CN104752225B - 晶体管的形成方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种晶体管的形成方法，采用应力技术形成源漏区，对衬底进行干法刻蚀以形成凹槽，再进行湿法刻蚀使所述凹槽形成Σ形凹槽。在干法刻蚀形成凹槽时，形成凹槽的过程包括多次衬底处理，所述衬底处理包括依次进行的以下分步骤：对所述栅极结构露出的衬底进行各向同性的第一干法刻蚀，以形成凹槽；在所述凹槽表面覆盖氧化硅层；对所述凹槽进行各向异性的第二干法刻蚀。这样所形成的凹槽外形趋近于底部平坦的坛形，对所述坛形凹槽进行湿法刻蚀，形成的Σ形凹槽深度均匀且垂直距离与水平距离都很小，能够提高在Σ形凹槽中形成的应力层源漏区的性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，具体涉及一种晶体管的形成方法。
背景技术
在现有的半导体器件中，应力技术可以提升半导体器件中沟道区的载流子迁移率，通过对沟道区提供拉伸应力或是压缩应力达到提高CMOS器件载流子迁移率的效果，进而提高晶体管的性能。
例如：在PMOS晶体管源区和漏区对应的衬底中形成Σ形凹槽，再在所述Σ形凹槽中外延生长锗硅层，对所述锗硅层进行离子注入形成源区和漏区，所述锗硅层能对PMOS晶体管的沟道施加压应力。
参考图1、图2，示出了现有技术一种晶体管形成方法形成Σ形凹槽步骤的剖视图，在衬底01表面设有栅极结构03，栅极结构包括栅极04及栅极04侧壁的侧墙05，首先对衬底01进行干法刻蚀形成矩形凹槽06，再对所述矩形凹槽06进行湿法刻蚀，形成Σ形凹槽，在Σ形凹槽中形成填充应力层，以形成源区或漏区02。所述源区或漏区02的形状与Σ形凹槽的形状相匹配，因而所述源区或漏区02的横截面呈六边形。测定这种形状的源区或漏区02与栅极04之间的距离时，通常通过测量所述六边形的尖端(tip)与栅极之间的距离来判断。这种距离包括垂直距离(tip depth)S1以及横向距离(proximity)S2。其中垂直距离S1为尖端与栅极底面沿垂直衬底01方向的间距，横向距离S2为尖端与相对的栅极侧壁沿平行衬底01方向的间距。所述垂直距离S1以及横向距离S2越小，Σ型凹槽中的源区或者漏区也就越靠近栅极04，产生的应力越大，越有利于CMOS器件提高载流子迁移率，CMOS器件的性能也就越好。
随着技术的发展，对Σ形凹槽中垂直距离S1与横向距离S2的要求日益提高。此外，现有技术中干法刻蚀形成矩形凹槽06的过程中，不同尺寸矩形凹槽06的深度相差较大，位于晶圆中心区域与边缘区域的同一尺寸的矩形凹槽06深度也有差别，从而对不同的矩形凹槽06湿法刻蚀形成的Σ形凹槽深度也相差较大。
因此，如何更好的控制干法刻蚀从而形成深度较为一致的矩形凹槽，并且缩小Σ形凹槽的垂直距离与横向距离成为亟待解决的问题。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种晶体管的形成方法，以提高凹槽的一致性且减小凹槽的垂直距离与横向距离。
为解决上述问题，本发明提供一种晶体管的形成方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成栅极结构；
在所述栅极结构露出的衬底中形成坛形凹槽；
对所述坛形凹槽进行湿法刻蚀，以形成Σ形凹槽；
在所述Σ形凹槽中形成应力层，以形成源区或漏区；
其中，形成坛形凹槽的过程包括多次衬底处理，所述衬底处理包括依次进行的以下分步骤：
对所述栅极结构露出的衬底进行各向同性的第一干法刻蚀，以形成凹槽；
在所述凹槽表面形成遮挡层；
对所述凹槽进行各向异性的第二干法刻蚀，去除凹槽底部的遮挡层。
可选的，所述第一干法刻蚀的步骤包括：在刻蚀机中进行所述第一干法刻蚀，刻蚀机的源功率大于刻蚀机的偏置功率。
可选的，所述第一干法刻蚀的步骤包括：在刻蚀机中进行所述第一干法刻蚀，刻蚀机的源功率在1500W到3500W的范围内，刻蚀机的偏置功率在0到500W的范围内。
可选的，所述衬底为硅衬底，所述第一干法刻蚀的步骤包括：采用氯气、溴化氢、氦气、三氯化硼中的一种或几种作为所述第一干法刻蚀的刻蚀剂。
可选的，所述遮挡层为氧化硅层，在所述凹槽表面形成氧化硅层的步骤包括：在所述刻蚀机的刻蚀反应腔体中进行形成所述氧化硅层的步骤。
可选的，在所述凹槽表面覆盖氧化硅层的步骤包括：在刻蚀反应腔体中通入氧气，以形成氧化硅层。
可选的，在所述凹槽表面覆盖氧化硅层的步骤包括:刻蚀机的源功率大于刻蚀机的偏置功率。
可选的，在所述凹槽表面覆盖氧化硅层的步骤包括:刻蚀机源功率与偏置功率的差值大于第一干法刻蚀步骤中刻蚀机源功率与偏置功率的差值。
可选的，所述第二干法刻蚀的步骤包括：在刻蚀机中进行所述第二干法刻蚀，刻蚀机的源功率在1000W到3000W的范围内，刻蚀机的偏置功率在500W到2000W的范围内。
可选的，所述衬底为硅衬底，所述遮挡层为氧化硅层，所述第二干法刻蚀的步骤包括：采用包括四氟化碳、三氟甲烷、二氟甲烷、氩气、氦气的气体作为所述第二干法刻蚀的刻蚀气体。
可选的，对所述坛形凹槽进行湿法刻蚀的步骤包括：采用四甲基氢氧化铵或氢氧化钾溶液对所述坛形凹槽进行湿法刻蚀，以形成Σ形凹槽。
可选的，在形成坛形凹槽的过程中，所述衬底处理中各个分步骤的时间相等或不等。
可选的，形成坛形凹槽的多次衬底处理中，后一次的衬底处理的第一干法刻蚀将前一次衬底处理中形成的遮挡层去除。
可选的，形成坛形凹槽的多次衬底处理中，各次衬底处理的时间相同或不同。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
对凹槽的刻蚀分为多步各向同性与各向异性的干法刻蚀的重复步骤，增强了干法刻蚀的可控制性，使得不同尺寸的凹槽深度差减小，还可以使位于晶圆中心与晶圆边缘的同一尺寸的凹槽的深度差减小。
此外，形成坛形凹槽的步骤中，在第一干法刻蚀的过程中，凹槽向水平方向与垂直方向同时扩张，使得凹槽的侧壁在水平方向具有向栅极靠近的凹陷；在各向异性的第二干法刻蚀中，将凹槽底部的遮挡层去除；这样在下一次的衬底处理中，由于凹槽侧壁具有遮挡层，而凹槽底部则为暴露的衬底，这样在之后每一次衬底处理的第一干法刻蚀过程中，凹槽底部被去除的量大于凹槽侧壁被去除的量，因而凹槽沿垂向加深较大而沿侧向展宽较小，从而使得凹槽的宽度自凹陷处向底部逐渐减小，因而凹陷处距离衬底表面的距离较近；并且经过多次这样的衬底处理过程可以使凹陷不断向栅极靠近，凹槽的形貌整体更加趋近于开口处较窄、接近开口处具有加宽的凹陷、自凹陷处以下宽度逐渐减小的坛形凹槽，相应地，对所述坛形凹槽进行湿法刻蚀时，坛形凹槽的凹陷处对应形成Σ形凹槽六边形的尖端，这样所形成的Σ形凹槽的垂直距离与横向距离更小，在所述Σ形凹槽中形成应力层以形成源区或漏区，可以优化晶体管的性能。
进一步，衬底处理中各个分步骤的时间可以不相等，可以通过调控每次衬底处理中的第一干法刻蚀与第二干法刻蚀的时间，还可以结合调控源功率，使得凹槽侧壁的凹陷形状不同，以获得具有所需要的垂直距离与水平距离的Σ形凹槽。
附图说明
图1～图2是现有技术一种晶体管形成方法的示意图；
图3是本发明晶体管形成方法一实施例的流程图；
图4～图8是图3所示晶体管形成方法的形成过程的剖面示意图。
具体实施方式
现有技术形成Σ形凹槽的过程中，如何更好的控制干法刻蚀形成均匀深度的凹槽，并且缩小Σ形凹槽的垂直距离与横向距离成为亟待解决的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种晶体管的形成方法，可以在衬底中形成侧壁具有凹陷的坛形凹槽，对所述坛形凹槽进行湿法刻蚀所形成的Σ形凹槽的垂直距离与横向距离更小，在所述Σ形凹槽中形成应力层以形成源区或漏区，可以优化晶体管的性能。并且将对凹槽的刻蚀分为多步各向同性与各向异性的干法刻蚀的重复步骤，增强了干法刻蚀的可控制性，使得不同尺寸的凹槽或位于晶圆中心与晶圆边缘的同一尺寸的凹槽的深度差减小。
参考图3，示出了本发明晶体管的形成方法的流程图，本发明晶体管的形成方法包括以下大致步骤：
步骤S1，提供衬底；
步骤S2，在所述衬底上形成栅极结构；
步骤S3，在所述栅极结构露出的衬底中形成坛形凹槽；形成坛形凹槽的过程包括多次衬底处理，所述衬底处理包括依次进行的以下分步骤：
步骤S3A：对所述栅极结构露出的衬底进行各向同性的第一干法刻蚀，以形成凹槽；
步骤S3B：在所述凹槽表面形成遮挡层；
步骤S3C：对所述凹槽进行各向异性的第二干法刻蚀，去除凹槽底部的遮挡层。
步骤S4，对所述坛形凹槽进行湿法刻蚀，以形成Σ形凹槽；
步骤S5，在所述Σ形凹槽中形成应力层，以形成源区或漏区。
通过上述步骤，能够更好的控制干法刻蚀形成均匀深度的的凹槽，并且缩小Σ形凹槽的垂直距离与横向距离，进而提高晶体管的性能。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
参考图4，执行步骤S1，提供衬底100，在本实施例中，所述衬底100为硅衬底，在其他实施例中，所述衬底100还可以为锗硅层衬底或绝缘体上硅衬底等其它衬底，对此本发明不做任何限制。
继续参考图4，执行步骤S2，在所述衬底100上形成栅极结构102。
在本实施例中，所述栅极结构102包括栅氧层103、位于栅氧层103上方的栅极104、位于栅极104侧壁的侧墙106以及位于栅极104上表面的盖帽层105。
具体地，采用化学气相沉积法形成所述栅氧层103，所述栅氧层103的材料为氧化硅；采用化学气相沉积法形成所述栅极104，所述栅极104的材料为多晶硅；所述侧墙106的材料为氮化硅，所述盖帽层105的材料为氮化钛，所述盖帽层105的作用是保护栅极104并在后续的外延工艺中作为栅极104的外延阻挡层。
需要说明的是，本发明对栅极结构102的具体结构不做限制，在其他实施例中，所述栅极结构102还可以由包括栅极104在内的其他部分组成；本发明对栅极结构102的各部分的材料也不做限制，在其他实施例中，所述栅氧层103的材料还可以为氧化铪，所述栅极104的材料还可以为金属，所述述侧墙106还可以为氮化硅与氧化硅的堆叠结构，所述盖帽层105的材料还可以为氮化硅。
执行步骤S3，在所述栅极结构102露出的衬底中形成坛形凹槽107。在本实施例中，步骤S3中包括若干次所述衬底处理。在这里结合图4至图7对本实施例中第一次衬底处理进行详细说明。
首先继续参考图4，执行步骤S3A，对所述栅极结构102露出的衬底100进行各向同性的第一干法刻蚀，以形成凹槽107。
具体地，第一干法刻蚀的类型为等离子体刻蚀，在刻蚀机中进行所述第一干法刻蚀，由于所述衬底100为硅衬底，采用氯气、溴化氢、氦气、三氯化硼中的一种或几种作为所述第一干法刻蚀的刻蚀剂。
在等离子体刻蚀的过程中，通过开启刻蚀机的源功率，可以形成高频电场，将刻蚀剂如氯气、溴化氢等电离为等离子体，对所述衬底100进行刻蚀，单独开启刻蚀机的源功率，等离子体刻蚀的效果表现为各向同性；而通过开启刻蚀机的偏置功率，可以将所述刻蚀剂电离而成的等离子体的垂直方向的速度增加，从而使等离子体刻蚀的各向异性增强。
在第一干法刻蚀的过程中，刻蚀机的源功率为3000W，刻蚀机的偏置功率为200W。这样刻蚀机的源功率远大于偏置功率，偏置功率较小，所以第一干法刻蚀的各向同性较强。在各向同性的第一干法刻蚀的过程中，凹槽107向水平方向与垂直方向同时扩张，使得凹槽107的深度增加的同时，凹槽107的侧壁也被刻蚀而形成向栅极104靠近的凹陷，在第一干法刻蚀结束后，所述凹槽107的***轮廓为一曲面。
需要说明的是，为了得到不同的刻蚀效果，刻蚀机的源功率可以在1500W到3500W的范围内选择，刻蚀机的偏置功率在在0到500W的范围内选择，但是本发明对刻蚀机的源功率与偏置功率的具体数值不做限制，只要满足源功率大于偏置功率且等离子体刻蚀的效果表现为各向同性即可。此外，在其他实施例中，针对不同的衬底类型，还可以采用其他的刻蚀剂进行第一干法刻蚀。
参考图5，执行步骤S3B，在所述凹槽107表面形成遮挡层。
在本实施例中，所述遮挡层为氧化硅层108。
具体地，在第一干法刻蚀的同一刻蚀反应腔体中通入氧气，开启刻蚀机的源功率，形成高频电场，将氧气电离为等离子体，电离为等离子体的氧气与所述凹槽107表面的硅发生反应，使硅通过自氧化的方式形成一层氧化硅。由于没有在刻蚀机中引入刻蚀剂，所以等离子体对硅衬底不会造成损伤。
在形成氧化硅层108的过程中，刻蚀机的源功率为3500W，偏置功率为0W，即源功率远大于偏置功率，并且此时源功率与偏置功率的差值比第一干法刻蚀中源功率与偏置功率的差值更大，所以氧化硅的形成具有很强的各向同性，以使得氧化硅层108将凹槽107的表面全部覆盖。
在其他实施例中，刻蚀机的源功率可以在1500W到3500W的范围内选择，刻蚀机的偏置功率在在0到500W的范围内选择，但是本发明对刻蚀机的源功率与偏置功率的具体数值不做限制，只要满足源功率大于偏置功率且氧化硅的形成表现为各向同性即可。
需要说明的是，在本实施例中，所述遮挡层为在刻蚀机的刻蚀反应腔体中形成的氧化硅层108，这样的好处在于，所述衬底处理的三个分步骤均在同一刻蚀反应腔室内进行，衬底处理步骤中不需要切换腔室，能够保证衬底处理快速的进行并避免了外界的污染。但是本发明对遮挡层的材料不作限制，在其他实施例中，遮挡层也可以是能够在刻蚀反应腔体形成的其他与硅材料刻蚀选择比不同的材料；本发明对遮挡层形成步骤所在的腔室也不作限制，也可以在其他腔室中进行所述形成遮挡层的步骤。
参考图6，执行步骤S3C，对所述凹槽107进行各向异性的第二干法刻蚀，去除凹槽107底部的遮挡层。在本实施例中，去除凹槽107底部的氧化硅层108。
具体地，在第二干法刻蚀的过程中，在第一干法刻蚀的同一刻蚀反应腔体中进行所述第二干法刻蚀，采用包括四氟化碳、三氟甲烷、二氟甲烷、氩气、氦气的气体作为所述第二干法刻蚀的刻蚀气体，其中可以选择四氟化碳、三氟甲烷、二氟甲烷中的一种或几种作为刻蚀剂，四氟化碳、三氟甲烷、二氟甲烷对氧化硅均有较高的选择比，可以比较容易的去除凹槽107底部的氧化硅层108。刻蚀机的源功率在1000W到3000W的范围内，刻蚀机的偏置功率在500W到2000W的范围内。
在第二干法刻蚀的过程中，偏置功率较大，刻蚀剂电离而成的等离子体的垂直方向的速度分量增加很大，从而使等离子体刻蚀的各向异性很强第二干法刻蚀将步骤S3B中形成的位于凹槽107底部的氧化硅层108去除，暴露出衬底100。由于第二干法刻蚀的各向异性很强，凹槽107侧壁的氧化硅层108受刻蚀的损伤很小，而凹槽107底部的氧化硅层108被去除干净，并且去除凹槽107底部的氧化硅层108后暴露出的衬底100表面平坦。
需要说明的是，在其他实施例中，针对不同的遮挡层类型，还可以采用其他的刻蚀剂进行第二干法刻蚀，本发明对此不做限制。刻蚀机的的源功率也可以不在1000W到3000W的范围内，刻蚀机的偏置功率也可以不在500W到2000W的范围内，等离子体刻蚀的效果表现为各向异性即可。
在本实施例中，步骤S3A、步骤S3B与步骤S3C的时间相等，均在1到500毫秒之间，这样的好处在于，衬底处理进行较为均匀，便于控制，在形成凹槽107的过程中，便于调节之后每一次衬底处理中的其他参数以实现对凹槽107形貌的控制，但是本发明对此不作限制，所述衬底处理中各个分步骤的时间也可以不等。在执行步骤S3C以后，继续执行下一次衬底处理中的步骤S3A，在下一次衬底处理中的步骤S3A中，所述凹槽107侧壁的氧化硅层108被各向同性的等离子刻蚀去除，由于凹槽107侧壁具有氧化硅层108的阻挡，而凹槽107底部则为暴露的硅衬底，这样在之后每一次衬底处理中的步骤S3A中，凹槽107底部被去除的量大于侧向被去除的量，因而凹槽107沿垂向加深而沿侧向展宽较小。
这样经过多次各向同性的第一干法刻蚀，使得凹槽107侧壁的凹陷在水平方向、垂直方向不断向栅极104靠近；由于多次的形成氧化硅层108及去除凹槽107底部氧化硅层108的第二干法刻蚀的过程，使得在之后每一次的第一干法刻蚀中，凹槽107沿垂向加深较大而沿侧向展宽较小，使得凹槽107的宽度自凹陷处向底部平缓的减小，经过多次衬底处理后，最终凹槽107的形貌整体更加趋近于开口处较窄、接近开口处具有加宽的凹陷、自凹陷处以下平缓收紧的坛形凹槽，这种形状比较接近Σ型凹槽中六边形形貌，并且凹陷在水平方向、垂直方向非常接近栅极104。
需要说明的是，步骤S3的时间约为1-3分钟，而衬底处理的每一分步的时间在1到500毫秒之间，所以本发明晶体管形成方法所述的多次衬底处理实际上是数百次或数千次的循环进行的衬底处理步骤，这样将对凹槽107的刻蚀分为大量的各向同性与各向异性的干法刻蚀的重复步骤，每一分步的时间均较短，增强了干法刻蚀的可控制性，使得凹槽107的形状可以自由控制，而且不同尺寸的凹槽107或位于晶圆中心与晶圆边缘的同一尺寸的凹槽107的深度差减小。
但本发明对步骤S3中衬底处理的次数不做限制，对步骤S3的时间及衬底处理每一分步的时间也不做限制，为获得需要的凹槽107的形状，可以进行任意次衬底处理。
在第二次衬底处理及第二次衬底处理之后每一次的衬底处理中，各分步骤的时间可以与前一次衬底处理中相应分步骤的时间相同，也可以不同，也就是说多次衬底处理的时间相同也可以不同。这样可以更方便的通过改变每一次衬底处理中各分步骤的时间控制凹槽107的形状，使得凹陷可以位于凹槽107侧壁的不同部位，经过之后的湿法刻蚀以后，Σ型凹槽中六边形形状的尖端与栅极104的水平距离、垂直距离也可以自由控制。
参考图7，执行步骤S4，对所述凹槽107进行湿法刻蚀，以形成Σ形凹槽109。
具体地，采用四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液作为刻蚀剂对所述凹槽107进行湿法刻蚀，采用四甲基氢氧化铵溶液作为刻蚀剂的好处在于，四甲基氢氧化铵溶液具有强碱性，且刻蚀过程较为稳定。
由于在步骤S3以后，凹槽107的形貌已接近于Σ形凹槽的六边形形貌，经过步骤S4的湿法刻蚀所形成的Σ形凹槽109形貌更加标准，各个同一尺寸的Σ形凹槽109形状趋近于一致。凹槽107的凹陷在水平方向、垂直方向更接近栅极104，经过之后的湿法刻蚀以后，坛形凹槽的凹陷处对应形成Σ形凹槽六边形的尖端，这样Σ型凹槽109中六边形形状的尖端更接近栅极104，即垂直距离(tip depth)D2以及横向距离(proximity)D1更小。并且由于步骤S3中形成的凹槽107的深度均匀且控制性强，使得不同尺寸的Σ形凹槽109或位于晶圆中心与晶圆边缘的同一尺寸的Σ形凹槽109的深度差更小。
在其他实施例中，湿法刻蚀的刻蚀剂还可以采用氢氧化钾(KOH)溶液或其他溶液，本发明对此不作限制。
参考图8，执行步骤S5，在所述Σ形凹槽中外延生长应力层110，以形成源区或漏区。
在本实施例中，所述应力层110的材料为锗硅，用于对沟道提供压缩应力。由于Σ型凹槽109中六边形形貌的尖端更接近栅极104，垂直距离D2以及横向距离D1更小，在本发明形成方法所形成的Σ形凹槽109中外延生长锗硅层，可以获得质量较高的应力层，Σ型凹槽中的源区或者漏区更靠近栅极104，产生的应力更大，有利于CMOS器件提高载流子迁移率，从而提高CMOS器件的性能。对质量较高的应力层进行离子注入形成源区或漏区而获得的晶体管性能更佳。并且由于不同尺寸的Σ形凹槽109或位于晶圆中心与晶圆边缘的同一尺寸的Σ形凹槽109的深度差更小，同一尺寸的Σ形凹槽109六边形形状差异更小，使得最终形成的源区或漏区性能更加稳定。
在外延生长应力层110以后，还需要对所述应力层110进行掺杂，以形成源区或漏区。
为验证本发明晶体管形成方法的效果，如图8所示，对以本发明晶体管形成方法所形成的CMOS晶体管做测试，测定所形成的Σ形凹槽中六边形形状的尖端的垂直距离D2和横向距离D1，其中垂直距离D2小于8纳米，横向距离D1接近0纳米。在垂直距离D2和横向距离D1较小的Σ形凹槽中形成的应力层产生的应力更大，能够有效地CMOS器件提高载流子迁移率，从而提高CMOS器件的性能。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (14)
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成栅极结构；
在所述栅极结构露出的衬底中形成坛形凹槽；所述坛形凹槽的形状为开口处较窄、接近开口处具有加宽的凹陷、自凹陷处以下平缓收紧；
对所述坛形凹槽进行湿法刻蚀，以形成Σ形凹槽；
在所述Σ形凹槽中形成应力层，以形成源区或漏区；
其中，形成坛形凹槽的过程包括多次衬底处理，所述衬底处理包括依次进行的以下分步骤：
对所述栅极结构露出的衬底进行各向同性的第一干法刻蚀，以形成凹槽；
在所述凹槽表面形成遮挡层；
对所述凹槽进行各向异性的第二干法刻蚀，去除凹槽底部的遮挡层。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一干法刻蚀的步骤包括：在刻蚀机中进行所述第一干法刻蚀，刻蚀机的源功率大于刻蚀机的偏置功率。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一干法刻蚀的步骤包括：在刻蚀机中进行所述第一干法刻蚀，刻蚀机的源功率在1500W到3500W的范围内，刻蚀机的偏置功率在0到500W的范围内。
4.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述第一干法刻蚀的步骤包括：采用氯气、溴化氢、氦气、三氯化硼中的一种或几种作为所述第一干法刻蚀的刻蚀剂。
5.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述遮挡层为氧化硅层，在所述凹槽表面形成氧化硅层的步骤包括：在所述刻蚀机的刻蚀反应腔体中进行形成所述氧化硅层的步骤。
6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在所述凹槽表面覆盖氧化硅层的步骤包括：在刻蚀反应腔体中通入氧气，以形成氧化硅层。
7.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在所述凹槽表面覆盖氧化硅层的步骤包括:刻蚀机的源功率大于刻蚀机的偏置功率。
8.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在所述凹槽表面覆盖氧化硅层的步骤包括:刻蚀机源功率与偏置功率的差值大于第一干法刻蚀步骤中刻蚀机源功率与偏置功率的差值。
9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二干法刻蚀的步骤包括：在刻蚀机中进行所述第二干法刻蚀，刻蚀机的源功率在1000W到3000W的范围内，刻蚀机的偏置功率在500W到2000W的范围内。
10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述遮挡层为氧化硅层，所述第二干法刻蚀的步骤包括：采用包括四氟化碳、三氟甲烷、二氟甲烷、氩气、氦气的气体作为所述第二干法刻蚀的刻蚀气体。
11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对所述坛形凹槽进行湿法刻蚀的步骤包括：采用四甲基氢氧化铵或氢氧化钾溶液对所述坛形凹槽进行湿法刻蚀，以形成Σ形凹槽。
12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成坛形凹槽的过程中，所述衬底处理中各个分步骤的时间相等或不等。
13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成坛形凹槽的多次衬底处理中，后一次的衬底处理的第一干法刻蚀将前一次衬底处理中形成的遮挡层去除。
14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成坛形凹槽的多次衬底处理中，各次衬底处理的时间相同或不同。
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