CN104769739A

CN104769739A - 透明导电膜和包含所述透明导电膜的有机发光器件

Info

Publication number: CN104769739A
Application number: CN201280076923.4A
Authority: CN
Inventors: 李渊槿; 金正斗; 金持凞
Original assignee: LG Chemical Co Ltd
Current assignee: LG Chem Ltd; LG Corp
Priority date: 2012-11-14
Filing date: 2012-11-14
Publication date: 2015-07-08
Anticipated expiration: 2032-11-14
Also published as: JP2016506015A; WO2014077422A1; CN104769739B; EP2765624A4; US20150340644A1; TWI506836B; EP2765624A1; US9773996B2; TW201419610A

Abstract

本发明涉及一种透明导电膜和包含所述透明导电膜的有机发光器件。本发明的透明导电膜具有低薄层电阻、高正面透射率和低光吸收率的特征。本发明的有机发光器件包含具有低光吸收率的透明导电膜，由此实现发光效率的改善。特别地，本发明的有机发光器件还包含内部光提取层，由此可以改善光提取效率，且可使由透明电极和基板之间的折射率差而引起的光损失最小化。

Description

透明导电膜和包含所述透明导电膜的有机发光器件

[技术领域]

本申请要求于2012年11月14日在韩国专利局提交的第10-2012-0128556号韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引证的方式纳入本说明书。

本发明涉及一种透明导电膜和包含所述透明导电膜的有机发光器件。

[背景技术]

有机发光器件(OLED)通常由两个电极和置于所述电极之间的一层或多层的有机材料层组成。

如果在具有所述结构的有机发光器件中的第一电极和第二电极之间施加电压，则分别来自第一电极和第二电极的空穴和电子流入到有机材料层中，所述空穴和电子再复合以形成激子(excition)，并且当激子重新降至基态(ground state)时发射出对应于能量差的光子。通过这种原理，有机发光器件产生可见光线，并可通过使用此原理制造信息显示器件或照明器件。

通常，有机发光器件可通过包括以下步骤的方法制造：在基板上沉积第一电极，并在其上沉积一层或多层的有机材料层，然后在其上沉积第二电极。因此，为了发射由有机材料层产生的光，在欲发射光的方向上的电极必须是透明的，且当向第一电极方向发射光时，第一电极以及基板必须是透明的。

[发明内容]

[技术问题]

在本发明所属的领域中，需要研究一种可防止由透明电极和基板的折射率之间的差异而产生的光损失的有机发光器件，以提高所述有机发光器件的效率，及其制造方法。

[技术方案]

本发明的一个示例性实施方案提供一种透明导电膜，其包含氧化铟锡(ITO，Indium Tin Oxide)，其中X射线衍射峰值(222)、(400)和(440)中的(222)面的积分强度比为70％以上。

本发明的另一个示例性实施方案提供一种用于制备透明导电膜的方法，其包括在基板上形成包含氧化铟锡(ITO)的透明导电膜的步骤，其中X射线衍射峰值(222)、(400)和(440)中的(222)面的积分强度比为70％以上。

本发明的又另一个示例性实施方案提供一种包含所述透明导电膜的有机发光器件。

[有益效果]

本发明的透明导电膜具有低薄层电阻(sheet resistance)值、高正面透射率和低光吸收率的特征。本发明的有机发光器件包含具有低光吸收率的透明导电膜，由此提高发光效率。特别地，本发明的有机发光器件还包含内部光提取层，由此可以改善光提取效率，并可以使由透明电极和基板的折射率之间的差异所产生的光的损失最小化。

[附图说明]

图1为示出现有的ITO沉积基板的正面透射率的图。

图2为示出现有的ITO沉积基板的X射线衍射峰值的图。

图3为示出本发明的实施例1至3和对比实施例1的ITO沉积基板的正面透射率的图。

图4为说明本发明的实施例1至3和对比实施例1的ITO沉积基板的X射线衍射峰值的图。

图5为示出本发明的实施例4至7和对比实施例2的ITO沉积基板的正面透射率的图。

图6为说明本发明的实施例4至7和对比实施例2的ITO沉积基板的X射线衍射峰值的图。

[具体实施方式]

在下文中，将详细描述本发明。

在需要与显示器(Display)不同的宽发光面积的照明的情况中，对通常向负极(anode)方向发光的结构进行开发。这是因为：对于增加透明电极的导电性而言，其具有技术限制，并因此用于照明的有机发光器件的透明电极需要金属辅助电极，从而，与在正极(cathode)侧形成金属辅助电极相比，在技术上更易于在负极侧形成金属辅助电极。

如上所述，在向负极方向发射光的有机发光器件的情况中，从有机材料层发射的光穿过负极并通过基板向空气中发射。作为基板，通常使用具有优异的空气和湿气屏蔽特性的玻璃，且所述玻璃的折射率约为1.5。相比之下，已知发射出光的有机材料层的平均折射率约为1.8。

当光通常从具有高折射率的介质进入至具有低折射率的介质时，以临界角以上的角度入射的光不能穿过具有低折射率的介质并发生全部被反射的现象。因此，即使在有机发光器件的情况中，产生光的有机材料层的折射率约为1.8，由此仅有以临界角以下的角度入射的光穿过折射率约为1.5的玻璃基板，从而产生大量的光损失。甚至当光从玻璃基板向折射率为1的空气中发生时，仍会发生所述现象。

因此，需要研究外部光提取以改善有机发光器件的效率，通过防止在如上所述具有不同的折射率的介质之间的界面处产生的光损失中的光在透明基板中全反射而无法从透明基板释放至空气层并防止光衰减，从而改善所述有机发光器件的效率。

作为一个实例，存在一种改变平面玻璃基板的表面的方法以防止在玻璃基板和空气之间的界面处产生光损失。通过上述方法可回收由玻璃基板中的全反射而衰减的大量的光，以改善有机发光器件的效率。然而，所述方法对从有机材料层发射的光中传输至玻璃基板的光发挥出效果存在限度。为了将所有从有机材料层发射出的光传输至玻璃基板，使用折射率为1.8以上的玻璃基板以去除有机材料层和玻璃基板之间的折射率界面，但所述方法并不适于大规模生产。

为了改善现有有机发光器件的效率，制造一种器件，然后将外部光提取层附着于所述器件的表面，或将内部光提取层引入至所述器件内部。

在引入有内部光提取层的有机发光器件中，当驱动所述有机发光器件时，释放至空气中的光的器件内部行进路径与常规的有机发光器件相比更长。因此，在引入有内部光提取层的有机发光器件中，构成有机发光器件的材料的吸收率与常规有机发光器件的吸收率相比更显著地影响所述器件的效率。

因此，本发明人已证实，与应用于常规有机发光器件的ITO相比，具有更好的透光度和更低的光吸收率的ITO需要施用于形成有内部光提取层的有机发光器件，并发现：使ITO的光吸收率最小化在改善施用内部光提取层的有机发光器件的效率中起决定性的作用。

本发明的具体实施例的透明导电膜包含氧化铟锡(ITO)，其中X射线衍射峰值(222)、(400)和(440)中的(222)面的积分强度比为70％以上。

所述透明导电膜的X射线衍射峰值(222)、(400)和(440)中的(222)面的积分强度比可通过如下方程式1测量。

[方程式1]

(222)面的积分强度比＝I₂₂₂/(I₂₂₂+I₄₀₀+I₄₄₀)

在方程式1中，I₂₂₂、I₄₀₀和I₄₄₀各自分别代表X射线衍射峰值(222)面、(400)面和(440)面的积分强度。

所述透明导电膜的X射线衍射峰值(222)、(400)和(440)中的(222)面的积分强度比可为70％以上，或80％以上。

在本发明中，所述透明导电膜的基于550nm的波长计的折射率可为1.9以上，但并不限于此。

在本发明中，所述透明导电膜的薄层电阻值可为20Ω/□至100Ω/□，但并不限于此。

对Kuramoto Co.,Ltd和Geomatec Co.,Ltd的ITO—其常用于现有有机发光器件的照明--的特性进行了评估，将其结果示于下表1中，并对ITO沉积基板的正面透射率进行了评估且将其结果示于下图1中，且ITO沉积基板的X射线衍射峰值示于下图2中。

[表1]

如表1的结果所示，可知常用于现有有机发光器件的照明中的ITO具有非常低的薄层电阻，且X射线衍射峰值中的(222)峰值的大小比与(222)、(400)和(440)的相比约为50％的水平。

然而，本发明的透明导电膜的X射线衍射峰值(222)、(400)和(440)中的(222)面的积分强度比为70％以上，因此，薄层电阻值低，正面透射率高且光吸收率低。

本发明的透明导电膜的光吸收率可为30％以下。在本说明书中，所述光吸收率也可由基板吸收率表示。

此外，制备本发明的具体实施例的透明导电膜的方法包括在基板上形成包含氧化铟锡(ITO)的透明导电膜的步骤，其中透明导电膜的X射线衍射峰值(222)、(400)和(440)中的(222)面的积分强度比为70％以上。

在形成透明导电膜时可使用沉积工艺，且在沉积工艺中氧气的分压越高，在ITO中的氧含量越高，从而增加X射线衍射峰值中的(222)峰值。因此，所述透明导电膜的薄层电阻增加，且特性随着折射率增加而改变时，光吸收率趋于降低。

此外，本发明的具体实施例的有机发光器件包含所述透明导电膜。

更具体而言，所述有机发光器件可包括：基板、包含所述透明导电膜的第一电极、一层或多层的有机材料层、和第二电极。

本发明中，在所述基板和所述第一电极之间还可以包括光提取层。

在本发明中，只要所述光提取层具有诱导光散射而可以改善所述器件的内部光提取效率的结构即可，对光提取层并没有特别限制。例如，所述光提取层的折射率可为1.7以上，具体而言可包含1.7至3.0的范围。通过在所述光提取层中包含折射率为1.7以上的材料，可获得基于与具有相对较低的折射率的区域之间的折射率差的光散射效果。

作为本发明的一个实例，所述光提取层可为散射颗粒分散于粘合剂中的结构。粘合剂的折射率可高于散射颗粒，且可诱导由基于粘合剂和散射颗粒的界面处折射率的差异而引起的光散射。例如，粘合剂的折射率范围可为1.7以上，或1.7至3.0。

作为另一个实例，光提取层包含散射颗粒和粘合剂，并可包含散射层，其上通过与基板接触的表面相反的表面上的散射颗粒形成有凹凸结构；和平滑层(flat layer)，其形成于所述散射层上并使由于散射层的凹凸结构而弯曲的表面平坦化。所述光提取层可显著地形成散射颗粒和所述平滑层的折射率之间的差异，由此提高内部光提取效率。所述平滑层的折射率可高于散射颗粒的折射率，例如，所述平滑层的折射率范围可为1.7以上，或1.7至3.0。

作为又另一个实例，光提取层可包括：以凹凸结构形成且形成于基板上的粘合剂层；和形成于粘合剂层上且形成平滑面的平滑层。例如，所述平滑层的折射率范围可为1.7以上，或1.7至3.0。

散射颗粒可为球形、椭圆形或无定形形状，且优选球形或椭圆形。所述散射颗粒的平均直径可为100nm至300nm，且特别是150nm至200nm。

所述散射颗粒只要是利用散射颗粒和平滑层的粘合剂之间的折射率差来使光散射的散射颗粒即可，并无特别限制，所述散射颗粒可为选自空气、硅、二氧化硅、玻璃、二氧化钛、氟化镁、氧化锆、氧化铝、氧化铈、氧化铪、五氧化铌、五氧化二钽、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化锌、硅、硫化锌、碳酸钙、硫酸钡、氮化硅和氮化铝中的一种以上。作为一个实例，所述散射颗粒可为二氧化钛。

所述粘合剂并没有特别限制，且可为有机粘合剂、无机粘合剂或有机-无机复合物粘合剂。例如，所述粘合剂可为无机粘合剂或有机-无机复合物粘合剂。所述无机粘合剂或有机-无机复合物粘合剂与有机粘合剂相比，具有优异的耐热性和耐化学性，并因此所述粘合剂有利于所述器件的性能尤其寿命，即使在器件制造过程中可发生的150℃以上的高温处理、光处理、蚀刻过程等期间不会发生劣化。因此，所述粘合剂有利于制造各种器件。例如，所述粘合剂可为选自基于氧化硅、氮化硅(silicon nitride)、氮氧化硅(silicon oxynitride)、氧化铝和硅氧烷键(Si-O)的无机或有机-无机复合物等中的一种或多种。例如，可通过使用硅氧烷以实现缩聚来形成基于[Si-O]键的无机粘合剂，或者甚至可使用其中烷基并没有完全从硅氧烷键去除的有机-无机复合物的形式。

构成所述平滑层的组分可在与上述构成散射层的粘合剂相同的范围中进行选择。对于所述散射层和所述平滑层中的粘合剂，可使用相同的组分或者可使用互不相同的组分。此外，所述平滑层还可包含可增加折射率的高折射率填料。只要所述填料分散于所述光提取层中而可以增加折射率即可，对所述高折射率填料并没有特别限制，且例如可为选自氧化铝、氮化铝、氧化锆、氧化钛、氧化铈、氧化铪、五氧化铌、五氧化二钽、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化锌、硅、硫化锌、碳酸钙、硫酸钡和氮化硅中的一种以上。作为一个实例，所述高折射填料可为二氧化钛。

所述高折射填料的平均粒径可为5nm至30nm，且特别是10nm至25nm。当所述高折射填料的粒径过小时，难以将所述填料分散于溶液中，并因此，涂布溶液的稳定性可能会降低，而在相反的情况下，透明性可能会降低或者涂布后的表面可能变得粗糙。

通常，因构成所述器件的各层之间的折射率差异而在所述有机发光器件的内部发生全反射，从而可能使发光效率劣化并降低亮度。在本发明中，通过在基板上形成包含散射颗粒的光提取层来改善所述内部光提取效率。

所述光提取层可受限地在沉积所述器件的表面上在所述器件的发光区域形成。此外，所述光提取层可为被所述基板和所述负极封闭的结构。

在现有有机发光器件中，外部空气(例如，氧气)或湿气可通过形成有所述光提取层的路径渗入至所述器件内部。流入至所述器件中的氧气或湿气是使所述器件的使用寿命降低的原因。然而，为了阻挡因光提取层的形成而使氧气或湿气流入至所述器件中，所述光提取层限定于所述器件的发光区域中、或者是被所述基板和所述负极封闭的结构，因此可有效地防止外部空气或湿气渗入至所述器件的内部。

在本发明中，所述光提取层可通过使用包含散射颗粒和粘合剂的涂布溶液来形成于基板上。所述散射颗粒形成为所述颗粒分散于所述粘合剂中的结构。所述粘合剂的折射率并没有特别限制，但例如可为1.7以上。

作为另一实例，所述光提取层可通过包括以下步骤的方法来形成：使用包含散射颗粒和粘合剂的涂布溶液来在基板上形成散射层的步骤；及在所形成的散射层上形成平滑层的步骤。所述平滑层的折射率并没有特别限制，但例如可为1.7以上。

作为又另一实例，所述光提取层可通过包括以下步骤的方法来形成：通过微压印法(micro-embossing)在基板形成凹凸结构；及在所形成的凹凸结构上形成使表面平坦化的平滑层。例如，凹凸结构通过在基板上涂布包含粘合剂的涂布溶液并对基板进行微压印处理来形成。然后，在所形成的凹凸结构上形成折射率相对较高的平滑层，由此可以构成光提取层。平滑层的折射率例如可为1.7以上。

在本发明中，光提取层可通过CVD(chemical vapor deposition；化学气相沉积法)、PVD(physical vapor deposition；物理气相沉积法)或溶胶-凝胶(sol-gel)涂布法进行，且所述方法并没有特别限制。

此外，本发明人已证实在正极也发生很多的光损失，并已研究了用于防止在正极产生的光损失的方法。

本发明的具体实施例的有机发光器件依序包括：基板；包含所述透明导电膜的负极；一层或多层的有机材料层；包含第一金属的第一正极；和包含第二金属的第二正极，其中基于550nm的波长计，第一金属的折射率(n₁)在如下方程式2的范围内，第一金属的吸光系数(k)的范围为5以下，且在基板和负极之间包含光提取层。

[方程式2]

23.73 - \sqrt{{500 - k}^{2}} - 0.2 < n_{1} < 23.73 - \sqrt{{500 - k}^{2}} + 0.2

在方程式2中，n₁代表第一金属的折射率，且k代表第一金属的吸光系数。

本发明的具体实施例的有机发光器件包含具有双层结构的正极，由此可增加所述正极的反射率，并因此，可使因透明电极和基板之间的折射率差异而产生的光损失最小化，并可提高有机发光器件的、尤其用于照明的有机发光器件的发光效率。特别地，在本发明中，所述光损失可通过在与有机材料层接触的第一正极中包含具有低吸收率和高反射率的第一金属来最小化。

相对于向金属以正面入射的光的反射率(R)，可通过如下方程式3计算。

[方程式3]

R = \frac{{({n - n}_{0})}^{2} + k^{2}}{{({n + n}_{0})}^{2} + k^{2}}

在方程式3中，n₀代表进入介质(entrance medium)的折射率，n为金属的折射率，而k代表金属的吸光系数。

根据方程式3，可知：随着金属的折射率(n)趋近于0，金属的反射率增加，且随着金属的吸光系数(k)增加，金属的反射率增加。另外，随着进入介质的折射率增加，金属的反射率降低，并因此所述金属不利于有机发光器件。

因此，对于本发明的有机发光器件而言，基于550nm的波长计，第一金属的折射率(n₁)在如下方程式2的范围内，且第一金属的吸光系数(k)范围为5以下。

[方程式2]

23.73 - \sqrt{{500 - k}^{2}} - 0.2 < n_{1} < 23.73 - \sqrt{{500 - k}^{2}} + 0.2

在本发明中，包含第一金属的第一正极可为与一层或多层的有机材料层接触的结构。

包含于第一正极中的第一金属、和包含于第二正极中的第二金属，可为互不相同的金属。

第一金属的实例包括Cu、Au、Li、Ag等，但并不限于此。

第一正极的厚度可为1nm至100nm和1nm至50nm，但并不限于此。

相对于向第一正极以正面入射的光的反射率可为70％以上及80％以上，但并不限于此。在本文中，反射率可通过方程式2计算。

在本发明中，对用于第二电极的具体材料和形成方法并没有特别限制，且可使用本领域中广泛已知的材料和形成方法。

第二正极包含第二金属，且第二金属可为选自镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、铂、金、钨、钽、铜、锡和铅中的一种以上。此外，第二金属优选为铝或银。

第二正极的厚度可为50nm至5μm，但并不限于此。

Al在550nm下的折射率为1.015，且吸光系数为6.627。根据方程式3，在折射率为1的空气中，Al表面的反射率在91.5％的水平，其为非常高的值。

然而，在施用OLED的环境下，Al的反射面不接触空气，而接触折射率约为1.8的有机材料。此时，Al的反射率降低至85.9％。在施用内部光提取层的OLED中，光在Al的表面反射，同时在所述有机材料层中多次循环，且在每次反射时，约14％的光被损失。当减少所述损失时，基于内部光提取层的提取效果增加，因此不仅内部光提取层的开发非常重要，减小OLED本身的吸收率也非常重要。

在所述金属中，Ag作为反射率高于Al的金属几乎单独存在。已证实，在将折射率高于Al的Ag施用于内部光提取层的OLED的情况中，效率增加，但使用Ag正极的OLED电不稳定，且极有可能在由单电池(cell)组成的照明装置(其比显示器宽数千倍)中发生短路(short)，因此OLED仍不适于大规模生产。短路发生的可能性为与下述情况有关的现象，其中正极和负极因所述器件的基板上的缺陷(defect)而处于低电阻的水平，且缺陷(defect)发生的概率与基板的面积成比例，且所述OLED在单电池形成非常大面积的照明中是特别不利的。

在本发明中，将具有如上所述范围的折射率和吸光系数的第一金属薄薄地形成在Al正极前面，并可通过所述结构来获得高于第一金属本身或Al的反射率。

第一正极和第二正极可通过使用以下方法而形成：选自溅射法(Sputtering)、电子束蒸发法(E-beam evaporation)、热蒸发法(Thermalevaporation)、激光分子束外延法(Laser Molecular Beam Epitaxy，L-MBE)和脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition，PLD)中任意一种的物理气相沉积法(Physical Vapor Deposition，PVD)；选自热化学气相沉积法(Thermal Chemical Vapor Deposition)、等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)、光化学气相沉积法(Light Chemical Vapor Deposition)、激光化学气相沉积法(Laser Chemical Vapor Dposition)、金属-有机化学气相沉积法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)和氢化物气相外延法(Hydride Vapor Phase Epitaxy，HVPE)中的任意一种的化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition)；或原子层沉积法(Atomic LayerDeposition，ALD)。

具体而言，在本发明中，第一金属可为Li，且第二金属可为Al或Ag。

在本发明中，作为基板，可使用本领域中已知的基板而没有限制，且其更具体的实例可为玻璃基板、塑料基板等，但并不限于此。

为了改善负极的电阻，本发明可额外地包含辅助电极。辅助电极可通过如下形成：沉积选自导电密封剂和金属中的一种或多种，然后使用光处理或印刷工艺来形成。更具体而言，辅助电极可包含Cr、Mo、Al、Cu、其合金等，但并不限于此。

本发明可额外地在辅助电极上包含绝缘层。绝缘层可利用本领域中已知的材料和方法来形成。更具体而言，绝缘层可利用常规光阻材料；聚酰亚胺；聚丙烯酸(polyacryl)；氮化硅；氧化硅；氧化铝；氮化铝；碱金属氧化物；碱土金属氧化物等形成，但并不限于此。绝缘层的厚度可为10nm至10μm，但并不限于此。

用于有机材料层的具体材料和形成方法并没有特别限制，且可使用本领域中广泛已知的材料和形成方法。

可通过除沉积法以外的溶剂工艺(solvent process)(例如，诸如旋涂、浸涂、刮涂(doctor blading)、丝网印刷、喷墨印刷、热转移法等的方法)使用各种聚合物材料制造具有更少层数的有机材料层。

本发明的有机材料层可以是，包含发光层且包含选自空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的一层以上的层叠结构。

在本发明中，作为能够形成空穴注入层的材料，优选为具有大功函数的材料，以便通常可促进空穴注入到有机材料层中。可在本发明中使用的空穴注入材料的具体实例包括：如钒、铬、铜、锌和金的金属，或其合金；如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的金属氧化物；如ZnO:Al或SnO₂:Sb的金属和氧化物的组合；如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩](PEDT)、聚吡咯和聚苯胺的导电聚合物等，但并不限于此。

在本发明中，作为能够形成电子注入层的材料，优选为具有小功函数的材料，以便电子通常容易地注入到有机材料层中。电子注入材料的具体实例包括：如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅的金属，或其合金；如LiF/Al或LiO₂/Al的多层结构材料等，可使用与空穴注入电极材料相同的材料，但所述材料并不限于此。

在本发明中，作为能够形成发光层的材料，是能够接受分别来自空穴传输层的空穴和电子传输层的电子并复合，由此可以在可见光线区域发射出光的材料，并优选为具有荧光和磷光量子效率高的材料。其具体实例包括8-羟基-喹啉-铝复合物(8-hydroxy-quinoline-aluminum complex，(Alq3))；咔唑系(carbazole-based)化合物；二聚苯乙烯(dimerizedstyryl)化合物；BAlq；10-羟基苯并喹啉-金属(10-hydroxybenzoquinoline-metal)化合物；苯并噁唑系化合物、苯并噻唑系化合物和苯并咪唑系化合物；聚(对苯乙炔)(PPV)系聚合物；螺环化合物(spiro compounds)；以及聚芴(polyfluorene)和红荧烯(rubrene)；磷光主体CBP[[4,4'-双(9-咔唑基)联苯]等，但并不限于此。

此外，为了改善荧光或磷光特性，发光材料可额外地包含磷光掺杂剂或荧光掺杂剂。磷光掺杂剂的具体实例包括Ir(ppy)(3)[三(2-苯基吡啶)合铱(ir(ppy)(3)(fac tris(2-phenylpyridine)iridium))、F2Irpic[双(4,6-二氟苯基-吡啶-N,C2)吡啶甲酸铱(III)](F2Irpic[iridium(III)bis(4,6-di-fluorophenyl-pyridinato-N,C2)])等。作为荧光掺杂剂，可以使用本领域中已知的材料。

在本发明中，作为能够形成电子传输层的材料，可良好地接受来自电子注入层的电子并将电子传输至发光层的材料，且具有高电子迁移率的材料是合适的。其具体实例包括8-羟基喹啉的Al复合物；包含Alq3的复合物；有机自由基化合物；羟基黄酮-金属复合物等，但并不限于此。

本发明的有机发光器件可更优选地施用于照明用有机发光器件。

[最佳实施方式]

在下文中，将提供优选的实施例用于更好的理解本发明。然而，提供以下实施例只用于阐明目的，且并不应以任何方式将本发明的范围限于此。

<实施例>

<对比实施例1>

1)在玻璃基板上沉积ITO

利用以下的沉积设备和沉积条件来在玻璃基板上沉积ITO。

<沉积设备和沉积条件>

制造公司：Sumitomo Heavy Industry Co.,Ltd.

功率：200A，60V至70V

沉积气氛：Ar(90)，O₂(12)

沉积条件：250℃下高温沉积

靶材：In₂O₃:SnO₂＝95:5重量％

成膜厚度：约

对以上制备的ITO的特性进行评估并记载于下表2中。

2)在光提取层上沉积ITO

在玻璃基板上形成内部光提取层，然后利用1)中的沉积设备和沉积条件来在其上沉积ITO。随后，进行光工艺并制造有机发光器件。

-制备内部光提取层

将平均粒径约为200nm的TiO₂颗粒充分地分散于硅氧烷粘合剂溶液中以制备涂布溶液。将所制备的涂布溶液涂布于玻璃基板上，由此形成散射层。随后，将分散有平均粒径约为10nm的高折射率填料(TiO₂)的硅氧烷粘合剂(干燥后的折射率约为1.8)涂布于散射层上，由此形成具有平滑表面的高折射率涂层。由此，在玻璃基板上形成光提取层。

-制造有机发光器件

将第一透明电极、有机材料层和第二电极依序层叠在所制备的内部光提取层上，由此制造发光区域为40x 40mm²的白色OLED。使用ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)来形成第一透明电极，并使用铝(Al)来形成第二电极。此外，将有机层形成为包含空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层的结构。作为各层叠结构中所使用的材料，使用通常在白色OLED的制造领域中使用的材料，且作为其形成方法，也使用常规方法。

对以上制造的有机发光器件的特性进行评估并记载于下表3中。

<实施例1至3>

1)在玻璃基板上沉积ITO

以与对比实施例1相同的方式进行实验，不同之处在于如表2所述调整对比实施例1中的氧气分压。

2)在光提取层上沉积ITO

以与对比实施例1相同的方式进行实验，不同之处在于如表3所述调整对比实施例1中的氧气分压。

将实施例1至3和对比实施例1的ITO沉积基板的正面透射率示于下图3中，而ITO沉积基板的X射线衍射峰值示于下图4中。

[表2]

[表3]

	对比实施例1	实施例1	实施例2	实施例3
					氧气分压	12	17	35	45
基板吸收率	59.5％	29.8％	15.06％	13.4％
					器件效率(Im/W)	49.5	53.6	54.4	54.5

作为用于评估X射线衍射的设备，使用了Bruker AXS D4Endeavor XRD(2)。此外，利用积分球来测量基板吸收率。更具体而言，如果当点亮积分球中的磁性吸收校准灯时积分球的亮度被定义为L₀，当积分球中待测量的样品置于其中间时积分球的亮度被定义为L_s，且当积分球中具有与样品相同的尺寸的全吸收体(complete absorptionbody)置于其中间时积分球的亮度被定义为L_D，则基板吸收率可通过如下方程式4计算。

当测量基板的吸收率时，可通过使用如实施例中在其上形成内部光提取层的基板而不是沉积于透明玻璃(裸玻璃，bare glass)上的基板获得更精确的结果。当使用其上形成内部光提取层的基板时，基板中的光学路径以各种角度形成。因此，ITO的吸收率可在与器件实际发光过程中的环境相似的环境中确定，且以相对较大的量吸收光，从而增加待测量的样品之间的区别。

[方程式4]

基板吸收率(％)＝1–(L_s–L_D)/(L₀–L_D)×100

<对比实施例2>

1)在玻璃基板上沉积ITO

利用以下的沉积设备和沉积条件在玻璃基板上沉积ITO。

<沉积设备和沉积条件>

制造公司：Sunic System Co.,Ltd.

设备名称：SUNICOAT-561L

型号：DC溅射分批型(DC sputtering batch type)

功率：DC 500W

沉积气氛：5mm torr(Ar:80,O₂:0.9sccm)

沉积条件：在室温下进行沉积，然后250℃下热处理30分钟

靶材(Target)：Tosho MS型(In₂O₃:SnO₂＝95:10重量％)

对以上制备的ITO的特性进行评估并记载于下表4中。

2)在光提取层上沉积ITO

在玻璃基板上形成内部光提取层，然后利用1)中的沉积设备和沉积条件在其上沉积ITO。随后，进行光工艺并制造有机发光器件。

-制备内部光提取层

-制造有机发光器件

评估以上制造的有机发光器件的特性并记载于下表5中。

<实施例4至7>

1)在玻璃基板上沉积ITO

以与对比实施例1相同的方式进行实验，不同之处在于如表4所示调整对比实施例2中的氧气分压。

2)在光提取层上沉积ITO

以与对比实施例1相同的方式进行实验，不同之处在于如表5所示调整对比实施例2中的氧气分压。

实施例4至7和对比实施例1的ITO沉积基板的正面透射率示于下图5中，而ITO沉积基板的X射线衍射峰值示于下图6中。

[表4]

[表5]

	对比实施例2	实施例4	实施例5	实施例6	实施例7
						氧气分压	0.9	1.2	1.5	1.9	2.1
基板吸收率	33.3％	25.6％	15.4％	14.5％	12.4％
						器件效率(Im/W)	-	49.9	-	-	58.1

如上述结果所示，可知当在沉积ITO过程中氧气分压增加时，器件的效率提高，且作为测量XRD的结果，ITO的特性倾向于具有增加的(222)峰值，增加的薄层电阻，减小的基板吸收率等。

如上所述，本发明的透明导电膜具有低薄层电阻值和低光吸收率。本发明的有机发光器件的发光效率可通过包含低光吸收率的透明导电膜来提高。特别地，本发明的有机发光器件可通过额外地包含内部光提取层来改善光提取效率，且可使由透明电极和基板的折射率之间的差异而产生的光损失最小化。

Claims

1.一种透明导电膜，其包含：

氧化铟锡(ITO)，

其中X射线衍射峰值(222)、(400)和(440)中的(222)面的积分强度比为

70％以上。

2.权利要求1的透明导电膜，其特征在于：

所述(222)面的积分强度比通过如下方程式1测量，

[方程式1]

(222)面的积分强度比＝I₂₂₂/(I₂₂₂+I₄₀₀+I₄₄₀)

其中在方程式1中，I₂₂₂、I₄₀₀和I₄₄₀各自分别代表X射线衍射峰值(222)面、(400)面和(440)面的积分强度。

3.权利要求1的透明导电膜，其特征在于：

所述透明导电膜的折射率为1.9以上，基于550nm的波长计。

4.权利要求1的透明导电膜，其特征在于：

所述透明导电膜的薄层电阻值为20Ω/□至100Ω/□。

5.权利要求1的透明导电膜，其特征在于：

所述透明导电膜的光吸收率为30％以下。

6.一种透明导电膜的制备方法，其特征在于：

所述制备方法包括在基板上形成包含氧化铟锡(ITO)的透明导电膜的步骤，

所述透明导电膜的X射线衍射峰值(222)、(400)和(440)中的(222)面的积分强度比为70％以上。

7.权利要求6的方法，其特征在于：

所述透明导电膜利用沉积工艺来形成。

8.一种有机发光器件，其特征在于：

所述有机发光器件包含权利要求1至5中任一项所述的透明导电膜。

9.一种有机发光器件，其特征在于，包含：

基板；

包含权利要求1至5中的任一项所述的透明导电膜的第一电极；

一层以上的有机材料层；

和第二电极。

10.权利要求9的有机发光器件，其特征在于：

在所述基板和所述第一电极之间还包含光提取层。

11.权利要求10的有机发光器件，其特征在于：

所述光提取层为在粘合剂中分散有散射颗粒的结构，所述粘合剂的折射率为1.7以上。

12.权利要求10的有机发光器件，其特征在于：

所述光提取层包括：散射层，其包含散射颗粒和粘合剂，并在与基板接触的表面相反的表面形成有由散射颗粒引起的凹凸结构；和平滑层，其形成于所述散射层上，并使由散射层的凹凸结构引起的弯曲的表面平坦化。

13.权利要求10的有机发光器件，其特征在于：

所述光提取层包含：粘合剂层，其形成有凹凸结构且形成于基板上；和平滑层，其形成于粘合剂层上以形成平滑表面，且折射率为1.7以上。

14.一种有机发光器件，其特征在于，依序包括：

基板；

包含权利要求1至5中的任一项所述的透明导电膜的负极；

一层以上的有机材料层；

包含第一金属的第一正极；

和包含第二金属的第二正极，

其中，基于550nm的波长计，第一金属的折射率(n₁)在如下方程式2的范围内，第一金属的吸收系数(k)的范围为5以下，且在所述基板和所述负极之间包含光提取层，

[方程式2]

23.73 - \sqrt{500 - k^{2}} - 0.2 < n_{1} < 23.73 - \sqrt{500 - k^{2}} + 0.2

其中在方程式2中，n₁代表第一金属的折射率且k代表第一金属的吸光系数。

15.权利要求14的有机发光器件，其特征在于：

包含所述第一金属的第一正极为与一层以上的有机材料层接触的结构。

16.权利要求14的有机发光器件，其特征在于：

所述第一金属选自Cu、Au、Li和Ag中的任意一种。

17.权利要求14的有机发光器件，其特征在于：

所述第一正极的厚度为1nm至100nm。

18.权利要求14的有机发光器件，其特征在于：

所述第二正极的厚度为50nm至5μm。

19.权利要求14的有机发光器件，其特征在于：

所述第一金属为Li，且所述第二金属为Al或Ag。

20.权利要求14的有机发光器件，其特征在于：

所述有机发光器件用于照明。