CN104701264B - 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置，用以实现减少工艺步骤，降低生产成本的目的。所述方法包括：在衬底基板上沉积一层金属薄膜层；通过构图工艺形成源极、漏极、像素区的反射阳极，以及位于所述源极和所述漏极之间，用于形成半导体有源层的待处理金属薄膜层；在完成上述步骤的衬底基板上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影，暴露出所述待处理金属薄膜层；对暴露出的所述待处理金属薄膜层进行氧化处理；对完成上述步骤的衬底基板进行离子注入，并进行退火处理，形成半导体有源层。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
目前，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)平板显示器向着大尺寸、高分辨的方向发展，高良品率，低成本的量产化在各大公司逐步推进，薄膜晶体管阵列工艺(TFT Array)在平板显示量产化中起着关键的作用。与非晶硅薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，TFT)相比，氧化物TFT的载流子迁移率高达10cm2/Vs，是前者的10倍左右；因此氧化物TFT的量产化变得尤为重要，在仍不成熟的氧化物TFT背板的量产化进程中，减少工艺步骤、控制成本一直是需要解决的问题。
下面介绍现有技术制作2T1C有机发光二极管显示面板的方法。如图1所示，首先，在衬底基板10上沉积一层金属薄膜，通过第一次构图工艺，形成开关管的栅极11和驱动管的栅极12。接着，在开关管的栅极11和驱动管的栅极12上制作栅极绝缘层13，在栅极绝缘层13上通过第二次构图工艺制作半导体有源层14，半导体有源层14的材料为铟镓锌氧化物(IGZO)。接着，在半导体有源层14上沉积刻蚀阻挡层15，通过第三次构图工艺制作图1中左侧的两个过孔151和152，并通过第四次构图工艺制作图1中右侧的过孔153。
如图2所示，在刻蚀阻挡层15上沉积一层金属薄膜，通过第五次构图工艺，形成源电极16、漏电极17以及连接显示面板中的开关管和驱动管的引线18，源电极16通过过孔151与氧化物半导体有源层14接触，漏电极17通过过孔152与氧化物半导体有源层14接触。接着，在源电极16和漏电极17上制作钝化层19和有机薄膜110。最后，在有机薄膜110上通过第六次构图工艺制作OLED显示面板的像素区的反射阳极111。其中，上面描述的构图工艺包括光刻胶的涂覆、曝光、显影，刻蚀以及去除光刻胶的过程。
综上所述，现有技术有机发光二极管显示面板在制作过程中，整个过程需要采用六道掩膜板完成，且在制作过程中图形化和刻蚀次数较多，工艺步骤复杂，成本较高。
发明内容
本发明实施例提供了一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置，用以实现减少工艺步骤，降低生产成本的目的。
本发明实施例提供的一种有机发光二极管显示面板的制作方法，其中，所述方法包括：
在衬底基板上沉积一层金属薄膜层；
通过构图工艺形成源极、漏极、像素区的反射阳极，以及位于所述源极和所述漏极之间，用于形成半导体有源层的待处理金属薄膜层；
在完成上述步骤的衬底基板上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影，暴露出所述待处理金属薄膜层；
对暴露出的所述待处理金属薄膜层进行氧化处理；
对完成上述步骤的衬底基板进行离子注入，并进行退火处理，形成半导体有源层。
由本发明实施例提供的有机发光二极管显示面板的制作方法，由于该方法包括：通过构图工艺形成源极、漏极、像素区的反射阳极，以及位于所述源极和所述漏极之间，用于形成半导体有源层的待处理金属薄膜层，这样，本发明实施例在制作源极、漏极和像素区的反射阳极时仅需要一道掩膜板即可，与现有技术在制作源极、漏极和像素区的反射阳极时需要两道掩膜板相比，能够减少掩膜板的数量，降低生产成本；由于本发明实施例有机发光二极管显示面板的制作方法包括：在完成上述步骤的衬底基板上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影，暴露出所述待处理金属薄膜层；对暴露出的所述待处理金属薄膜层进行氧化处理；对完成上述步骤的衬底基板进行离子注入，并进行退火处理，形成半导体有源层，与现有技术相比，本发明实施例在制作半导体有源层时不需要单独再沉积一层薄膜，也不需要进行刻蚀，因此能够减少工艺步骤，降低生产成本；而且本发明实施例制作的源极、漏极和半导体有源层位于同一层，与现有技术相比，能够省略刻蚀阻挡层的制作，因此能够减少工艺步骤，降低生产成本。
较佳地，所述金属薄膜层的材料为铝。
较佳地，所述半导体有源层的材料为铝镓锌氧化物，或为铝锌氧化物。
较佳地，所述通过构图工艺形成源极、漏极、像素区的反射阳极，以及位于所述源极和所述漏极之间，用于形成半导体有源层的待处理金属薄膜层，包括：
在所述金属薄膜层上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶覆盖区和光刻胶去除区，所述光刻胶覆盖区包括需要形成源极、漏极、像素区的反射阳极和待处理金属薄膜层的区域；
通过刻蚀，去除光刻胶去除区的金属薄膜层；
去除剩余光刻胶，形成源极、漏极、像素区的反射阳极和待处理金属薄膜层。
较佳地，在衬底基板上沉积一层金属薄膜层之前，所述方法还包括：
通过构图工艺在所述衬底基板上制作栅极；
在所述栅极上制作栅极绝缘层。
较佳地，所述通过构图工艺在所述衬底基板上制作栅极；在所述栅极上制作栅极绝缘层，具体包括：
通过第一次构图工艺在衬底基板上制作第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极，其中，所述第一薄膜晶体管用作开关管，所述第二薄膜晶体管用作驱动管；
在所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极上制作栅极绝缘层，通过第二次构图工艺制作贯穿所述栅极绝缘层的过孔，所述过孔暴露出部分所述第二薄膜晶体管的栅极；所述过孔用于通过后续沉积的金属薄膜层将所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管电连接。
较佳地，所述形成半导体有源层后，所述方法还包括：
在形成有半导体有源层的衬底基板上制作钝化层。
本发明实施例还提供了一种有机发光二极管显示面板，所述有机发光二极管显示面板为采用上述方法制作得到的有机发光二极管显示面板。
本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的有机发光二极管显示面板。
附图说明
图1为现有技术制作刻蚀阻挡层后的有机发光二极管显示面板的截面结构示意图；
图2为现有技术制作的有机发光二极管显示面板的截面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种有机发光二极管显示面板的制作方法流程图；
图4-图11分别为本发明实施例提供的制作有机发光二极管显示面板不同制作过程的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置，用以实现减少工艺步骤，降低生产成本的目的。
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合附图详细介绍本发明具体实施例提供的有机发光二极管显示面板及其制作方法。
如图3所示，本发明具体实施例提供了一种有机发光二极管显示面板的制作方法，所述方法包括：
S301、在衬底基板上沉积一层金属薄膜层；
S302、通过构图工艺形成源极、漏极、像素区的反射阳极，以及位于所述源极和所述漏极之间，用于形成半导体有源层的待处理金属薄膜层；
S303、在完成上述步骤的衬底基板上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影，暴露出所述待处理金属薄膜层；
S304、对暴露出的所述待处理金属薄膜层进行氧化处理；
S305、对完成上述步骤的衬底基板进行离子注入，并进行退火处理，形成半导体有源层。
下面结合附图详细介绍本发明具体实施例提供的有机发光二极管显示面板的制作过程。
本发明具体实施例提供的有机发光二极管显示面板包括的薄膜晶体管的结构既可以为顶栅型，也可以为底栅型，本发明具体实施例仅以底栅型的薄膜晶体管为例具体进行介绍。
另外，为了与现有技术相比较，本发明具体实施例提供的有机发光二极管显示面板的制作过程以2T1C的有机发光二极管显示面板的制作过程为例进行介绍。
如图4所示，首先在衬底基板10上沉积一层金属薄膜，本发明具体实施例中的衬底基板10为玻璃基板，当然，在实际生产过程中，衬底基板10还可以为陶瓷基板等其它类型的基板。本发明具体实施例沉积的金属薄膜的材料可以为钼(Mo)，具体实施时，沉积的金属薄膜的材料可以与现有技术沉积的金属薄膜的材料相同。对在衬底基板10上沉积的金属薄膜通过第一次构图工艺形成第一薄膜晶体管的栅极41和第二薄膜晶体管的栅极42，其中，第一薄膜晶体管用作开关管，第二薄膜晶体管用作驱动管。本发明具体实施例制作第一薄膜晶体管的栅极41和第二薄膜晶体管的栅极42的具体过程与现有技术制作开关管的栅极11和驱动管的栅极12的过程相同，这里不再赘述。
如图5所示，在图4所示的衬底基板上制作栅极绝缘层13，本发明具体实施例中的栅极绝缘层13的材料可以为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，栅极绝缘层13的具体制作过程与现有技术相同，这里不再赘述。
接着，通过第二次构图工艺制作贯穿栅极绝缘层13的过孔50，本发明具体实施例中的第二次构图工艺包括在栅极绝缘层13上涂覆光刻胶，对涂覆的光刻胶进行曝光、显影，本发明具体实施例涂覆的光刻胶以正性光刻胶为例介绍，显影后保留不需要制作过孔位置处的光刻胶，暴露出需要制作过孔位置处的栅极绝缘层，通过刻蚀，去除暴露出的栅极绝缘层，形成过孔50，本发明具体实施例中在过孔50的位置处暴露出部分第二薄膜晶体管的栅极。
如图6所示，在图5所示的衬底基板上沉积一层金属薄膜层60，过孔50用于通过金属薄膜层60将第一薄膜晶体管61和第二薄膜晶体管62电连接。优选地，本发明具体实施例沉积的金属薄膜层60的材料为铝(Al)。接着，对金属薄膜层60通过构图工艺形成源极、漏极、像素区的反射阳极，以及位于所述源极和所述漏极之间，用于形成半导体有源层的待处理金属薄膜层。
具体地，如图7所示，在沉积得到的金属薄膜层60上涂覆光刻胶，并对涂覆的光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶覆盖区和光刻胶去除区，其中，光刻胶覆盖区包括需要形成源极的区域70，需要形成漏极的区域71，需要形成反射阳极的像素区30和待处理金属薄膜层的区域72，本发明具体实施例的图7中仅示出了光刻胶覆盖区的部分区域，在实际生产过程中，光刻胶覆盖区以及光刻胶去除区可以根据产品的需要进行设计，具体设计不是本发明的改进点，这里不做详细介绍。接着，通过刻蚀，去除光刻胶去除区的金属薄膜层，最后，去除剩余光刻胶，形成源极32、漏极33、像素区30的反射阳极34和待处理金属薄膜层73。本发明具体实施例制作源极32、漏极33、像素区30的反射阳极34以及待处理金属薄膜层73后的有机发光二极管显示面板的平面结构图如图8所示，图8中示出了像素区30的反射阳极34，贯穿栅极绝缘层13的过孔50，以及与源极32、漏极33同时制作出的数据线80。
如图9所示，在图7所示的衬底基板上，涂覆光刻胶90，并对光刻胶90进行曝光、显影，暴露出待处理金属薄膜层。接着，对暴露出的待处理金属薄膜层进行氧化处理，在具体生产过程中，可以采用氧化工艺对暴露出的金属薄膜层进行氧化，当然，在实际生产过程中，也可以采用其它的方法对暴露出的金属薄膜层进行氧化。最后，对完成上述步骤的衬底基板进行离子注入，离子注入后进行退火处理，形成半导体有源层31，在离子注入过程中，有光刻胶90保护的区域可以被认为没有离子注入，而无光刻胶保护的区域中有离子注入，即待处理金属薄膜层中有离子注入，具体地可以采用离子注入设备进行离子注入，当然，在实际生产过程中，也可以采用其它的方法和设备进行离子注入，另外，本发明具体实施例不对注入的具体离子作限定，只要注入离子后并经过退火处理，能够使得待处理金属薄膜层具有半导体有源层的特性即可。另外，离子注入后的退火处理过程，可以采用现有技术常用的退火处理工艺进行，这里不进行赘述。最后，去除剩余的光刻胶，形成同层制作的源极32、漏极33、像素区30的反射阳极34和半导体有源层31。由于现有技术中的源极32、漏极33和半导体有源层31位于不同层，因此需要制作一层刻蚀阻挡层，而本发明具体实施例中的源极32、漏极33和半导体有源层31位于同一层，与现有技术相比，能够省略刻蚀阻挡层的制作，减少工艺步骤，并且与现有技术制作半导体有源层31时需要进行刻蚀相比，本发明具体实施例制作半导体有源层31时不需要进行刻蚀，同样能够减少工艺步骤，降低生产成本。本发明具体实施例制作半导体有源层31后的有机发光二极管显示面板的平面结构图如图10所示。
具体实施时，本发明具体实施例中在图5所示的衬底基板上沉积的金属薄膜层的材料为Al。通过构图工艺形成的待处理金属薄膜层的材料也为Al，之后对暴露出的Al薄膜层进行氧化后形成三氧化二铝(Al2O3)薄膜层，接着采用离子注入的方法对Al2O3薄膜层进行离子注入，优选地，本发明具体实施例中离子注入时注入的元素为锌(Zn)元素，或为镓(Ga)元素和锌(Zn)元素，离子注入后进行退火处理，形成半导体有源层。当本发明具体实施例中注入的元素为Ga元素和Zn元素时，形成的半导体有源层的材料为铝镓锌氧化物(AlGZO)，当本发明具体实施例中注入的元素为Zn元素时，形成的半导体有源层的材料为铝锌氧化物(AZO)。当然，在实际生产过程中，离子注入过程中还可以注入其它元素，只要注入元素后，并经过退火处理，能够使得Al2O3具有半导体有源层的特性即可。
最后，如图11所示，本发明具体实施例在形成半导体有源层31的衬底基板上制作钝化层19，本发明具体实施例制作钝化层19的具体过程与现有技术相同，这里不再赘述。
综上所述，本发明具体实施例提供了一种有机发光二极管显示面板及其制作方法，有机发光二极管显示面板的制作方法包括：在衬底基板上沉积一层金属薄膜层；通过构图工艺形成源极、漏极、像素区的反射阳极，以及位于所述源极和所述漏极之间，用于形成半导体有源层的待处理金属薄膜层；在完成上述步骤的衬底基板上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影，暴露出所述待处理金属薄膜层；对暴露出的所述待处理金属薄膜层进行氧化处理；对完成上述步骤的衬底基板进行离子注入，并进行退火处理，形成半导体有源层。由于该方法中，在制作半导体有源层、源极、漏极和像素区的反射阳极时，仅采用了一次金属沉积，如本发明具体实施例中沉积的金属为Al，经过上述方法制作的有机发光二极管显示面板的过程具有以下优点：
首先，源极、漏极与半导体有源层的材料同时沉积，与现有技术金属和半导体有源层需要分别沉积相比，减少了工艺步骤；其次，与现有技术相比，减少了刻蚀阻挡层的制作；再次，采用Al作为反射阳极材料，与源漏电极同时形成，不需要额外制作工艺；最后，整个制作过程中仅需要四次构图工艺，与现有技术需要六次构图工艺相比，减少了工艺步骤，降低了生产成本。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (8)
1.一种有机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上沉积一层金属薄膜层；
通过构图工艺形成源极、漏极、像素区的反射阳极，以及位于所述源极和所述漏极之间，用于形成半导体有源层的待处理金属薄膜层；
在完成上述步骤的衬底基板上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影，暴露出所述待处理金属薄膜层；
对暴露出的所述待处理金属薄膜层进行氧化处理；
对完成上述步骤的衬底基板进行离子注入，并进行退火处理，形成半导体有源层；其中：
所述通过构图工艺形成源极、漏极、像素区的反射阳极，以及位于所述源极和所述漏极之间，用于形成半导体有源层的待处理金属薄膜层，包括：
在所述金属薄膜层上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶覆盖区和光刻胶去除区，所述光刻胶覆盖区包括需要形成源极、漏极、像素区的反射阳极和待处理金属薄膜层的区域；
通过刻蚀，去除光刻胶去除区的金属薄膜层；
去除剩余光刻胶，形成源极、漏极、像素区的反射阳极和待处理金属薄膜层。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金属薄膜层的材料为铝。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半导体有源层的材料为铝镓锌氧化物，或为铝锌氧化物。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在衬底基板上沉积一层金属薄膜层之前，所述方法还包括：
通过构图工艺在所述衬底基板上制作栅极；
在所述栅极上制作栅极绝缘层。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述通过构图工艺在所述衬底基板上制作栅极；在所述栅极上制作栅极绝缘层，具体包括：
通过第一次构图工艺在衬底基板上制作第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极，其中，所述第一薄膜晶体管用作开关管，所述第二薄膜晶体管用作驱动管；
在所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极上制作栅极绝缘层，通过第二次构图工艺制作贯穿所述栅极绝缘层的过孔，所述过孔暴露出部分所述第二薄膜晶体管的栅极；所述过孔用于通过后续沉积的金属薄膜层将所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管电连接。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成半导体有源层后，所述方法还包括：
在形成有半导体有源层的衬底基板上制作钝化层。
7.一种有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述有机发光二极管显示面板为采用权利要求1-6任一权项所述方法制作得到的有机发光二极管显示面板。
8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求7所述的有机发光二极管显示面板。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN103151378A (zh) * | 2007-08-02 | 2013-06-12 | 应用材料公司 | 利用薄膜半导体材料的薄膜晶体管 |
| CN103474434A (zh) * | 2013-09-16 | 2013-12-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、制备方法以及显示装置 |
| CN103700707A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置 |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |