CN104881249A - 一种eMMC的读写方法及装置 - Google Patents

一种eMMC的读写方法及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104881249A
CN104881249A CN201510242356.0A CN201510242356A CN104881249A CN 104881249 A CN104881249 A CN 104881249A CN 201510242356 A CN201510242356 A CN 201510242356A CN 104881249 A CN104881249 A CN 104881249A
Authority
CN
China
Prior art keywords
emmc
less
voltage
monitoring
mapping table
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510242356.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104881249B (zh
Inventor
刘国华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201510242356.0A priority Critical patent/CN104881249B/zh
Publication of CN104881249A publication Critical patent/CN104881249A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104881249B publication Critical patent/CN104881249B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

本发明公开了一种eMMC的读写方法,在eMMC主控中增加作为后备电源的片上电容,包括:当上电时,从特殊块或特殊页中恢复映射表;给所述映射表分配新的特殊块或特殊页;在eMMC中写入数据时,监测eMMC电压是否小于阈值;当eMMC电压小于阈值时,则保存所述映射表到所述新的特殊块或特殊页;该方法能够提高eMMC性能,降低eMMC写放大,提高eMMC的寿命;本发明还公开一种eMMC的读写装置。

Description

一种eMMC的读写方法及装置
技术领域
本发明涉及电子技术领域,特别是涉及一种eMMC的读写方法及装置。
背景技术
在eMMC的实际使用过程中,为保证数据的安全性,通常要不断的更新和保存当前的映射表到NAND FLASH中去;而eMMC中大多采用定期或周期回写映射表的方法来保证eMMC数据的安全性,这样就不可避免的引起eMMC中的写放大上升,降低了eMMC的寿命和性能。如何降低eMMC写放大,是本领域技术人员需要解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种eMMC的读写方法,该方法能够避免周期或定期的映射表回写,从而达到提高eMMC性能,降低eMMC写放大,提高eMMC的寿命。本发明还提供一种eMMC的读写装置。
为解决上述技术问题,本发明提供一种eMMC的读写方法,在eMMC主控中增加作为后备电源的片上电容,包括:
当上电时,从特殊块或特殊页中恢复映射表;
给所述映射表分配新的特殊块或特殊页;
在eMMC中写入数据时,监测eMMC电压是否小于阈值;
当eMMC电压小于阈值时,则保存所述映射表到所述新的特殊块或特殊页。
其中,所述监测eMMC电压是否小于阈值包括:
在eMMC主控中设置小于阈值电压中断来监测eMMC电压是否小于阈值。
其中,所述监测eMMC电压是否小于阈值包括:
监测eMMC电压是否小于第一阈值和所述阈值,当小于第一阈值时,进行预警;当小于所述阈值时,则保存所述映射表到所述新的特殊块或特殊页。
其中,所述预警包括:
通过指示灯或语音进行预警。
本发明还提供一种eMMC的读写装置,包括:
片上电容模块,在eMMC主控中设置片上电容,用于在断电时作为后备电源;
恢复模块,用于当上电时,从特殊块或特殊页中恢复映射表;
分配模块,用于给所述映射表分配新的特殊块或特殊页;
监测模块,用于在eMMC中写入数据时,监测eMMC电压是否小于阈值;
保存模块,用于当eMMC电压小于阈值时,则保存所述映射表到所述新的特殊块或特殊页。
其中,所述监测模块包括:
小于阈值电压中断单元,用于在eMMC主控中设置小于阈值电压中断来监测eMMC电压是否小于阈值。
其中,所述监测模块包括:
第一监测单元,用于监测eMMC电压是否小于第一阈值,当小于第一阈值时,进行预警;
第二监测单元,用于监测eMMC电压是否小于所述阈值当小于所述阈值时,则保存所述映射表到所述新的特殊块或特殊页。
其中,所述第一监测单元包括:
指示灯子单元或语音子单元,用于预警。
本发明所提供的一种eMMC的读写方法,在eMMC主控中增加作为后备电源的片上电容,当上电及掉电时,从特殊块或特殊页中恢复映射表;给所述映射表分配新的特殊块或特殊页;在eMMC中写入数据时,监测eMMC电压是否小于阈值;当eMMC电压小于阈值时,则保存所述映射表到所述新的特殊块或特殊页;由于增加了片上电容,其在断电时还可以提供电源,可以做到只在断电时进行回写映射表;该方法可以仅仅在断电时即电压小于阈值时进行数据回写映射表的方式来保证eMMC数据的安全性,降低eMMC写放大,该方法能够提高eMMC性能,提高eMMC的寿命。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的eMMC的读写方法的流程图;
图2为本发明实施例提供的eMMC的读写方法的流程示意图;
图3为本发明实施例提供的eMMC的读写装置的结构框图;
图4为本发明实施例提供的监测模块的结构框图;
图5为本发明实施例提供的另一监测模块的结构框图。
具体实施方式
本发明的核心是提供一种eMMC的读写方法,该方法能够避免周期或定期的映射表回写,从而达到提高eMMC性能,降低eMMC写放大,提高eMMC的寿命。本发明还提供一种eMMC的读写装置。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
eMMC为Embedded MultiMediaCard为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格,主要是针对手机产品为主。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器,它提供标准接口并管理闪存,使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分,并缩短向市场推出产品的时间。
NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的***接口。
请参考图1,图1为本发明实施例提供的eMMC的读写方法的流程图;该方法可以包括:
步骤s100、当上电时,从特殊块或特殊页中恢复映射表;
其中,若只需要在掉电时进行回写映射表,那么就需要保证在掉电时有足够时间的电压支持,因此这里需要在eMMC主控中增加作为后备电源的片上电容;其中,片上电容的供电能力以能够写完整个映射表为准,即片上电容提供电源的时间至少要等于写完整个映射表的时间,为了确保数据的安全性,一般情况下,该时间会大于写完整个映射表的时间。
其中,这里可以通过扫描的方式找到特殊块或特殊页,并从特殊块或特殊页中恢复映射表。
步骤s110、给所述映射表分配新的特殊块或特殊页;
其中,上电后,在恢复映射表需要给所述映射表分配的特殊块或特殊页,以便在掉电时,可以将新的映射表回写入新的特殊块或特殊页。
步骤s120、在eMMC中写入数据时,监测eMMC电压是否小于阈值;
其中,在eMMC中写入数据,其中,软件提前为写入映射表准备好空的NAND FLASH块中;由于本发明不进行定期或周期性的映射表回写,因此,需要对eMMC电压的电压进行检测,当突然掉电时,可以及时进行回写映射表。
这里的监测最好是实时监测,这样可以避免片上电容的供电时间不够新的映射表回写完整。因此实时监测是一个优选方案;但是由于片上电容的供电能力可以选择,因此,这里的监测是实时监测,还是定期监测或其他形式监测可以根据实际情况进行限定,只要可以使得eMMC在掉电时可以进行完整的映射表回写即可。
步骤s130、当eMMC电压小于阈值时,则保存所述映射表到所述新的特殊块或特殊页。
其中,当eMMC电压小于阈值时,可以理解为掉电状态,则保存所述映射表到所述新的特殊块或特殊页中,即进行映射表回写。
如此,则在eMMC的实际应用中可避免周期或定期性的写入映射表。仅仅在断电前的一瞬间保存映射表到FLASH中即可。
基于上述技术方案,本发明实施例提供的eMMC的读写方法,由于增加了片上电容,其在断电时还可以提供电源,可以做到只在断电时进行回写映射表;该方法可以仅仅在断电时即电压小于阈值时进行数据回写映射表的方式来保证eMMC数据的安全性,降低eMMC写放大,该方法能够提高eMMC性能,提高eMMC的寿命。
可选的,所述监测eMMC电压是否小于阈值包括:
在eMMC主控中设置小于阈值电压中断来监测eMMC电压是否小于阈值。
其中,可以在在eMMC主控中增加电压中断,当外部电压降低且小于阈值时,能够及时发现并作出响应。即利用中断来进行监测。
可选的,所述监测eMMC电压是否小于阈值包括:
监测eMMC电压是否小于第一阈值和所述阈值,当小于第一阈值时,进行预警;当小于所述阈值时,则保存所述映射表到所述新的特殊块或特殊页。
其中,由于电压不稳定有可能是其他原因造成,不一定是要断电,因此,为了避免判断失误,因此可以在设置一个第一阈值,到该第一阈值时,可以提醒用户根据实际情况是否进行映射表回写。但是,当小于所述阈值时,则自动保存所述映射表到所述新的特殊块或特殊页。
在确保数据安全性的同时,尽量减少映射表回写次数。
可选的,所述预警包括:
通过指示灯或语音进行预警。
例如图2给出了本发明实施例提供的eMMC的读写方法的流程示意图;从该示意图可以具体看到整个读写流程。
基于上述技术方案,本发明实施例提供的eMMC的读写方法,由于增加了片上电容,其在断电时还可以提供电源,可以做到只在断电时进行回写映射表;该方法可以仅仅在断电时即电压小于阈值时进行数据回写映射表的方式来保证eMMC数据的安全性,降低eMMC写放大,即通过增加片上电容,避免定期或周期性的映射表回写,提高eMMC的性能及使用寿命。
本发明实施例提供了eMMC的读写方法,可以通过上述方法能够提高eMMC性能,降低eMMC写放大,提高eMMC的寿命。
下面对本发明实施例提供的eMMC的读写装置进行介绍,下文描述的eMMC的读写装置与上文描述的eMMC的读写方法可相互对应参照。
请参考图3,图3为本发明实施例提供的eMMC的读写装置的结构框图;该装置可以包括:
片上电容模块100,在eMMC主控中设置片上电容,用于在断电时作为后备电源;
恢复模块200,用于当上电及掉电时,从特殊块或特殊页中恢复映射表;
分配模块300,用于给所述映射表分配新的特殊块或特殊页;
监测模块400,用于在eMMC中写入数据时,监测eMMC电压是否小于阈值;
保存模块500,用于当eMMC电压小于阈值时,则保存所述映射表到所述新的特殊块或特殊页。
可选的,图4为本发明实施例提供的监测模块的结构框图;所述监测模块400可以包括:
小于阈值电压中断单元410,用于在eMMC主控中设置小于阈值电压中断来监测eMMC电压是否小于阈值。
可选的,图5为本发明实施例提供的另一监测模块的结构框图;所述监测模块400可以包括:
第一监测单元420,用于监测eMMC电压是否小于第一阈值,当小于第一阈值时,进行预警;
第二监测单元430,用于监测eMMC电压是否小于所述阈值当小于所述阈值时,则保存所述映射表到所述新的特殊块或特殊页。
可选的,所述第一监测单元420包括:
指示灯子单元或语音子单元,用于预警。
说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言,由于其与实施例公开的方法相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见方法部分说明即可。
专业人员还可以进一步意识到,结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤,能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现,为了清楚地说明硬件和软件的可互换性,在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块,或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
以上对本发明所提供的eMMC的读写方法及装置进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以对本发明进行若干改进和修饰,这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (8)

1.一种eMMC的读写方法,其特征在于,在eMMC主控中增加作为后备电源的片上电容,包括:
当上电时,从特殊块或特殊页中恢复映射表;
给所述映射表分配新的特殊块或特殊页;
在eMMC中写入数据时,监测eMMC电压是否小于阈值;
当eMMC电压小于阈值时,则保存所述映射表到所述新的特殊块或特殊页。
2.如权利要求1所述的读写方法,其特征在于,所述监测eMMC电压是否小于阈值包括:
在eMMC主控中设置小于阈值电压中断来监测eMMC电压是否小于阈值。
3.如权利要求1所述的读写方法,其特征在于,所述监测eMMC电压是否小于阈值包括:
监测eMMC电压是否小于第一阈值和所述阈值,当小于第一阈值时,进行预警;当小于所述阈值时,则保存所述映射表到所述新的特殊块或特殊页。
4.如权利要求3所述的读写方法,其特征在于,所述预警包括:
通过指示灯或语音进行预警。
5.一种eMMC的读写装置,其特征在于,包括:
片上电容模块,在eMMC主控中设置片上电容,用于在断电时作为后备电源;
恢复模块,用于当上电时,从特殊块或特殊页中恢复映射表;
分配模块,用于给所述映射表分配新的特殊块或特殊页;
监测模块,用于在eMMC中写入数据时,监测eMMC电压是否小于阈值;
保存模块,用于当eMMC电压小于阈值时,则保存所述映射表到所述新的特殊块或特殊页。
6.如权利要求5所述的读写装置,其特征在于,所述监测模块包括:
小于阈值电压中断单元,用于在eMMC主控中设置小于阈值电压中断来监测eMMC电压是否小于阈值。
7.如权利要求1所述的读写装置,其特征在于,所述监测模块包括:
第一监测单元,用于监测eMMC电压是否小于第一阈值,当小于第一阈值时,进行预警;
第二监测单元,用于监测eMMC电压是否小于所述阈值当小于所述阈值时,则保存所述映射表到所述新的特殊块或特殊页。
8.如权利要求7所述的读写装置,其特征在于,所述第一监测单元包括:
指示灯子单元或语音子单元,用于预警。
CN201510242356.0A 2015-05-13 2015-05-13 一种eMMC的读写方法及装置 Active CN104881249B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510242356.0A CN104881249B (zh) 2015-05-13 2015-05-13 一种eMMC的读写方法及装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510242356.0A CN104881249B (zh) 2015-05-13 2015-05-13 一种eMMC的读写方法及装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104881249A true CN104881249A (zh) 2015-09-02
