CN104838290B

CN104838290B - He‑3探测器防护带

Info

Publication number: CN104838290B
Application number: CN201380066142.1A
Authority: CN
Inventors: R.拉里克; M.伯恩斯
Original assignee: General Electric Co
Current assignee: General Electric Co
Priority date: 2012-12-17
Filing date: 2013-11-19
Publication date: 2018-01-26
Anticipated expiration: 2033-11-19
Also published as: WO2014126622A1; CN104838290A; JP6310942B2; EP2932301A1; JP2016505835A; US20150338532A1; EP2932301B1; US9720110B2; US9128191B2; US20140166891A1

Abstract

一种用于探测中子的中子探测器包括界定和密封内部容积的外壳。外壳用作阴极。中心结构在外壳内沿纵向延伸。中心结构用作阳极，并且保持在第一电压下。中子探测器包括在中心结构与外壳之间延伸并且朝中心结构的结构端部沿纵向延伸经过外壳的壳端部的绝缘部分。防护结构围绕外绝缘表面沿周向延伸。防护结构在壳端部与结构端部之间定位在绝缘部分上。防护结构保持在第二电压下，使得外绝缘表面上的泄漏电流由防护结构吸收。还提供了一种利用中子探测器探测中子的方法。

Description

HE-3探测器防护带

技术领域

本发明大体上涉及使用氦-3(³HE)中子探测器的中子探测，并且具体涉及包括防护结构的³HE中子探测器。

背景技术

氦-3(³HE)中子探测器用于探测自由中子。大体上，³HE中子探测器包括延伸穿过阴极外壳的阳极，其中绝缘体将阳极与阴极外壳分开。为了探测中子，一定量的³He气体设在阴极外壳的内部内。由阴极外壳内的中子反应引起的离子/颗粒将与³He气体碰撞来产生自由电子。这些自由电子吸入阳极中，因此自由电子生成信号/电子脉冲。分析该信号/电子脉冲来确定中子计数率。现在转到图4，示出了之前已知的中子探测器300的实例。中子探测器300包括外壳320、中心结构340和隔离部分360。然而，在操作中，泄漏电流由于绝缘体的退化或故障而形成在绝缘体的表面上。在图4的实例内，泄漏电流可在第一方向380(如图4中的箭头大体上/示意性示出)上沿绝缘部分360行进。沿第一方向380行进的泄漏电流可到达中心结构340的结构端部342。该泄漏电流可通过生成错误电流来不利地影响中子探测器300的测量能力。具体而言，该泄漏电流可产生中子的错误探测，并且可影响中子计数率。因此，存在的需要和将有益的是关注涉及流至阳极的泄漏电流的问题。

发明内容

下文提出了本发明的简要概括，以便提供本发明的一些示例性方面的基本理解。该概括并非本发明的宽泛概述。此外，该概括不期望识别本发明的关键元件，也并未描绘本发明的范围。概括的唯一目的在于以简化形式提出本发明的一些构想作为随后提出的更详细描述的序言。

根据一个方面，本发明提供了一种用于探测中子的中子探测器。中子探测器包括界定和密封内部容积的外壳。外壳用作阴极。中子探测器包括在外壳内沿纵向延伸的中心结构。中心结构用作阳极，并且保持在第一电压下。中子探测器包括在中心结构与外壳之间沿径向延伸的绝缘部分。绝缘部分朝中心结构的结构端部沿纵向延伸经过外壳的壳端部。中子探测器包括围绕绝缘部分的外绝缘表面沿周向延伸的防护结构。防护结构在壳端部与结构端部之间定位在绝缘部分上。防护结构保持在第二电压下，使得绝缘部分的外绝缘表面上的泄漏电流由防护结构吸收。

根据另一个方面，本发明提供了一种用于探测中子的中子探测器。中子探测器包括界定和密封内部容积的外壳。外壳用作阴极。中子探测器包括在外壳内沿纵向延伸的中心结构。中心结构用作阳极，并且保持在第一电压下。中子探测器包括在中心结构与外壳之间沿径向延伸的绝缘部分。绝缘部分朝中心结构的结构端部沿纵向延伸经过外壳的壳端部。中子探测器包括围绕绝缘部分的外绝缘表面沿周向延伸的防护结构。防护结构在壳端部与结构端部之间定位在绝缘部分上。防护结构保持在与中心结构大致等同的电压下。防护结构与中心结构电性隔离，使得绝缘部分的外绝缘表面上的泄漏电流由防护结构吸收。

