的图像识别***(2)还设置有降噪模块(26)，该降噪模块(26)与图像处理***(22)相连接；所述的降噪模块(26)由放大器P1，放大器P2，三极管Q6，三极管Q7，三极管Q8，场效应管MOS2，与非门IC1，与非门IC2，电阻R20，电容C17，N极与放大器P1的输出端相连接、P极则经电阻R20后与与非门IC1的第二输入端相连接的同时接地的二极管D5，一端与与非门IC1的第一输入端相连接、另一端则经电容C17后与与非门IC2的输出端相连接的电阻R21，一端与与非门IC1的输出端相连接、另一端则与电阻R21和电容C17的连接点相连接的电阻R22，以及串接在三极管Q7的发射极和集电极之间的电阻R23组成；所述放大器P1的负极接地、其正极则作为该降噪模块(26)的输入端、其输出端则与三极管Q6的发射极相连接；所述的三极管Q7的基极与三极管Q6的基极相连接、其集电极则与三极管Q6的集电极相连接、其发射极则与场效应管MOS2的漏极相连接；所述场效应管MOS2的漏极与放大器P2的负极相连接、其栅极则与放大器P2的输出端相连接、其源极则与三极管Q8的发射极相连接；所述放大器P2的负极则作为该降噪模块(26)的输出端、其正极接地；所述三极管Q8的基极与电阻R21和电容C17的连接点相连接、其集电极则接地；所述与非门IC2的第二输入端接地、其第一输入端则与与非门IC1的输出端相连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别***，其特征在于：所述的前置放大电路(16)则由放大芯片U1，三极管Q5，场效应管MOS1，电阻R17，二极管D3，电阻R18，电阻R15，电阻R19，负极经电阻R17后与放大芯片U1的IN管脚相连接、正极则作为该前置放大电路(16)的输入端的电容C14，正极与电容C14的负极相连接、负极则顺次经二极管D3和电阻R18后与放大芯片U1的VCC管脚相连接的电容C15，正极经电阻R15后与放大芯片U1的NF管脚相连接、负极则经电阻R19后与场效应管MOS1的源极相连接的电容C13，一端与放大芯片U1的NF管脚相连接、另一端则与放大芯片U1的GND管脚相连接的同时接地的电阻R16，正极与放大芯片U1的NSC管脚相连接、负极则与三极管Q5的发射极相连接的电容C16，以及N极与三极管Q5的发射极相连接、P极则与场效应管MOS1的漏极相连接的二极管D4组成；所述三极管Q5的基极与放大芯片U1的OUT管脚相连接、其发射极接地、其集电极则与放大芯片U1的ALC管脚相连接；所述场效应管MOS1的栅极则与三极管Q5的集电极相连接；所述三极管Q5的发射极还作为该前置放大电路的(16)的输出端。

3.根据权利要求2所述的一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别***，其特征在于：所述的图像处理***(22)则由信号输入电路，与信号输入电路相连接的信号处理电路，以及与信号处理电路相连接的触发电路和调谐电路组成；所述的信号输入电路由三极管Q1，电阻R2，电阻R1，一端与三极管Q1的基极相连接、另一端则顺次经电阻R2和电阻R1后与三极管Q1的发射极相连接的电阻R3，正极与三极管Q1的发射极相连接、负极接地的电容C1，以及正极与三极管Q1的集电极相连接、负极则与信号处理电路相连接的同时接地的电容C2组成；所述的三极管Q1的发射极与信号处理电路相连接。

4.根据权利要求3所述的一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别***，其特征在于：所述的信号处理电路由处理芯片U，电容C3，电阻R5，电容C5，P极与处理芯片U的SW1管脚相连接、N极则经电容C3后接地的二极管D1，一端与二极管D1的N极相连接、另一端则经电阻R5后与处理芯片U的GND管脚相连接的同时接地的电阻R4，正极与处理芯片U的CTRL管脚相连接、负极接地的电容C4，一端与处理芯片U的CTRL管脚相连接、另一端则经电容C5后接地的电阻R6，正极与处理芯片U的SS管脚相连接、负极则与触发电路相连接的电容C6，以及一端与处理芯片U的PGOOD管脚相连接、另一端则与调谐电路相连接的电阻R7组成；所述处理芯片U的VIN管脚与三极管Q1的发射极相连接、其FB管脚则与电阻R4和电阻R5的连接点相连接、其CTRL管脚则与电容C2的负极相连接、其SHDN管脚则与触发电路相连接。

5.根据权利要求4所述的一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别***，其特征在于：所述的触发电路由触发芯片K，三极管Q4，电容C12,电容C11，一端与三极管Q4的基极相连接、另一端则与触发芯片K的OUT管脚相连接的电阻R12，一端与三极管Q4的发射极相连接、另一端则经电容C12后与触发芯片K的GND管脚相连接的电阻R14，以及一端与触发芯片K的LX管脚相连接、另一端则经电容C11后与触发芯片K的FB管脚相连接的电阻R13组成；所述触发芯片K的IN管脚与处理芯片U的SHDN管脚相连接、其EN管脚则与电容C6的负极相连接、其GND管脚接地；所述三极管Q4的集电极则与调谐电路相连接。

6.根据权利要求5所述的一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别***，其特征在于：所述的调谐电路由三极管Q2，三极管Q3，电感L1，电阻R8，电容C8，电阻R9，电阻R7，N极顺次经电感L1和电阻R8后与三极管Q2的集电极相连接、P极则经电容C8后与三极管Q3的发射极相连接的变容二极管D2，一端与变容二极管D2的P极相连接、另一端则接-15V电压的电阻R11，正极与变容二极管D2的P极相连接、负极则与三极管Q4的集电极相连接的电容C9，正极与三极管Q3的发射极相连接、负极则接地的可调电容C10，一端与三极管Q2的发射极相连接、另一端则经电阻R9后接+15V电压的电感L2，正极与电感L2和电阻R9的连接点相连接、负极接地的电容C7，以及一端与电容C7的正极相连接、另一端则与三极管Q3的基极相连接的电阻R10组成；所述三极管Q2的基极经电阻R7后与处理芯片U的PGOOD管脚相连接，而三极管Q3的集电极则接地。

7.根据权利要求4～6任一项所述的一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别***，其特征在于：所述的处理芯片U为LT1942集成电路。

8.根据权利要求5或6所述的一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别***，其特征在于：所述的触发芯片K为EMD2050集成电路。

9.根据权利要求2～6任一项所述的一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别***，其特征在于：所述的放大芯片U1为MC2830集成电路。