CN104881249B CN104881249B (zh) 2018-07-31

Family

ID=53948759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510242356.0A Active CN104881249B (zh) 2015-05-13 2015-05-13 一种eMMC的读写方法及装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104881249B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113050877A (zh) * 2019-12-27 2021-06-29 北京兆易创新科技股份有限公司 一种映射表存储的方法、装置、电子设备及存储介质
US11157207B2 (en) 2018-07-31 2021-10-26 SK Hynix Inc. Apparatus and method for engaging plural memory system with each other to store data
US11249919B2 (en) 2018-07-31 2022-02-15 SK Hynix Inc. Apparatus and method for managing meta data for engagement of plural memory system to store data
US11442628B2 (en) * 2018-07-31 2022-09-13 SK Hynix Inc. Apparatus and method for engaging a plurality of memory systems with each other

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103399520A (zh) * 2013-07-22 2013-11-20 深圳市汇川控制技术有限公司 用于可编程逻辑控制器***的掉电数据存取方法及装置
JP2014049172A (ja) * 2012-09-04 2014-03-17 Toshiba Corp 半導体メモリ及びメモリシステム
CN103761197A (zh) * 2014-01-16 2014-04-30 深圳市亿维自动化技术有限公司 一种包含Flash和RAM的数据存储方法及***
US20140204680A1 (en) * 2013-01-18 2014-07-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, memory system having the same, external power controlling method thereof
CN104021093A (zh) * 2014-06-24 2014-09-03 浪潮集团有限公司 一种基于nvdimm的存储设备的掉电保护方法
CN104317671A (zh) * 2014-10-24 2015-01-28 杭州帅锐电子科技有限公司 一种提升非易失存储使用寿命的掉电数据保存恢复算法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014049172A (ja) * 2012-09-04 2014-03-17 Toshiba Corp 半導体メモリ及びメモリシステム
US20140204680A1 (en) * 2013-01-18 2014-07-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, memory system having the same, external power controlling method thereof
CN103399520A (zh) * 2013-07-22 2013-11-20 深圳市汇川控制技术有限公司 用于可编程逻辑控制器***的掉电数据存取方法及装置
CN103761197A (zh) * 2014-01-16 2014-04-30 深圳市亿维自动化技术有限公司 一种包含Flash和RAM的数据存储方法及***
CN104021093A (zh) * 2014-06-24 2014-09-03 浪潮集团有限公司 一种基于nvdimm的存储设备的掉电保护方法
CN104317671A (zh) * 2014-10-24 2015-01-28 杭州帅锐电子科技有限公司 一种提升非易失存储使用寿命的掉电数据保存恢复算法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11157207B2 (en) 2018-07-31 2021-10-26 SK Hynix Inc. Apparatus and method for engaging plural memory system with each other to store data
