CN104779801A - 一种多路输出的低功耗待机开关电源 - Google Patents

一种多路输出的低功耗待机开关电源 Download PDF

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CN104779801A CN201510125885.2A CN201510125885A CN104779801A CN 104779801 A CN104779801 A CN 104779801A CN 201510125885 A CN201510125885 A CN 201510125885A CN 104779801 A CN104779801 A CN 104779801A
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Abstract

本发明涉及开关电源。本发明针对现有技术中待机功率很高的问题，提供一种多路输出的低功耗待机开关电源，其特征在于，包括MCU输入控制端、5V电压输出端、整流后滤波电路、吸收电路、开关变压器、控制芯片、芯片电源、非隔离输出整流滤波、开环保护电路、电源自切断电路、隔离输出整流滤波、LDO转5V电路、反馈电路及模式切换电路。采用电源管理方案，使电源能工作在两种工作模式，即待机模式和正常工作模式。在待机模式时，电源只输出5V给MCU供电，其余各路输出均被切断。同时，选用低功耗、高效率的LDO做二次稳压使待机时功耗低，正常工作时效率高。适用于多路输出的低功耗待机开关电源。

Description

一种多路输出的低功耗待机开关电源
技术领域
本发明涉及开关电源，特别涉及多路输出的低功耗待机开关电源。
背景技术
电源是各电子设备，家电产品不可缺少的重要组成部分，然而开关电源又因为其效率高、体积小、成本低，而得到了广泛的应用。
目前，各家电产品普遍存在一个问题，待机功率很高，很多甚至达到数W以上。因为大量的家电产品长时间处于待机状态，造成了能源的巨大浪费。当前大多数使用开关电源的家电产品由于技术原因，在待机状态下，因为没有完全切断MCU电源以外的其他电源，使很多电路仍处于耗电状态，造成待机功率仍然很高。随着国家新的能耗标准的推出，对待机功耗也提出了明确的要求，在不远的将来，对冰箱、空调等白电、黑电产品的待机功耗要求将越来越低。为了响应国家节能、环保政策，降低家电产品的待机功率必将成为一个趋势，更高的能耗标准也将会推出。
发明内容
本发明所要解决的技术问题，就是提供一种多路输出的低功耗待机开关电源，以达到降低家电产品的待机功率的效果。
本发明解决所述技术问题，采用的技术方案是，一种多路输出的低功耗待机开关电源，包括MCU输入控制端、5V电压输出端、整流后滤波电路01、吸收电路02、开关变压器03、控制芯片04、芯片电源05、非隔离输出整流滤波06、开环保护电路07、电源自切断电路08、隔离输出整流滤波09、LDO转5V电路10、反馈电路11及模式切换电路12，所述模式切换电路12分别与MCU输入控制端及反馈电路11连接，反馈电路11分别与隔离输出整流滤波09、LDO转5V电路10及控制芯片04连接，控制芯片04分别与吸收电路02、开关变压器03及芯片电源05连接，芯片电源05分别与开环保护电路07及开关变压器03连接，开关变压器03分别与隔离输出整流滤波09、吸收电路02、整流后滤波电路01、芯片电源05及非隔离输出整流滤波06连接，吸收电路02与整流后滤波电路01连接，非隔离输出整流滤波06分别与开环保护电路07及电源自切断电路08连接，隔离输出整流滤波09与LDO转5V电路10连接，LDO转5V电路10与5V电压输出端连接。
具体的，所述整流后滤波电路01为高压铝电解电容C1；所述吸收电路02包含高压瓷介电容C7、TVS管二VD2及二极管五VD5；所述开关变压器03包括初级绕组B1、辅助绕组B2、非隔离输出绕组B3、隔离输出绕组B4及电容二十二C22；所述控制模块04包含控制芯片D4、电阻十R10及电容十六C16；
高压铝电解电容C1的正极分别与高压瓷介电容C7的一端、二极管五VD5的正极及初级绕组B1的一端连接，初级绕组B1的另一端分别与二极管五VD5的正极、控制芯片D4的端口七及控制芯片D4的端口八连接，二极管五VD5的负极分别与TVS管二VD2的负极及高压瓷介电容C7的另一端连接；辅助绕组B2的一端分别通过芯片电源05与控制芯片D4的端口五连接，辅助绕组B2的另一端、非隔离绕组B3的一端及电容二十二C22的一端接热地，非隔离绕组B3的另一端与非隔离输出整流滤波06连接；电容二十二C22的另一端与隔离输出绕组B4的一端连接隔离地，隔离输出绕组B4的另一端与隔离输出整流滤波09连接，控制芯片D4的端口一与电阻十R10的一端连接，电阻十R10的另一端、D4的端口二、D4的端口三、电容十六C16的一端及高压铝电解电容C1的负极接热地，电容十六C16的另一端分别与D4的端口四及开环保护电路07连接。
具体的，所述芯片电源05包含二极管一VD1、电解电容二C2、电阻一R1，所述电阻一R1的一端与辅助绕组B2的一端连接，电阻一R1的另一端与二极管一VD1的正极相连，二极管一VD1的负极分别与电解电容二C2的正极及控制芯片D4的端口五相连，电解电容C2的负极连接热地。
具体的，所述非隔离输出整流滤波06包含二极管六VD6、电解电容十七C17，二极管六VD6的正极与非隔离绕组B3的另一端连接，二极管六VD6的负极分别与电解电容十七C17的正极及开环保护电路07连接，电解电容十七C17的负极连接热地。
具体的，所述开环保护电路07-1电阻十二R12、电阻二十一R21、三极管一V1、稳压二级管三VD3，电阻二十一R21的一端连接到电解电容十七C17的正极及二极管六VD6的负极，电阻二十一R21的另一端连接稳压二级管三VD3的负极，稳压二级管三VD3的正极连接到三级管一V1的基极及电阻十二R12的一端，电阻十二R12的另一端连接到热地，三极管一V1的集电极连接到D4的端口四，三级管一V1的发射极连接到热地。
具体的，所述开环环保护电路07-2(附图3)电阻十二二R122、三极管十一V11、稳压二级管三十三VD33，三极管十一V11的发射极与电解电容十七C17的正极相连，三极管十一V11的集电极与电解电容二C2的正极相连，三极管十一V11的基极与电阻十二二R122的一端相连，电阻十二二R122的另一端与稳压二级管三十三VD33的负极相连，稳压二级管三十三VD33的正极连接热地。
具体的，所述电源自切断电路08包含PMOS管二Q2、三极管三V3、稳压二极管四VD4、电感三L3、电阻二十二R22、电阻二十三R23、电阻二十六R26、电阻二十七R27、滤波电容十八C18和滤波电容十三C13，电阻二十二R22的一端、电阻二十六R26的一端及PMOS管二Q2的源极分别与电解电容十七C17的正极相连，PMOS管二Q2的栅极分别与电阻二十六R26的另一端及电阻二十七R27的一端相连，电阻二十七R27的另一端与三极管三V3的集电极相连，三极管三V3的基级分别与稳压二级管四VD4的正极和电阻R23的一端相连，稳压二级管四VD4的负极与电阻二十二R22的另一端相连，电阻二十三R23的另一端及三极管三V3的发射极分别连接热地，PMOS管二Q2的漏极与电感三L3的一端相连，电感三L3的另一端分别与滤波电容十八C18的正极及滤波电容十三C13的一端相连，滤波电容十三C18的负极与滤波电容十三C13的另一端连接热地。
具体的，所述隔离输出整流滤波09包含二极管十四VD14、电阻二R2、瓷介电容八C8、电解电容九C9、电感一L1及电解电容十C10，二极管十四VD14的正极与隔离输出绕组B4的另一端连接，二极管十四VD14的负极分别与电解电容九C9正极及电感一L1的一端相连，电阻二R2与电容八C8串联后并联到二极管十四VD14上，电感一L1的另一端连接到电解电容十C10的正极，电解电容九C9的负极和电解电容十C10的负极连接到隔离地。
具体的，所述反馈电路11包含电阻四R4、电阻七R7、电阻八R8、电阻二十四R24、电阻三十R30、电阻三十一R31、光耦PC-2、电容十九C19及精密稳压集成电路D5；
所述模式切换电路12包含三极管六V6、电阻二十五R25及电阻三十二R32；
电阻四R4的一端连接到电解电容九C9的正极，电阻四R4的另一端分别与电阻七R7的一端及光耦一PC1的正极连接，光耦一PC1的负极分别与电阻二十四R24的一端、电阻七R7的另一端及精密稳压集成电路D5端口三相连，光耦一PC1的光控晶阀管的阳极与控制芯片D4的端口四连接，光耦一PC1的光控晶阀管的阴极接热地，电阻二十四R24的另一端与电容十九C19的一端相连，电容十九C19的另一端分别与电阻八R8、电阻三十R30的一端及精密稳压集成电路D5的端口一相连，电阻八R8的另一端与电解电容十C10的正极相连，电阻三十R30的另一端分别与电阻三十一R31的一端及三极管六V6的集电极相连，电阻二十五R25的一端及电阻三十二R32的一端分别连接到三极管六V6的基级，电阻三十二R32的另一端与MCU输入控制端连接，电阻三十一R31的另一端、D5的端口二、电阻二十五R25另一端及三极管V6的发射极分别连接冷地。
具体的，所述LDO转5V电路10包含LDO、输出滤波电容C14及输出滤波电容C12，LDO端口三及端口六分别与电解电容十C10的正极相连，LDO的端口一分别与滤波电容C14的正极和输出滤波电容C12的一端相连，滤波电容C14的负极、滤波电容十二C12的另一端、LDO的端口二及端口五连接隔离地。
本发明的有益效果是：采用电源管理方案，使电源能工作在两种工作模式，即待机模式和正常工作模式。在待机模式时，电源只输出5V给MCU供电，其余各路输出均被切断。同时，选用低功耗、高效率的LDO做二次稳压使待机时功耗低，正常工作时效率高。
附图说明
图1为本发明一种多路输出的低功耗待机开关电源实施例1的结构框图；
图2为本发明一种多路输出的低功耗待机开关电源实施例1的电路图；
图3为本发明一种多路输出的低功耗待机开关电源实施例2的电路图；
其中，整流后滤波电路01、吸收电路02、开关变压器03、控制芯片04、芯片电源05、非隔离输出整流滤波06、开环保护电路07、电源自切断电路08、隔离输出整流滤波09、LDO转5V电路10、反馈电路11、模式切换电路12、高压铝电解电容C1、高压瓷介电容C7、TVS管二VD2、二极管五VD5、初级绕组B1、辅助绕组B2、非隔离输出绕组B3、隔离输出绕组B4、电容二十二C22、控制芯片D4、电阻十R10、电容十六C16、二极管一VD1、电解电容二C2、电阻一R1、电阻十二R12、电阻二十一R21、三极管一V1、稳压二级管三VD3、电阻十二二R122、三极管十一V11、稳压二级管三十三VD33、PMOS管二Q2、三极管三V3、稳压二极管四VD4、电感三L3、电阻二十二R22、电阻二十三R23、电阻二十六R26、电阻二十七R27、滤波电容十八C18、滤波电容十三C13、二极管十四VD14、电阻二R2、瓷介电容八C8、电解电容九C9、电感一L1、电解电容十C10、电阻四R4、电阻七R7、电阻八R8、电阻二十四R24、电阻三十R30、电阻三十一R31、光耦PC-2、电容十九C19、精密稳压集成电路D5、三极管六V6、电阻二十五R25、电阻三十二R32、输出滤波电容C14及输出滤波电容C12。
具体实施方式
下面结合附图及实施例详细描述本发明的技术方案：
本发明针对现有技术中待机功率很高的问题，提供一种多路输出的低功耗待机开关电源，其特征在于，包括MCU输入控制端、5V电压输出端、整流后滤波电路01、吸收电路02、开关变压器03、控制芯片04、芯片电源05、非隔离输出整流滤波06、开环保护电路07、电源自切断电路08、隔离输出整流滤波09、LDO转5V电路10、反馈电路11及模式切换电路12，所述模式切换电路12分别与MCU输入控制端及反馈电路11连接，反馈电路11分别与隔离输出整流滤波09、LDO转5V电路10及控制芯片04连接，控制芯片04分别与吸收电路02、开关变压器03及芯片电源05连接，芯片电源05分别与开环保护电路07及开关变压器03连接，开关变压器03分别与隔离输出整流滤波09、吸收电路02、整流后滤波电路01、芯片电源05及非隔离输出整流滤波06连接，吸收电路02与整流后滤波电路01连接，非隔离输出整流滤波06分别与开环保护电路07及电源自切断电路08连接，隔离输出整流滤波09与LDO转5V电路10连接，LDO转5V电路10与5V电压输出端连接。采用电源管理方案，使电源能工作在两种工作模式，即待机模式和正常工作模式。在待机模式时，电源只输出5V给MCU供电，其余各路输出均被切断。同时，选用低功耗、高效率的LDO做二次稳压使待机时功耗低，正常工作时效率高。
实施例1
现有技术中大多现用开关电源由于没有对电源进行管理，电源任何时候总有电压输出，加之现用二次稳压的三端稳压器效率低下、静态损耗高，导致待机损耗高，正常工作时效率较低。本例中采用电源管理方案，使电源能工作在两种工作模式，即待机模式和正常工作模式。在待机模式时，电源只输出5V给MCU供电，其余各路输出均被切断。同时，选用低功耗、高效率的LDO做二次稳压使待机时功耗低，正常工作时效率高。
本例提供一种双路输出的、可控的低功耗待机开关电源，具体电路结构如图1所示，包括MCU输入控制端、5V电压输出端、整流后滤波电路01、吸收电路02、开关变压器03、控制芯片04、芯片电源05、非隔离输出整流滤波06、开环保护电路07、电源自切断电路08、隔离输出整流滤波09、LDO转5V电路10、反馈电路11及模式切换电路12，所述模式切换电路12分别与MCU输入控制端及反馈电路11连接，反馈电路11分别与隔离输出整流滤波09、LDO转5V电路10及控制芯片04连接，控制芯片04分别与吸收电路02、开关变压器03及芯片电源05连接，芯片电源05分别与开环保护电路07及开关变压器03连接，开关变压器03分别与隔离输出整流滤波09、吸收电路02、整流后滤波电路01、芯片电源05及非隔离输出整流滤波06连接，吸收电路02与整流后滤波电路01连接，非隔离输出整流滤波06分别与开环保护电路07及电源自切断电路08连接，隔离输出整流滤波09与LDO转5V电路10连接，LDO转5V电路10与5V电压输出端连接。
其中，如图2所示，所述整流后滤波电路01为高压铝电解电容C1；所述吸收电路02包含高压瓷介电容C7、TVS管二VD2及二极管五VD5；所述开关变压器03包括初级绕组B1、辅助绕组B2、非隔离输出绕组B3、隔离输出绕组B4及电容二十二C22；所述控制模块04包含控制芯片D4、电阻十R10及电容十六C16；
高压铝电解电容C1的正极分别与高压瓷介电容C7的一端、二极管五VD5的正极及初级绕组B1的一端连接，初级绕组B1的另一端分别与二极管五VD5的正极、控制芯片D4的端口七及控制芯片D4的端口八连接，二极管五VD5的负极分别与TVS管二VD2的负极及高压瓷介电容C7的另一端连接；辅助绕组B2的一端分别通过芯片电源05与控制芯片D4的端口五连接，辅助绕组B2的另一端、非隔离绕组B3的一端及电容二十二C22的一端接热地，非隔离绕组B3的另一端与非隔离输出整流滤波06连接；电容二十二C22的另一端分别、隔离输出绕组B4的一端连接隔离地，隔离输出绕组B4的另一端与隔离输出整流滤波09连接，控制芯片D4的端口一与电阻十R10的一端连接，电阻十R10的另一端、D4的端口二、D4的端口三、电容十六C16的一端及高压铝电解电容C1的负极接热地，电容十六C16的另一端分别与D4的端口四及开环保护电路07连接。
芯片电源05包含二极管一VD1、电解电容二C2及电阻一R1，所述电阻一R1的一端与辅助绕组B2的一端连接，电阻一R1的另一端与二极管一VD1的正极相连，二极管一VD1的负极分别与电解电容二C2的正极及控制芯片D4的端口五相连，电解电容C2的负极连接热地。
非隔离输出整流滤波06包含二极管六VD6、电解电容十七C17，二极管六VD6的正极与非隔离绕组B3的另一端连接，二极管六VD6的负极分别与电解电容十七C17的正极及开环保护电路07连接，电解电容十七C17的负极连接热地。
开环保护电路07-1包含电阻十二R12、电阻二十一R21、三极管一V1及稳压二级管三VD3，电阻二十一R21的一端连接到电解电容十七C17的正极及二极管六VD6的负极，电阻二十一R21的另一端连接稳压二级管三VD3的负极，稳压二级管三VD3的正极连接到三级管一V1的基极及电阻十二R12的一端，电阻十二R12的另一端连接到热地，三极管一V1的集电极连接到D4的端口四，三级管一V1的发射极连接到热地。
电源自切断电路08包含PMOS管二Q2、三极管三V3、稳压二极管四VD4、电感三L3、电阻二十二R22、电阻二十三R23、电阻二十六R26、电阻二十七R27、滤波电容十八C18和滤波电容十三C13，电阻二十二R22的一端、电阻二十六R26的一端及PMOS管二Q2的源极分别与电解电容十七C17的正极相连，PMOS管二Q2的栅极分别与电阻二十六R26的另一端及电阻二十七R27的一端相连，电阻二十七R27的另一端与三极管三V3的集电极相连，三极管三V3的基级分别与稳压二级管四VD4的正极和电阻R23的一端相连，稳压二级管四VD4的负极与电阻二十二R22的另一端相连，电阻二十三R23的另一端及三极管三V3的发射极分别连接热地，PMOS管二Q2的漏极与电感三L3的一端相连，电感三L3的另一端分别与滤波电容十八C18的正极及滤波电容十三C13的一端相连，滤波电容十三C18的负极与滤波电容十三C13的另一端连接热地。
隔离输出整流滤波09包含二极管十四VD14、电阻二R2、瓷介电容八C8、电解电容九C9、电感一L1及电解电容十C10，二极管十四VD14的正极与隔离输出绕组B4的另一端连接，二极管十四VD14的负极分别与电解电容九C9正极及电感一L1的一端相连，电阻二R2与电容八C8串联后并联到二极管十四VD14上，电感一L1的另一端连接到电解电容十C10的正极，电解电容九C9的负极和电解电容十C10的负极连接到隔离地。
反馈电路11包含电阻四R4、电阻七R7、电阻八R8、电阻二十四R24、电阻三十R30、电阻三十一R31、光耦PC-2、电容十九C19及精密稳压集成电路D5；
所述模式切换电路12包含三极管六V6、电阻二十五R25及电阻三十二R32；
电阻四R4的一端连接到电解电容九C9的正极，电阻四R4的另一端分别与电阻七R7的一端及光耦一PC1的正极连接，光耦一PC1的负极分别与电阻二十四R24的一端、电阻七R7的另一端及精密稳压集成电路D5端口三相连，光耦一PC1的光控晶阀管的阳极与控制芯片D4的端口四连接，光耦一PC1的光控晶阀管的阴极接热地，电阻二十四R24的另一端与电容十九C19的一端相连，电容十九C19的另一端分别与电阻八R8、电阻三十R30的一端及精密稳压集成电路D5的端口一相连，电阻八R8的另一端与电解电容十C10的正极相连，电阻三十R30的另一端分别与电阻三十一R31的一端及三极管六V6的集电极相连，电阻二十五R25的一端及电阻三十二R32的一端分别连接到三极管六V6的基级，电阻三十二R32的另一端与MCU输入控制端连接，电阻三十一R31的另一端、D5的端口二、电阻二十五R25另一端及三极管V6的发射极分别连接冷地。
LDO转5V电路10包含LDO、输出滤波电容C14及输出滤波电容C12，LDO端口三及端口六分别与电解电容十C10的正极相连，LDO的端口一分别与滤波电容C14的正极和输出滤波电容C12的一端相连，滤波电容C14的负极、滤波电容十二C12的另一端、LDO的端口二及端口五连接隔离地。
工作时，市电经整流后的脉动直流电输入到滤波电路01，连接到吸收电路02，输入到开关变压器03，通过控制芯片04给出的控制信号，对输入到开关变压器03的电压进行变压，并将变压后的电压信号输出给芯片电源05、非隔离输出整流滤波06及隔离输出整流滤波09。开环保护电路07连接非隔离输出滤波06及控制芯片04对电源进行过电压保护。电源自切断电路08根据非隔离输出整流滤波06的电压情况进行自关断。LDO转5V电路10对隔离输出整流滤波09的输出电压进行二次稳压输出5V。模式切换电路12接收MCU给出的信号控制反馈电路11，实现电源工作模式切换。
实施例2
本例的基本电路与实施例1相同，其中不同点在于本例中的开环保护电路07-2如图3所示，包含电阻十二二R122、三极管十一V11及稳压二级管三十三VD33，三极管十一V11的发射极与电解电容十七C17的正极相连，三极管十一V11的集电极与电解电容二C2的正极相连，三极管十一V11的基极与电阻十二二R122的一端相连，电阻十二二R122的另一端与稳压二级管三十三VD33的负极相连，稳压二级管三十三VD33的正极连接热地。
综上所述，本发明采用电源管理方案，使电源能工作在两种工作模式，即待机模式和正常工作模式。在待机模式时，电源只输出5V给MCU供电，其余各路输出均被切断。同时，选用低功耗、高效率的LDO做二次稳压使待机时功耗低，正常工作时效率高。

Claims (10)

1.一种多路输出的低功耗待机开关电源，其特征在于，包括MCU输入控制端、5V电压输出端、整流后滤波电路(01)、吸收电路(02)、开关变压器(03)、控制模块(04)、芯片电源(05)、非隔离输出整流滤波(06)、开环保护电路(07)、电源自切断电路(08)、隔离输出整流滤波(09)、LDO转5V电路(10)、反馈电路(11)及模式切换电路(12)，所述模式切换电路(12)分别与MCU输入控制端及反馈电路(11)连接，反馈电路(11)分别与隔离输出整流滤波(09)、LDO转5V电路(10)及控制模块(04)连接，控制模块(04)分别与吸收电路(02)、开关变压器(03)及芯片电源(05)连接，芯片电源(05)分别与开环保护电路(07)及开关变压器(03)连接，开关变压器(03)分别与隔离输出整流滤波(09)、吸收电路(02)、整流后滤波电路(01)、芯片电源(05)及非隔离输出整流滤波(06)连接，吸收电路(02)与整流后滤波电路(01)连接，非隔离输出整流滤波(06)分别与开环保护电路(07)及电源自切断电路(08)连接，隔离输出整流滤波(09)与LDO转5V电路(10)连接，LDO转5V电路(10)与5V电压输出端连接。
2.根据权利要求1所述的一种多路输出的低功耗待机开关电源，其特征在于，所述整流后滤波电路(01)为高压铝电解电容(C1)；所述吸收电路(02)包含高压瓷介电容(C7)、TVS管二(VD2)及二极管五(VD5)；所述开关变压器(03)包括初级绕组(B1)、辅助绕组(B2)、非隔离输出绕组(B3)、隔离输出绕组(B4)及电容二十二(C22)；所述控制模块(04)包含控制芯片(D4)、电阻十(R10)及电容十六(C16)；
高压铝电解电容(C1)的正极分别与高压瓷介电容(C7)的一端、TVS管二(VD2)的正极及初级绕组(B1)的一端连接，初级绕组(B1)的另一端分别与二极管五(VD5)的正极、控制芯片(D4)的端口七及控制芯片(D4)的端口八连接，二极管五(VD5)的负极分别与TVS管二(VD2)的负极及高压瓷介电容(C7)的另一端连接；辅助绕组(B2)的一端分别通过芯片电源(05)与控制芯片(D4)的端口五连接，辅助绕组(B2)的另一端、非隔离绕组(B3)的一端及电容二十二(C22)的一端接热地，非隔离绕组(B3)的另一端与非隔离输出整流滤波(06)连接；电容二十二(C22)的另一端与隔离输出绕组(B4)的一端连接隔离地，隔离输出绕组(B4)的另一端与隔离输出整流滤波(09)连接，控制芯片(D4)的端口一与电阻十(R10)的一端连接，电阻十(R10)的另一端、控制芯片(D4)的端口二、控制芯片(D4)的端口三、电容十六(C16)的一端及高压铝电解电容(C1)的负极接热地，电容十六(C16)的另一端分别与控制芯片(D4)的端口四及开环保护电路(07)连接。
3.根据权利要求2所述的一种多路输出的低功耗待机开关电源，其特征在于，所述芯片电源(05)包含二极管一(VD1)、电解电容二(C2)及电阻一(R1)，所述电阻一(R1)的一端与辅助绕组(B2)的一端连接，电阻一(R1)的另一端与二极管一(VD1)的正极相连，二极管一(VD1)的负极分别与电解电容二(C2)的正极及控制芯片(D4)的端口五相连，电解电容(C2)的负极连接热地。
4.根据权利要求3所述的一种多路输出的低功耗待机开关电源，其特征在于，所述非隔离输出整流滤波(06)包含二极管六(VD6)、电解电容十七(C17)，二极管六(VD6)的正极与非隔离绕组(B3)的另一端连接，二极管六(VD6)的负极分别与电解电容十七(C17)的正极及开环保护电路(07)连接，电解电容十七(C17)的负极连接热地。
5.根据权利要求4所述的一种多路输出的低功耗待机开关电源，其特征在于，所述开环保护电路(07-1)包含电阻十二(R12)、电阻二十一(R21)、三极管一(V1)及稳压二级管三(VD3)，电阻二十一(R21)的一端连接到电解电容十七(C17)的正极及二极管六(VD6)的负极，电阻二十一(R21)的另一端连接稳压二级管三(VD3)的负极，稳压二级管三(VD3)的正极连接到三级管一(V1)的基极及电阻十二(R12)的一端，电阻十二(R12)的另一端连接到热地，三极管一(V1)的集电极连接到控制芯片(D4)的端口四，三级管一(V1)的发射极连接到热地。
6.根据权利要求5所述的一种多路输出的低功耗待机开关电源，其特征在于，所述开环保护电路(07-2)(附图3)包含电阻十二二(R122)、三极管十一(V11)及稳压二级管三十三(VD33)，三极管十一(V11)的发射极与电解电容十七(C17)的正极相连，三极管十一(V11)的集电极与电解电容二(C2)的正极相连，三极管十一(V11)的基极与电阻十二二(R122)的一端相连，电阻十二二(R122)的另一端与稳压二级管三十三(VD33)的负极相连，稳压二级管三十三(VD33)的正极连接热地。
7.根据权利要求5或6所述的一种多路输出的低功耗待机开关电源，其特征在于，所述电源自切断电路(08)包含PMOS管二(Q2)、三极管三(V3)、稳压二极管四(VD4)、电感三(L3)、电阻二十二(R22)、电阻二十三(R23)、电阻二十六(R26)、电阻二十七(R27)、滤波电容十八(C1)8和滤波电容十三(C13)，电阻二十二(R22)的一端、电阻二十六(R26)的一端及PMOS管二(Q2)的源极分别与电解电容十七(C17)的正极相连，PMOS管二(Q2)的栅极分别与电阻二十六(R26)的另一端及电阻二十七(R27)的一端相连，电阻二十七(R27)的另一端与三极管三(V3的集电极相连，三极管三(V3的基级分别与稳压二级管四(VD4)的正极和电阻(R23)的一端相连，稳压二级管四(VD4)的负极与电阻二十二(R22)的另一端相连，电阻二十三(R23)的另一端及三极管三(V3)的发射极分别连接热地，PMOS管二(Q2)的漏极与电感三(L3)的一端相连，电感三(L3)的另一端分别与滤波电容十八(C18)的正极及滤波电容十三(C13)的一端相连，滤波电容十三(C18)的负极与滤波电容十三(C13)的另一端连接热地。
8.根据权利要求7所述的一种多路输出的低功耗待机开关电源，其特征在于，所述隔离输出整流滤波(09)包含二极管十四(VD14)、电阻二(R2)、瓷介电容八(C8)、电解电容九(C9)、电感一(L1)及电解电容十(C10)，二极管十四(VD14)的正极与隔离输出绕组(B4)的另一端连接，二极管十四(VD14)的负极分别与电解电容九(C9)正极及电感一(L1)的一端相连，电阻二(R2)与电容八(C8)串联后并联到二极管十四(VD14)上，电感一(L1)的另一端连接到电解电容十(C10)的正极，电解电容九(C9)的负极和电解电容十(C10)的负极连接到隔离地。
9.根据权利要求8所述的一种多路输出的低功耗待机开关电源，其特征在于，所述反馈电路(11)包含电阻四(R4)、电阻七(R7)、电阻八(R8)、电阻二十四(R24)、电阻三十(R30)、电阻三十一(R31)、光耦一(PC1)、电容十九(C19)及精密稳压集成电路(D5)；
所述模式切换电路(12)包含三极管六(V6)、电阻二十五(R25)及电阻三十二(R32)；
电阻四(R4)的一端连接到电解电容九(C9)的正极，电阻四(R4)的另一端分别与电阻七(R7)的一端及光耦一(PC1)的发光二极管正极连接，光耦一(PC1)的发光二极管负极分别与电阻二十四(R24)的一端、电阻七(R7)的另一端及精密稳压集成电路(D5)端口三相连，光耦一(PC1)的光控晶阀管的阳极与控制芯片(D4)的端口四连接，光耦一(PC1)的光控晶阀管的阴极接热地，电阻二十四(R24)的另一端与电容十九(C19)的一端相连，电容十九(C19)的另一端分别与电阻八(R8)、电阻三十(R30)的一端及精密稳压集成电路(D5)的端口一相连，电阻八(R8)的另一端与电解电容十(C10)的正极相连，电阻三十(R30)的另一端分别与电阻三十一(R31)的一端及三极管六(V6)的集电极相连，电阻二十五(R25)的一端及电阻三十二(R32)的一端分别连接到三极管六(V6)的基级，电阻三十二(R32)的另一端与MCU输入控制端连接，电阻三十一(R31)的另一端、精密稳压集成电路(D5)的端口二、电阻二十五(R25)另一端及三极管(V6)的发射极分别连接冷地。
10.根据权利要求9所述的一种多路输出的低功耗待机开关电源，其特征在于，所述LDO转5V电路(10)包含LDO、输出滤波电容(C14)及输出滤波电容(C12)，LDO端口三及端口六分别与电解电容十(C10)的正极相连，LDO的端口一分别与滤波电容(C14)的正极和输出滤波电容(C12)的一端相连，滤波电容(C14)的负极、滤波电容十二(C12)的另一端、LDO的端口二及端口五连接隔离地。
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