CN104851910A - 薄膜晶体管、阵列基板、制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 68
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 125
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 59
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 56
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 24
- -1 graphite alkane Chemical class 0.000 claims description 24
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 18
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 8
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 208000034699 Vitreous floaters Diseases 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 109
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 12
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 2
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
- H01L21/2807—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being Si or Ge or C and their alloys except Si
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板、制备方法、显示面板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法包括：形成氧化物有源层；在所述有源层上形成源漏电极，其中，所述源漏电极与所述有源层直接接触，所述源漏电极采用透明导电材料形成。本发明中，将源漏电极直接形成在有源层之上，使得源漏电极直接与有源层接触，不需要形成刻蚀阻挡层，可以减少了一道mask工艺，降低了生产成本。另外，源漏电极采用透明导电材料，还可以提升使用该薄膜晶体管的阵列基板的开口率。进一步的，本发明实施例的薄膜晶体管可以缩短源漏电极之间的沟道，提高了薄膜晶体管的性能。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
请参考图1A-1E，图1A-1E是现有的氧化物薄膜晶体管的制作方法的示意图，该方法主要包括以下步骤：
步骤S101：请参考图1A，在衬底基板11上形成栅电极12；该步骤需要使用1道mask(掩膜)工艺；
步骤S102：请参考图1B，在栅电极12上形成栅绝缘层13；
步骤S103：请参考图1C，在栅绝缘层13上形成氧化物有源层14；该步骤需要使用1道mask工艺；
步骤S104：请参考图1D，在氧化物有源层14上形成刻蚀阻挡层15，并在刻蚀阻挡层15上形成过孔151；该步骤需要使用1道mask工艺；由于后续形成源电极和漏电极时，通常采用湿刻工艺，为了避免湿刻工艺对氧化物有源层14的影响，需要在氧化物有源层14上形成刻蚀阻挡层15，以对氧化物有源层14进行保护。
步骤S105：请参考图1E，在刻蚀阻挡层15上形成源电极161和漏电极162；源电极161和漏电极162通过刻蚀阻挡层15上的过孔151与氧化物有源层14接触；该步骤需要使用1道mask工艺。
可见，上述氧化物薄膜晶体管的制作过程中，至少需要4道mask工艺，制作工序复杂，成本较高。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板、制备方法、显示面板和显示装置，以解决现有的氧化物薄膜晶体管制作工序复杂，成本高的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：
形成氧化物有源层；
在所述有源层上形成源漏电极，其中，所述源漏电极与所述有源层直接接触，所述源漏电极采用透明导电材料形成。
优选地，所述在所述有源层上形成源漏电极的步骤包括：
形成透明导电材料薄膜；
在所述透明导电材料薄膜上涂覆光刻胶；
采用半色调或者灰色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应源漏电极图形区域，所述光刻胶半保留区域对应源漏电极之间的间隙区域，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；
采用干法刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的透明导电材料薄膜；
采用灰化工艺灰化掉所述光刻胶半保留区域的光刻胶；
将所述光刻胶半保留区域的透明导电材料薄膜转换为绝缘材料层；
剥离光刻胶，形成源漏电极的图形。
优选地，所述透明导电材料为石墨烯，所述绝缘材料为石墨烷。
优选地，所述将所述光刻胶半保留区域的透明导电材料薄膜转换为绝缘材料层的步骤具体为：
对所述光刻胶半保留区域的石墨烯薄膜进行可逆加氢处理，将所述光刻胶半保留区域的石墨烯转换为石墨烷。
本发明还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包括：
形成氧化物有源层；
通过一次构图工艺形成源漏电极、数据线和像素电极的图形，其中，所述源漏电极与所述有源层直接接触，所述源漏电极、数据线和像素电极采用透明导电材料形成。
优选地，所述通过一次构图工艺形成源漏电极、数据线和像素电极的图形的步骤包括：
形成透明导电材料薄膜；
在所述透明导电材料薄膜上涂覆光刻胶；
采用半色调或者灰色调对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应源漏电极、数据线和像素电极图形区域，所述光刻胶半保留区域对应源漏电极之前的间隙区域，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；
采用干法刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的透明导电材料薄膜；
采用灰化工艺灰化掉所述光刻胶半保留区域的光刻胶；
将所述光刻胶半保留区域的透明导电材料薄膜转换为绝缘材料层；
剥离光刻胶，形成源漏电极、数据线和像素电极的图形。
优选地，所述透明导电材料为石墨烯，所述绝缘材料为石墨烷。
优选地，所述将所述光刻胶半保留区域的透明导电材料薄膜转换为绝缘材料层的步骤具体为：
对所述光刻胶半保留区域的石墨烯薄膜进行可逆加氢处理，将所述光刻胶半保留区域的石墨烯转换为石墨烷。
本发明还提供一种薄膜晶体管，包括衬底基板以及设置于衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、氧化物有源层和源漏电极，所述源漏电极与所述有源层直接接触，所述源漏电极采用透明导电材料形成。
优选地，所述透明导电材料为石墨烯。
优选地，所述薄膜晶体管还包括：
与所述源漏电极同层设置，且位于所述源漏电极之间的石墨烷层。
本发明还提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括衬底基板以及设置于衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、氧化物有源层、源漏电极、数据线和像素电极，所述源漏电极、数据线和像素电极采用同一透明导电材料形成，且同层设置，所述源漏电极与所述有源层直接接触。
优选地，所述透明导电材料为石墨烯。
优选地，所述薄膜晶体管还包括：
与所述源漏电极同层设置，且位于所述源漏电极之间的石墨烷层。
本发明还提供一种显示面板，包括上述薄膜晶体管阵列基板。
本发明还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
将所述源漏电极直接形成在有源层之上，使得源漏电极直接与有源层接触，不需要形成刻蚀阻挡层以及用于连接源漏电极和有源层的过孔，因而减少了一道mask工艺，降低了生产成本。另外，源漏电极采用透明导电材料，还可以提升使用该薄膜晶体管的阵列基板的开口率。进一步的，本发明实施例的薄膜晶体管可以缩短源漏电极之间的沟道，提高了薄膜晶体管的性能。
附图说明
图1A-1E是现有的氧化物薄膜晶体管的制作方法的示意图；
图2A至图2J为本发明实施例的薄膜晶体管的制备的示意图；
图3A至图3F为本发明实施例的薄膜晶体管阵列基板的示意图。
具体实施方式
为解决现有的氧化物薄膜晶体管制作工序复杂，成本高的问题，本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：
步骤S201：形成氧化物有源层；
所述氧化物半导体可以为IGZO(铟镓锌氧化物)或ITZO(铟锡锌氧化物)等氧化物半导体。
步骤S202：在所述有源层上形成源漏电极，其中，所述源漏电极与所述有源层直接接触，所述源漏电极采用透明导电材料形成。
本发明实施例中，将所述源漏电极直接形成在有源层之上，使得源漏电极直接与有源层接触，不需要形成刻蚀阻挡层以及用于连接源漏电极和有源层的过孔，因而减少了一道mask工艺，降低了生产成本。另外，源漏电极采用透明导电材料，还可以提升使用该薄膜晶体管的阵列基板的开口率。进一步的，本发明实施例的薄膜晶体管可以缩短源漏电极之间的沟道，提高了薄膜晶体管的性能。
优选地，所述源漏电极采用适用于干刻工艺的透明导电材料制成，避免因湿刻工艺造成对氧化物有源层的影响。
例如所述源漏电极可以采用石墨烯材料形成，石墨烯是一种二维碳材料，具有良好的导电性能，且适用于干刻工艺，此外，石墨烯电阻较低，具有较高的电子迁移率，有利于提高薄膜晶体管的性能。且石墨烯具有吸附氢气的特性，因而有效吸附氧化物有源层中的氢原子，避免构图工艺引入的氢原子与氧化物半导体中的氧原子结合，从而提高氧化物薄膜晶体管的稳定性和信赖性。另外，本发明实施例中的源漏电极可以采用单层石墨烯制成，以减小薄膜晶体管的厚度。
当然，所述源漏电极还可以采用其他能够吸附氢原子的透明导电材料形成，例如碳纳米管等。
下面对在所述有源层上形成源漏电极的具体实现方法进行详细说明。
优选地，所述在所述有源层上形成源漏电极的步骤包括：
步骤S301：形成透明导电材料薄膜；
步骤S302：在所述透明导电材料薄膜上涂覆光刻胶；
步骤S303：采用半色调或者灰色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应源漏电极图形区域，所述光刻胶半保留区域对应源漏电极之间的间隙区域，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；
步骤S304：采用干法刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的透明导电材料薄膜；
步骤S305：采用灰化工艺灰化掉所述光刻胶半保留区域的光刻胶；
步骤S306：将所述光刻胶半保留区域的透明导电材料薄膜转换为绝缘材料层；
步骤S307：剥离光刻胶，形成源漏电极的图形。
上述步骤S306中，将所述光刻胶半保留区域的透明导电材料薄膜转换为绝缘材料层，该绝缘层材料能够对源漏电极之间的氧化物有源层进行保护，且不会影响薄膜晶体管的工作。
当透明导电材料为石墨烯时，该绝缘材料为石墨烷。
当透明导电材料为石墨烯时，将所述光刻胶半保留区域的刻蚀阻挡材料薄膜转换为绝缘材料层的步骤具体可以为：对所述光刻胶半保留区域的石墨烯薄膜进行可逆加氢处理，将所述光刻胶半保留区域的石墨烯转换为石墨烷。
下面将结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
请参考图2A至图2J，本发明实施例的薄膜晶体管的制备方法包括以下步骤：
步骤S401：请参考图2A，在衬底基板11上形成栅电极12；
具体的，可采用沉积方法形成一层栅金属薄膜，栅金属可以为Mo、W、Al、Cu等金属，厚度在200-300nm左右，然后进行光刻工艺形成栅电极12。
步骤S402：请参考图2B，在栅电极12上形成栅极绝缘层13；
具体的，可采用化学气相沉积方法(PECVD)形成栅极绝缘层13，栅极绝缘层13可以为单层结构或多层结构，例如SiO2单层结构，SiNx/SiO2双层结构，SiON/SiO2双层结构，或者SiNx/SiON/SiO2三层结构。优选地，栅极绝缘层13与有源层直接接触层为SiO2层，因为SiO2中H含量比较小，可以有效的提高氧化物有源层的特性。栅极绝缘层13的厚度可以为150-300nm。
步骤S403：请参考图2C，在栅极绝缘层13上形成氧化物有源层14；
具体的，可使用溅射(Sputter)设备沉积40-50nm厚度的氧化物半导体薄膜，之后使用光刻工艺形成有源层14的图形。优选地，在形成氧化物有源层14之后，进行一次退火工艺，提高氧化物有源层的稳定性。
步骤S404：请参考图2D，在氧化物有源层14上形成石墨烯薄膜15；
具体的，可使用气相沉积法或SiC(碳化硅)热分解法先形成一层单层石墨烯薄膜15，优选地，采用SiC热分解法，原因在于SiC热分解法不会引入氢原子。
步骤S405：请参考图2E，在所述石墨烯薄膜15上涂覆光刻胶21；
步骤S406：请参考图2F，采用半色调掩膜板(half tone Mask)或者灰色调掩膜板对所述光刻胶21进行曝光显影，形成光刻胶完全保留区域211、光刻胶半保留区域212和光刻胶完全去除区域213，其中，所述光刻胶完全保留区域211对应源漏电极图形区域，所述光刻胶半保留区域212对应源漏电极之间的间隙区域(即沟道区域)，所述光刻胶完全去除区域213对应其他区域；
步骤S407：请参考图2G，采用刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域213的石墨烯薄膜；
具体的，使用干法刻蚀工艺刻蚀石墨烯薄膜，干刻气氛可以为氧气，以降低对源漏电极之间的氧化物有源层(沟道)的损伤。
步骤S408：请参考图2H，采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留区域212的光刻胶；
步骤S409：请参考图2I，将所述光刻胶半保留区域212的石墨烯薄膜转换为石墨烷层153；
具体的，可采用可逆加氢处理将石墨烯加工成石墨烷。
优选地，问了提高氧化物薄膜晶体管的稳定性，将所述光刻胶半保留区域212的石墨烯薄膜转换为石墨烷层153之后，还可以再进行一次退火工艺，退火温度可以在230℃-350℃。
步骤S410：请参考图2J，剥离剩余的光刻胶，形成源电极151和漏电极152的图形。
本发明实施例中，采用石墨烯形成源漏电极，形成的源漏电极直接与有源层接触，不需要形成刻蚀阻挡层以及用于连接源漏电极和有源层的过孔，因而减少了一道mask工艺，降低了生产成本，且石墨烯采用干刻工艺，刻蚀过程不会对氧化物有源层造成影响。另外，石墨烯为透明导电材料，还可以提升使用该薄膜晶体管的阵列基板的开口率。进一步的，本发明实施例的薄膜晶体管可以缩短源漏电极之间的沟道，提高了薄膜晶体管的性能。此外，石墨烯具有吸附氢气的作用，可以有效吸附氧化物有源层中的氢原子，提高了薄膜晶体管的稳定性和信赖性。
本发明实施例还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包括以下步骤：
步骤S501：形成氧化物有源层；
步骤S502：通过一次构图工艺形成源漏电极、数据线和像素电极的图形，其中，所述源漏电极与所述有源层直接接触，所述源漏电极、数据线和像素电极采用透明导电材料形成。
本发明实施例中，将所述源漏电极直接形成在有源层之上，使得源漏电极直接与有源层接触，不需要形成刻蚀阻挡层以及用于连接源漏电极和有源层的过孔，且，通过一次构图工艺形成源漏电极、数据线和像素电极的图形，减少了两道mask工艺，降低了生产成本。
另外，源漏电极采用透明导电材料，还可以提升薄膜晶体管的阵列基板的开口率。进一步的，本发明实施例的薄膜晶体管可以缩短源漏电极之间的沟道，提高了薄膜晶体管的性能。
优选地，所述源漏电极、数据线和像素电极采用适用于干刻工艺的透明导电材料制成，避免因湿刻工艺造成对氧化物有源层的影响。
例如所述源漏电极、数据线和像素电极可以采用石墨烯材料形成，石墨烯是一种二维碳材料，具有良好的导电性能，且适用于干刻工艺，此外，石墨烯电阻较低，具有较高的电子迁移率，有利于提高薄膜晶体管的性能。且石墨烯具有吸附氢气的特性，因而有效吸附氧化物有源层中的氢原子，避免构图工艺引入的氢原子与氧化物半导体中的氧原子结合，从而提高氧化物薄膜晶体管的稳定性和信赖性。另外，本发明实施例中的源漏电极、数据线和像素电极可以采用单层石墨烯制成，以减小薄膜晶体管阵列基板的厚度。
当然，所述源漏电极、数据线和像素电极还可以采用其他能够吸附氢原子的透明导电材料形成，例如碳纳米管等。
下面对通过一次构图工艺形成源漏电极、数据线和像素电极的具体实现方法进行详细说明。
优选地，通过一次构图工艺形成源漏电极、数据线和像素电极的步骤包括：
步骤601：形成透明导电材料薄膜；
步骤602：在所述透明导电材料薄膜上涂覆光刻胶；
步骤603：采用半色调或者灰色调对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应源漏电极、数据线和像素电极图形区域，所述光刻胶半保留区域对应源漏电极之前的间隙区域，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；
步骤604：采用干法刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的透明导电材料薄膜；
步骤605：采用灰化工艺灰化掉所述光刻胶半保留区域的光刻胶；
步骤606：将所述光刻胶半保留区域的透明导电材料薄膜转换为绝缘材料层；
步骤607：剥离光刻胶，形成源漏电极、数据线和像素电极的图形。
上述步骤S606中，将所述光刻胶半保留区域的透明导电材料薄膜转换为绝缘材料层，该绝缘层材料能够对源漏电极之间的氧化物有源层进行保护，且不会影响薄膜晶体管的工作。
上述实施例中，通过一次构图工艺形成源漏电极、数据线和像素电极，可以节省两道mask工艺。
当透明导电材料薄膜为石墨烯时，转换为的绝缘材料为石墨烷。
当透明导电材料薄膜为石墨烯时，将所述光刻胶半保留区域的透明导电材料薄膜转换为绝缘材料层的步骤具体可以为：对所述光刻胶半保留区域的石墨烯薄膜进行可逆加氢处理，将所述光刻胶半保留区域的石墨烯转换为石墨烷。
请参考图3A至图3F，本发明实施例的薄膜晶体管阵列基板的制备方法包括以下步骤：
步骤S701：在衬底基板11上形成栅电极12；请参考图2A；
具体的，可采用沉积方法形成一层栅金属薄膜，栅金属可以为Mo、W、Al、Cu等金属，厚度在200-300nm左右，然后进行光刻工艺形成栅电极12。
步骤S702：在栅电极12上形成栅极绝缘层13；请参考图2B，
具体的，可采用化学气相沉积方法(PECVD)形成栅极绝缘层13，栅极绝缘层13可以为单层结构或多层结构，例如SiO2单层结构，SiNx/SiO2双层结构，SiON/SiO2双层结构，或者SiNx/SiON/SiO2三层结构。优选地，栅极绝缘层13与有源层直接接触层为SiO2层，因为SiO2中H含量比较小，可以有效的提高氧化物有源层的特性。栅极绝缘层13的厚度可以为150-300nm。
步骤S703：在栅极绝缘层13上形成氧化物有源层14；请参考图2C，
具体的，可使用溅射(Sputter)设备沉积40-50nm厚度的氧化物半导体薄膜，之后使用光刻工艺形成有源层14的图形。优选地，在形成氧化物有源层14之后，进行一次退火工艺，提高氧化物有源层的稳定性。
步骤S704：在氧化物有源层14上形成石墨烯薄膜15；请参考图2D；
具体的，可使用气相沉积法或SiC(碳化硅)热分解法先形成一层单层石墨烯薄膜15，优选地，采用SiC热分解法，原因在于SiC热分解法不会引入氢原子。
步骤S705：在所述石墨烯薄膜15上涂覆光刻胶21；请参考图2E；
步骤S706：请参考图3A，采用半色调掩膜板(half tone Mask)或者灰色调掩膜板对所述光刻胶21进行曝光显影，形成光刻胶完全保留区域211、光刻胶半保留区域212和光刻胶完全去除区域213，其中，所述光刻胶完全保留区域211对应源漏电极、数据线和像素电极图形区域，所述光刻胶半保留区域212对应源漏电极之间的间隙区域(即沟道区域)，所述光刻胶完全去除区域213对应其他区域；
步骤S707：请参考图3B，采用刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域213的石墨烯薄膜；
具体的，可使用干法刻蚀工艺刻蚀石墨烯薄膜，干刻气氛可以为氧气。
步骤S708：请参考图3C，采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留区域212的光刻胶；
步骤S709：请参考图3D，将所述源漏电极之间的间隙区域的石墨烯薄膜转换为石墨烷层153；
具体的，可采用可逆加氢处理将石墨烯加工成石墨烷。优选地，问了提高氧化物薄膜晶体管的稳定性，将所述光刻胶半保留区域212的石墨烯薄膜转换为石墨烷层153之后，还可以再进行一次退火工艺，退火温度可以在230℃-350℃。
步骤S710：请参考图3E，剥离剩余的光刻胶，形成源电极151、漏电极152、像素电极154和数据线(图未示出)的图形。
步骤S711：请参考图3F，形成钝化层17。
为了提高氧化物薄膜晶体管的稳定性，优选地，在阵列基板完成后进行最终退火处理，退火温度不得高于钝化层材料(通常为树脂)的后烘温度，一般在200-250℃之间。
本发明实施例中，采用一次构图工艺形成源漏电极、像素电极和数据线，可以减少了两道mask工艺，降低了生产成本，且石墨烯采用干刻工艺，刻蚀过程不会对氧化物有源层造成影响。另外，石墨烯为透明导电材料，还可以提升薄膜晶体管阵列基板的开口率。进一步的，本发明实施例的薄膜晶体管可以缩短源漏电极之间的沟道，提高了薄膜晶体管的性能。此外，石墨烯具有吸附氢气的作用，可以有效吸附氧化物有源层中的氢原子，提高了薄膜晶体管的稳定性和信赖性。本发明还提供一种薄膜晶体管，包括衬底基板以及设置于衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、氧化物有源层和源漏电极，所述源漏电极与所述有源层直接接触，所述源漏电极采用透明导电材料形成。
优选地，所述透明导电材料为石墨烯。
优选地，为保护源漏电极之间的沟道区域，所述薄膜晶体管还包括：与所述源漏电极同层设置，且位于所述源漏电极之间的石墨烷层。
本发明还提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括衬底基板以及设置于衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、氧化物有源层、源漏电极、数据线和像素电极，所述源漏电极、数据线和像素电极采用同一透明导电材料形成，且同层设置，所述源漏电极与所述有源层直接接触。
优选地，所述透明导电材料为石墨烯。
优选地，为保护源漏电极之间的沟道区域，所述薄膜晶体管还包括：与所述源漏电极同层设置，且位于所述源漏电极之间的石墨烷层。
本发明还提供一种显示面板，包括上述薄膜晶体管阵列基板。
本发明还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (16)
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
形成氧化物有源层；
在所述有源层上形成源漏电极，其中，所述源漏电极与所述有源层直接接触，所述源漏电极采用透明导电材料形成。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述有源层上形成源漏电极的步骤包括：
形成透明导电材料薄膜；
在所述透明导电材料薄膜上涂覆光刻胶；
采用半色调或者灰色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应源漏电极图形区域，所述光刻胶半保留区域对应源漏电极之间的间隙区域，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；
采用干法刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的透明导电材料薄膜；
采用灰化工艺灰化掉所述光刻胶半保留区域的光刻胶；
将所述光刻胶半保留区域的透明导电材料薄膜转换为绝缘材料层；
剥离光刻胶，形成源漏电极的图形。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述透明导电材料为石墨烯，所述绝缘材料为石墨烷。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述将所述光刻胶半保留区域的透明导电材料薄膜转换为绝缘材料层的步骤具体为：
对所述光刻胶半保留区域的石墨烯薄膜进行可逆加氢处理，将所述光刻胶半保留区域的石墨烯转换为石墨烷。
5.一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
形成氧化物有源层；
通过一次构图工艺形成源漏电极、数据线和像素电极的图形，其中，所述源漏电极与所述有源层直接接触，所述源漏电极、数据线和像素电极采用透明导电材料形成。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成源漏电极、数据线和像素电极的图形的步骤包括：
形成透明导电材料薄膜；
在所述透明导电材料薄膜上涂覆光刻胶；
采用半色调或者灰色调对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应源漏电极、数据线和像素电极图形区域，所述光刻胶半保留区域对应源漏电极之前的间隙区域，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；
采用干法刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的透明导电材料薄膜；
采用灰化工艺灰化掉所述光刻胶半保留区域的光刻胶；
将所述光刻胶半保留区域的透明导电材料薄膜转换为绝缘材料层；
剥离光刻胶，形成源漏电极、数据线和像素电极的图形。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述透明导电材料为石墨烯，所述绝缘材料为石墨烷。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述将所述光刻胶半保留区域的透明导电材料薄膜转换为绝缘材料层的步骤具体为：
对所述光刻胶半保留区域的石墨烯薄膜进行可逆加氢处理，将所述光刻胶半保留区域的石墨烯转换为石墨烷。
9.一种薄膜晶体管，包括衬底基板以及设置于衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、氧化物有源层和源漏电极，其特征在于，所述源漏电极与所述有源层直接接触，所述源漏电极采用透明导电材料形成。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述透明导电材料为石墨烯。
11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：
与所述源漏电极同层设置，且位于所述源漏电极之间的石墨烷层。
12.一种薄膜晶体管阵列基板，包括衬底基板以及设置于衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、氧化物有源层、源漏电极、数据线和像素电极，其特征在于，所述源漏电极、数据线和像素电极采用同一透明导电材料形成，且同层设置，所述源漏电极与所述有源层直接接触。
13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述透明导电材料为石墨烯。
14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括：
与所述源漏电极同层设置，且位于所述源漏电极之间的石墨烷层。
15.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求12-14任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。
16.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求15所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510172472.XA CN104851910A (zh) | 2015-04-13 | 2015-04-13 | 薄膜晶体管、阵列基板、制备方法、显示面板和显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104851910A true CN104851910A (zh) | 2015-08-19 |
Family
ID=53851416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510172472.XA Pending CN104851910A (zh) | 2015-04-13 | 2015-04-13 | 薄膜晶体管、阵列基板、制备方法、显示面板和显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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