US11249919B2 (en) 2018-07-31 2022-02-15 SK Hynix Inc. Apparatus and method for managing meta data for engagement of plural memory system to store data
US11442628B2 (en) * 2018-07-31 2022-09-13 SK Hynix Inc. Apparatus and method for engaging a plurality of memory systems with each other
CN113050877A (zh) * 2019-12-27 2021-06-29 北京兆易创新科技股份有限公司 一种映射表存储的方法、装置、电子设备及存储介质
CN113050877B (zh) * 2019-12-27 2024-03-01 兆易创新科技集团股份有限公司 一种映射表存储的方法、装置、电子设备及存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
CN104881249B (zh) 2018-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11099760B2 (en) Background data refresh using a system timestamp in storage devices
US9720616B2 (en) Data-retention controller/driver for stand-alone or hosted card reader, solid-state-drive (SSD), or super-enhanced-endurance SSD (SEED)
JP5048741B2 (ja) 電源異常の場合にキャッシュ内のデータを格納するための方法、デバイス及びシステム
CN104881249A (zh) 一种eMMC的读写方法及装置
US20110066792A1 (en) Segmentation Of Flash Memory For Partial Volatile Storage
WO2019120133A1 (zh) 一种基于固态硬盘的日志文件的读写方法及固态硬盘
US9823731B2 (en) Adaptive power control of address map memory devices
US20210223979A1 (en) On-ssd-copy techniques using copy-on-write
US9965400B2 (en) Memory management method, memory control circuit unit and memory storage device
CN108614744B (zh) 基于NAND flash的掉电保护方法和装置
CN101963891A (zh) 数据存储处理方法与装置、固态硬盘***与数据处理***
CN104423888A (zh) 数据写入方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置
TW201800930A (zh) 資料儲存裝置之資料儲存方法
CN104898982A (zh) 数据传输方法、存储器控制电路单元与存储器储存装置
JP2017527877A (ja) フラッシュメモリから/フラッシュメモリへデータを読み取る/書き込むための方法および装置、ならびにユーザ機器
US20130179715A1 (en) Systems and methods for reducing energy consumption in sensor networks
CN110781029A (zh) 断电保护方法及***
CN105630701A (zh) 数据存储装置及使用不可用页表或不可用块表的读写方法
CN102789422B (zh) 固态硬盘的数据写入方法
US20130332662A1 (en) Information processing apparatus and method and program
US10948972B2 (en) Data storage apparatus and operation method thereof
WO2019041291A1 (zh) 写入信息的方法和装置
US10079051B2 (en) Information processing to refresh data stored on a data storage apparatus
CN102096612A (zh) 嵌入式设备参数保存方法及装置
CN111124752A (zh) 一种存储设备的备电保护的方法及装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant