CN104777693B - 高穿透率psva型液晶显示面板及其制作方法 - Google Patents

高穿透率psva型液晶显示面板及其制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种高穿透率PSVA型液晶显示面板及其制作方法。该液晶显示面板在上基板(1)上设置第一公共电极(31)、绝缘层(32)、与第二公共电极(33)，在下基板(2)上设置像素电极(4)，在第二公共电极(33)与像素电极(4)表面设置多个聚合物突起(5)对液晶分子(7)配向，且所述第一、第二公共电极(31、33)的其中之一为图案化公共电极，另一个为平面型公共电极，像素电极(4)为平面型电极。在制程过程中，通过对像素电极(4)与图案化公共电极施加电压，能够使液晶分子(7)向不同方向倒伏，在每一个子像素内形成多畴；在使用过程中，通过对像素电极(4)与平面型公共电极施加电压，能够使整个像素区域同时达到最大的穿透率。

Description

高穿透率PSVA型液晶显示面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种高穿透率PSVA型液晶显示面板及其制作方法。
背景技术
主动式薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-LCD，TFT-LCD)近年来得到了飞速的发展和广泛的应用。就目前主流市场上的TFT-LCD显示面板而言，可分为三种类型，分别是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型，平面转换(In-Plane Switching，IPS)型、及垂直配向(Vertical Alignment，VA)型。其中VA型液晶显示器相对其他种类的液晶显示器具有极高的对比度，一般可达到4000-8000，在大尺寸显示，如电视等方面具有非常广的应用。
VA型液晶显示面板之所以具有极高的对比度是因为在不加电的暗态时，液晶分子垂直于基板表面排列，不产生任何相位差，漏光极低，暗态亮度很小，根据对比度计算公式暗态亮度越低，则对比度越高。为了使VA型液晶显示面板中的液晶分子能够垂直于基板表面排列，需要对液晶分子进行垂直配向处理，现行最为普遍的做法是在上、下基板表面的特定区域涂布垂直配向剂(高分子材料聚酰亚胺，Polyimide，PI溶液)，然后将基板在一定温度下进行长时间烘烤，使配向剂中的溶剂被烤干，从而在基板表面形成PI配向层。如图1所示，传统的VA型液晶显示面板包括：上基板10、与上基板10相对设置的下基板20、夹于下基板10和上基板20之间的液晶层40，形成于上基板10面向下基板20一侧表面及下基板20面向上基板10一侧表面的PI配向层30。由于VA型液晶显示面板采用垂直转动的液晶，液晶分子双折射率的差异比较大，导致大视角下的色偏(color shift)问题比较严重。
为了使VA型液晶显示面板获得更好的广视角特性，改善色偏问题，通常会采取多畴VA技术(multi-domain VA，MVA)，即将一个子像素划分成多个区域，并使每个区域中的液晶在施加电压后倒伏向不同的方向，从而使各个方向看到的效果趋于平均，一致。实现MVA技术的方法有多种，请参阅图2与图3，其中一种方法是将一侧的ITO像素电极70处理成“米字型”图案，公共电极80为厚度均匀、连续不间断的平面电极，由于特殊的ITO像素电极图案，其产生的倾斜电场可以诱导不同区域中的液晶分子40倒向不同的方向。
图2所示为一种MVA型液晶显示面板的下基板20一侧的平面俯视示意图，其中210与220分别为扫描线与数据线，一个子像素被划分成了四个区域，各个区域内的ITO像素电极70均形成有向不同方向延伸的像素电极分支与狭缝间隔的图案。图3所示为该MVA型液晶显示面板在对应图2中A-A处的剖面示意图，其中具有狭缝的像素电极70设于平坦的下钝化层60上，覆盖于像素电极70上的PI配向层30的表面凹凸不平，而平面型的公共电极80设于平坦的上钝化层90上，覆盖于公共电极80上的PI配向层30的表面呈一平面。
随着技术的发展，出现了一种不需要使用PI配向层的MVA型液晶显示面板，称为聚合物稳定垂直配向(polymer-stabilized vertical alignment，PSVA)型液晶显示面板，如图4至图6所示，被处理成“米字型”图案的像素电极400设于下基板200上，平面型的公共电极300设于上基板100上，附着于像素电极400与公共电极300表面的聚合物突起500为液晶层内的液晶分子700提供一定方向的预倾角。图7至图9为该现有的PSVA型液晶显示面板关键制程的示意图：首先在上基板100上制作平面型的公共电极300，在下基板200上制作被处理成“米字型”图案的像素电极400，将上、下基板对组并填充液晶分子700与可聚合单体500’的混合物；然后对公共电极300与像素电极400施加电压，使液晶分子700按照设计的方向，即被处理成“米字型”图案的像素电极400的狭缝的方向倒伏；再使用紫外光(Ultraviolet Rays，UV光)照射，使可聚合单体500’反应形成附着于像素电极400与公共电极300表面的聚合物突起500，为液晶分子700提供一定方向的预倾角。在上述制程过程中，被处理成“米字型”图案的像素电极400起到了重要作用，若像素电极不具有“米字型”图案，施加电压后液晶分子的倒伏方向将变的随机不可控。
由于被处理成“米字型”图案的像素电极400具有向不同方向延伸的像素电极分支与狭缝间隔的图案，导致其与对侧公共电极300形成的电场不均，对应于像素电极分支区域的电场明显强于对应于狭缝区域的电场，从而导致像素内出现亮度不均的现象。
另外，根据VA型液晶显示面板的穿透率的公式：
其中T为穿透率，ΔΦ为液晶长轴与偏光片夹角，45°时效率最大；Γ为相位差，即由液晶分子在电场驱动下偏转对偏振光的调制效果。
Γ的计算公式为：
Γ＝cos(a)*2π*Δn*d/λ (2)
其中，a为液晶分子长轴与基板法线的夹角，其大小受液晶分子受到的电场大小决定，d为液晶盒盒厚，Δn为液晶长短轴折射率差。
由公式(1)可知，当Γ为π时穿透率最大。公式(1)结合公式(2)可知，在液晶层盒厚d不变的情况下，穿透率T的大小由施加于液晶的电场大小决定：当Γ小于π时，电场越大，穿透率T越大；当Γ大于π时，电场越大，穿透率T越小。
由于像素电极分支与狭缝各自对应区域的电场大小不均，无法使这两部分区域的穿透率同时达到最大值，也就是说，像素电极分支对应区域的Γ为π时，狭缝对应区域的Γ小于π；而当狭缝对应区域的Γ达到π时，像素电极分支对应区域的Γ已超过π。因此，整个像素区域内无法同时达到最大的穿透率，也就无法达到液晶显示面板的最大穿透率，液晶显示面板的亮度不均匀。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高穿透率PSVA型液晶显示面板，能够使整个像素区域同时达到最大的穿透率，解决现有技术中由像素电极图案导致的穿透率降低的问题，提高PSVA型液晶显示面板的穿透率和亮度均匀性，降低PSVA型液晶显示面板对背光亮度的需求，降低成本与使用功耗。
本发明的目的还在于提供一种高穿透率PSVA型液晶显示面板的制作方法，通过该方法制作的PSVA型液晶显示面板，穿透率高、亮度均匀，能够降低PSVA型液晶显示面板对背光亮度的需求，降低成本与使用功耗。
为实现上述目的，本发明提供一种PSVA型液晶显示面板，包括：上基板、与所述上基板相对设置的下基板、自上而下依次层叠设置于所述上基板面向所述下基板一侧的第一公共电极、绝缘层、与第二公共电极、设于所述下基板面向所述上基板一侧的像素电极、夹设于所述第二公共电极与像素电极之间的液晶层、及设于所述第二公共电极与像素电极表面的多个聚合物突起；
所述第一公共电极与第二公共电极的其中之一为图案化公共电极，对应于每一个子像素，该图案化公共电极被划分为多个区域，各个区域具有向不同方向延伸的公共电极分支与狭缝间隔的图案；另一个为厚度均匀、连续不间断的平面型公共电极；
所述像素电极为厚度均匀、连续不间断的平面型电极；
所述聚合物突起对所述液晶层内的液晶分子配向，使得液晶分子具有一定的预倾角；
在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的制程过程中，对所述像素电极与图案化公共电极施加电压；在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的使用过程中，对所述像素电极与平面型公共电极施加电压。
所述第一公共电极为平面型公共电极，所述第二公共电极为图案化公共电极；在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的制程过程中，对所述像素电极与第二公共电极施加电压；在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的使用过程中，对所述像素电极与第一公共电极施加电压。
所述第二公共电极为平面型公共电极，所述第一公共电极为图案化公共电极；在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的制程过程中，对所述像素电极与第一公共电极施加电压；在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的使用过程中，对所述像素电极与第二公共电极施加电压。
所述图案化公共电极具有“米字型”图案。
所述第一公共电极、第二公共电极、及像素电极的材料为ITO；
所述绝缘层的材料为氮化硅、或氧化硅。
所述聚合物突起由可聚合单体经UV光照发生聚合反应形成。
所述可聚合单体为丙烯酸酯及其衍生物、甲基丙烯酸酯及其衍生物、苯乙烯及其衍生物、环氧树脂与脂肪胺类环氧固化剂的一种或组合。
本发明还提供一种PSVA型液晶显示面板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供上基板、与下基板；
先在上基板上依次形成第一公共电极、覆盖所述第一公共电极的绝缘层、及位于所述绝缘层上的第二公共电极；所述第一公共电极与第二公共电极的其中之一为图案化公共电极，对应于每一个子像素，该图案化公共电极被划分为多个区域，各个区域具有向不同方向延伸的公共电极分支与狭缝间隔的图案；另一个为厚度均匀、连续不间断的平面型公共电极；
在下基板上形成像素电极，所述像素电极为厚度均匀、连续不间断的平面型电极；
再将上、下基板对组，并在第二公共电极与像素电极之间填充液晶分子与可聚合单体的混合物；
步骤2、对所述像素电极与图案化公共电极施加电压，使液晶分子沿所述狭缝向不同方向倒伏，在每一个子像素内形成多畴；
步骤3、对所述像素电极与图案化公共电极施加电压的同时，使用UV光照射，使所述可聚合单体发生聚合反应形成附着于像素电极与第二公共电极表面的聚合物突起，以对所述液晶层内的液晶分子配向，使得液晶分子具有一定的预倾角。
所述图案化公共电极具有“米字型”图案，所述第一公共电极、第二公共电极、及像素电极的材料为ITO，所述绝缘层的材料为氮化硅、或氧化硅。
所述可聚合单体为丙烯酸酯及其衍生物、甲基丙烯酸酯及其衍生物、苯乙烯及其衍生物、环氧树脂与脂肪胺类环氧固化剂的一种或组合。
本发明的有益效果：本发明提供的一种高穿透率PSVA型液晶显示面板，在上基板上设置第一公共电极、绝缘层、与第二公共电极，在下基板上设置像素电极，在所述第二公共电极与像素电极表面设置多个聚合物突起对液晶分子配向，且所述第一公共电极与第二公共电极的其中之一为图案化公共电极，对应于每一个子像素，该图案化公共电极被划分为多个区域，各个区域具有向不同方向延伸的公共电极分支与狭缝间隔的图案；另一个为厚度均匀、连续不间断的平面型公共电极；所述像素电极为厚度均匀、连续不间断的平面型电极。在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的制程过程中，通过对所述像素电极与图案化公共电极施加电压，能够使液晶分子沿所述狭缝向不同方向倒伏，在每一个子像素内形成多畴；在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的使用过程中，通过对所述像素电极与平面型公共电极施加电压，能够使整个像素区域同时达到最大的穿透率，解决现有技术中由像素电极图案导致的穿透率降低的问题，提高PSVA型液晶显示面板的穿透率和亮度均匀性，降低PSVA型液晶显示面板对背光亮度的需求，降低成本与使用功耗。本发明提供的一种高穿透率PSVA型液晶显示面板的制作方法，通过在上基板上形成第一公共电极、绝缘层、与第二公共电极，在下基板上形成像素电极，且所述第一公共电极与第二公共电极的其中之一为图案化公共电极，另一个为平面型公共电极，所述像素电极为平面型电极，通过UV光照使可聚合单体发生聚合反应形成聚合物突起对液晶分子配向，能够使得PSVA型液晶显示面板的穿透率高、亮度均匀，降低PSVA型液晶显示面板对背光亮度的需求，降低成本与使用功耗。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为一种现有的VA型液晶显示面板的剖面示意图；
图2为一种现有的MVA型液晶显示面板的下基板一侧的平面俯视示意图；
图3为一种现有的MVA型液晶显示面板在对应图2中A-A处的剖面示意图；
图4为一种现有的的PSVA型液晶显示面板的剖面示意图；
图5为图4所示现有的PSVA型液晶显示面板中像素电极的平面俯视示意图；
图6为图4所示现有的PSVA型液晶显示面板中公共电极的平面仰视示意图；
图7至图9为图4所示现有的PSVA型液晶显示面板的关键制程的示意图；
图10为本发明的PSVA型液晶显示面板的剖面示意图；
图11为本发明的PSVA型液晶显示面板中像素电极的平面俯视示意图；
图12为本发明的PSVA型液晶显示面板中第一公共电极的平面仰视示意图；
图13为本发明的PSVA型液晶显示面板中第二公共电极的平面仰视示意图；
图14为本发明的PSVA型液晶显示面板的制作方法的流程图；
图15为本发明的PSVA型液晶显示面板的制作方法的步骤1的示意图；
图16为本发明的PSVA型液晶显示面板的制作方法的步骤2的示意图；
图17为本发明的PSVA型液晶显示面板的制作方法的步骤3的示意图；
图18为本发明的PSVA型液晶显示面板在使用状态下的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请同时参阅图10至图13，本发明首先提供一种高穿透率PSVA型液晶显示面板，包括上基板1、与所述上基板1相对设置的下基板2、自上而下依次层叠设置于所述上基板1面向所述下基板2一侧的第一公共电极31、绝缘层32、与第二公共电极33、设于所述下基板2面向所述上基板1一侧的像素电极4、夹设于所述第二公共电极33与像素电极4之间的液晶层、及设于所述第二公共电极33与像素电极4表面的多个聚合物突起5。
所述第一公共电极31与第二公共电极33的其中之一为图案化公共电极，对应于每一个子像素，该图案化公共电极被划分为多个区域，各个区域具有向不同方向延伸的公共电极分支与狭缝间隔的图案；另一个为厚度均匀、连续不间断的平面型公共电极。
所述像素电极4为厚度均匀、连续不间断的平面型电极。
所述聚合物突起5对所述液晶层内的液晶分子7配向，使得液晶分子7具有一定的预倾角。
图10、图12与图13示意出了所述第一公共电极31为平面型公共电极，所述第二公共电极33为图案化公共电极的情况。当然，也可以将案化公共电极与平面型公共电极互换位置，即所述第二公共电极33为平面型公共电极，所述第一公共电极31为图案化公共电极。
所述图案化公共电极在该高穿透率PSVA型液晶显示面板的制程过程中起作用，而所述平面型公共电极在该高穿透率PSVA型液晶显示面板的使用过程中起作用。
以所述第一公共电极31为平面型公共电极，所述第二公共电极33为图案化公共电极为例，在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的制程过程中，对所述像素电极4与第二公共电极33施加电压，能够在像素电极4与第二公共电极33之间形成倾斜电场，使液晶分子7沿所述狭缝向不同方向倒伏，在每一个子像素内形成多畴，配合后续的通过UV光照使可聚合单体发生聚合反应形成聚合物突起5，使得液晶分子7具有一定的预倾角。在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的使用过程中，如图18所示，对所述像素电极4与第一公共电极31施加电压，由于所述像素电极4与第一公共电极31均为平面型电极，在二者之间形成的电场均匀，整个像素区域能够同时达到最大的穿透率，解决现有技术中由像素电极图案导致的穿透率降低的问题，提高PSVA型液晶显示面板的穿透率和亮度均匀性，降低PSVA型液晶显示面板对背光亮度的需求，降低成本与使用功耗。
当然，若所述第二公共电极33为平面型公共电极，所述第一公共电极31为图案化公共电极，那么在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的制程过程中，对所述像素电极4与第一公共电极31施加电压；在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的使用过程中，对所述像素电极4与第二公共电极33施加电压。
具体地，所述上基板1通常为现有技术中的CF基板，所述下基板2通常为现有技术中的TFT基板。
如图13所示，所述图案化公共电极具有“米字型”图案。
所述第一公共电极31、第二公共电极33、及像素电极4的材料为ITO；
所述绝缘层32的材料为氮化硅、或氧化硅。
所述可聚合单体为丙烯酸酯及其衍生物、甲基丙烯酸酯及其衍生物、苯乙烯及其衍生物、环氧树脂与脂肪胺类环氧固化剂的一种或组合。
请参阅图14，本发明还提供一种高穿透率PSVA型液晶显示面板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、如图15所示，提供上基板1、与下基板2。
先在上基板1上依次形成第一公共电极31、覆盖所述第一公共电极31的绝缘层32、及位于所述绝缘层32上的第二公共电极33；所述第一公共电极31与第二公共电极33的其中之一为图案化公共电极，对应于每一个子像素，该图案化公共电极被划分为多个区域，各个区域具有向不同方向延伸的公共电极分支与狭缝间隔的图案；另一个为厚度均匀、连续不间断的平面型公共电极。在下基板2上形成像素电极4，所述像素电极4为厚度均匀、连续不间断的平面型电极。
图12、图13示意出了所述第一公共电极31为平面型公共电极，所述第二公共电极33为图案化公共电极的情况。当然，也可以将图案化公共电极与平面型公共电极互换位置，即所述第二公共电极33为平面型公共电极，所述第一公共电极31为图案化公共电极。
再将上、下基板1、2对组，并在第二公共电极33与像素电极4之间填充液晶分子7与可聚合单体5’的混合物。
步骤2、对所述像素电极4与图案化公共电极施加电压，使液晶分子7沿所述狭缝向不同方向倒伏，在每一个子像素内形成多畴。
图16以所述第二公共电极33为图案化公共电极，所述第一公共电极31为平面型公共电极为例，示意出了该步骤2对所述像素电极4与第二公共电极33施加电压形成倾斜电场，使液晶分子7沿所述狭缝向不同方向倒伏。
步骤3、如图17所示，仍以所述第二公共电极33为图案化公共电极，所述第一公共电极31为平面型公共电极为例，对所述像素电极4与图案化公共电极即第二公共电极33施加电压的同时，使用UV光照射，使所述可聚合单体5’发生聚合反应形成附着于像素电极4与第二公共电极33表面的聚合物突起5，以对所述液晶层内的液晶分子7配向，使得液晶分子7具有一定的预倾角。
至此，完成该高穿透率PSVA型液晶显示面板的制作。
具体地，所述图案化公共电极具有“米字型”图案，所述第一公共电极31、第二公共电极33、及像素电极4的材料为ITO，所述绝缘层32的材料为氮化硅、或氧化硅。
如图18所示，还是以所述第二公共电极33为图案化公共电极，所述第一公共电极31为平面型公共电极为例，当使用通过上述方法制作的液晶显示面板时，对所述像素电极4与第一公共电极31施加电压，由于所述像素电极4与第一公共电极31均为平面型电极，在二者之间形成的电场均匀，整个像素区域能够同时达到最大的穿透率，解决现有技术中由像素电极图案导致的穿透率降低的问题，提高PSVA型液晶显示面板的穿透率和亮度均匀性，降低PSVA型液晶显示面板对背光亮度的需求，降低成本与使用功耗。
综上所述，本发明的高穿透率PSVA型液晶显示面板，在上基板上设置第一公共电极、绝缘层、与第二公共电极，在下基板上设置像素电极，在所述第二公共电极与像素电极表面设置多个聚合物突起对液晶分子配向，且所述第一公共电极与第二公共电极的其中之一为图案化公共电极，对应于每一个子像素，该图案化公共电极被划分为多个区域，各个区域具有向不同方向延伸的公共电极分支与狭缝间隔的图案；另一个为厚度均匀、连续不间断的平面型公共电极；所述像素电极为厚度均匀、连续不间断的平面型电极。在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的制程过程中，通过对所述像素电极与图案化公共电极施加电压，能够使液晶分子沿所述狭缝向不同方向倒伏，在每一个子像素内形成多畴；在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的使用过程中，通过对所述像素电极与平面型公共电极施加电压，能够使整个像素区域同时达到最大的穿透率，解决现有技术中由像素电极图案导致的穿透率降低的问题，提高PSVA型液晶显示面板的穿透率和亮度均匀性，降低PSVA型液晶显示面板对背光亮度的需求，降低成本与使用功耗。本发明的高穿透率PSVA型液晶显示面板的制作方法，通过在上基板上形成第一公共电极、绝缘层、与第二公共电极，在下基板上形成像素电极，且所述第一公共电极与第二公共电极的其中之一为图案化公共电极，另一个为平面型公共电极，所述像素电极为平面型电极，通过UV光照使可聚合单体发生聚合反应形成聚合物突起对液晶分子配向，能够使得PSVA型液晶显示面板的穿透率高、亮度均匀，降低PSVA型液晶显示面板对背光亮度的需求，降低成本与使用功耗。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种高穿透率PSVA型液晶显示面板，包括上基板(1)、与所述上基板(1)相对设置的下基板(2)、自上而下依次层叠设置于所述上基板(1)面向所述下基板(2)一侧的第一公共电极(31)、绝缘层(32)、与第二公共电极(33)、设于所述下基板(2)面向所述上基板(1)一侧的像素电极(4)、夹设于所述第二公共电极(33)与像素电极(4)之间的液晶层、及设于所述第二公共电极(33)与像素电极(4)表面的多个聚合物突起(5)；所述聚合物突起(5)对所述液晶层内的液晶分子(7)配向，使得液晶分子(7)具有一定的预倾角，其特征在于，所述第一公共电极(31)与第二公共电极(33)的其中之一为图案化公共电极，对应于每一个子像素，该图案化公共电极被划分为多个区域，各个区域具有向不同方向延伸的公共电极分支与狭缝间隔的图案；另一个为厚度均匀、连续不间断的平面型公共电极；
所述像素电极(4)为厚度均匀、连续不间断的平面型电极；
在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的制程过程中，对所述像素电极(4)与图案化公共电极施加电压；在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的使用过程中，对所述像素电极(4)与平面型公共电极施加电压。
2.如权利要求1所述的高穿透率PSVA型液晶显示面板，其特征在于，所述第一公共电极(31)为平面型公共电极，所述第二公共电极(33)为图案化公共电极；在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的制程过程中，对所述像素电极(4)与第二公共电极(33)施加电压；在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的使用过程中，对所述像素电极(4)与第一公共电极(31)施加电压。
3.如权利要求1所述的高穿透率PSVA型液晶显示面板，其特征在于，所述第二公共电极(33)为平面型公共电极，所述第一公共电极(31)为图案化公共电极；在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的制程过程中，对所述像素电极(4)与第一公共电极(31)施加电压；在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的使用过程中，对所述像素电极(4)与第二公共电极(33)施加电压。
4.如权利要求1所述的高穿透率PSVA型液晶显示面板，其特征在于，所述图案化公共电极具有“米字型”图案。
5.如权利要求1所述的高穿透率PSVA型液晶显示面板，其特征在于，所述第一公共电极(31)、第二公共电极(33)、及像素电极(4)的材料为ITO；所述绝缘层(32)的材料为氮化硅、或氧化硅。
6.如权利要求1所述的高穿透率PSVA型液晶显示面板，其特征在于，所述聚合物突起(5)由可聚合单体经UV光照发生聚合反应形成。
7.如权利要求6所述的高穿透率PSVA型液晶显示面板，其特征在于，所述可聚合单体为丙烯酸酯及其衍生物、甲基丙烯酸酯及其衍生物、苯乙烯及其衍生物、环氧树脂与脂肪胺类环氧固化剂的一种或组合。
8.一种高穿透率PSVA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供上基板(1)、与下基板(2)；
先在上基板(1)上依次形成第一公共电极(31)、覆盖所述第一公共电极(31)的绝缘层(32)、及位于所述绝缘层(32)上的第二公共电极(33)；所述第一公共电极(31)与第二公共电极(33)的其中之一为图案化公共电极，对应于每一个子像素，该图案化公共电极被划分为多个区域，各个区域具有向不同方向延伸的公共电极分支与狭缝间隔的图案；另一个为厚度均匀、连续不间断的平面型公共电极；
在下基板(2)上形成像素电极(4)，所述像素电极(4)为厚度均匀、连续不间断的平面型电极；
再将上、下基板(1、2)对组，并在第二公共电极(33)与像素电极(4)之间填充液晶分子(7)与可聚合单体(5’)的混合物；
步骤2、对所述像素电极(4)与图案化公共电极施加电压，使液晶分子(7)沿所述狭缝向不同方向倒伏，在每一个子像素内形成多畴；
步骤3、对所述像素电极(4)与图案化公共电极施加电压的同时，使用UV光照射，使所述可聚合单体(5’)发生聚合反应形成附着于像素电极(4)与第二公共电极(33)表面的聚合物突起(5)，以对所述液晶层内的液晶分子(7)配向，使得液晶分子(7)具有一定的预倾角。
9.如权利要求8所述的高穿透率PSVA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述图案化公共电极具有“米字型”图案，所述第一公共电极(31)、第二公共电极(33)、及像素电极(4)的材料为ITO，所述绝缘层(32)的材料为氮化硅、或氧化硅。
10.如权利要求8所述的高穿透率PSVA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述可聚合单体(5’)为丙烯酸酯及其衍生物、甲基丙烯酸酯及其衍生物、苯乙烯及其衍生物、环氧树脂与脂肪胺类环氧固化剂的一种或组合。
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