CN104716047B - 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管的有源层以氮化硅为氢化主要来源的加氢方式的氢化效果有限的问题。本发明的薄膜晶体管的制备方法包括形成有源层的步骤，形成碳纳米管层的步骤，将碳纳米管层图案化的步骤，在碳纳米管层中储存氢的步骤，其中，所述有源层与碳纳米管层在基底上的投影至少部分重合；以及，使碳纳米管层的氢脱吸附进入有源层而将有源层氢化的步骤。本发明的方法可以提高有源层的氢化效果，促使碳纳米管中预储存的氢释放并修补SiH键缺陷，形成低电阻的金属导线，有利于显示设备得到更好的显示效果。

Description

一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)是现代微电子技术中的一种关键性电子元件，目前已经被广泛的应用于平板显示器等领域，而多晶硅薄膜晶体管具有较高的迁移率、响应速度较快、易高度集成化、由多晶硅薄膜晶体管制备的显示器的分辨率高，因此多晶硅薄膜晶体管是薄膜晶体管的一种重要形式。

如图1-4所示，现有技术中多晶硅薄膜晶体管的制备方法通常是在基底100上依次沉积缓冲层110，非晶硅层120；再对非晶硅层120进行高温去氢处理，除去其中储存的少量氢，以防止在后续激光退火工艺中产生氢爆；然后对去氢后的非晶硅层120进行准分子激光退火，使非晶硅层120晶化为多晶硅层121，再对其进行构图，用多晶硅层121形成有源层12；再依次沉积栅极绝缘层130和栅金属层，并通过构图工艺形成包括薄膜晶体管栅极15的图形；再形成层间绝缘层160，并刻蚀形成用于源极和漏极17与有源层12连接的过孔，其中层间绝缘层160一般由氮化硅构成，由于制备工艺等的影响，故通常氮化硅中含有一定的氢；再进行以层间绝缘层160的氮化硅为氢化主要来源的氢化加氢工艺，也就是使氮化硅中含有的氢进入有源层12中，以对有源层12进行氢化；之后沉积源漏金属层170，然后通过构图工艺形成包括薄膜晶体管源极和漏极17的图形；至此完成薄膜晶体管的制备。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：上述制备方法是以氮化硅为氢化主要来源，这种加氢方式的氢化效果有限，不利于获得较好均一性的薄膜晶体管器件。

发明内容

本发明针对现有的薄膜晶体管的有源层以氮化硅为氢化主要来源的加氢方式的氢化效果有限的问题，提供一种薄膜晶体管的制备方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是：

一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：

形成有源层的步骤，形成碳纳米管层的步骤，将碳纳米管层图案化的步骤，在碳纳米管层中储存氢的步骤，其中，所述有源层与碳纳米管层在基底上的投影至少部分重合；以及，

使碳纳米管层的氢脱吸附进入有源层而将有源层氢化的步骤。

优选的，所述碳纳米管层中储存氢的质量分数为0.1-5％。

优选的，所述碳纳米管层通过化学气相沉积、激光蒸发法、电弧法中的任意一种形成。

优选的，所述在碳纳米管层中储存氢的步骤在压力0.04-10MPa，温度80-653K的条件下进行。

优选的，所述使碳纳米管层的氢脱吸附进入有源层而将有源层氢化的步骤具体包括：在300-1000K的温度下采用氮氢混合等离子体对碳纳米管层进行处理，使碳纳米管层中的氢脱吸附进入有源层将有源层氢化。

优选的，所述制备方法还包括：

形成栅金属层的步骤，所述碳纳米管层与所述栅金属层靠近有源层的一侧接触；

对栅金属层图案化形成栅极，同时完成对碳纳米管层的图案化。

优选的，所述制备步骤具体包括：

在基底上形成有源层；

在完成前述步骤的基底上形成覆盖有源层的栅绝缘层；

在完成前述步骤的基底上形成位于栅绝缘层上的碳纳米管层；

在完成前述步骤的基底上形成栅金属层，并在图案化形成栅极的同时完成对碳纳米管层的图案化，然后在所述图案化的碳纳米管层储存氢。

优选的，所述制备方法还包括：

形成源漏金属层的步骤，所述碳纳米管层与所述源漏金属层靠近有源层的一侧接触；

对源漏金属层图案化形成源漏极，同时完成对碳纳米管层的图案化。

所述制备步骤具体包括：

在基底上形成有源层；

在完成前述步骤的基底上形成覆盖有源层的层间绝缘层；

在完成前述步骤的基底上形成位于层间绝缘层上的碳纳米管层；

在完成前述步骤的基底上形成源漏金属层，并在图案化形成源漏极的同时完成对碳纳米管层的图案化，然后在所述图案化的碳纳米管层储存氢。

优选的，所述制备步骤具体包括：

在基底上形成有源层；

在完成前述步骤的基底上形成覆盖有源层的栅绝缘层；

在完成前述步骤的基底上形成位于绝缘层上的第一碳纳米管层；

在完成前述步骤的基底上形成栅金属层，并在图案化形成栅极的同时完成对第一碳纳米管层的图案化，然后在所述图案化的第一碳纳米管层储存氢；

在完成前述步骤的基底上形成覆盖栅极的层间绝缘层，并在层间绝缘层中形成用于连接源漏极和有源层的过孔；

在完成前述步骤的基底上形成位于层间绝缘层上的第二碳纳米管层；

在完成前述步骤的基底上形成源漏金属层，并在图案化形成源漏极的同时完成对第二碳纳米管层的图案化，然后在所述图案化的第二碳纳米管层储存氢；

对第一碳纳米管层和第二碳纳米管层进行处理，使第一碳纳米管层和第二碳纳米管层的氢脱吸附进入有源层而将有源层氢化。

优选的，所述有源层的材料为多晶硅，所述形成有源层的步骤在碳纳米管层中储存氢的步骤之前进行，且其包括：

形成非晶硅层；

使所述非晶硅层晶化形成多晶硅层；

对多晶硅层进行构图，用多晶硅层形成有源层。

本发明还提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层和具有储氢脱氢功能的碳纳米管层，所述有源层是氢化的，且所述氢化的有源层的氢来自碳纳米管层脱吸附，所述有源层与碳纳米管层在基底上的投影至少部分重合。

本发明还提供一种阵列基板，包括上述薄膜晶体管中的任意一种。

本发明还提供一种显示装置，包括上述阵列基板。

其中，本发明的薄膜晶体管可以仅在形成栅金属层之前形成一层碳纳米管层，或者仅在形成源漏金属层之前形成一层碳纳米管层，也可以既在形成栅金属层之前形成碳纳米管层，又在形成源漏金属层之前形成碳纳米管层，形成两层碳纳米管层。

其中，本发明所述在碳纳米管层中储存氢的步骤，可以是形成碳纳米管层后储存氢，也可以将碳纳米管层图案化后在图案化的碳纳米管层中储存氢。

本发明的有益效果：

本发明的薄膜晶体管是通过形成碳纳米管层，并在形成的碳纳米管层中预储存一定量的氢，最后将碳纳米管中预储存的氢释放，使氢脱吸附进入有源层将有源层氢化。相对于现有氢化工艺，本发明的方法可以提高有源层的氢化效果，在氢化工艺中促使碳纳米管中预储存的氢释放并修补SiH键缺陷，得到更好迁移率的薄膜晶体管。

同时由于碳纳米管的低电阻率，碳纳米管层还可以与源漏极、栅极等接触，从而使得并联的金属线具有更低的电阻，有利于显示设备得到更好的显示效果。

附图说明

图1为现有的薄膜晶体管制备中形成非晶硅层后的结构示意图；

图2为现有的薄膜晶体管制备中形成多晶硅层后的结构示意图；

图3为现有的薄膜晶体管制备中形成源漏金属层后的结构示意图；

图4为现有的薄膜晶体管制备中形成源极和漏极后的结构示意图；

图5为本发明实施例2的薄膜晶体管制备中形成栅绝缘层后的结构示意图；

图6为本发明实施例2的薄膜晶体管制备中形成栅金属层后的结构示意图；

图7为本发明实施例2的薄膜晶体管制备中图案化的第一碳纳米管层储存氢后的结构示意图；

图8为本发明实施例2的薄膜晶体管制备中第二碳纳米管层储存氢后的结构示意图；

图9为本发明实施例2的薄膜晶体管制备中碳纳米管层的氢脱吸附进入有源层后的结构示意图；

图10为本发明实施例2的薄膜晶体管制备中形成源极和漏极后的结构示意图；

其中，附图标记为：100、基底；110、缓冲层；120、非晶硅层；121、多晶硅层；12、有源层；130、栅绝缘层；140、碳纳米管层；14、图案化的碳纳米管层；14'、氢；150、栅金属层；15、栅极；160、层间绝缘层；170、源漏金属层；17、源漏极17。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

实施例1：

本实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：

形成有源层的步骤，形成碳纳米管层的步骤，将碳纳米管层图案化的步骤，在碳纳米管层中储存氢的步骤，其中，有源层与碳纳米管层在基底上的投影至少部分重合；以及，

使碳纳米管层的氢脱吸附进入有源层而将有源层氢化的步骤。

其中，以上形成有源层的步骤，形成碳纳米管层的步骤，将碳纳米管层图案化的步骤，在碳纳米管层中储存氢的步骤仅表示本制备方法中包括以上各步骤，而并不代表它们必须按照以上的顺序进行。具体的，将碳纳米管层图案化的步骤和在碳纳米管层中储存氢的步骤当然要在形成碳纳米管层的步骤之后，但这两个步骤相互之间并无必然顺序，且形成有源层的步骤与以上有关形成碳纳米管层的步骤之间也无必然顺序关系。

本实施例的薄膜晶体管是通过形成碳纳米管层，并在形成的碳纳米管层中预储存一定量的氢，最后将碳纳米管中预储存的氢释放，使氢脱吸附进入有源层将有源层氢化。相对于现有氢化工艺，本发明的方法可以提高有源层的氢化效果，在氢化工艺中促使碳纳米管中预储存的氢释放并修补SiH键缺陷，得到更好迁移率的薄膜晶体管，同时可以调整薄膜晶体管的阈值电压。

此外，由于碳纳米管的低电阻率，当碳纳米管层与源漏极、栅极等接触时，可以使得并联的金属线具有更低的电阻，有利于显示设备得到更好的显示效果。

实施例2：

本实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法，如图5-10所示，包括以下步骤：

S101、在基底100上形成缓冲层110，得到如图5所示的结构。

其中，基底100可为玻璃基板或石英基板。

具体的，可以采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法，在基底100上沉积厚度约为的缓冲层110，其中，缓冲层110材料可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物，例如SiN_x，SiO_x或SiO_xN_y。在结构上，缓冲层110可以为单层、双层或多层结构。

S102、在缓冲层110上沉积形成30～50nm非晶硅层120，再对非晶硅层120进行高温去氢处理，除去其中储存的少量氢，以防止在后续激光退火工艺中产生氢爆；然后对去氢后的非晶硅层120进行准分子激光退火，使非晶硅层120晶化为多晶硅层121，用多晶硅层121形成有源层12。

具体的，可以采用氯化氙、氟化氪、氟化氩等准分子激光器对多晶硅层121进行激光退火；再对其进行构图，用多晶硅层121形成有源层12。

其中，形成有源层12的步骤要在后续形成碳纳米管层140及在碳纳米管层140中储存氢14'的步骤之前进行，这是因为若先形成碳纳米管层140并储存氢14'，则后续非晶硅层120晶化为多晶硅层121的激光退火工艺中会产生氢爆。

当然，若本步骤中形成的有源层12是由其他材料(如非晶硅)构成的，则其不需要激光退火，因此其也可在形成碳纳米管层140的步骤之后进行。也就是说，也可先形成碳纳米管层140，并对其进行储存氢14'，之后再在碳纳米管层140上形成有源层12，在此不再详细描述。

S103、在完成前述步骤的基底上，形成覆盖有源层12的栅绝缘层130，如图5所示。

具体的，可以采用PECVD方法，在完成前述步骤的基底100上沉积厚度约为的栅绝缘层130，其中，栅绝缘层130材料可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物，例如SiN_x，SiO_x或SiO_xN_y，栅绝缘层130可以为单层、双层或多层结构，例如采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构。

S104、在完成前述步骤的基底上，形成位于栅绝缘层130上的第一碳纳米管层140。

具体的，第一碳纳米管层140通过化学气相沉积、激光蒸发法或电弧法形成，其厚度可在10至之间。

S105、在完成前述步骤的基底上，形成栅金属层150，如图6所示，再通过构图工艺形成图案化的第一碳纳米管层14和栅极15，然后在图案化的第一碳纳米管层14储存氢14'，如图7所示。

其中，有源层12与图案化的第一碳纳米管层14在基底100上的投影至少部分重合。

具体的，可以采用溅射或热蒸发的方法在碳纳米管层140上沉积一层厚度为的栅金属层150，栅金属层150可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，栅金属层150可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等；

具体的，图案化的第一碳纳米管层14储存氢14'的步骤在压力0.04-10MPa，温度80-653K下进行，而其具体的工艺(如气氛等)是已知的，在此不再详细描述。图案化的第一碳纳米管层14储存氢14'的质量分数为0.1-5％。其中可以将金属与碳纳米管结合使用(也可称为碳纳米管掺杂)，或者使用溶液处理碳纳米管后储氢效果会更好。

也就是说，本步骤中形成栅极15(栅线)，并同时形成与栅极15(栅线)图案相同的第一碳纳米管层14，并在图案化的第一碳纳米管层14中储存氢14'。

上述步骤的优点在于，不用单独的构图工艺分别制备栅极15和第一碳纳米管层14，且该方法简单，同时可以减低成本；而且，第一碳纳米管层140必然与有源层12有较大的重叠，从而其形成的图案化的第一碳纳米管层14也必然与有源层12有较大的重叠，可起到较好的氢化效果；同时这样栅极15(栅线)下方均有图案化的第一碳纳米管层14，而碳纳米管的电阻低，故使得并联的金属线具有更低的电阻，有利于显示设备得到更好的显示效果。

可见，按照以上方法，图案化的第一碳纳米管层14位于栅极15靠近有源层12的一侧，这是为了保证其中的氢14'不被栅极15阻挡，易于进入有源层12。

或者作为本实施例的另一种实施方式，本步骤也可以为形成栅金属层150后就在第一碳纳米管层140中储存氢14'，然后再通过构图工艺形成图案化的第一碳纳米管层14和栅极15。

S106、在完成前述步骤的基底上，形成覆盖栅极15的层间绝缘层160，并在层间绝缘层中形成用于连接源漏极和有源层的过孔。

具体的，采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成膜方法沉积厚度为的层间绝缘层160，其中，层间绝缘层160材料可以选用氧化物、氮化物或氮氧化物，层间绝缘层160材料可以是SiNx，SiOx或SiO_xN_y。层间绝缘层160可以是单层结构，也可以是采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构。

S107、在完成前述步骤的基底上，形成位于层间绝缘层160上的第二碳纳米管140层。

具体的，第二碳纳米管层140通过化学气相沉积、激光蒸发法或电弧法形成，其厚度可在10至之间。

S108、在完成前述步骤的基底上，形成源漏金属层170，并在图案化形成源漏极的同时完成对第二碳纳米管层140的图案化，然后在图案化的第二碳纳米管层14储存氢14'，如图8所示。其中，第二碳纳米管层14与有源层12在基底上的投影至少部分重合。

具体的，采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为的源漏金属层170，源漏金属层170可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金。源漏金属层170可以是单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等；

也就是说，形成与源漏极17图形相同的第二碳纳米管层14，从而降低金属线电阻。

具体的，第二碳纳米管层14储存氢14'的步骤在压力0.04-10MPa，温度80-653K下进行；第二碳纳米管层14中储存氢14'的质量分数为0.1-5％。

也就是说，还可形成与源漏金属层170接触并位于其靠近有源层12一侧的第二碳纳米管层140，从而起到更好的氢化效果。

S109、对图案化的第一碳纳米管层14和第二碳纳米管层14进行处理，如图9所示，使图案化的第一碳纳米管层14中的氢14'和第二碳纳米管层14中的氢14'脱吸附进入有源层12将有源层12氢化。

具体的，可以在300-1000K下采用氮氢混合等离子体对碳纳米管层14进行处理，使图案化的第一碳纳米管层14中的氢14'和第二碳纳米管层14中的氢14'脱吸附进入有源层12将有源层12氢化；

其中，当温度达到300K时，图案化的第一碳纳米管层14中的氢14'和第二碳纳米管层14中的氢14'就会开始释放，可以通过调节温度，控制图案化的第一碳纳米管层14中的氢14'和第二碳纳米管层14中的氢14'的释放量。

其中，此时第一碳纳米管层14是图案化过的，图形与栅极15相同；第二碳纳米管层14也是图案划过的，图形和源漏极17相同。

当然，若第二碳纳米管层140储存氢14'在形成图案化的源漏极和第二碳纳米管层14之前进行，即先储存氢14'，再通过构图工艺形成图案化的第二碳纳米管层14和源漏极17，然后将氢14'释放从而将有源层12氢化，也是可行的。

当然，以上以栅极15、源漏极17都有碳纳米管层14为例进行说明，但若只有一个碳纳米管层14，也可行。或者，若碳纳米管层14不与栅极、源漏极17同步，而是单独形成(当然前提是不破坏薄膜晶体管的功能)，也可行。

显然，上述各实施例的具体操作还可进行许多变化；例如：有源层为非晶硅也可以采用本发明的方法，通过沉积碳纳米管层预储存一定量的氢，最后通过调节温度控制氢释放进入有源层从而将有源层氢化。

实施例3：

本实施例提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层和具有储氢脱氢功能的碳纳米管层，所述有源层是氢化的，且所述氢化的有源层的氢来自碳纳米管层脱吸附，所述有源层与碳纳米管层在基底上的投影至少部分重合。

本实施例的薄膜晶体管，在形成的碳纳米管层中预储存一定量的氢，最后将碳纳米管中预储存的氢释放，使氢脱吸附进入有源层将有源层氢化。相对于现有氢化工艺，本发明的薄膜晶体管可以提高有源层的氢化效果，在氢化工艺中促使碳纳米管中预储存的氢释放并修补SiH键缺陷，得到更好迁移率的薄膜晶体管。

实施例4：

本实施例提供了一种阵列基板，其包括上述任意一种薄膜晶体管。

实施例5：

本实施例提供了一种显示装置，其包括上述任意一种阵列基板。

所述显示装置可以为：液晶显示面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

同样的，因实施例4和实施例5中直接或间接包括上述任意一种薄膜晶体管，相应的，也都可以提高有源层的氢化效果，在氢化工艺中促使碳纳米管中预储存的氢释放并修补SiH键缺陷，得到更好迁移率的薄膜晶体管，从而提高阵列基板和显示装置的性能及显示效果。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成有源层的步骤，形成碳纳米管层的步骤，将碳纳米管层图案化的步骤，在碳纳米管层中储存氢的步骤，其中，所述有源层与碳纳米管层在基底上的投影至少部分重合；以及，

使碳纳米管层的氢脱吸附进入有源层而将有源层氢化的步骤。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层中储存氢的质量分数为0.1-5％。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层通过化学气相沉积、激光蒸发法、电弧法中的任意一种形成。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在碳纳米管层中储存氢的步骤在压力0.04-10MPa，温度80-653K的条件下进行。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述使碳纳米管层的氢脱吸附进入有源层而将有源层氢化的步骤具体包括：在300-1000K的温度下采用氮氢混合等离子体对碳纳米管层进行处理，使碳纳米管层中的氢脱吸附进入有源层将有源层氢化。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

形成栅金属层的步骤，所述碳纳米管层与所述栅金属层靠近有源层的一侧接触；

对栅金属层图案化形成栅极，同时完成对碳纳米管层的图案化。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备步骤具体包括：

在基底上形成有源层；

在完成前述步骤的基底上形成覆盖有源层的栅绝缘层；

在完成前述步骤的基底上形成位于栅绝缘层上的碳纳米管层；

在完成前述步骤的基底上形成栅金属层，并在图案化形成栅极的同时完成对碳纳米管层的图案化，然后在所述图案化的碳纳米管层储存氢。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

形成源漏金属层的步骤，所述碳纳米管层与所述源漏金属层靠近有源层的一侧接触；

对源漏金属层图案化形成源漏极，同时完成对碳纳米管层的图案化。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备步骤具体包括：

在基底上形成有源层；

在完成前述步骤的基底上形成覆盖有源层的层间绝缘层；

在完成前述步骤的基底上形成位于层间绝缘层上的碳纳米管层；

在完成前述步骤的基底上形成源漏金属层，并在图案化形成源漏极的同时完成对碳纳米管层的图案化，然后在所述图案化的碳纳米管层储存氢。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备步骤具体包括：

在基底上形成有源层；

在完成前述步骤的基底上形成覆盖有源层的栅绝缘层；

在完成前述步骤的基底上形成位于栅绝缘层上的第一碳纳米管层；

在完成前述步骤的基底上形成栅金属层，并在图案化形成栅极的同时完成对第一碳纳米管层的图案化，然后在所述图案化的第一碳纳米管层储存氢；

在完成前述步骤的基底上形成覆盖栅极的层间绝缘层，并在层间绝缘层中形成用于连接源漏极和有源层的过孔；

在完成前述步骤的基底上形成位于层间绝缘层上的第二碳纳米管层；

在完成前述步骤的基底上形成源漏金属层，并在图案化形成源漏极的同时完成对第二碳纳米管层的图案化，然后在所述图案化的第二碳纳米管层储存氢；

对第一碳纳米管层和第二碳纳米管层进行处理，使第一碳纳米管层和第二碳纳米管层的氢脱吸附进入有源层而将有源层氢化。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述有源层的材料为多晶硅，所述形成有源层的步骤在碳纳米管层中储存氢的步骤之前进行，且所述形成有源层的步骤包括：

形成非晶硅层；

使所述非晶硅层晶化形成多晶硅层；

对多晶硅层进行构图，用多晶硅层形成有源层。

12.一种权利要求1-11任一项所述的方法制备的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括有源层和具有储氢脱氢功能的碳纳米管层，所述有源层是氢化的，且所述氢化的有源层的氢来自碳纳米管层脱吸附，所述有源层与碳纳米管层在基底上的投影至少部分重合。

13.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求12所述的薄膜晶体管。

14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求13所述的阵列基板。