CN104695022B - 长波红外非线性CdGa2Se4晶体及其生长方法与用途 - Google Patents

长波红外非线性CdGa2Se4晶体及其生长方法与用途 Download PDF

Info

Publication number
CN104695022B
CN104695022B CN201510103218.4A CN201510103218A CN104695022B CN 104695022 B CN104695022 B CN 104695022B CN 201510103218 A CN201510103218 A CN 201510103218A CN 104695022 B CN104695022 B CN 104695022B
Authority
CN
China
Prior art keywords
crystal
cdga
long wave
wave infrared
linear
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510103218.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104695022A (zh
Inventor
王振友
吴海信
毛明生
倪友保
黄昌保
肖瑞春
戚鸣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Institutes of Physical Science of CAS
Original Assignee
Hefei Institutes of Physical Science of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Institutes of Physical Science of CAS filed Critical Hefei Institutes of Physical Science of CAS
Priority to CN201510103218.4A priority Critical patent/CN104695022B/zh
Publication of CN104695022A publication Critical patent/CN104695022A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104695022B publication Critical patent/CN104695022B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

本发明涉及一种长波红外非线性CdGa2Se4晶体及其生长方法与用途；该CdGa2Se4多晶料采用高温固相反应合成；CdGa2Se4长波红外非线性晶体采用自发成核坩埚下降法或定向籽晶辅助的坩埚下降法生长；所得CdGa2Se4非线性光学晶体粉末倍频效应约为AgGaS2的3倍，红外区域透光波段可至长波红外21μm，且机械性能好，化学特性稳定，不易潮解，适宜定向、切割、抛光。该CdGa2Se4长波红外非线性晶体可用于制作红外非线性光学器件。

