CN104734604A - 一种电力能效提高装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电力能效提高装置，包括交流电源、整流部件、控制部件和触发部件，整流部件的输入端电连接至交流电源以将交流电整流为低压直流电，整流部件的输出端电连接至控制部件的一个输入端，触发部件的输出端电连接至控制部件的另一个输入端以生成与交流电源频率相同的输出脉冲信号，控制部件包括光敏陶瓷半导体，电力能效提高装置还包括一个或多个发光元件，发光元件用于将合成波长的光发射到光敏陶瓷半导体上，并改变光敏陶瓷半导体晶体内部的电气状态，从而实现电力能效提高。发光元件将合成波长的光发射到光敏陶瓷半导体上，使得半导体中的电子具有更长的波长，振动状态将会更加稳定，从而减小能量损失。
Description
技术领域
本发明涉及电力技术领域，尤其涉及一种电力能效提高装置。
背景技术
随着现代社会经济的飞速发展，资源的匮乏日益成为摆在人们面前的世界性难题，电力资源作为现代文明社会的绿色动力，日益成为人们不可缺少的资源和生活保障，但电力资源并不是无限的，它受到矿产资源、水利资源等的限制，如何充分利用电能，节约电能，保障电力品质来满足日益增长的工业生产和人们日常生活需要，已是摆在我们面前的紧迫任务。
目前，电力能效提高装置已经广泛应用于如驱动电动机、电加热器、照明装置等设备上。例如，目前应用于电动机上的电力能效提高装置主要部分融合微电脑控制技术和智能调压技术，抑制高次谐波、降低设备频繁起动所产生的峰值电流，平衡、修复供电电源的波形，实现提高设备的可靠性及使用设备过程中的安全性，进而实现电力能效的提高目的；应用于照明装置的电力能效提高装置融合微机技术：电压采样技术、计算机技术和功率因数控制技术，对楼宇、高杆路灯照明等供电***的电能质量进行处理、优化，在不影响照明设备正常使用和照明效果的前提下，自动选择输出一个最优的照明功率，进而达到电力能效提高和延长用电设备使用寿命的双重功效。
能够实现电力能效提高目的的装置包括多种，如变流器、电子镇流器和变频和相控半导体变流装置等。图1是将直流电源变为交流电源的变流器的电路图，其通过使用了逆变电源将直流电逆变为可调频率的交流电供给负载，从而达到电力能效提高的目的。图2是用于电子镇流器的串联谐振电路图，电容器5和电感器6实现负载的照明的稳定性，其与电容器7构成串联谐振电路，并用于启动负载，使用串联谐振电路使得多个具有相同或不同性能的灯连接到一个电子镇流器上，从而实现多个灯的照明，另外，为了防止电子镇流器的损坏，该电路还有针对输入电压不稳定、高温和潮湿的自我保护功能，因此，电子镇流器能够消除磁性镇流器的缺陷，提高了电力能效的效果。图3是传统的功率因数校正电路图，在高开关频率时，高功率转换效率成为可能，在这种情况下，总高频率失真因素降低，功率因数校正电路根据输入电压设定输入电流，使电压/电流比值不变，从而实现功率因数为1的数值；然而，当电压/电流的比率不恒定，就会发生相位失真或高频失真，从而减少功率因数值，功率因数校正电路输入阻抗的电抗导致输入电流相位相对于输入电压失真，减少了功率因素值，高频失真意味着一定程度的功率因数校正电路输入阻抗的非线性。因此，输入阻抗的变化引起输入电流的失真，导致功率因数的减小，从而达到了相对弱的电力能效提高的效果。
许多具有电力能效提高装置的器件会在传输线路上因导线电阻产生能量损失，这是由发热或振动产生的电子不规则运动导致的，然而，现有技术中没有针对这种本质原因而制造出一种电力能效提高装置，因此，提供一种新颖的、能够实现较好的电力能效提高效果的且稳定性好的装置是目前研究的重要的课题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于如何克服现有的电力能效提高装置的电力能效提高效果不佳且不稳定等的缺陷。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种电力能效提高装置，包括交流电源、整流部件、控制部件和触发部件，所述整流部件的输入端电连接至交流电源以将交流电整流为低压直流电，所述整流部件的输出端电连接至控制部件的一个输入端，所述触发部件的输出端电连接至控制部件的另一个输入端以生成与交流电源频率相同的输出脉冲信号，所述控制部件包括光敏陶瓷半导体，所述电力能效提高装置还包括一个或多个发光元件，所述发光元件电连接至控制部件的输出端并受控制部件的控制，所述发光元件用于将合成波长的光发射到光敏陶瓷半导体上，并改变光敏陶瓷半导体晶体内部的电气状态，从而实现电力能效提高。
进一步地，所述发光元件设置在光敏陶瓷半导体的侧面或顶面。
进一步地，所述发光元件位于光敏陶瓷半导体侧面时，发光元件与所述光敏陶瓷半导体之间的距离为5-8 mm，所述发光元件位于光敏陶瓷半导体顶面时，发光元件与所述光敏陶瓷半导体之间的距离为6-9 mm。
具体地，所述合成波长为800-1080 nm。
进一步地，所述光敏陶瓷半导体中包含有由氧化物、硫化物、硒化物、碲化物和卤化物中的一种形成的化合物。
进一步地，所述电力能效提高装置具有用于检验光敏陶瓷半导体是否正常工作的检测电路，所述检测电路包括与光敏陶瓷半导体电连接的发光二极管和开关，闭合所述开关，通过对光敏陶瓷半导体施加驱动电压，检测发光二极管是否在预定时间内发光，若发光，则判定光敏陶瓷半导体正常工作。
进一步地，所述光敏陶瓷半导体包括微控制器，所述微控制器用于选择输出连接交流电源和负载的传输线上的电流大小，并控制发光元件在一段时间内反复进行发光和消光。
进一步地，所述装置还包括变流器和显示器，所述变流器用于检测从交流电源输出至电力能效提高装置的电流大小，并在设定的最大电力能效范围内按照一定比例缩小所述电流大小，所述显示器用于显示变流器检测到的电流大小。
进一步地，所述整流部件包括TNR电路、噪声过滤器和恒压电路，所述TNR电路用于吸收冲击电压以提供平稳电流，所述噪声过滤器用于过滤交流电源产生的噪音。
进一步地，所述光敏陶瓷半导体由陶瓷材料进行封装。
本发明的电力能效提高装置，具有如下有益效果：
1、本发明的发光元件将合成波长的光发射到光敏陶瓷半导体上，使得半导体中的电子具有更长的波长，振动状态将会更加稳定，从而减少电子之间碰撞的次数，进而减小能量损失，且光敏陶瓷半导体中具有微控制器，能够非常智能地控制发光元件的发光和消光，使用该能效提高装置的能效提高效果显著且稳定性提高。
2、本发明中的检测电路能够检测半导体是否正常工作，将电路中出现异常状况防范于未然。
3、本发明中的发光元件设置在与之具有一定距离的光敏陶瓷半导体的侧面或顶面，使得电路具有更好的温度稳定性和适当的能量效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。
图1是变流器的电路图和脉冲波形图；
图2是用于电子镇流器中的串联谐振电路示意图；
图3是传统的功率因数校正电路的电路图；
图4是本发明的实施例一中的电力能效提高装置的电路示意图；
图5是本发明的实施例二中的电力能效提高装置的电路示意图；
图6是本发明的电力能效提高装置连接到单相电源的电路图；
图7是本发明的电力能效提高装置连接到三相电源的电路图；
图8是本发明的电力能效提高装置的电路板的结构示意图；
图9是本发明的电力能效提高装置的电路板的另一结构示意图。
图中：1-电力能效提高装置，2-整流部件，3-控制部件，4-触发部件，5-光敏陶瓷半导体，6-发光元件，7-变流器，8-显示器。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
如图4所示，本发明提供了一种电力能效提高装置，包括交流电源、整流部件2、控制部件3和触发部件4，所述整流部件2的输入端电连接至交流电源以将交流电整流为低压直流电，所述整流部件2的输出端电连接至控制部件3的一个输入端，所述触发部件4的输出端电连接至控制部件3的另一个输入端以生成与交流电源频率相同的输出脉冲信号，所述控制部件3包括光敏陶瓷半导体5，所述电力能效提高装置1还包括五个发光元件6，所述发光元件6电连接至控制部件3的输出端并受控制部件3的控制，所述发光元件6用于将合成波长为800 nm的光发射到光敏陶瓷半导体5上，并改变光敏陶瓷半导体5晶体内部的电气状态，从而实现电力能效提高。
如图8所示，其中，光敏陶瓷半导体为锗酸铋光敏陶瓷，所述发光元件6设置在锗酸铋光敏陶瓷的侧面，且与锗酸铋光敏陶瓷之间的距离为5 mm。如图9所示，所述发光元件6还可以设置在锗酸铋光敏陶瓷的顶面，且与锗酸铋光敏陶瓷之间的距离为6 mm。其中所述锗酸铋光敏陶瓷中包含有由氧化物形成的化合物。
由图4可知，所述电力能效提高装置1还具有用于检验光敏陶瓷半导体5是否正常工作的检测电路，所述检测电路包括与光敏陶瓷半导体5电连接的发光二极管和开关S1，开关S1连接至半导体的终端P8和P9上，发光二极管连接至终端P11，在将该电力能效提高装置1连接至交流电之前，按下开关S1并将驱动电压Vcc施加到半导体上，检查发光二极管在预定的时间内是否发光，若发光，则判定光敏陶瓷半导体5正常工作。所述装置还包括变流器7和显示器8，所述变流器7检测从交流电源输出至电力能效提高装置1的电流大小，并在设定的最大能效提高范围内按照一定比例缩小所述电流大小，使得整个电路处于最大能效提高的状态，所述显示器8用于显示变流器7检测到的电流大小。图4中，所述整流部件2的设计包括TNR电路、噪声过滤器和恒压电路，所述TNR电路吸收冲击电压以提供平稳电流，所述噪声过滤器过滤交流电源产生的噪音。恒压电路中具有电阻R1、R2、电容C1、C2、C3、电感L1、二极管D1、D2等，电阻R1阻断电流，电容C1作为整个恒压电路的电源，电阻R2用来保护电容C1，电感L1用来抵消电力谐波，D1作为半波整流器，二极管D2用于在半波整流时保护二极管D1，电阻R3用于电力线路的保护和电压降，电容C2平滑电路的谐波，电阻R4用来保护电源电路，稳压二极管ZD1生成5.6V恒定电压，电容C3使功率平滑，驱动电压的Vcc从电容C3两端输出，驱动电压Vcc作为控制信号被施加于光敏陶瓷半导体5上。
所述光敏陶瓷半导体5包括微控制器，所述微控制器可以控制选择输出连接交流电源和负载的传输线上的脉冲电流大小，将电力能效提高装置1连接至单相电源，如图4和图6所示，在理想状态下，光敏陶瓷半导体5在微控制器的控制下脉冲由第一输出端P3输出，且输出的脉冲与交流电具有相同的频率，同时，带有合成波长为800 nm的光发射到光敏陶瓷半导体5上，脉冲通过电阻R9、电容器C6和稳压二极管ZD2施加于交流电源和负载之间的传输线上，因此，微控制器可以根据电路状况智能控制脉冲电流大小，有效节省电能，还可以控制发光元件6在一段时间内反复进行发光和消光，控制了发光元件6的合成波长的光入射到电子上的多少，控制电子的碰撞次数，进一步提高了电力能效。所述光敏陶瓷半导体5由陶瓷材料进行封装。
本发明实施例的电力能效提高装置，具有如下有益效果：
1、本发明的发光元件将合成波长的光发射到光敏陶瓷半导体上，使得半导体中的电子具有更长的波长，振动状态将会更加稳定，从而减少电子之间碰撞的次数，进而减小能量损失，且光敏陶瓷半导体中具有微控制器，能够非常智能地控制发光元件的发光和消光，使用该能效提高装置的能效提高效果显著且稳定性提高。
2、本发明中的检测电路能够检测半导体是否正常工作，将电路中出现异常状况防范于未然。
3、本发明中的发光元件设置在与之具有一定距离的光敏陶瓷半导体的侧面或顶面，使得电路具有更好的温度稳定性和适当的能量效率。
实施例二：
如图4所示，本发明提供了一种电力能效提高装置，包括交流电源、整流部件2、控制部件3和触发部件4，所述整流部件2的输入端电连接至交流电源以将交流电整流为低压直流电，所述整流部件2的输出端电连接至控制部件3的一个输入端，所述触发部件4的输出端电连接至控制部件3的另一个输入端以生成与交流电源频率相同的输出脉冲信号，所述控制部件3包括光敏陶瓷半导体5，所述电力能效提高装置1还包括三个发光元件6，所述发光元件6电连接至控制部件3的输出端并受控制部件3的控制，所述发光元件6用于将合成波长为900 nm的光发射到光敏陶瓷半导体5上，并改变光敏陶瓷半导体5晶体内部的电气状态，从而实现电力能效提高。
如图8所示，其中，光敏陶瓷半导体为掺镧锆钛酸铅半导体，所述发光元件6设置在掺镧锆钛酸铅半导体的侧面，且与掺镧锆钛酸铅半导体之间的距离为7 mm。如图9所示，所述发光元件6还可以设置在掺镧锆钛酸铅半导体的顶面，且与掺镧锆钛酸铅半导体之间的距离为8 mm。其中所述光敏陶瓷半导体5中包含有由碲化物形成的化合物。
由图4可知，所述电力能效提高装置1还具有用于检验光敏陶瓷半导体5是否正常工作的检测电路，所述检测电路包括与光敏陶瓷半导体5电连接的发光二极管和开关S1，开关S1连接至半导体的终端P8和P9上，发光二极管连接至终端P11，在将该电力能效提高装置1连接至交流电之前，按下开关S1并将驱动电压Vcc施加到半导体上，检查发光二极管在预定的时间内是否发光，若发光，则判定光敏陶瓷半导体5正常工作。所述装置还包括变流器7和显示器8，所述变流器7检测从交流电源输出至电力能效提高装置1的电流大小，并在设定的最大能效提高范围内按照一定比例缩小所述电流大小，使得整个电路处于最大能效提高的状态，所述显示器8用于显示变流器7检测到的电流大小。图4中，所述整流部件2的设计包括TNR电路、噪声过滤器和恒压电路，所述TNR电路吸收冲击电压以提供平稳电流，所述噪声过滤器过滤交流电源产生的噪音。恒压电路中具有电阻R1、R2、电容C1、C2、C3、电感L1、二极管D1、D2等，电阻R1阻断电流，电容C1作为整个恒压电路的电源，电阻R2用来保护电容C1，电感L1用来抵消电力谐波，D1作为半波整流器，二极管D2用于在半波整流时保护二极管D1，电阻R3用于电力线路的保护和电压降，电容C2平滑电路的谐波，电阻R4用来保护电源电路，稳压二极管ZD1生成5.6V恒定电压，电容C3使功率平滑，驱动电压的Vcc从电容C3两端输出，驱动电压Vcc作为控制信号被施加于光敏陶瓷半导体5上。
所述光敏陶瓷半导体5包括微控制器，所述微控制器可以控制选择输出连接交流电源和负载的传输线上的脉冲电流大小，将电力能效提高装置1连接至三相电源，如图4和图7所示，在理想状态下，光敏陶瓷半导体5在微控制器的控制下脉冲由第一输出端P3输出，且输出的脉冲与交流电具有相同的频率，同时，带有合成波长为900 nm的光发射到光敏陶瓷半导体5上，脉冲通过电阻R9、电容器C6和稳压二极管ZD2施加于交流电源和负载之间的传输线上，其中，第一漏电断路器设置在交流电源和负载之间的传输线上，第二漏电断路器设置在电力能效提高装置1的内部或外部，并通过第一漏电断路器的输出端与负载并联。因此，微控制器可以根据电路状况智能控制脉冲电流大小，有效节省电能，还可以控制发光元件6在一段时间内反复进行发光和消光，控制了发光元件6的合成波长的光入射到电子上的多少，控制电子的碰撞次数，进一步提高了电力能效。所述光敏陶瓷半导体5由陶瓷材料进行封装。
本发明实施例的电力能效提高装置，具有如下有益效果：
1、本发明的发光元件将合成波长的光发射到光敏陶瓷半导体上，使得半导体中的电子具有更长的波长，振动状态将会更加稳定，从而减少电子之间碰撞的次数，进而减小能量损失，且光敏陶瓷半导体中具有微控制器，能够非常智能地控制发光元件的发光和消光，使用该能效提高装置的能效提高效果显著且稳定性提高。
2、本发明中的检测电路能够检测半导体是否正常工作，将电路中出现异常状况防范于未然。
3、本发明中的发光元件设置在与之具有一定距离的光敏陶瓷半导体的侧面或顶面，使得电路具有更好的温度稳定性和适当的能量效率。
实施例三：
如图5所示，本发明提供了一种电力能效提高装置，包括交流电源、整流部件2、控制部件3和触发部件4，所述整流部件2的输入端电连接至交流电源以将交流电整流为低压直流电，所述整流部件2的输出端电连接至控制部件3的一个输入端，所述触发部件4的输出端电连接至控制部件3的另一个输入端以生成与交流电源频率相同的输出脉冲信号，所述控制部件3包括光敏陶瓷半导体5，所述电力能效提高装置1还包括一个发光元件6，所述发光元件6电连接至控制部件3的输出端并受控制部件3的控制，所述发光元件6用于将合成波长为1080 nm的光发射到光敏陶瓷半导体5上，并改变光敏陶瓷半导体5晶体内部的电气状态，从而实现电力能效提高。
如图8所示，光敏陶瓷半导体为碲化镉光敏陶瓷，所述发光元件6设置在碲化镉光敏陶瓷的侧面，且与碲化镉光敏陶瓷之间的距离为8 mm。如图9所示，所述发光元件6还可以设置在碲化镉光敏陶瓷的顶面，且与碲化镉光敏陶瓷之间的距离为9 mm。其中所述光敏陶瓷半导体5中包含有由碲化物形成的化合物。
所述装置还包括变流器7和显示器8，所述变流器7检测从交流电源输出至电力能效提高装置1的电流大小，并在设定的最大能效提高范围内按照一定比例缩小所述电流大小，使得整个电路处于最大能效提高的状态，所述显示器8用于显示变流器7检测到的电流大小。图5中，所述整流部件2的设计包括TNR电路、噪声过滤器和恒压电路，所述TNR电路吸收冲击电压以提供平稳电流，所述噪声过滤器过滤交流电源产生的噪音。恒压电路中具有电阻R1、R2、电容C1、C2、C3、电感L1、二极管D1、D2等，电阻R1阻断电流，电容C1作为整个恒压电路的电源，电阻R2用来保护电容C1，电感L1用来抵消电力谐波，D1作为半波整流器，二极管D2用于在半波整流时保护二极管D1，电阻R3用于电力线路的保护和电压降，电容C2平滑电路的谐波，电阻R4用来保护电源电路，稳压二极管ZD1生成5.6V恒定电压，电容C3使功率平滑，驱动电压的Vcc从电容C3两端输出，驱动电压Vcc作为控制信号被施加于光敏陶瓷半导体5上。
所述光敏陶瓷半导体5包括微控制器，所述微控制器可以控制选择输出连接交流电源和负载的传输线上的脉冲电流大小，将电力能效提高装置1连接至三相电源，如图5和图7所示，在理想状态下，光敏陶瓷半导体5在微控制器的控制下脉冲由第一输出端P3输出，且输出的脉冲与交流电具有相同的频率，同时，带有合成波长为1080 nm的光发射到光敏陶瓷半导体5上，脉冲通过电阻R9、电容器C6和稳压二极管ZD2施加于交流电源和负载之间的传输线上，其中，第一漏电断路器设置在交流电源和负载之间的传输线上，第二漏电断路器设置在电力能效提高装置1的内部或外部，并通过第一漏电断路器的输出端与负载并联。因此，微控制器可以根据电路状况智能控制脉冲电流大小，有效节省电能，还可以控制发光元件6在一段时间内反复进行发光和消光，控制了发光元件6的合成波长的光入射到电子上的多少，控制电子的碰撞次数，进一步提高了电力能效。所述光敏陶瓷半导体5由陶瓷材料进行封装。
本发明实施例的电力能效提高装置，具有如下有益效果：
1、本发明的发光元件将合成波长的光发射到光敏陶瓷半导体上，使得半导体中的电子具有更长的波长，振动状态将会更加稳定，从而减少电子之间碰撞的次数，进而减小能量损失，且光敏陶瓷半导体中具有微控制器，能够非常智能地控制发光元件的发光和消光，使用该能效提高装置的能效提高效果显著且稳定性提高。
2、本发明中的发光元件设置在与之具有一定距离的光敏陶瓷半导体的侧面或顶面，使得电路具有更好的温度稳定性和适当的能量效率。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种电力能效提高装置，包括交流电源、整流部件（2）、控制部件（3）和触发部件（4），所述整流部件（2）的输入端电连接至交流电源以将交流电整流为低压直流电，所述整流部件（2）的输出端电连接至控制部件（3）的一个输入端，所述触发部件（4）的输出端电连接至控制部件（3）的另一个输入端以生成与交流电源频率相同的输出脉冲信号，其特征在于，所述控制部件（3）包括光敏陶瓷半导体（5），所述电力能效提高装置（1）还包括一个或多个发光元件（6），所述发光元件（6）电连接至控制部件（3）的输出端并受控制部件（3）的控制，所述发光元件（6）用于将合成波长的光发射到光敏陶瓷半导体（5）上，并改变光敏陶瓷半导体（5）晶体内部的电气状态，从而实现电力能效提高。
2. 根据权利要求1所述的电力能效提高装置，其特征在于，所述发光元件（6）设置在光敏陶瓷半导体（5）的侧面或顶面。
3. 根据权利要求2所述的电力能效提高装置，其特征在于，所述发光元件（6）位于光敏陶瓷半导体（5）侧面时，发光元件（6）与所述光敏陶瓷半导体（5）之间的距离为5-8 mm，所述发光元件（6）位于光敏陶瓷半导体（5）顶面时，发光元件（6）与所述光敏陶瓷半导体（5）之间的距离为6-9 mm。
4. 根据权利要求1或2所述的电力能效提高装置，其特征在于，所述合成波长为800-1080 nm。
5. 根据权利要求4所述的电力能效提高装置，其特征在于，所述光敏陶瓷半导体（5）中包含有由氧化物、硫化物、硒化物、碲化物和卤化物中的一种形成的化合物。
6. 根据权利要求5所述的电力能效提高装置，其特征在于，所述电力能效提高装置（1）具有用于检验光敏陶瓷半导体（5）是否正常工作的检测电路，所述检测电路包括与光敏陶瓷半导体（5）电连接的发光二极管和开关，闭合所述开关，通过对光敏陶瓷半导体（5）施加驱动电压，检测发光二极管是否在预定时间内发光，若发光，则判定光敏陶瓷半导体（5）正常工作。
7. 根据权利要求5或6所述的电力能效提高装置，其特征在于，所述光敏陶瓷半导体（5）包括微控制器，所述微控制器用于选择输出连接交流电源和负载的传输线上的电流大小，并控制发光元件（6）在一段时间内反复进行发光和消光。
8. 根据权利要求7所述的电力能效提高装置，其特征在于，所述装置还包括变流器（7）和显示器（8），所述变流器（7）用于检测从交流电源输出至电力能效提高装置（1）的电流大小，并在设定的最大能效提高范围内按照一定比例缩小所述电流大小，所述显示器（8）用于显示变流器（7）检测到的电流大小。
9. 根据权利要求8所述的电力能效提高装置，其特征在于，所述整流部件（2）包括TNR电路、噪声过滤器和恒压电路，所述TNR电路用于吸收冲击电压以提供平稳电流，所述噪声过滤器用于过滤交流电源产生的噪音。
10. 根据权利要求9所述的电力能效提高装置，其特征在于，所述光敏陶瓷半导体（5）由陶瓷材料进行封装。
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