CN104756266B - 光电器件和用于制造光电器件的方法 - Google Patents
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Abstract
说明了一种光电器件（1），其具有壳体（2），其中壳体（2）具有至少一个第一凹槽（3A）。该器件还具有至少一个第一半导体芯片（4A），其中第一半导体芯片（4A）布置在第一凹槽（3A）中，其中第一凹槽（3A）被构造成反射器以用于反射在第一半导体芯片（4A）的运行中生成的辐射。该反射器具有表面，其中所述表面被构造为有针对性地调整由第一半导体芯片（4A）在运行中发射的辐射的辐射特性（6）。还说明了一种用于制造光电器件（1）的方法。
Description
技术领域
说明了一种光电器件。除此之外，说明了一种用于制造光电器件的方法。
发明内容
本申请要解决的任务是说明一种特别高效和低成本的光电器件。另外，本申请要解决的任务是给出一种用于制造特别高效和低成本的光电器件的方法。
该任务通过具有权利要求1的特征的光电器件和通过具有权利要求11和13的特征的方法来解决。
根据一方面，该器件具有至少一个第一半导体芯片。该器件可以具有第二、第三、第四或者还有另外的半导体芯片。第一半导体芯片优选地是基于III－V族半导体材料的半导体芯片。第一半导体芯片适于发射电磁辐射。第一半导体芯片例如发射光。但是第一半导体芯片也可以发射紫外（UV）或红外（IR）辐射。第一半导体芯片优选地是LED芯片。
第一半导体芯片可以是高功率半导体芯片。也就是说，第一半导体芯片可以具有至少1W、尤其是至少3W的功耗。第一半导体芯片可以被构造为直接照明。例如，第一半导体芯片可以被用作用于相机的闪光功能的发光芯片。该半导体芯片也可以特别好地在不良光条件下用于显示器的背光。第一半导体芯片也可以针对手机的闪光功能或者作为距离传感器的发射器而发射IR辐射。
可替代地，第一半导体芯片可以是低能半导体芯片。在这种情况下，该半导体芯片也可以充当距离传感器的IR发射器。可替代地，该半导体芯片可以被构造为进行不同颜色的发射。该半导体芯片例如可以发射彩色、多色或白色光。
该器件的所有半导体芯片——即第一、第二、第三、第四以及每个另外的半导体芯片——可以是相同构造的。可替代地可能的是，该器件包含不同类型的、尤其是也基于不同半导体材料的半导体芯片，所述半导体芯片优选地被构造为在不同光谱范围中进行发射。在此，可以针对不同功能、例如针对直接照明或者针对间接照明设置不同半导体芯片。
该器件还具有壳体。该器件优选地是表面安装器件（SMD或surface mounteddevice）。该器件的壳体尤其是可表面安装的。该壳体被构造为容纳第一半导体芯片。该壳体被构造为保护半导体芯片免受外部影响。该壳体具有至少一个第一凹槽。该凹槽被构造成壳体的基体中的缺口、凹陷或空穴。原理上可以设想该凹槽的每种任意形状。例如，该凹槽的开口在凹槽的俯视图中可以具有圆形、多角形或椭圆形的形状。该凹槽优选地被构造为漏斗形或圆锥形。第一半导体芯片布置在第一凹槽中。第一半导体芯片优选地固定在凹槽的底部上。例如，半导体芯片被接合、即尤其是焊接或导电地粘接到底部上。在此，在该凹槽底部可以露出连接导体或连接位置，通过所述连接导体或连接位置可以电连接半导体芯片。
第一凹槽至少局部地、尤其是完全地被构造成第一反射器。第一凹槽或第一反射器被构造为反射在第一半导体芯片的运行中所生成的辐射。第一凹槽或第一反射器具有表面。该表面被布置围绕第一半导体芯片。该表面被构造为反射性的。该表面被构造为有针对性地调整由第一半导体芯片在运行中发射的辐射的辐射特性。
通过有针对性地构造第一反射器的表面以及尤其是通过有针对性地选择表面的特征，该器件可以准确地与为了其确定应用所需的条件相匹配。
例如，表面可以至少局部地、尤其是完全地被构造为使得由该器件发射的辐射被定向地或镜面地反射。该表面尤其是可以被构造为使得其聚焦由半导体芯片发射的辐射。在该上下文中，聚焦或定向反射是指，入射辐射在与表面法线相差小于或等于 +/- 15°的情况下被散射。这在该器件被设置为发射IR辐射时可被证明是特别有利的。IR辐射不能被用户、例如手机所有者察觉，使得发射IR的器件（其例如针对手机的IR闪光功能与IR相机一起使用）不被发觉是令人不快的、眩目的或者干扰性的。
可替代于此地，表面可以至少局部地、尤其是完全地被构造为使得由该器件发射的辐射被漫射地、即在多个方向上被散射和/或反射。在该上下文中，漫射散射和/或反射是指，入射辐射在与表面法线相差直至+/- 60°的情况下被散射。这例如在该器件被设置为生成可见辐射时特别有利于不因过于强烈聚焦的辐射而使用户感到眩目或不快。
可替代于此地，该表面可以被构造为使得其既可以定向地或聚焦地、又可以漫射地反射由该器件发射的辐射。也就是说，在该表面的不同位置或不同区域处可以以不同方式来构造该表面。
通过有针对性地构造该表面，因此可以根据对器件的光学要求有针对性地调整器件的辐射特性。通过这种方式，提供特别有效的器件。由于为了调整辐射特性仅仅相应地构造表面而不需要另外的部件、例如透镜，因此该器件是特别低成本的。
根据该器件的至少一个实施方式，该表面具有至少一个第一区域和至少一个第二区域。第一区域可以具有与第二区域的伸展相对应的伸展。可替代于此地，第一区域也可以比第二区域更大，或者相反。该表面的第一区域例如可以布置在凹槽的如下片段中：该片段布置在半导体芯片附近、即凹槽的底部附近。第二区域可以布置在凹槽的与半导体芯片相距更远、即例如处于器件的输出耦合面区域中的片段中。原理上，第一和第二区域在凹槽中的每种空间布置都是可能的。
该表面的第一区域被构造为漫射地反射和/或散射由第一半导体芯片发射的辐射。在此，第一区域尤其是可以光学地展宽辐射。该表面的第二区域被构造为与第一区域相比更加定向地反射由第一半导体芯片发射的辐射。尤其是该表面的第二区域被构造为聚焦由半导体芯片发射的辐射。换言之，根据该表面的辐射射到上面的区域，辐射要么被漫射地、要么被定向地反射。射到第一区域上的辐射例如在所有方向上被（漫射地）散射，并且因此至少部分地、肯定也射到第二区域上，通过该第二区域，该辐射然后被定向地进一步反射。这使得能够有针对性地按照对器件提出的光学要求来调整器件的辐射特性。
根据该器件的至少一个实施方式，表面的第一区域与该表面的第二区域相比具有更高的表面粗糙度。第一区域的表面粗糙度以及尤其是粗糙度测量的绝对值的算术平均优选地大于或等于由第一半导体芯片发射的辐射的波长。在此，表面粗糙度越大，则射上的辐射就被第一区域越漫射地反射。
第一区域的表面粗糙度以及尤其是粗糙度测量的绝对值的算术平均、即平均粗糙度值Ra优选地像由第一半导体芯片发射的辐射的波长的1.0至2.0倍那么大。在可见范围（λ= 0.4 μm 至 0.8 μm）中发射辐射的半导体芯片的第一区域的平均粗糙度值Ra优选地处于1μm和2μm之间、例如为1.5μm。在IR范围（λ = 大约 1 μm）中发射辐射的半导体芯片的第一区域的平均粗糙度值Ra优选地大于或等于2μm、例如为2.5μm。在这些平均粗糙度值的情况下，由半导体芯片发射的辐射被第一区域漫射地反射。
第二区域的表面粗糙度以及尤其是粗糙度测量的绝对值的算术平均优选地小于由第一半导体芯片发射的辐射的波长。第二区域的表面粗糙度越小，则射到第二区域上的辐射就被越定向地反射。第二区域的表面粗糙度以及尤其是粗糙度测量的绝对值的算术平均优选地像由第一半导体芯片发射的辐射的波长的0.1至0.9倍那么大。针对发射IR辐射的半导体芯片（λ = 大致1 μm），第二区域的平均粗糙度值Ra优选地小于或等于0.1μm、例如0.09μm，以便通过第二区域实现由半导体芯片发射的辐射的镜面反射。针对发射可见辐射的半导体芯片（λ = 0.4 μm至 0.8 μm），第二区域的平均粗糙度值Ra优选地小于或等于0.08μm、例如0.04μm或0.01μm，以便通过第二区域实现由半导体芯片发射的辐射的镜面反射。
根据该器件的至少一个实施方式，该壳体具有至少一个第二凹槽。第二凹槽尤其是被构造成第二反射器。该壳体还可以具有被构造成反射器的第三、第四或另外的凹槽。第二或每个另外的凹槽可以与第一凹槽被相同地构造。第二和/或每个另外的凹槽尤其是可以与第一凹槽具有相同的其背向底面的开口的直径和/或相同的深度。第二和/或每个另外的凹槽可以与第一凹槽具有相同的形状。可替代于此地，第二和/或每个另外的凹槽可以与第一凹槽具有不同的大小。例如，第二和/或每个另外的凹槽可以比第一凹槽具有更小的大小或更小的直径。同样，第二和/或每个另外的凹槽可以被构造为比第一凹槽更浅。第二和/或每个另外的凹槽可以与第一凹槽具有不同的形状。第二和/或每个另外的凹槽优选地被成形为椭圆或圆形的。
第二半导体芯片布置在第二凹槽中。第二半导体芯片优选地被接合、即尤其是焊接或导电地粘接到第二凹槽的底部上。第一反射器以及尤其是第一反射器的表面被构造为至少主要漫射地反射由第一半导体芯片发射的辐射。第二反射器以及尤其是第二反射器的表面被构造为主要定向地反射由第二半导体芯片发射的辐射。第二反射器尤其是被构造为与第一反射器反射由第一半导体芯片发射的辐射相比更加定向地反射由第二半导体芯片发射的辐射。
该构型特别有利于在器件中例如将发射IR的半导体芯片和发射可见辐射的半导体芯片相组合。在此，由发射IR的半导体芯片发射的辐射优选地可以被定向地反射（第二半导体芯片）。另一（第一）半导体芯片的可见辐射于是优选漫射地被散射和/或反射。在不同光谱范围中进行发射的多个半导体芯片的组合因此可在一个器件中实现。
根据该器件的至少一个实施方式，第一反射器的表面粗糙度大于第二反射器的表面粗糙度。第一反射器的表面粗糙度以及尤其是表面的粗糙度测量的绝对值的算术平均优选地大于或等于由第一半导体芯片发射的辐射的波长。在此，表面粗糙度越大，则射上的辐射就越漫射地被第一反射器或第一反射器的表面反射和/或散射。第一反射器的表面粗糙度以及尤其是表面的粗糙度测量的绝对值的算术平均优选地像由第一半导体芯片发射的辐射的波长的1.0至2.0倍那么大。
第二反射器的表面粗糙度以及尤其是表面的粗糙度测量的绝对值的算术平均优选地小于由第二半导体芯片发射的辐射的波长。第二反射器的表面粗糙度越小，则射到第二反射器上的辐射就被越定向地反射。第二反射器的表面粗糙度以及尤其是表面的粗糙度测量的绝对值的算术平均优选地像由第二半导体芯片发射的辐射的波长的0.1至0.9倍那么大。
根据该器件的至少一个实施方式，该壳体由塑料构成。该器件例如可以借助于所谓的模塑互连器件（Molded Interconnect Device，MID）技术来形成。在此，该壳体以注塑方法来制造。可替代于此地，该器件可以借助于所谓的镀金属框架实现（Metal PlatedFrame Implementation）来构造。在此，该壳体也优选地以注塑方法来制造。镀金属框架实现的方法在文献WO 2011/157515 A1中予以了详细描述，其公开内容特此通过回引被并入。
根据该器件的至少一个实施方式，第一反射器的表面至少部分地具有金属层。尤其对于借助于MID技术构造的器件而言情况如此。优选地第一反射器的整个表面具有金属层。该金属层实现了半导体芯片的高收益。该金属层用于反射射到表面上的辐射。该金属层同时可以充当该器件的电接线端子。该金属层例如可以具有铝（Al）、银（Ag）、铜（Cu）、镍（Ni）和/或金（Au）。
处于第一反射器或第一凹槽的第二区域中的金属层优选地比处于第一反射器或第一凹槽的第一区域中的金属层更厚。第一区域中的金属层优选地具有与第二区域中的金属层的厚度的10％至90％相对应的厚度。根据金属层下的塑料表面的粗糙度，第一区域中的金属层具有小于或等于1μm、例如0.05μm的厚度。第二区域中的金属层优选地具有大于或等于10μm、例如15μm的厚度。
通过第二区域中的金属层的较厚构造，第一反射器的第二区域比第一反射器的第一区域具有更小的表面粗糙度。尤其是第二区域的表面通过第二区域中的较厚金属层被构造为平滑的。因此，射到第二区域上的辐射比射到第一区域上的辐射更定向地被反射。
通过有针对性地涂敷和构造金属层，因此可以有针对性地调整器件的辐射特性并且提供特别高效的器件。
第二反射器的表面优选地也至少部分地具有金属层。优选第二反射器的整个表面都具有金属层。第一反射器的金属层优选地比第二反射器的金属层更薄。第一反射器的金属层优选地具有与第二反射器的金属层的厚度的10％至90％相对应的厚度。
通过第二反射器中的金属层的较厚构造，第二反射器比第一反射器具有更小的表面粗糙度。因此，由第二半导体芯片发射并射到第二反射器上的辐射与由第一半导体芯片发射并然后射到第一反射器上的辐射相比被更定向地反射。
通过有针对性地涂敷和构造金属层，因此可以有针对性地调整器件的辐射特性并且提供特别高效的器件。
根据另一方面，描述了一种用于制造光电器件、优选上述光电器件的方法。优选通过下面的方法来制造基于MID技术的器件。在此制造的器件尤其是优选对应于在此描述的器件。针对该器件公开的全部特征因此也对该方法公开并且反之亦然。该方法具有下列步骤：
在第一步骤中，提供壳体。该壳体优选地通过注塑步骤来提供。该壳体优选地由塑料构成。
该壳体具有至少一个上述第一凹槽。该壳体优选地具有多个、例如两个、三个或四个凹槽。这些凹槽在空间上彼此分开。相应凹槽具有表面。该表面具有由方法和材料引起的表面粗糙度。例如，表面的粗糙度为大约10μm。
在另一步骤中，提供至少一个半导体芯片、尤其是上述第一半导体芯片。优选地提供多个、例如两个、三个或四个半导体芯片。在此，半导体芯片的数目对应于在壳体中构造的凹槽的数目。
在另一步骤中，至少在凹槽的表面的一区域中、优选在凹槽的整个表面上构造金属层。在此，金属层的构造通过金属层的电镀沉积或无电流沉积（英语“electrolessplating（无电镀）”或“chemical plating（化学镀）”）至少在凹槽的表面的一区域中进行。通过在凹槽或反射器的表面上构造金属层来构造反射性表面。在凹槽或反射器的表面上构造金属层还用于有针对性地调整由该器件在运行中发射的辐射的辐射特性。例如，金属层被构造为使得其在上述第一区域中比在上述第二区域中更薄和/或在至少一个反射器中比在至少一个另外的反射器中更薄。
在下一步骤中，半导体芯片被布置在凹槽中。 半导体芯片优选地被接合、即尤其是焊接或导电地粘接到凹槽的底部上。
如上所述，通过注塑步骤获得的壳体以及尤其是凹槽具有由制造过程和所使用的材料预先给定的表面粗糙度。通过有针对性地构造金属镀层，可以有针对性调整表面粗糙度。尤其是具有较高表面粗糙度的区域/反射器可以通过涂敷较薄的金属层来构造，利用所述区域/反射器，可以漫射地散射和/或反射射上的辐射。另外，具有较小表面粗糙度的区域/反射器可以通过涂敷较厚金属层来构造，通过所述区域/反射器可以定向地反射或与通过具有较高表面粗糙度的区域/反射器相比更加定向地反射射上的辐射。因此，相应区域/反射器的反射行为或散射行为以及由此该器件的辐射特性可以有针对性地被调整。由此，可以提供特别有效的器件。通过可通过简单地改动总归需要的制造步骤和制造参数来实现辐射特性宾并且不需要附加的部件，该器件及其制造是特别低成本的。
根据另一方面，描述了一种用于制造光电器件、优选上述光电器件的方法。优选通过下面的方法来制造基于镀金属框架实现技术的器件。在此制造的器件尤其是优选对应于在此描述的器件。针对该器件公开的全部特征因此也对该方法公开并且反之亦然。该方法具有下列步骤：
在第一步骤中，提供铸造工具或注塑模以用于借助于注塑方法来制造器件的壳体。在下一步骤中，对铸造工具的表面的至少一个区域进行抛光，以用于有针对性地调整由该器件在运行中发射的辐射的辐射特性。铸造工具的表面粗糙度确定了在另外的过程中制造的壳体的表面的粗糙度以及尤其是凹槽的表面粗糙度。通过对铸造工具进行抛光的时间长度和/或强度和/或所选区域，因此可以修改或调整壳体的相应塑料表面的表面粗糙度。铸造工具的表面或表面的区域被越强烈或越长时间地抛光，则壳体的如下区域的表面粗糙度就越小，该区域在下一步骤中在注塑方法的过程中通过铸造工具的有关区域形成。
在此，铸造工具的表面的被设置为成形第一凹槽的区域例如与铸造工具的表面的被设置为成形另一凹槽的区域相比被更短时间和/或更轻微地抛光。通过这种方式，该另一凹槽的表面的表面粗糙度与第一凹槽的表面的表面粗糙度相比被更大程度地减小或者更小。铸造工具的表面的被设置为形成上述第二区域和/或第二反射器的区域优选地与铸造工具的表面的被设置为形成上述第一区域和/或第一反射器的区域相比被抛光得更平滑。铸造工具的表面的被设置为形成上述第一区域和/或第一反射器的区域例如也可以保持为未经抛光的。
在下一步骤中，通过注塑步骤提供上述壳体。该壳体至少具有上述第一凹槽。该壳体优选地具有多个、例如两个、三个或四个凹槽。这些凹槽在空间上彼此分开。
相应凹槽具有表面。该表面具有通过有针对性地抛光铸造工具的表面被有针对性地调整的表面粗糙度。
在另一步骤中，提供至少一个半导体芯片、尤其是上述第一半导体芯片。优选地提供多个、例如两个、三个或四个半导体芯片。在此，半导体芯片的数目对应于在壳体中构造的凹槽的数目。
在另一步骤中，上述金属层被至少涂敷在凹槽的表面的一区域中。优选地将金属层涂敷在整个表面上。在此，该涂敷通过溅射或热蒸镀来进行。通过这种方式来构造反射性表面。在此，金属层薄得以至于反射器或不同反射器的区域的通过对铸造工具的表面进行抛光被调整的表面粗糙度不被该金属层补偿。金属层尤其是不作用于表面的粗糙度。金属层例如共形地反映处于其下的表面。金属层优选地具有大约100nm的厚度。
在最后的步骤中，将半导体芯片布置在凹槽中。半导体芯片优选地被接合到凹槽的底部上。
通过铸造步骤获得的壳体以及尤其是凹槽如上所述具有通过制造步骤、通过对铸造工具进行抛光以及通过材料预先给定的表面粗糙度。尤其是通过有针对性地处理或通过有针对性地抛光铸造工具的区域的表面，可以有针对性地调整壳体的各个区域的表面粗糙度。具有较高表面粗糙度的区域/反射器尤其是可以通过较短时间地和/或较弱地抛光铸造工具的所属区域来构造。这些区域/反射器漫射地散射和/或反射射上的辐射。
另外，具有较小表面粗糙度的区域/反射器可以通过较长时间地和/或较强地抛光铸造工具的所属区域来构造。这些区域/反射器定向地或比具有较高表面粗糙度的区域更加定向地反射落上的辐射。因此，相应反射器的反射行为或散射行为以及由此该器件的辐射特性可以有针对性地被调整。由此，提供了一种特别有效的器件，在该器件中所生成的辐射在应用要求方面被最优地利用。
通过可通过简单地改动总归需要的制造步骤和制造参数来实现辐射特性并且不需要附加的部件，该器件及其制造是特别低成本的。
附图说明
下面根据实施例和与之相关的图来进一步阐述该光电器件和该方法。
图1示出了根据至少一个实施方式的光电器件的透视图；
图2示出了来自图1的光电器件的俯视图；
图3A示出了来自图1的光电器件的至少一部分的横截面；
图3B示出了来自图3A的光电器件的辐射特性；
图4A示出了来自图1的光电器件的至少一部分的横截面；
图4B示出了来自图4A的光电器件的辐射特性。
相同的、同类的或作用相同的元素在图中配备有相同的附图标记。图和图中所示的元素彼此之间的大小比例不应被视为按比例的。而是各个元素为了更好地图示和/或为了更好地理解而被夸大地示出。
具体实施方式
图1示出了光电器件1。器件1具有壳体2。壳体2优选地借助于注塑方法由塑料制成。器件1优选地是可表面安装的器件。器件1的壳体2尤其被构造为可表面安装的。
壳体2具有四个凹槽3、3A。壳体尤其是具有第一凹槽3A和三个另外的凹槽3。壳体2也可以具有少于四个凹槽3、3A，例如一个、两个或三个凹槽3、3A（未明确示出）。壳体2也可以具有多于四个凹槽3、3A，例如五个、六个或七个凹槽（未明确示出）。
凹槽3、3A形成在壳体2的基体2A中。凹槽3、3A是基体2A中的凹陷。凹槽3、3A被不同地构造。第一凹槽3A比三个另外的凹槽3具有更大的伸展。第一凹槽3A比三个另外的凹槽3具有更大的直径。第一凹槽3A也可以被构造为比三个另外的凹槽3更深。但是在一个可替代的实施例（未明确示出）中，凹槽3、3A也可以具有相等的大小。
凹槽3、3A具有不同的形状。第一凹槽3A被构造成漏斗形。但是也可以为第一凹槽3A构想每种另外的形状。例如，第一凹槽3A可以被构造为多角形、圆形或者椭圆形的。另外的凹槽3具有比第一凹槽3A更圆的形状。但是在一个可替代的实施例（未明确示出）中，第一凹槽3A和每个另外的凹槽3也可以具有相同的形状。
在相应的凹槽3、3A中布置有半导体芯片4、4A。半导体芯片4、4A优选地被接合到凹槽3、3A的底部。
在第一凹槽3A中布置有第一半导体芯片4A。第一半导体芯片4A优选地是高功率半导体芯片。第一半导体芯片4A被构造为用于照明。第一半导体芯片4A发射电磁辐射、优选光或IR辐射。例如，第一半导体芯片4A可以被用作用于相机的闪光功能的发光芯片。第一半导体芯片4A也可以针对具有IR相机的手机的闪光功能或者作为距离传感器的发射器而发射IR辐射。
在三个另外的凹槽3中分别布置有另一半导体芯片4。半导体芯片4优选地为低能半导体芯片。另外的半导体芯片4也被构造为用于照明。半导体芯片4发射电磁辐射、优选光或IR辐射。
在一个可替代的实施例中，器件1的所有半导体芯片4、4A都可以为相同构造的。相应凹槽3、3A被构造为反射器。相应凹槽3、3A尤其是用于定向地或聚焦地或者漫射地或散射地反射由相应半导体芯片4、4A发射的辐射。在此，相应辐射特性依赖于相应反射器的特征，这在后面予以详细描述。
凹槽3、3A或反射器具有反射性表面5（尤其是参见图3A和4A）。表面5朝向相应半导体芯片4、4A。反射性表面5被镀覆有金属层。该金属层例如可以具有Al、Ag、Cu、Ni和/或Au。
由第一凹槽3A形成的第一反射器具有拥有高表面粗糙度的反射性表面5（参见图4A）。尤其是第一反射器的反射性表面5的表面粗糙度与由另外的凹槽3形成的另外的反射器的相应反射性表面5的表面粗糙度相比更高（关于此参见图3A）。在此，反射性表面5的表面粗糙度可能受到不同因素的影响。在一个实施例中，表面粗糙度受到为了形成反射性表面5而涂敷的金属层的厚度的影响。在另一实施例中，相应凹槽3、3A的表面粗糙度可以通过有针对性地抛光铸造工具的表面的如下区域而被影响：所述区域在制造过程中被设置为形成相应的凹槽3、3A，这在后面予以详细描述。第一反射器的表面粗糙度以及尤其是反射性表面5的粗糙度测量的绝对值的算术平均大于或等于由第一半导体芯片4A发射的辐射的波长。第一反射器的表面粗糙度以及尤其是反射性表面5的粗糙度测量的绝对值的算术平均优选地像由第一半导体芯片4A发射的辐射的波长的1.0至2.0倍那么大。
由另外的凹槽3形成的另外的反射器的表面粗糙度以及尤其是相应反射性表面5的粗糙度测量的绝对值的算术平均小于由另外的半导体芯片4发射的辐射的相应波长。另外的反射器的表面粗糙度以及尤其是反射性表面5的粗糙度测量的绝对值的算术平均优选地像由相应另外的半导体芯片4发射的辐射的波长的0.1至0.9倍那么大。
由第一凹槽3A形成的第一反射器漫射地反射和/或漫射地散射由第一半导体芯片4A发射的辐射。在此，第一反射器的反射性表面5的表面粗糙度越大，则射上的辐射就越漫射地被反射性表面5反射和/或散射。也就是说，通过有针对性地构造反射器的表面，可以有针对性地调整第一半导体芯片4A的辐射特性6。在此，应将漫射反射理解成入射的辐射在所有空间方向上的反射。在该上下文中，漫射散射和/或反射尤其是指，入射的辐射在与表面法线相差直至+/- 60°的情况下被散射（参见图4B中的辐射特性6）。这例如在第一半导体芯片4A被设置为生成可见辐射时特别有利于不使器件1的用户感到不快或干扰该用户。
由另外的凹槽3形成的另外的反射器定向地或聚焦地反射辐射。另外的半导体芯片4的辐射尤其是比第一半导体芯片4A的辐射更定向地被反射。在此，另外的反射器的反射性表面5的表面粗糙度越小，则射上的辐射就越定向地被相应反射性表面5反射。在该上下文中，聚焦或定向反射是指，入射辐射在与表面法线相差小于或等于 +/- 15°的情况下被散射（参见图3B中的辐射特性6）。这在相应半导体芯片4被设置为发射IR辐射时可被证明是特别有利的。IR辐射不能被用户、例如手机所有者察觉，使得发射IR的器件（其例如被用于手机的闪光功能）不被发觉是令人不快的或者干扰性的。
在另一实施例（未明确示出）中，（由第一凹槽3A形成的）第一反射器也可以具有比另外的反射器更小的表面粗糙度，使得由第一半导体芯片4A发射的辐射比由另外的半导体芯片4发射的辐射更定向地被反射。
在另一实施例（未明确示出）中，第一反射器或第一反射器的反射性表面5可以具有不同的区域。在此，第一区域可以比第二区域具有更高的表面粗糙度。通过这种方式，由第一半导体芯片4A发射的射到第一区域上的辐射与射到反射性表面5的第二区域上的辐射相比被更漫射地反射。因此，第一半导体芯片4A的辐射特性可以完全有针对性地被调整。
在另一实施例（未明确示出）中，（由另外的凹槽3形成的）另外的反射器或相应反射性表面5可以分别具有上述第一和第二区域。
在另一实施例（未明确示出）中，第一反射器和另外的反射器中的至少一个的反射性表面5可以具有上述第一和第二区域。
根据第一实施例，上述器件1按下列方式来制造（关于此亦参见图2）。在此，该制造方法尤其是面向模塑互连器件（MID）技术。
在第一步骤中，提供壳体2。壳体2的提供通过注塑方法来进行。借助于该制造技术，可以以简单方式制造任意构造的壳体2以及任意构造的反射器或凹槽3、3A。结果得到的壳体2由塑料构成。相应凹槽3、3A尤其是具有由塑料构成的表面。由于注塑方法和所使用的材料，相应凹槽3、3A的表面具有一定的表面粗糙度。该表面粗糙度首先对于所有凹槽3、3A都是相等的。
在另一步骤中，提供上述半导体芯片4、4A。
在下一步骤中，构造相应凹槽的反射性表面5。这通过在相应反射器的表面上电镀或无电流沉积金属层来进行。在此，金属层的沉积进行得使得第一反射器的反射性表面5的金属层与另外的反射器、即由另外的凹槽3形成的反射器的反射性表面的金属层相比更薄。
通过另外的凹槽3的塑料表面上的较厚金属层，另外的凹槽3的塑料表面的表面粗糙度被补偿。 因此，另外的反射器的反射性表面5比第一反射器的反射性表面5具有更小的表面粗糙度。第一反射器的反射性表面5具有与处于其下的塑料表面的表面粗糙度大致相对应的表面粗糙度，因为第一反射器的反射性表面5的金属层由于其仅仅较小的厚度而不能或至少不能完全补偿塑料表面的粗糙度。因此，一旦器件1被完成，则另外的半导体芯片4的辐射就比第一半导体芯片4A的辐射更定向地被反射。
通过有针对性地选择相应反射性表面5的金属层的厚度，因此可以有针对性地调整相应半导体芯片4、4A的辐射特性6（参见图3B和4B）。
金属层充当器件1的电接触部8，这如图2中所示。
参考四个反射器中的至少一个反射器的反射性表面5具有上述第一和第二区域的实施例，在第一区域中涂敷与第二区域中相比更薄的金属层。通过这种方式，第一区域比第二区域具有更高的表面粗糙度。
在最后的步骤中，将相应半导体芯片4、4A布置在相应凹槽3、3A中。第一半导体芯片4A尤其是被布置在第一凹槽3A中、优选被接合到第一凹槽3A的底部上。另外的半导体芯片4分别被布置在另外的凹槽3中、优选被接合到相应另外的凹槽3的底部上。
最后，相应反射器还可以被填充透明灌注材料，该灌注材料完全包围相应半导体芯片4、4A（未明确示出）。
根据第二实施例，上述器件1按下列方式来制造（关于此亦参见图2）。 在此，该制造方法尤其是面向镀金属框架实现技术。
在第一步骤中，提供上述壳体2。在此，壳体2的提供也通过注塑方法进行。通过注塑方法结果得到的壳体2是由塑料构成的并且具有上述凹槽3、3A。相应凹槽3、3A分别具有由塑料构成的表面。
在壳体2的注塑以前，在该方法中对铸造工具或注塑模（未明确示出）的表面进行抛光。铸造工具的表面粗糙度在壳体2的注塑以后确定壳体2并且尤其是凹槽3、3A的表面的粗糙度。通过对铸造工具的表面进行抛光的时间长度和/或强度，因此可以修改或调整壳体2的相应塑料表面的表面粗糙度。
在此，铸造工具的在注塑步骤中被设置为成形第一凹槽3A的表面与铸造工具的被设置为成形另外的凹槽3的表面相比被更短时间和/或更低强度地抛光。通过这种方式，另外的凹槽3的表面的表面粗糙度在制造壳体2以后与第一凹槽3的表面的表面粗糙度相比更小。换言之，在铸造工具的抛光过程以及紧接着的注塑以后，第一凹槽3A的表面具有与另外的凹槽3的相应表面相比更高的表面粗糙度。
由于注塑方法、对铸造工具的抛光以及所使用的材料，相应凹槽3、3A的表面因此具有所确定或经调整的表面粗糙度。
在另一步骤中，提供上述半导体芯片4、4A。
在另一步骤中，构造相应凹槽3、3A的反射性表面5。这通过在相应塑料表面上溅射或热蒸镀金属层来进行。在此，可以借助于掩模实现金属层的所期望的结构化。在此生成的金属层与在上述基于MID技术的方法中生成的金属层相比更薄。基于MID技术的方法在文献US2007/0269927中予以了描述，其公开内容特此明确通过回引被并入。在此生成的金属层优选地具有大约100nm的厚度。
由于仅仅小的厚度，该实施例中的金属层不能补偿相应凹槽3、3A的塑料表面的表面粗糙度。因此，在该制造方法中，塑料表面的表面粗糙度的补偿通过对铸造工具或该铸造工具的各个区域进行上述抛光进行。于是，四个凹槽3、3A的反射性表面5的金属层的厚度是近似相同的。由于另外的凹槽3的塑料表面比第一凹槽3A的塑料表面更平滑，因此第一凹槽的反射性表面5比另外的凹槽3的反射性表面5具有更高的表面粗糙度。因此，一旦器件1被完成，则另外的半导体芯片4的辐射就比第一半导体芯片4A的辐射更定向地被反射。
参考四个反射器中的至少一个反射器的反射性表面5具有上述第一和第二区域的实施例，第一区域通过对铸造工具的有针对性的抛光而被构造为比第二区域更平滑。通过这种方式，第一区域比第二区域具有更高的表面粗糙度。
在最后的步骤中，将相应半导体芯片4、4A布置在相应凹槽3、3A中。第一半导体芯片4A尤其是被布置在第一凹槽3A中、优选被接合到第一凹槽3A的底部上。另外的半导体芯片4分别被布置在另外的凹槽3中、优选被接合到相应另外的凹槽3的底部上。
最后，相应反射器还可以被填充透明灌注材料，该灌注材料完全包围相应半导体芯片4、4A（未明确示出）。
本发明不因根据实施例的描述而限于此。而是本发明包括每个新特征以及特征的每种组合，这尤其是包含权利要求书中的特征的每种组合，即使该特征或该组合本身未明确在权利要求书或实施例中予以说明。
本申请要求德国专利申请102012107829.7的优先权，其公开内容特此通过回引被并入。
Claims (15)
1.光电器件（1），具有：
－壳体（2），其中壳体（2）具有至少一个第一凹槽（3A）；
－至少一个第一半导体芯片（4A），其中第一半导体芯片（4A）布置在第一凹槽（3A）中，
－其中第一凹槽（3A）被构造成第一反射器以用于反射在第一半导体芯片（4A）的运行中生成的辐射；
－其中第一反射器具有表面；
－其中所述表面被构造为有针对性地调整由第一半导体芯片（4A）在运行中发射的辐射的辐射特性（6）；
－其中壳体（2）具有至少一个被构造成第二反射器的第二凹槽（3），并且其中第二半导体芯片（4）被布置在第二凹槽（3）中；并且
－其中第一反射器被构造为漫射地反射由第一半导体芯片（4A）发射的辐射，并且其中第二反射器被构造为定向地反射由第二半导体芯片（4）发射的辐射。
2.光电器件（1）， 具有：
－壳体（2），其中壳体（2）具有至少一个第一凹槽（3A）；
－至少一个第一半导体芯片（4A），其中第一半导体芯片（4A）布置在第一凹槽（3A）中；
－其中第一凹槽（3A）被构造成第一反射器以用于反射在第一半导体芯片（4A）的运行中生成的辐射；
－其中第一反射器具有表面；
－其中所述表面被构造为有针对性地调整由第一半导体芯片（4A）在运行中发射的辐射的辐射特性（6）；
－其中所述壳体（2）具有至少一个被构造为第二反射器的第二凹槽（3）并且其中第二半导体芯片（4）被布置在所述第二凹槽（3）中，以及
－其中第一反射器的表面粗糙度大于第二反射器的表面粗糙度。
3.根据权利要求1所述的光电器件（1），
其中第一反射器的表面粗糙度大于第二反射器的表面粗糙度和/或第一和第二反射器的相应表面至少部分地具有金属层，并且其中第一反射器的金属层比第二反射器的金属层更薄。
4.根据权利要求1或2所述的光电器件（1），
其中第一反射器的表面具有至少一个第一区域和至少一个第二区域，并且其中第一反射器的表面的第一区域被构造为漫射地反射由第一半导体芯片（4A）发射的辐射，并且其中第一反射器的表面的第二区域被构造为比第一区域更定向地反射由第一半导体芯片（4A）发射的辐射。
5.根据权利要求4所述的光电器件（1），
其中第一反射器的表面的第一区域比第一反射器的表面的第二区域具有更高的表面粗糙度。
6.根据权利要求5所述的光电器件（1），
其中第一区域的表面粗糙度大于或等于由第一半导体芯片（4A）发射的辐射的波长，并且其中第二区域的表面粗糙度小于由第一半导体芯片（4A）发射的辐射的波长。
7.根据权利要求1所述的光电器件（1），
其中第一反射器的表面粗糙度大于第二反射器的表面粗糙度。
8.根据权利要求7所述的光电器件（1），
其中第一反射器的表面粗糙度大于或等于由第一半导体芯片（4A）发射的辐射的波长，并且其中第二反射器的表面粗糙度小于由第二半导体芯片（4）发射的辐射的波长。
9.根据权利要求1或2所述的光电器件（1），
其中壳体（2）由塑料构成。
10.根据权利要求1或2所述的光电器件（1），
其中第一反射器的表面至少部分地具有金属层，并且其中第二区域中的金属层比第一区域中的金属层更厚。
11.根据权利要求1或2所述的光电器件（1），
其中第一和第二反射器的相应表面至少部分地具有金属层，并且其中第一反射器的金属层比第二反射器的金属层更薄。
12.用于制造根据权利要求1或2所述的光电器件（1）的方法，具有下列步骤：
－提供壳体（2），其中壳体（2）由塑料构成，其中在壳体（2）中构造至少一个凹槽（3A），并且其中凹槽（3A）具有表面；
－提供至少一个半导体芯片（4A）；
－至少在凹槽（3A）的表面的一个区域中电镀地或无电流地沉积金属层以用于构造反射性表面（5）并且有针对性地调整由器件（1）在运行中发射的辐射的辐射特性（6）；
－将半导体芯片（4A）布置在凹槽（3A）中,
－其中壳体（2）具有至少一个被构造成第二反射器的第二凹槽（3），并且其中第二半导体芯片（4）被布置在第二凹槽（3）中；并且
－其中第一反射器被构造为漫射地反射由第一半导体芯片（4A）发射的辐射，并且其中第二反射器被构造为定向地反射由第二半导体芯片（4）发射的辐射。
13.根据权利要求12所述的方法，
其中第一反射器具有带有至少一个第一区域和至少一个第二区域的表面，并且所述金属层在第一区域中比在第二区域中更薄，和/或其中所述金属层在至少一个反射器中比在至少一个另外的反射器中更薄。
14.用于制造根据权利要求1或2所述的光电器件（1）的方法,
具有下列步骤：
－提供壳体（2），其中壳体（2）借助于注塑方法由塑料构成，其中在壳体（2）中构造至少一个凹槽（3A），其中凹槽（3A）具有表面，并且其中在壳体（2）的注塑以前，对铸造工具的表面的至少一个区域进行抛光以用于有针对性地调整由器件（1）在运行中发射的辐射的辐射特性（6）；
－提供至少一个半导体芯片（4A）；
－通过溅射或热蒸镀将金属层至少涂敷在凹槽（3A）的表面的一个区域中以用于构成反射性表面（5）；
－将半导体芯片（4A）布置在凹槽（3A）中。
15.根据权利要求14所述的方法，
其中所述表面在第二区域中通过对铸造工具的表面的抛光而比在第一区域中更平滑，和/或其中所述表面在至少一个反射器中通过对铸造工具的表面的抛光而比在至少一个另外的反射器中更平滑。
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| CN105977360B (zh) * | 2016-06-17 | 2018-08-14 | 东莞市国瓷新材料科技有限公司 | 具有良好气密性的led支架的制作工艺 |
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| KR102632274B1 (ko) * | 2016-10-31 | 2024-02-05 | 주식회사 아모센스 | 센서용 발광 다이오드 모듈 |
| US11145191B2 (en) * | 2016-12-07 | 2021-10-12 | Lumileds Llc | Flash light emitter with remote communication function |
| TWI820026B (zh) * | 2017-06-21 | 2023-11-01 | 荷蘭商露明控股公司 | 具有改善的熱行為的照明組件 |
| DE102020112969B4 (de) * | 2020-05-13 | 2024-02-15 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlungsemittierender halbleiterchip, rücklicht für ein kraftfahrzeug und kraftfahrzeug |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1767189A (zh) * | 2004-09-20 | 2006-05-03 | 帝希欧有限公司 | 具有防静电放电冲击保护功能的高亮度发光二极管 |
| CN1913151A (zh) * | 2005-08-08 | 2007-02-14 | 安华高科技Ecbuip(新加坡)私人有限公司 | 用于闪光和自动聚焦应用的发光二极管模块 |
| CN102263098A (zh) * | 2010-05-24 | 2011-11-30 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件及具有该发光器件的光照单元 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004077558A1 (de) * | 2003-02-28 | 2004-09-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauteil mit strukturiert metallisiertem gehäusekörper, verfahren zur herstellung eines derartigen bauteils und verfahren zur strukturierten metallisierung eines kunststoff enthaltenden körpers |
| US7718451B2 (en) | 2003-02-28 | 2010-05-18 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Method for producing an optoelectronic device with patterned-metallized package body and method for the patterned metalization of a plastic-containing body |
| JP4773048B2 (ja) | 2003-09-30 | 2011-09-14 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード |
| DE102005028748A1 (de) * | 2004-10-25 | 2006-05-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement und Bauelementgehäuse |
| JP2007157805A (ja) | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Stanley Electric Co Ltd | Ｌｅｄパッケージ、発光装置及びｌｅｄパッケージの製造方法 |
| DE102006048592A1 (de) | 2006-10-13 | 2008-04-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Modul und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Moduls |
| DE102007060202A1 (de) | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Polarisierte Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement |
| US7794120B2 (en) | 2008-03-27 | 2010-09-14 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Illumination assembly with diffusive reflector cup |
| US8729591B2 (en) * | 2009-02-13 | 2014-05-20 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Opto-electronic device package with a semiconductor-based sub-mount having SMD metal contacts |
| WO2010150824A1 (ja) | 2009-06-24 | 2010-12-29 | 古河電気工業株式会社 | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置 |
| DE102010012712A1 (de) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Licht emittierendes Halbleiterbauteil |
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Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| CN1767189A (zh) * | 2004-09-20 | 2006-05-03 | 帝希欧有限公司 | 具有防静电放电冲击保护功能的高亮度发光二极管 |
| CN1913151A (zh) * | 2005-08-08 | 2007-02-14 | 安华高科技Ecbuip(新加坡)私人有限公司 | 用于闪光和自动聚焦应用的发光二极管模块 |
| CN102263098A (zh) * | 2010-05-24 | 2011-11-30 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件及具有该发光器件的光照单元 |
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