Description

长波红外非线性CdGa2Se4晶体及其生长方法与用途
技术领域
本发明涉及一种新型长波红外非线性晶体CdGa2Se4及该CdGa2Se4单晶的生长方法与该CdGa2Se4单晶用于制作的红外非线性器件的用途。
背景技术
具有非线性光学效应的晶体称为非线性光学晶体。这里非线性光学效应是指倍频、和频、差频、参量放大等效应。只有不具有对称中心的晶体才可能有非线性光学效应。利用晶体的非线性光学效应，可以制成二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等非线性光学器件。激光器产生的激光可通过非线性光学器件进行频率转换，从而获得更多目标波长的激光，满足人们对激光的更广泛的应用需求。根据材料应用波段的不同，可以分为紫外光区、可见和近红外光区、以及中长波红外光区非线性光学材料三大类。可见光区和紫外光区的非线性光学晶体材料已经能满足实际应用的要求。随着 ZnGeP2、AgGaS2、AgGaSe2等晶体制备水平的提高和相关激光技术的进步，中红外3～ 5μm激光已实现40W以上输出，单脉冲能量＞200mJ，光光转换效率＞60％，也基本满足中红外激光各类应用需求。然而，长波红外8～14μm波段尚未探索出理想的非线性晶体。探索、生长性能优异的长波红外非线性晶体是国内外研究的热点和趋势。
缺陷黄铜矿结构AIIBIII 2CVI 4硒镓镉(CdGa2Se4)，空间群为与黄铜矿结构AIBIIICVI 2相比，它的原子占位是第II副族Cd离子和空位有序的占据黄铜矿结构中第I 副族阳离子格位。这种与黄铜矿结构相比具有化学剂量比空位的结构被称为缺陷黄铜矿结构。由于对称性的下降，CdGa2Se4具有更加丰富的特性，在光敏，发光，探测等方面均有用途。根据其元素构成和结构特点，CdGa2Se4晶体也应可作为长波红外非线性晶体材料。根据文献调研结果，目前尚无将CdGa2Se4晶体视为长波红外非线性晶体材料并进行晶体的生长和非线性应用相关性能进行研究。而以前采用的CVT法、助溶剂法等制备CdGa2Se4薄膜、块材等作为光敏和发光材料，很难获得大尺寸(厘米级及以上)、高光学品质CdGa2Se4晶体。
发明内容
本发明目的在于提供一种新型长波红外非线性CdGa2Se4晶体。
本发明另一目的在于提供长波红外非线性CdGa2Se4晶体的生长方法。
本发明再一个目的在于提供长波红外非线性CdGa2Se4晶体的用途。
本发明的技术方案如下：
一种长波红外非线性CdGa2Se4晶体，包括Cd、Ga、Se，上述三种单质按摩尔比例 1:2:4.05的比例构成；所述CdGa2Se4长波红外非线性晶体不具备对称中心，属于四方晶系，缺陷黄铜矿结构，空间群为其晶胞参数为：
本发明提供的CdGa2Se4多晶原料的合成方法，其步骤如下：
将Cd、Ga、Se单质按化学计量比1:2:4.05的比例配料，装入镀碳石英管中，对石英管抽真空至10-3Pa并进行熔封。将熔封的石英管放入横式合成炉中，以10～50℃/小时的速率升温至980～1020℃，恒温24～48小时，关闭加热电源，使多晶合成炉自然降至室温；将样品取出并研磨为粉状CdGa2Se4多晶。
本发明提供的长波红外非线性CdGa2Se4晶体的生长方法，为自发成核坩埚下降法生长CdGa2Se4晶体，其步骤如下：
将合成的CdGa2Se4多晶原料放入镀碳石英坩埚中，并抽真空至10-3Pa，采用氢氧焰熔封。将熔封后的石英坩埚放入晶体生长装置中，缓慢升温至其熔化，待其完全熔化后，晶体生长装置以0.1-1mm/h的速度垂直下降，在晶体生长装置下降过程中进行CdGa2Se4长波红外非线性晶体生长，晶体生长梯度区温度梯度为10～30℃/厘米，生长周期为20～30 天。
本发明提供的长波红外非线性CdGa2Se4晶体的再一生长方法，其为定向籽晶辅助的坩埚下降法生长CdGa2Se4晶体，其步骤如下：
首先采用利用自发成核生长CdGa2Se4晶体，定向加工出一定尺寸籽晶，并将籽晶装入带有籽晶袋的镀碳石英坩埚中，然后将合成的CdGa2Se4多晶原料再放入石英坩埚中，并抽真空至10-3Pa，采用氢氧焰熔封。将熔封后的石英坩埚放入晶体生长装置中，缓慢升温至籽晶部分熔化，恒温24～48小时后，晶体生长装置以0.1-1mm/h的速度垂直下降，在晶体生长装置下降过程中进行CdGa2Se4长波红外非线性晶体生长，晶体生长梯度区温度梯度为10～30℃/厘米，生长周期为20～30天。
采用上述两种方法均可获得尺寸为厘米级的CdGa2Se4非线性光学晶体；若使用大尺寸φ20～50×40～120mm3坩埚，并延长生长期30～60天，则获得相应较大尺寸φ20～50×40～120mm3CdGa2Se4晶体。
根据晶体的结晶学数据，将晶体毛坯定向，按所需角度、厚度和截面尺寸切割晶体，将晶体通光面抛光，即可作为非线性光学器件使用，该CdGa2Se4晶体具有机械性能好，化学性能稳定，不易潮解，适宜定向、切割、抛光等优点；本发明还提供CdGa2Se4长波红外非线性晶体的用途，该CdGa2Se4长波红外非线性晶体用于制备非线性光学器件，该非线性光学器件包含将至少一束入射电磁辐射通过至少一块CdGa2Se4长波红外非线性晶体后产生至少一束频率不同于入射电磁辐射的输出辐射的装置。
本发明的CdGa2Se4长波红外非线性晶体及其生长方法和用途具有如下效果：
在该CdGa2Se4长波红外非线性晶体的生长中晶体不易开裂、固相相变彻底、沉积相析出少等，易获得较大尺寸优质晶体；所得CdGa2Se4非线性光学晶体粉末倍频效应约为AgGaS2的3倍，红外区域透光波段可至长波红外21μm，适宜定向、切割、抛光。该CdGa2Se4长波红外非线性晶体可用于制作长波红外非线性光学器件。
附图说明
图1是合成CdGa2Se4多晶XRD谱图，A为实验数据，B为理论模拟；
图2是采用本发明CdGa2Se4长波红外非线性晶体制成的一种典型的非线性光学器件的工作原理图，其中l是激光器，2是入射激光束，3是光学加工后的CdGa2Se4长波红外非线性晶体，4是所产生的出射激光束，5是滤波片。
具体实施方式
实施例l，合成CdGa2Se4多晶原料：
将Cd、Ga、Se单质按化学计量比1:2:4.05的比例配料30g，装入镀碳φ16mm×20mm石英管中，对石英管抽真空至10-3Pa并进行熔封。将熔封的石英管放入横式合成炉中，以10℃/小时的速率升温至980℃，恒温24小时，关闭加热电源，使多晶合成炉自然降至室温；将样品取出并研磨为粉状CdGa2Se4多晶，多晶呈暗红色。
实施例2，合成CdGa2Se4多晶原料：
将Cd、Ga、Se单质按化学计量比1:2:4.05的比例配料60g，装入镀碳φ20mm×25mm石英管中，对石英管抽真空至10-3Pa并进行熔封。将熔封的石英管放入横式合成炉中，以30℃/小时的速率升温至1020℃，恒温48小时，关闭加热电源，使多晶合成炉自然降至室温；将样品取出并研磨为粉状CdGa2Se4多晶，多晶呈暗红色。
实施例3，合成CdGa2Se4多晶原料：
将Cd、Ga、Se单质按化学计量比1:2:4.05的比例配料40g，装入镀碳φ20mm×25mm石英管中，对石英管抽真空至10-3Pa并进行熔封。将熔封的石英管放入横式合成炉中，以50℃/小时的速率升温至1000℃，恒温36小时，关闭加热电源，使多晶合成炉自然降至室温；将样品取出并研磨为粉状CdGa2Se4多晶，多晶呈暗红色。
实施例4，采用自发成核的坩埚下降法生长CdGa2Se4晶体：
将合成的CdGa2Se4多晶原料放入镀碳φ20mm×25mm石英坩埚中，并抽真空至 10- 3Pa，采用氢氧焰熔封。将熔封后的石英坩埚放入晶体生长装置中，缓慢升温至其熔化，待其完全熔化后，晶体生长装置以1mm/h的速度垂直下降，在晶体生长装置下降过程中进行CdGa2Se4长波红外非线性晶体生长，晶体生长梯度区温度梯度为20℃/厘米，生长周期为20天。
实施例5，采用定向籽晶辅助的坩埚下降法生长CdGa2Se4晶体：
采用自发成核生长CdGa2Se4晶体，加工出<001>方向长度15mm的籽晶，并将籽晶装入带有籽晶袋的镀碳φ20mm×25mm石英坩埚中，然后将合成的60g CdGa2Se4多晶原料放入石英坩埚中，并抽真空至10-3Pa，采用氢氧焰熔封。将熔封后的石英坩埚放入晶体生长装置中，缓慢升温至籽晶部分熔化，恒温24小时后，晶体生长装置以0.1mm/h 的速度垂直下降，在晶体生长装置下降过程中进行CdGa2Se4长波红外非线性晶体生长，晶体生长梯度区温度梯度为10℃/厘米，生长周期为30天。定向籽晶辅助布里奇曼法生长CdGa2Se4晶体具有不易开裂、固相相变彻底、沉积相析出少等优点。
实施例6，采用定向籽晶辅助的坩埚下降法生长CdGa2Se4晶体：
采用自发成核生长CdGa2Se4晶体，加工出<001>方向长度20mm的籽晶，并将籽晶装入带有籽晶袋的镀碳φ20mm×25mm石英坩埚中，然后将合成的100g CdGa2Se4多晶原料放入石英坩埚中，并抽真空至10-3Pa，采用氢氧焰熔封。将熔封后的石英坩埚放入晶体生长装置中，缓慢升温至籽晶部分熔化，恒温48小时后，晶体生长装置以0.5mm/h 的速度垂直下降，在晶体生长装置下降过程中进行CdGa2Se4长波红外非线性晶体生长，晶体生长梯度区温度梯度为20℃/厘米，生长周期为20天。定向籽晶辅助布里奇曼法生长CdGa2Se4晶体具有不易开裂、固相相变彻底、沉积相析出少等优点。
实施例7：
将实施例1、2和3中合成的CdGa2Se4多晶进行多晶粉末衍射实验，衍射数据均与理论计算数据吻合非常好，且多晶为高纯、单相、四方晶系缺陷黄铜矿结构CdGa2Se4，晶胞参数为：图1中为实施例2中合成CdGa2Se4多晶的X射线粉末衍射谱图，A合成CdGa2Se4多晶的XRD实验数据，B为理论模拟数据。
将实施例4、5和6中生长的CdGa2Se4晶体加工出厚度3.6mm晶片，进行红外透过率测试，测定其红外透光率范围为0.62～21μm，且晶体机械性能好，化学特性稳定，不易潮解，适宜定向、切割、抛光。选择实施例6中生长的CdGa2Se4晶体中的小晶块，研磨后进行粉末倍频效应测试实验，基频激光为2mJ 1.95μm，测得其非线性倍频效应约为AgGaS2的3倍。
实施例8，
附图2是采用本发明长波红外非线性CdGa2Se4晶体制成的一种典型的非线性光学器件的工作原理图，其中l是激光器，2是入射激光束，3是经光学加工后的长波红外非线性CdGa2Se4晶体，4是所产生的出射激光束，5是滤波片；由激光器l发出入射激光束2射入CdGa2Se4晶体3，所产生的出射激光束4通过滤波片5，而获得所需要的激光束。
使用本发明的长波红外非线性CdGa2Se4晶体制作的器件可以是倍频发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等。激光器l可以是CO2激光器或其它激光器，对使用CO2激光器作光源的倍频器件来说，入射光束2是波长为10.6μm的红外光，通过长波红外非线性CdGa2Se4晶体产生波长为5.3μm的倍频光，出射光束4含有波长为10.6μm的基频光和5.3μm的倍频光，滤波片5的作用是滤去基频光成分，只允许倍频光通过。
提供以上实施例仅仅是为了描述本发明的目的，而并非要限制本发明的范围。本发明的范围由所附权利要求限定。不脱离本发明的精神和原理而做出的各种等同替换和修改，均应涵盖在本发明的范围之内。

Claims (3)

1.一种长波红外非线性CdGa2Se4晶体的生长方法，其特征在于：所述长波红外非线性CdGa2Se4晶体包括Cd、Ga、Se，上述三种单质按摩尔比例1:2:4的比例构成；所述CdGa2Se4长波红外非线性晶体不具备对称中心，属于四方晶系，缺陷黄铜矿结构，空间群为其晶胞参数为：
所述CdGa2Se4晶体的生长方法为自发成核坩埚下降法，实现步骤如下：
(1)将Cd、Ga、Se单质按摩尔比例1:2:4.05的比例配料，装入镀碳石英管中，对石英管抽真空至10-3Pa并进行熔封，将熔封的石英管放入横式合成炉中，以10～50℃/小时的速率升温至980-1020℃，恒温24～48小时，关闭加热电源，使多晶合成炉自然降至室温；将样品取出并研磨为粉状CdGa2Se4多晶原料；
(2)将粉状CdGa2Se4多晶原料放入镀碳石英坩埚中，并抽真空至10-3Pa，采用氢氧焰熔封；将熔封后的石英坩埚放入晶体生长装置中，缓慢升温至其熔化，待其完全熔化后，晶体生长装置以0.1-1mm/h的速度垂直下降，在晶体生长装置下降过程中进行CdGa2Se4长波红外非线性晶体生长，晶体生长梯度区温度梯度为10～30℃/厘米，生长周期为20～30天。
2.一种长波红外非线性CdGa2Se4晶体的生长方法，其特征在于：所述长波红外非线性CdGa2Se4晶体包括Cd、Ga、Se，上述三种单质按摩尔比例1:2:4的比例构成；所述CdGa2Se4长波红外非线性晶体不具备对称中心，属于四方晶系，缺陷黄铜矿结构，空间群为其晶胞参数为：
所述CdGa2Se4晶体的生长方法为定向籽晶辅助的坩埚下降法，实现步骤如下：
(1)将Cd、Ga、Se单质按摩尔比例1:2:4.05的比例配料，装入镀碳石英管中，对石英管抽真空至10-3Pa并进行熔封，将熔封的石英管放入横式合成炉中，以10～50℃/小时的速率升温至980-1020℃，恒温24～48小时，关闭加热电源，使多晶合成炉自然降至室温；将样品取出并研磨为粉状CdGa2Se4多晶原料；
(2)采用利用自发成核生长CdGa2Se4晶体，定向加工出一定尺寸籽晶，并将籽晶装入带有籽晶袋的镀碳石英坩埚中，然后将粉状CdGa2Se4多晶原料再放入石英坩埚中，并抽真空至10-3Pa，采用氢氧焰熔封，将熔封后的石英坩埚放入晶体生长装置中，缓慢升温至籽晶部分熔化，恒温24～48小时后，晶体生长装置以0.1-1mm/h的速度垂直下降，在晶体生长装置下降过程中进行CdGa2Se4长波红外非线性晶体生长，晶体生长梯度区温度梯度为10～30℃/厘米，生长周期为20～30天。
3.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于：获得尺寸为厘米级的CdGa2Se4非线性光学晶体；使用大尺寸φ20～50×40～120mm3坩埚，延长生长期30～60天，则获得相应较大尺寸φ20～50×40～120mm3的CdGa2Se4晶体。
CN201510103218.4A 2015-03-09 2015-03-09 长波红外非线性CdGa2Se4晶体及其生长方法与用途 Active CN104695022B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510103218.4A CN104695022B (zh) 2015-03-09 2015-03-09 长波红外非线性CdGa2Se4晶体及其生长方法与用途

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510103218.4A CN104695022B (zh) 2015-03-09 2015-03-09 长波红外非线性CdGa2Se4晶体及其生长方法与用途

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104695022A CN104695022A (zh) 2015-06-10
CN104695022B true CN104695022B (zh) 2017-12-19

Family

ID=53342549

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510103218.4A Active CN104695022B (zh) 2015-03-09 2015-03-09 长波红外非线性CdGa2Se4晶体及其生长方法与用途

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104695022B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105113005B (zh) * 2015-07-07 2017-06-13 中国科学院理化技术研究所 BaHgSe2非线性光学晶体及制法和用途
WO2017132815A1 (zh) * 2016-02-02 2017-08-10 中国科学院福建物质结构研究所 一种红外非线性光学晶体、其制备方法及应用
CN107557867B (zh) * 2016-07-01 2019-08-16 中国科学院新疆理化技术研究所 硫锡锌钠和硫锡锌钠中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用
CN106067654B (zh) * 2016-07-22 2021-10-29 中国电子科技集团公司第三十四研究所 一种基于1950nm激光器的远端泵浦掺铒光纤放大器
CN107399722B (zh) * 2017-08-15 2019-05-14 中国科学院新疆理化技术研究所 硒硅银钡和硒硅银钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途
CN108193270B (zh) * 2017-12-28 2019-07-26 中国科学院合肥物质科学研究院 一种三元黄铜矿半导体晶体砷锗镉制备方法
CN110306242A (zh) * 2019-07-15 2019-10-08 中国科学院福建物质结构研究所 一种三元非心硫化物的晶体材料及其制备方法与应用
CN110685006A (zh) * 2019-10-31 2020-01-14 上海应用技术大学 一种中红外非线性光学晶体poc及其制备方法
CN115305575B (zh) * 2021-05-06 2023-12-08 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种红外非线性光学晶体材料及其制备方法和应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1952222A (zh) * 2005-10-20 2007-04-25 中国科学院福建物质结构研究所 含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法
UA43928U (en) * 2009-04-03 2009-09-10 Волынский Национальный Университет Им. Леси Украинки METHOD FOR OBTAINING OF CdGa2Se4 MONOCRYSTALS
UA43929U (en) * 2009-04-03 2009-09-10 Волынский Национальный Университет Им. Леси Украинки METHOD FOR OBTAINING OF CdGa2Se4 MONOCRYSTALS FROM SOLUTION-SMELT
UA54444U (ru) * 2010-04-29 2010-11-10 Волынский Национальный Университет Имени Леси Украинки СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ CdGa2Se4 РАСТВОР-РАСПЛАВЛЕННЫМ МЕТОДОМ
CN102644116A (zh) * 2012-04-27 2012-08-22 中国科学院福建物质结构研究所 硫锡钡单晶体及其制备和用途
CN103194799A (zh) * 2013-03-27 2013-07-10 中国科学院福建物质结构研究所 红外非线性光学单晶体硫镓锡

