CN104676670A - 半导体微波炉及其半导体微波源 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种半导体微波炉及其半导体微波源，其中半导体微波炉包括：本体；N个波导盒；半导体微波源，半导体微波源包括：信号源；功率分配器，功率分配器具有第一输入端和N个输出端，功率分配器的第一输入端与信号源相连，功率分配器按照预设比例对所述第一微波信号的功率进行分配以生成N个频率相同的第二微波信号；N个驱动放大器，每个驱动放大器用于将对应的第二微波信号进行驱动放大以生成第三微波信号；N个微波转换装置，每个微波转换装置将对应的驱动放大器输出的第三微波信号馈入到对应的波导盒中；控制装置，用于控制信号源产生第一微波信号。该半导体微波炉共用一个信号源，保证工作在同一个频率，从而实现高效率的功率输出。

Description

半导体微波炉及其半导体微波源

技术领域

本发明涉及微波炉技术领域，特别涉及一种半导体微波炉以及一种半导体微波炉的半导体微波源。

背景技术

微波炉是用来加热或烹饪食物的常用器具，其原理是利用微波源产生微波，微波使食物的水分子产生高频振荡，从而摩擦生热来加热或烹饪食物的。

传统微波炉包括电源、微波源、腔体、炉门等部件。其中，微波源是产生微波的核心部件，其受高压电源的激励而产生微波，然后微波通过波导传输并耦合至放置食物的腔体内。传统微波炉的微波源采用磁控管产生微波，磁控管的工作电压为4000伏特左右，因此，存在用电安全隐患，并且损耗也大，磁控管的体积太大使得微波炉的形状也受到很大限制。

目前，半导体微波技术得到了迅速发展。半导体产生微波的效率越来越高、成本越来越低、重量越来越轻、单位体积功率密度越来越大，这都将使得半导体微波技术在微波炉上应用成为可能。然而，半导体微波源受半导体器件的限制，其输出功率等级比较低，因此，很难满足微波炉需要的大功率输出。

发明内容

本申请是基于发明人对以下问题和事实的认识发现作出的：

如图1所示，相关技术中的半导体微波炉采用多套独立的半导体微波源分别产生微波，然后再将微波分别通过相应的波导盒馈入到腔体中，实现大功率的微波输出，以使微波炉达到更好的加热效果。

但是，各自独立的半导体微波源如果工作在不同的频率会引起频率合成，从而降低转换效率，即使将每套半导体微波源的频率设定为同一频点，但由于每套半导体微波源的半导体器件本身存在差异性，因此很难保证各套半导体微波源的实际工作频率一致，从而在多源馈入时能效大大降低。

本发明的目的旨在至少从一定程度上解决上述的技术缺陷。

为此，本发明的一个目的在于提出一种能够共用一个信号源的半导体微波炉。

本发明的另一个目的在于提出一种半导体微波炉的半导体微波源。

为达到上述目的，本发明一方面实施例提出的一种半导体微波炉，包括：本体，所述本体具有腔室；N个波导盒，所述N个波导盒分别设置在所述本体上，其中，N为大于等于2的整数；半导体微波源，所述半导体微波源包括：信号源，所述信号源用于产生第一微波信号；功率分配器，所述功率分配器具有第一输入端和N个输出端，所述功率分配器的第一输入端与所述信号源相连，所述功率分配器按照预设比例对所述第一微波信号的功率进行分配以生成N个频率相同的第二微波信号，所述N个频率相同的第二微波信号对应所述N个输出端进行输出；N个驱动放大器，所述N个驱动放大器与所述N个输出端对应相连，每个所述驱动放大器用于将对应的第二微波信号进行驱动放大以生成第三微波信号；N个微波转换装置，所述N个微波转换装置与所述N个驱动放大器和所述N个波导盒分别一一对应相连，每个所述微波转换装置将对应的驱动放大器输出的第三微波信号馈入到对应的波导盒中，以使N个所述第三微波信号传递到所述腔室中；控制装置，所述控制装置用于控制所述信号源产生所述第一微波信号。

根据本发明实施例的半导体微波炉，功率分配器的N个输出端输出的频率相同的第二微波信号共用一个信号源，保证工作在同一个频率，从而实现高效率的功率输出，保证加热效果。并且，本发明实施例的半导体微波炉的结构更加简单紧凑，节约成本。

根据本发明的一个实施例，所述功率分配器为T型结功率分配器、威尔金森功率分配器、波导魔T或定向耦合器中的任意一种。

根据本发明的一个实施例，所述驱动放大器进一步包括：驱动模块，所述驱动模块用于对所述第二微波信号进行驱动放大以生成第四微波信号；放大模块，所述放大模块与所述驱动模块相连，所述放大模块用于对所述第四微波信号进行二次放大以生成所述第三微波信号。

其中，所述第一微波信号的功率大于所述第二微波信号的功率，所述第四微波信号的功率大于所述第二微波信号的功率，所述第三微波信号的功率大于所述第四微波信号的功率。

根据本发明的一个实施例，所述半导体微波源还包括：N个移相器，所述N个移相器对应连接在所述N个输出端和所述N个驱动放大器之间，其中，每个所述移相器在所述控制装置的控制下对所述N个输出端中相应的输出端输出的第二微波信号进行相位调节。

根据本发明的一个实施例，所述移相器为PIN二极管移相器、铁氧体移相器、矢量调制移相器、加载线式移相器或开关线式移相器中的任意一种。

为达到上述目的，本发明另一方面实施例提出的一种半导体微波炉的半导体微波源，包括：信号源，所述信号源用于产生第一微波信号；功率分配器，所述功率分配器具有第一输入端和N个输出端，所述功率分配器的第一输入端与所述信号源相连，所述功率分配器按照预设比例对所述第一微波信号的功率进行分配以生成N个频率相同的第二微波信号，所述N个频率相同的第二微波信号对应所述N个输出端进行输出，其中，N为大于等于2的整数；N个驱动放大器，所述N个驱动放大器与所述N个输出端对应相连，每个所述驱动放大器用于将对应的第二微波信号进行驱动放大以生成第三微波信号，并且所述N个驱动放大器将N个第三微波信号对应发送至所述半导体微波炉的N个微波转换装置；其中，所述信号源在所述半导体微波炉的控制装置的控制下产生所述第一微波信号。

根据本发明实施例的半导体微波炉的半导体微波源，功率分配器N个输出端输出的频率相同的第二微波信号共用一个信号源，可保证半导体微波炉工作在同一个频率，实现高效率的功率输出，保证半导体微波炉的加热效果。并且，使得半导体微波炉的结构更加简单紧凑，节约成本。

根据本发明的一个实施例，所述功率分配器可以为T型结功率分配器、威尔金森功率分配器、波导魔T或定向耦合器中的任意一种。

根据本发明的一个实施例，所述驱动放大器进一步包括：驱动模块，所述驱动模块用于对所述第二微波信号进行驱动放大以生成第四微波信号；放大模块，所述放大模块与所述驱动模块相连，所述放大模块用于对所述第四微波信号进行二次放大以生成所述第三微波信号。

其中，所述第一微波信号的功率大于所述第二微波信号的功率，所述第四微波信号的功率大于所述第二微波信号的功率，所述第三微波信号的功率大于所述第四微波信号的功率。

根据本发明的一个实施例，所述的半导体微波炉的半导体微波源，还包括：N个移相器，所述N个移相器对应连接在所述N个输出端和所述N个驱动放大器之间，其中，每个所述移相器在所述控制装置的控制下对所述N个输出端中相应的输出端输出的第二微波信号进行相位调节。

根据本发明的一个实施例，所述移相器为PIN二极管移相器、铁氧体移相器、矢量调制移相器、加载线式移相器或开关线式移相器中的任意一种。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为相关技术中的半导体微波炉的结构示意图；

图2为根据本发明实施例的半导体微波炉的结构示意图；

图3为根据本发明一个实施例的功率分配器的结构示意图；

图4为根据本发明一个实施例的T型结功率分配器的结构示意图；

图5为根据本发明另一个实施例的威尔金森功率分配器的结构示意图；

图6为根据本发明又一个实施例的定向耦合器的结构示意图；

图7为根据本发明第一实施例的功率分配器的三路分配示意图；

图8为根据本发明第二实施例的功率分配器的四路分配示意图；

图9为根据本发明第三实施例的功率分配器的八路分配示意图；

图10为根据本发明第四实施例的功率分配器的十二路分配示意图；

图11为根据本发明一个实施例的半导体微波炉的结构示意图；

图12为根据本发明一个实施例的加载线式移相器的示意图；

图13为根据本发明一个实施例的串联型的开关线式移相器的示意图；

图14为根据本发明一个实施例的并联型的开关线式移相器的示意图；以及

图15为根据本发明另一个实施例的并联型的开关线式移相器的示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。

下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。

下面参照附图来描述根据本发明实施例的半导体微波炉以及半导体微波炉的半导体微波源。

图2为根据本发明实施例的半导体微波炉的结构示意图。如图2所示，该半导体微波炉包括：本体1、N个波导盒2、半导体微波源3、控制装置4和N个微波转换装置5，其中，N为大于等于2的整数。

本体1具有腔室10，N个波导盒2分别设置在本体1上，如图2所示，N等于2，两个波导盒分别设置在本体1的左右两侧。

进一步地，如图2和图3所示，半导体微波源3包括：信号源31、功率分配器32和N个驱动放大器33。其中，信号源31用于产生第一微波信号例如小功率的微波信号；功率分配器32具有第一输入端6和N个输出端7，功率分配器32的第一输入端6与信号源31相连，功率分配器32按照预设比例对所述第一微波信号的功率进行分配以生成N个频率相同的第二微波信号，所述N个频率相同的第二微波信号对应所述N个输出端进行输出；N个驱动放大器33与N个输出端7对应相连，每个驱动放大器33用于将对应的第二微波信号进行驱动放大以生成第三微波信号。

在本发明的实施例中，功率分配器32的结构由如图3示意。其中，功率分配器32按照预设比例对信号源31提供的第一微波信号的功率进行分配，即功率分配器32每个输出端输出第二微波信号的功率成预设比例关系。当预设比例为1时，功率分配器32对信号源31提供的第一微波信号的功率进行等分，即功率分配器32的每个输出端的第二微波信号的功率相等。

其中，功率分配器32可以为波导型功率分配器或微带型功率分配器，并且功率分配器32可以为T型结功率分配器、威尔金森功率分配器、波导魔T、定向耦合器、分支线混合网络等任意可以实现功率分配的类型。因此说，功率分配器32可为T型结功率分配器、威尔金森功率分配器、波导魔T或定向耦合器中的任意一种。

如图2所示，N个微波转换装置5与N个驱动放大器33和N个波导盒2分别一一对应相连，每个微波转换装置将对应的驱动放大器输出的第三微波信号馈入到对应的波导盒中，以使N个第三微波信号传递到所述腔室中，在腔室里整合成大功率的微波，其中，微波转换装置5可以为探针、天线等馈入装置；控制装置4用于控制信号源31产生所述第一微波信号。也就是说，信号源31在控制装置4的控制下产生小功率的微波信号即第一微波信号，然后经过功率分配器32分为N路第二微波信号，分别输入各个驱动放大器33，经过驱动放大器33驱动放大后生成第三微波信号，然后再分别输入到相应的微波转换装置5，通过微波转换装置5将第三微波信号馈入到波导盒2，并传送到腔室10，最后在腔室里整合成大功率的微波。

根据本发明的一个实施例，如图2所示，驱动放大器33进一步包括：驱动模块331和放大模块332。驱动模块331用于对所述第二微波信号进行驱动放大以生成第四微波信号，放大模块332与驱动模块331相连，放大模块332用于对所述第四微波信号进行二次放大以生成第三微波信号。并且，如图2所示，驱动模块331的数量、放大模块332的数量与功率分配器32的输出端的数量相等。

其中，所述第一微波信号的功率大于所述第二微波信号的功率，所述第四微波信号的功率大于所述第二微波信号的功率，所述第三微波信号的功率大于所述第四微波信号的功率。

根据本发明的一个实施例，当功率分配器32为T型结功率分配器时，如图4所示，信号源31产生的小功率第一微波信号经第一输入端6输入，设置两段1/4波长(λ)阻抗变换线322，其特性阻抗分别为Z02、Z03，通过设置Z02、Z03的阻抗值来实现输出的第二微波信号不同的功率分配，分配后的第二微波信号通过两个输出端7进行输出。

根据本发明的另一个实施例，当功率分配器32为威尔金森功率分配器时，如图5所示，信号源31产生的小功率第一微波信号经威尔金森功率分配器的输入端6输入，设置两段1/4波长阻抗变换线322，其特性阻抗分别为Z02、Z03，然后再设置一隔离电阻321，以保证威尔金森功率分配器的两个输出端7隔离。其中，如果任意一个输出端7失配，将有电流流过隔离电阻321，其功率消耗在隔离电阻321上，从而不影响另一个输出端7的输出。两个输出端7分别再经过1/4波长阻抗变换线323，实现功率分配。当功率为等分时，输入端特性阻抗为Z0，则阻抗变换线323的特性阻抗为Z0。

根据本发明的又一个实施例，当功率分配器32为定向耦合器时，如图6所示，它由两根平行导带324组成，通过两条分支导带325实现耦合，分支导带325的长度及其间隔均为1/4波长。信号源31产生的小功率第一微波信号从输入端口61输入，理想情况下端口61输入无反射，输入的功率由端口72、73输出，端口64无输出，即端口61、端口64相互隔离。对于功率平分的情况，分支导带的特性阻抗与输入输出线相同，而平行导带的特性阻抗为输入输出线的

在本发明的实施例中，当功率分配器32的输出大于两路输出时，需要做多级阻抗变化。例如，根据本发明的第一实施例，如图7所示，信号源31产生的小功率第一微波信号从第一输入端6输入，经过一级阻抗变换后分为三路信号，然后再分别经过二级阻抗变换后通过三个输出端对应输出三路第二微波信号。

根据本发明的第二实施例，如图8所示，信号源31产生的小功率第一微波信号从第一输入端6输入，经过一级阻抗变换后分为两路信号，然后两路信号分别经过二级阻抗变换后再经过三级阻抗变换分为四路信号，最后通过四个输出端对应输出四路第二微波信号。

根据本发明的第三实施例，如图9所示，信号源31产生的小功率第一微波信号从第一输入端6输入，经过一级阻抗变换后分为两路信号，然后两路信号分别经过二级阻抗变换后再经过三级阻抗变换分为四路信号，接着四路信号分别经过四级阻抗变换分为八路信号，最后通过八个输出端对应输出八路第二微波信号。

根据本发明的第四实施例，如图10所示，信号源31产生的小功率第一微波信号从第一输入端6输入，经过一级阻抗变换后分为两路信号，然后两路信号分别经过二级阻抗变换后再经过三级阻抗变换分为六路信号，接着六路信号分别经过四级阻抗变换分为十二路信号，最后通过十二个输出端对应输出十二路第二微波信号。

由如图7至图10可以看出，信号源31产生的小功率第一微波信号从输入端6输入，经过一级阻抗变换后分为两路或三路，再经过二级阻抗变换再分配，如果还不能满足微波源数目需求，则再经过三级、四级阻抗变换，最后从多个输出端7输出。

根据本发明的一个实施例，如图11所示，上述的半导体微波源3还包括：N个移相器35，N个移相器35对应连接在N个输出端7和N个驱动放大器33之间，其中，每个移相器35在控制装置4的控制下对所述N个输出端中相应的输出端输出的第二微波信号进行相位调节，从而使得半导体功率源的效率提高。

其中，移相器35可以为PIN二极管移相器、铁氧体移相器或者矢量调制移相器等任意适用于微波热频段的移相器类型中的任意一种。当然，移相器35还可以是加载线式移相器或开关线式移相器中的任意一种。

当移相器35为加载线式移相器时，如图12所示，该加载线式移相器在均匀传输线351上设置可控的电抗元件352，电抗元件352与传输线351可以是并联或串联，其中，通过控制装置4控制调节电抗元件的电抗值来引入一个相移量。

当移相器35为开关线式移相器时，如图13或图14所示。其中，图13所示的移相器为串联型的开关线式移相器，当开关S1、S4闭合，S2、S3断开时，第二微波信号通过传输路径l1传输；当开关状态相反，S1、S4断开，S2、S3闭合时，第二微波信号通过传输路径l2传输，传输路径的变化实现了相位的变化。图14所示的移相器为并联型的开关线式移相器，当开关S1、S4接通将传输线l1短路，开关S2、S3断开时，第二微波信号通过l2传输，反之则由l1传输，其中，开关也可以用二极管代替，如图15所示。

综上所述，在本发明实施例的半导体微波炉中，产生微波信号的信号源为一个，因此，多路半导体功率源共用同一个信号源，这样能够保证多路半导体功率源工作在同一个频率，从而实现高效率的功率输出，保证半导体微波炉的加热效果。

根据本发明实施例的半导体微波炉，功率分配器的N个输出端输出的频率相同的第二微波信号共用一个信号源，保证工作在同一个频率，从而实现高效率的功率输出，保证加热效果。并且，本发明实施例的半导体微波炉的结构更加简单紧凑，节约成本。

此外，本发明的实施例还提出了一种半导体微波炉的半导体微波源，如图2所示，该半导体微波炉的半导体微波源3包括：信号源31、功率分配器32和N个驱动放大器33。其中，信号源31用于产生第一微波信号例如小功率的微波信号；功率分配器32具有第一输入端6和N个输出端7，功率分配器32的第一输入端6与信号源31相连，功率分配器32按照预设比例对所述第一微波信号的功率进行分配以生成N个频率相同的第二微波信号，所述N个频率相同的第二微波信号对应所述N个输出端进行输出，其中，N为大于等于2的整数；N个驱动放大器33与N个输出端7对应相连，每个驱动放大器33用于将对应的第二微波信号进行驱动放大以生成第三微波信号，并且N个驱动放大器33将N个第三微波信号对应发送至所述半导体微波炉的N个微波转换装置5，由N个微波转换装置5分别将对应的第三微波信号馈入到对应的波导盒2中，以使所述第三微波信号传递到腔室10中。其中，信号源31在所述半导体微波炉的控制装置4的控制下产生所述第一微波信号。

其中，功率分配器32可以为波导型功率分配器或微带型功率分配器，并且功率分配器32可以为T型结功率分配器、威尔金森功率分配器、波导魔T、定向耦合器、分支线混合网络等任意可以实现功率分配的类型。因此说，功率分配器32可为T型结功率分配器、威尔金森功率分配器、波导魔T或定向耦合器中的任意一种。

根据本发明的一个实施例，如图2所示，驱动放大器33进一步包括：驱动模块331和放大模块332。驱动模块331用于对所述第二微波信号进行驱动放大以生成第四微波信号，放大模块332与驱动模块331相连，放大模块332用于对所述第四微波信号进行二次放大以生成第三微波信号。并且，如图2所示，驱动模块331的数量、放大模块332的数量与功率分配器32的输出端的数量相等。

其中，所述第一微波信号的功率大于所述第二微波信号的功率，所述第四微波信号的功率大于所述第二微波信号的功率，所述第三微波信号的功率大于所述第四微波信号的功率。

进一步地，根据本发明的一个实施例，如图11所示，上述的半导体微波炉的半导体微波源还包括：N个移相器35，N个移相器35对应连接在N个输出端7和N个驱动放大器33之间，其中，每个移相器35在控制装置4的控制下对所述N个输出端中相应的输出端输出的第二微波信号进行相位调节，从而使得半导体功率源的效率提高。

其中，所述移相器为PIN二极管移相器、铁氧体移相器、矢量调制移相器、加载线式移相器或开关线式移相器中的任意一种。

据本发明实施例的半导体微波炉的半导体微波源，功率分配器N个输出端输出的频率相同的第二微波信号共用一个信号源，可保证半导体微波炉工作在同一个频率，实现高效率的功率输出，保证半导体微波炉的加热效果。并且，使得半导体微波炉的结构更加简单紧凑，节约成本。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同限定。

Claims (12)

1.一种半导体微波炉，其特征在于，包括：

本体，所述本体具有腔室；

N个波导盒，所述N个波导盒分别设置在所述本体上，其中，N为大于等于2的整数；

半导体微波源，所述半导体微波源包括：

信号源，所述信号源用于产生第一微波信号；

功率分配器，所述功率分配器具有第一输入端和N个输出端，所述功率分配器的第一输入端与所述信号源相连，所述功率分配器按照预设比例对所述第一微波信号的功率进行分配以生成N个频率相同的第二微波信号，所述N个频率相同的第二微波信号对应所述N个输出端进行输出；

N个驱动放大器，所述N个驱动放大器与所述N个输出端对应相连，每个所述驱动放大器用于将对应的第二微波信号进行驱动放大以生成第三微波信号；

N个微波转换装置，所述N个微波转换装置与所述N个驱动放大器和所述N个波导盒分别一一对应相连，每个所述微波转换装置将对应的驱动放大器输出的第三微波信号馈入到对应的波导盒中，以使N个所述第三微波信号传递到所述腔室中；

控制装置，所述控制装置用于控制所述信号源产生所述第一微波信号。

2.如权利要求1所述的半导体微波炉，其特征在于，所述功率分配器为T型结功率分配器、威尔金森功率分配器、波导魔T或定向耦合器中的任意一种。

3.如权利要求1所述的半导体微波炉，其特征在于，所述驱动放大器进一步包括：

驱动模块，所述驱动模块用于对所述第二微波信号进行驱动放大以生成第四微波信号；

放大模块，所述放大模块与所述驱动模块相连，所述放大模块用于对所述第四微波信号进行二次放大以生成所述第三微波信号。

4.如权利要求3所述的半导体微波炉，其特征在于，所述第一微波信号的功率大于所述第二微波信号的功率，所述第四微波信号的功率大于所述第二微波信号的功率，所述第三微波信号的功率大于所述第四微波信号的功率。

5.如权利要求1-4中任一项所述的半导体微波炉，其特征在于，所述半导体微波源还包括：

N个移相器，所述N个移相器对应连接在所述N个输出端和所述N个驱动放大器之间，其中，每个所述移相器在所述控制装置的控制下对所述N个输出端中相应的输出端输出的第二微波信号进行相位调节。

6.如权利要求5所述的半导体微波炉，其特征在于，所述移相器为PIN二极管移相器、铁氧体移相器、矢量调制移相器、加载线式移相器或开关线式移相器中的任意一种。

7.一种半导体微波炉的半导体微波源，其特征在于，包括：

信号源，所述信号源用于产生第一微波信号；

功率分配器，所述功率分配器具有第一输入端和N个输出端，所述功率分配器的第一输入端与所述信号源相连，所述功率分配器按照预设比例对所述第一微波信号的功率进行分配以生成N个频率相同的第二微波信号，所述N个频率相同的第二微波信号对应所述N个输出端进行输出，其中，N为大于等于2的整数；

N个驱动放大器，所述N个驱动放大器与所述N个输出端对应相连，每个所述驱动放大器用于将对应的第二微波信号进行驱动放大以生成第三微波信号，并且所述N个驱动放大器将N个第三微波信号对应发送至所述半导体微波炉的N个微波转换装置；

其中，所述信号源在所述半导体微波炉的控制装置的控制下产生所述第一微波信号。

8.如权利要求7所述的半导体微波炉的半导体微波源，其特征在于，所述功率分配器为T型结功率分配器、威尔金森功率分配器、波导魔T或定向耦合器中的任意一种。

9.如权利要求7所述的半导体微波炉的半导体微波源，其特征在于，所述驱动放大器进一步包括：

驱动模块，所述驱动模块用于对所述第二微波信号进行驱动放大以生成第四微波信号；

放大模块，所述放大模块与所述驱动模块相连，所述放大模块用于对所述第四微波信号进行二次放大以生成所述第三微波信号。

10.如权利要求9所述的半导体微波炉的半导体微波源，其特征在于，所述第一微波信号的功率大于所述第二微波信号的功率，所述第四微波信号的功率大于所述第二微波信号的功率，所述第三微波信号的功率大于所述第四微波信号的功率。

11.如权利要求7-10中任一项所述的半导体微波炉的半导体微波源，其特征在于，还包括：

N个移相器，所述N个移相器对应连接在所述N个输出端和所述N个驱动放大器之间，其中，每个所述移相器在所述控制装置的控制下对所述N个输出端中相应的输出端输出的第二微波信号进行相位调节。

12.如权利要求11所述的半导体微波炉的半导体微波源，其特征在于，所述移相器为PIN二极管移相器、铁氧体移相器、矢量调制移相器、加载线式移相器或开关线式移相器中的任意一种。