根据另一个方面，本发明提供了一种利用中子探测器探测中子的方法。该方法包括提供在外壳内沿纵向延伸的中心结构的步骤。该方法还包括将中心结构保持在第一电压下的步骤。该方法还包括将绝缘部分沿径向设在中心结构与外壳之间，其中绝缘部分沿纵向延伸经过外壳的壳端部的步骤。该方法还包括提供围绕绝缘部分沿周向延伸的防护结构的步骤。该方法还包括将防护结构保持在第二电压下使得绝缘部分上的泄漏电流由防护结构吸收的步骤。

附图说明

在参照附图阅读以下描述时，本发明的前述和其它方面将对本发明所涉及的领域的技术人员而言变得显而易见，其中：

图1为根据本发明的方面的示例性中子探测器的透视图；

图2为具有相关联的示意性地示出的构件的沿图1的线2-2的示例性中子探测器的一部分的截面视图；

图3为绘出利用图1的示例性中子探测器探测中子的方法的流程图；以及

图4为现有技术的中子探测器的截面视图。

具体实施方式

附图中描述和示出了并入本发明的一个或更多个方面的示例性实施例。这些所示实例并不旨在限制本发明。例如，本发明的一个或更多个方面可用于其它实施例以及甚至其它类型的装置中。此外，某些用语在本文中仅为了方便使用，并且不被看作是限制本发明。更进一步，在附图中，相同的附图标记用于表示相同的元件。

图1绘出了根据本发明的一个方面的示例性中子探测器10。大体上，中子探测器10可探测进入中子探测器10中的中子。中子探测器10包括外壳20和沿纵向延伸穿过外壳20的内部的中心结构40。绝缘部分60使外壳20与中心结构40绝缘。根据本发明的方面，防护结构80围绕绝缘部分60沿周向延伸，以减小绝缘部分60上的泄漏电流到达中心结构40的可能性。该防护结构80保持在与中心结构40相似的电压下，使得防护结构80将在泄漏电流到达中心结构40之前吸收和/或中断泄漏电流。

转到中子探测器10和其操作的大体论述，将认识到的是中子探测器在图1中略微大体绘出。将认识到的是，中子探测器10可包括任何数量的构造。在所示的实例中，中子探测器10在第一端部12与相对的第二端部14之间沿纵向延伸。该实例中的中子探测器10沿大体上线性的轴线延伸，但在另外的实例中，中子探测器10可包括弯头、弯曲、波动等。类似地，中子探测器10不限于所示大小，并且在其它实例中可比所示的更长/更短或更大/更小。同样地，中子探测器10可收纳在壳体或其它类似结构内。

中子探测器10可在用于监测和/或探测中子的多种应用中使用。例如，中子探测器10可与辐射安全应用、废核燃料的辐射监测、国土安全应用等关联使用。当然，中子探测器10不限于这些应用，并且可在涉及监测/探测中子的另外应用中使用。

现在转到图2，示出了中子探测器10的第一端部12的截面视图。将认识到的是，为了易于图示，图2仅绘出了第一端部12，而未绘出第二端部14。在操作中，第二端部14在尺寸、结构和形状上与第一端部12大体上相同，但为第一端部12的镜像。因此，第二端部12的以下描述可相对于中子探测器10的第二端部14大体上相同。

中子探测器10包括外壳20。外壳20具有在中子探测器10的第一端部12与第二端部14之间延伸的大体上圆形的截面形状。在其它实例中，外壳不限于圆形截面形状，并且改为可包括椭圆形、四边形(例如，正方形、矩形等)、圆形截面形状等。外壳20包括界定大致中空内部容积24的壁22。外壳20可由各种材料构成，如，金属，包括不锈钢、铝等。如图2中所示，外壳20可电接地。在一个实例中，外壳20用作电路的阴极。

外壳20在相对的壳端部26之间延伸。尽管图2中仅示出了一个壳端部26，但将理解的是，相对的壳端部可与图2中所示的壳端部26大体上相同。在一个实例中，外壳20包括位于壳端部26处的肩部28。肩部28限定从外壳20的中心沿径向向外延伸的凸起、露头等。在所示的实例中，肩部28具有大于外壳20的中心部分的较大截面尺寸(例如，图2中的直径)。肩部28不限于该尺寸，并且在另外的实例中，可沿径向延伸更大或更短的距离。肩部28与壁22集成地形成(即，形成为一件)，但在其它实例中，肩部28可相对于壁22单独地附接。

中子探测器10还包括中心结构40。中心结构40在外壳20的内部容积24内沿纵向延伸。将认识到的是，中心结构40在图2中为了示范性目的略微大体/示意性地示出。例如，尽管示出了中心结构40的仅一部分(即，中子探测器10的第一端部12)，但中心结构40可完全延伸穿过中子探测器10至第二端部14。就此而言，中心结构40的其余未示出的部分可在尺寸、形状和定向上与图2中所示的中心结构40大体上相同。

在另一个实例中，中心结构40包括线，或至少具有与线的类似比例。就此而言，中心结构40不限于所示实例的尺寸或形状。相反，在其它实例中，中心结构40具有比所示的更小或更大的截面尺寸(例如，图2中的直径)。中心结构40大体上沿外壳20的中心轴线延伸，但在其它实例中，中心结构40可从外壳20的中心轴线偏心。

中心结构40沿纵向延伸经过外壳20的壳端部26。就此而言，中心结构40至少部分地延伸到外壳20的内部容积24中，同时中心结构40的一部分定位在外壳20的外部处。在所示的实例中，中心结构40包括与壳端部26间隔开一距离的结构端部42。将认识到的是，中心结构40可从壳端部26延伸比如图2中所示的更长或更短的距离。

中心结构40具有小于外壳20的截面尺寸，使得中心结构40从外壳20沿径向向内间隔开。具体而言，中心结构40的外表面44与外壳20的壁22沿径向间隔开。就此而言，间隙、空间等形成在外表面44与内部容积24内的壁22之间。当然，取决于中心结构40和外壳20的相应截面大小，该间隙/空间的尺寸可更大或更小。内部容积24的该间隙/空间可填充有包括例如氦-3(³HE)的气体(或气体混合物)，以有助于中子探测。外壳20提供内部容积24的边界/密封部，以限制一种或多种气体进入/流出外壳20。在其它实例中，外壳20的壁22可覆盖和/或涂覆有材料来改进中子探测。

中心结构40可由各种金属构成，包括不锈钢、铝等。如将在下面更详细所述，中心结构40保持在第一电压下。在一个实例中，中心结构40用作电路的阳极。

现在转到绝缘部分60，绝缘部分60定位在外壳20与中心结构40之间。中子探测器10包括设置在第一端部12和第二端部14中的各个处的绝缘部分60。因此，尽管仅第一端部12处的绝缘部分60在图2中示出，但第二端部14处的绝缘部分60可在尺寸和形状上大体上相同。

绝缘部分60在中心结构40的外表面44与外壳20的壁22之间沿径向延伸。绝缘部分60与中心结构40和外壳20中的各个接触。绝缘部分60可由一定数量的材料形成，如，陶瓷材料等。因此，绝缘部分60用于将中心结构40与外壳20电性隔离的目的，以限制和/或防止电荷在中心结构40与外壳20之间经过。

绝缘部分60在内绝缘表面62与外绝缘表面64之间沿径向延伸。内绝缘表面62围绕中心结构40的外表面44沿周向延伸。就此而言，绝缘部分60支承和/或收纳中心结构40的一部分(例如，端部部分)。外绝缘表面64与外壳20的壁22的一部分接触。

绝缘部分60可以以任何数量的方式相对于中心结构40和外壳20附接。在一个实例中，绝缘部分60硬钎焊于中心结构40和外壳20中的任一个或两者。在此类实例中，附接结构(例如，带、金属带等)可提供用于硬钎焊于中心结构40和外壳20。当然，构想出其它附接手段，如，粘合剂、金属紧固件等。

绝缘部分60在第一绝缘端部66与相对的第二绝缘端部68之间延伸。第一绝缘端部66定位在外壳20的内部容积24内。绝缘部分60从第一绝缘端部66朝第二绝缘端部68沿纵向延伸。绝缘部分60可比如所示的延伸到外壳20的内部容积24中更长或更短的距离。第二绝缘端部68定位在外壳20的外部处。在一个实例中，第二绝缘部分68相比于外壳20的壳端部26更紧邻中心结构40的结构端部42。当然，绝缘部分60不限于图2中所示的特定构造。相反地，在其它实例中，第二绝缘端部68将比如所示的延伸更长或更短的距离，如，通过一直延伸至结构端部42。由于第二绝缘端部68位于外壳20的外侧，故在壳端部26与结构端部42之间延伸的外绝缘表面64的一部分大体上暴露于周围环境。

现在转到防护结构80，防护结构80围绕绝缘部分60沿周向延伸。将认识到的是，防护结构80在图2中略微大体/示意性地示出，因为防护结构80包括一定数量的不同尺寸和形状。大体上，防护结构80接触外绝缘表面64，同时围绕绝缘部分60延伸。防护结构80包括大体上圆形的截面形状(例如，所示实例中的椭圆)，但在其它实例中，防护结构80包括圆形截面形状、具有圆角的四边形截面形状等。

防护结构80在壳端部26与结构端部42之间定位在绝缘部分60上。在所示的实例中，防护结构80定位成相比于壳端部26更紧邻结构端部42。然而，防护结构80不限于此类位置，并且在其它实例中，可定位成比如所示的更紧邻结构端部42(或作为备选，更紧邻壳端部26)。在一个可能的实例中，防护结构80定位在绝缘部分60的第二绝缘端部68处。通过定位在绝缘部分60上，防护结构80与中心结构40电绝缘。

防护结构80可由各种金属构成，包括不锈钢、铝等。例如，防护结构80可包括传导材料，使得防护结构80可保持在第二电压下。在一个实例中，该第二电压与中心结构40的第一电压大致相同。当然，在另外的实例中，第一电压和第二电压不需要相同，并且改为可为不同电压。

仍参照图2，电路100操作性地附接于中子探测器10。将理解的是，所示实例中的电路仅包括一个可能的布线示意图。实际上，构想出用于电路100的各种其它可能布线方法。

电路100包括用于将功率供应至中子探测器10的电源102。电源102例如将功率供应至中心结构40和防护结构80。在一个实例中，电源102为高压电源，如，1500伏电源。当然，电源102不限于1500伏，因为构想出其它电压。

电源102由第一连接器件104电连接于防护结构80。第一连接器件104可包括用于电连接防护结构80和电源102的线或其它类似装置。电流从电源102流过第一连接器件104，并且流至防护结构80。就此而言，防护结构80保持在一电压下(例如，如上文所述，第二电压)。

电源102还通过第二连接器件106电连接于中心结构40。第二连接器件106可包括用于电连接中心结构40和电源102的线或其它类似装置。电流从电源102流过第二连接器件106，并且流至中心结构40。就此而言，中心结构40保持在一电压下(例如，如上文所述，第一电压)，使得中心结构40用作阳极。

电路100还包括电连接于电源102的一个或更多个电气构件108。这些电气构件108可包括例如电阻器、电容器等。电气构件108提供成使得用于一个路径(即，从电源102穿过第一连接器件104至防护结构80)的阻抗大致类似于用于另一个路径(即，从电源102穿过第二连接器件106至中心结构40)的阻抗。当然，在其它实例中，电路100不限于图2中所示的电气构件108的特定布局，因为构想出其它构造。

电路100还包括探测电子设备110。探测电子设备110在图2中略微大体/示意性地绘出。探测电子设备110电连接于中子探测器10。探测电子设备110可测量来自中子探测器10的信号，特别是中心结构40(例如，阳极)。探测电子设备110还可提供用于软件评估的数字输出。探测电子设备110可包括例如数据采集构件、数据采集软件、控制器等。

仍参照图2，现在将描述中子探测器10的一个示例性操作。最初，一定量的(多种)气体如³He气体添加至外壳20的内部容积24。气体可仅为³He气体，或者³He气体可与其它(多种)气体如氩和急冷气体混合。当中子反应引起的离子或颗粒穿过内部容积24时，自由电子由于与³He气体碰撞而产生。这些自由电子朝中心结构40吸入，中心结构40用作阳极，因此自由电子收集成生成信号或电子脉冲。

由于用作阳极的中心结构40与用作阴极的外壳20之间的电压差，故产生的电子吸引至中心结构40。收集在中心结构40上的自由电子导致放大和/或数字化的信号或电子脉冲。接着分析该信号来确定若干可测量的量，如，中子计数率等。

泄漏电流(即，并未源于中心结构40上的自由电子的电流)可试图沿绝缘部分60朝中心结构40迁移。如果此类泄漏电流到达中心结构40，则其将不利地影响中子探测器10的测量能力。例如，泄漏电流将生成中心结构40中的错误中子计数结果。该泄漏电流可源于外绝缘表面64处的退化/故障，这引起绝缘部分60上的电荷累积。根据本发明的方面，防护结构80限制和/或减少该泄漏电流到达中心结构40(例如，中心结构40的结构端部42)。

如提到的，防护结构80可保持在第二电压下，该第二电压可与中心结构40的第一电压大致相同。因此，绝缘部分60(即，壳端部26与防护结构80之间)的外绝缘表面64上的泄漏电流由防护结构80吸收和/或中断，使得泄漏电流将不涉及中心结构40。因此，防护结构80将限制/防止该泄漏电流沿外绝缘表面64经过，并且至中心结构40的结构端部42。就此而言，将减小中心结构40处的错误中子计数的可能性。

现在转到图3，示出了利用中子探测器10探测中子的示例性方法200。方法200可与上文参照图1和2示出和描述的示例性中子探测器10关联执行。另外，将认识到的是，方法200提出为一系列线性步骤。该线性序列仅为了方便，并且易于理解。该方法组可以以不同序列顺序执行，其中一些步骤是同时的，等。就此而言，图3内提出的提出的示例性方法及其中的步骤不需要是对本发明的特定限制。

方法200包括提供在外壳20内沿纵向延伸的中心结构40的步骤210。具体而言，如上文关于图2所述，中心结构40在外壳20的内部容积24内沿纵向延伸。在一个实例中，中心结构40与外壳20大致同轴，但在其它实例中，中心结构40可偏离外壳20的中心轴线。

方法200包括将中心结构40保持在第一电压下的步骤220。具体而言，中心结构40由第二连接器件106电连接于电源102。中心结构40因此将保持在第一电压下，使得中心结构40用作阳极。

方法200还包括提供在中心结构40与外壳20之间沿径向延伸的绝缘部分60的步骤230，其中绝缘部分60沿纵向延伸经过壳端部26。在一个实例中，绝缘部分60在中心结构40的外表面44与外壳20的壁22之间沿径向延伸。因此，绝缘部分60使中心结构40与外壳20电绝缘。此外，绝缘部分60在第一绝缘端部66(定位在内部容积24内)与相对的第二绝缘端部68之间沿纵向延伸，第二绝缘端部68位于外壳20的外部处并且经过壳端部26。

方法200包括提供围绕绝缘部分60沿周向延伸的防护结构80的步骤240。具体而言，防护结构80与外绝缘表面64接触，同时围绕绝缘部分60延伸。防护结构80可定位成相比于壳端部26更紧邻结构端部42。

方法200包括将防护结构80保持在第二电压下使得绝缘部分60上的泄漏电流由防护结构80吸收和/或中断的步骤250。具体而言，防护结构80由第一连接器件104电连接于电源102。防护结构80因此将保持在第二电压下，其中防护结构80与中心结构40电绝缘。因此，绝缘部分60的外绝缘表面64上的泄漏电流将在泄漏电流到达中心结构40之前由防护结构80吸收和/或中断，使得泄漏电流将不涉及中心结构40。

如先前提到的，图4为先前已知的中子探测器300的实例。作为比较，图4的中子探测器300的外壳320、中心结构340和绝缘部分360与参照图2描述的外壳20、中心结构40和绝缘部分60大致相同。如将认识到的，图4的中子探测器300不包括如图2中所示的防护结构80。

在先前已知的探测器300的操作中，泄漏电流(即，并未源自中心结构40上的自由电子的电流)可在第一方向380上沿绝缘部分360行进(如图4中的箭头大体/示意性地所示)。沿第一方向380行进的泄漏电流可到达中心结构340的结构端部342。该泄漏电流可通过生成错误电流来不利地影响中子探测器300的测量能力。因此，具有防护结构(例如，图2的80)的根据本发明的中子探测器10可减少先前已知的中子探测器300的前述缺陷。

已经参照上文所述的示例性实施例描述了本发明。他人在阅读和理解本说明书时将想到改型和变型。并入本发明的一个或更多个方面的示例性实施例旨在在所有此类改型和变型落入所附权利要求的范围内的程度上包括所有此类改型和变型。

Claims

1.一种用于探测中子的中子探测器，所述中子探测器包括：

界定和密封内部容积的外壳，所述外壳用作阴极；

在所述外壳内沿纵向延伸的中心结构，所述中心结构用作阳极并且保持在大于电接地的第一电压下；

在所述中心结构与所述外壳之间且围绕所述中心结构径向延伸的绝缘部分，所述绝缘部分朝所述中心结构的结构端部沿纵向延伸经过所述外壳的壳端部；以及

围绕所述绝缘部分的外绝缘表面沿周向延伸的防护结构，所述防护结构在所述壳端部与所述结构端部之间定位在所述绝缘部分上，其中所述防护结构保持在大于电接地的第二电压下，使得所述绝缘部分的所述外绝缘表面上的泄漏电流由所述防护结构吸收。

2.根据权利要求1所述的中子探测器，其特征在于，所述中心结构延伸超过所述外壳的所述壳端部，在所述外壳外，使得所述中心结构的所述结构端部与所述壳端部间隔开一距离。

3.根据权利要求2所述的中子探测器，其特征在于，所述绝缘部分围绕所述中心结构的外表面沿周向延伸，所述绝缘部分从所述外壳的内部容积朝所述中心结构的所述结构端部沿纵向向外延伸。

4.根据权利要求3所述的中子探测器，其特征在于，所述绝缘部分与所述中心结构电性隔离。

5.根据权利要求4所述的中子探测器，其特征在于，所述第二电压大致等同于所述第一电压，使得所述绝缘部分和所述中心结构保持在大致等同的电压下。

6.根据权利要求1所述的中子探测器，其特征在于，所述防护结构包括传导材料。

7.根据权利要求6所述的中子探测器，其特征在于，所述防护结构与所述绝缘部分的所述外绝缘表面接触。

8.根据权利要求7所述的中子探测器，其特征在于，所述防护结构定位成相比于所述外壳的所述壳端部更紧邻所述中心结构的所述结构端部。

9.根据权利要求8所述的中子探测器，其特征在于，所述防护结构包括圆形截面形状。

10.一种用于探测中子的中子探测器，所述中子探测器包括：

界定和密封内部容积的外壳，所述外壳用作阴极；

围绕所述绝缘部分的外绝缘表面沿周向延伸的防护结构，所述防护结构在所述壳端部与所述结构端部之间定位在所述绝缘部分上，所述防护结构保持在与所述中心结构大致等同的电压下，其中所述防护结构与所述中心结构电性隔离，使得所述绝缘部分的所述外绝缘表面上的泄漏电流由所述防护结构吸收。

11.根据权利要求10所述的中子探测器，其特征在于，所述中心结构延伸超过所述外壳的所述壳端部，在所述外壳外，使得所述中心结构的所述结构端部与所述壳端部间隔开一距离。

12.根据权利要求11所述的中子探测器，其特征在于，所述绝缘部分围绕所述中心结构的外表面沿周向延伸，所述绝缘部分从所述外壳的内部容积朝所述中心结构的所述结构端部沿纵向向外延伸。

13.根据权利要求12所述的中子探测器，其特征在于，所述防护结构与所述绝缘部分的所述外绝缘表面接触。

14.根据权利要求13所述的中子探测器，其特征在于，所述绝缘部分与所述中心结构电性隔离。

15.根据权利要求10所述的中子探测器，其特征在于，所述防护结构包括传导材料。

16.一种利用中子探测器探测中子的方法，所述方法包括以下步骤：

提供在外壳内沿纵向延伸的中心结构；

将所述中心结构保持在大于电接地的第一电压下；

在所述中心结构与所述外壳之间且围绕所述中心结构径向提供绝缘部分，其中所述绝缘部分沿纵向延伸经过所述外壳的壳端部；

提供围绕所述绝缘部分沿周向延伸的防护结构；以及

将所述防护结构保持在大于电接地第二电压下，使得所述绝缘部分上的泄漏电流由所述防护结构吸收。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第二电压大致等同于所述第一电压。

18.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述防护结构与所述绝缘部分的外绝缘表面接触。

19.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述防护结构具有圆形截面形状。

20.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述防护结构定位成相比于所述外壳的所述壳端部更接近所述中心结构的结构端部。