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1952222A (zh) * 2005-10-20 2007-04-25 中国科学院福建物质结构研究所 含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法
UA43928U (en) * 2009-04-03 2009-09-10 Волынский Национальный Университет Им. Леси Украинки METHOD FOR OBTAINING OF CdGa2Se4 MONOCRYSTALS
UA43929U (en) * 2009-04-03 2009-09-10 Волынский Национальный Университет Им. Леси Украинки METHOD FOR OBTAINING OF CdGa2Se4 MONOCRYSTALS FROM SOLUTION-SMELT
UA54444U (ru) * 2010-04-29 2010-11-10 Волынский Национальный Университет Имени Леси Украинки СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ CdGa2Se4 РАСТВОР-РАСПЛАВЛЕННЫМ МЕТОДОМ
CN102644116A (zh) * 2012-04-27 2012-08-22 中国科学院福建物质结构研究所 硫锡钡单晶体及其制备和用途
CN103194799A (zh) * 2013-03-27 2013-07-10 中国科学院福建物质结构研究所 红外非线性光学单晶体硫镓锡

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CRYSTAL GROWTH AND OPTICAL PROPERTIES OF CdGa2S4;R. S. Feigelson，et al.;《Progr. Crystal Growth Characterization》;19841231;第10卷;第189-197页 *
Electronic structure of cadmium selenogallate CdGa2Se4 as studied using ab initio calculations and X-ray photoelectron spectroscopy;A.A. Lavrentyev,et al.;《Journal of Alloys and Compounds》;20090321;第481卷;第28-34页 *
GROWTH AND ELECTRIC PROPERTIES OF CdGa2Se4 CRYSTALS;Hiromichi HORINAKA,et al.;《Journal of Crystal Growth》;19901231;第99卷;第785-789页 *
Phase diagram of the CdGa2Se4-Bi2Se3 system and growth of CdGa2Se4 single crystals;S.M. Sosovska,et al.;《Journal of Alloys and Compounds》;20051019;第417卷;第127-130页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN104695022A (zh) 2015-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104695022B (zh) 长波红外非线性CdGa2Se4晶体及其生长方法与用途
CN101767778B (zh) BaGa4Se7化合物、BaGa4Se7非线性光学晶体及制法和用途
CN101514492B (zh) 大尺寸硼酸钾锶非线性光学晶体及其制备方法和用途
CN101498040B (zh) 溴硼酸钾非线性光学晶体的制备方法和用途
CN102976287B (zh) BaGa2GeSe6化合物、BaGa2GeSe6非线性光学晶体及制法和用途
CN102838093B (zh) LiGaGe2Se6化合物、LiGaGe2Se6非线性光学晶体及制法和用途
CN105506743B (zh) 一种Li6Cd5Sn4Se16非线性光学晶体及其制法和用途
CN103628136B (zh) 化合物硼磷酸铷铅和硼磷酸铷铅非线性光学晶体及制备方法和用途
CN102094245A (zh) 硒稼铝钡化合物、硒稼铝钡非线性光学晶体及制法和用途
CN103288058B (zh) Li2In2GeSe6非线性光学晶体及制法和用途
CN101435108A (zh) 大尺寸非线性光学晶体硼酸铅溴及其制备方法和用途
CN105668577A (zh) K3Ba3Li2Al4B6O20F化合物、K3Ba3Li2Al4B6O20F非线性光学晶体及其制法和用途
CN102021640B (zh) BaAlBO3F2非线性光学晶体及生长方法和用途
CN104556084A (zh) Rb3Al3B3O10F化合物、Rb3Al3B3O10F非线性光学晶体及其制法和用途
CN106757362A (zh) 硒锗镉锶化合物及其制备方法、硒锗镉锶晶体及其制备方法和应用
CN103950912A (zh) RbBa2(PO3)5化合物、RbBa2(PO3)5非线性光学晶体及其制法和用途
CN103484938B (zh) 单斜相Ga2S3晶体的制备方法及其在光学上的应用
CN103060917B (zh) BaGa2SiS6化合物、BaGa2SiS6非线性光学晶体及制法和用途
CN103030146B (zh) BaGa2SiSe6化合物、BaGa2SiSe6非线性光学晶体及制法和用途
CN105350082B (zh) 一种Na2In2GeSe6非线性光学晶体及制法和用途
CN105839185A (zh) Cs2LiPO4化合物、Cs2LiPO4非线性光学晶体及其制法和用途
CN103290479B (zh) Li2In2SiSe6化合物、Li2In2SiSe6非线性光学晶体及制法和用途
CN103588218A (zh) CsZn2B3O7化合物、CsZn2B3O7非线性光学晶体及其制法和用途
CN105543970B (zh) Li7Cd4.5Ge4Se16非线性光学晶体及制法和用途
CN108193270A (zh) 一种三元黄铜矿半导体晶体砷锗镉制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant