CN104617128A - 一种显示面板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施例提供一种显示面板及其制作方法和显示装置,涉及显示技术领域,解决了只能用特定的玻璃原料和特定的方法实现显示面板的封装基板和阵列基板的封装的问题,降低了生产成本,减少了生产时间,从而提高了生产效率。该显示面板包括:第一基板和与所述第一基板相对贴合设置的第二基板,所述第一基板和第二基板之间设置有密封胶层,所述密封胶层用于将所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构,还包括:融合层,其中:所述融合层设置在所述密封胶层与所述第一基板之间,且与所述密封胶层对应的位置;所述融合层的材料为金属材料。本发明应用于显示面板的制作技术工艺中。

Description

一种显示面板及其制作方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法和显示装置。
背景技术
近年来,有机电致发光器件(organic electroluminescent device,简称OLED)作为一种新型的平板显示器件逐渐受到更多的关注。由于其具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点,成为可能代替液晶显示的下一代显示技术。但是,在OLED器件中存在对于水汽和氧气极为敏感的有机层材料,会使OLED显示器件的寿命大大降低。目前,为了解决这个问题,多采用利用各种材料将有机器件与外界空间隔离的方法。但是这种解决方法所要达到的密闭性空间具体需达到的水汽和氧气的条件比较高。
现有技术中采用的封装方法中,frit玻璃封装广泛的应用在中小尺寸OLED器件封装中,与其他方法相比具有其显著的优势。在这种方法中,首先将玻璃浆料分散在封装基板上,进一步通过高温烧结的方法将浆料中的有机溶剂和粘合剂烧结完全,一般此烧结温度在400℃到500℃之间。烧结完成后利用激光束移动加热玻璃料熔化,熔化的玻璃料在上下两基板玻璃间形成密闭的封装连接,从而提供气密式密封。在已有的技术方案中,frit玻璃的熔化都是依靠激光束的照射实现的,而且只有特定的frit玻璃材料才具有对激光吸收的作用。因此,现有技术中的这种方案需要采用对激光具体吸收作用的特定波长的frit玻璃材料,极大的限制了玻璃封接技术的应用范围和应用材料。同时,采用激光实现封装的方法的成本较高,时间也比较长,导致最终的生产效率也较差。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板及其制作方法和显示装置,解决了只能用特定的玻璃原料和特定的方法实现显示面板的封装基板和阵列基板的封装的问题,降低了生产成本,减少了生产时间,从而提高了生产效率。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种显示面板,所述显示面板包括:第一基板和与所述第一基板相对贴合设置的第二基板,所述第一基板和第二基板之间设置有密封胶层,所述密封胶层用于将所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构,所述显示面板还包括:融合层,其中:
所述融合层设置在所述密封胶层与所述第一基板之间,且与所述密封胶层对应的位置;
所述融合层的材料为金属材料。
可选的,所述显示面板还包括保护层,其中:
所述保护层设置在所述融合层的***,且与所述第一基板靠近所述第二基板的一面接触;所述保护层覆盖所述融合层的外侧。
可选的,所述保护层与所述融合层同层设置。
可选的,所述第一基板上设置有OLED显示结构,其中:
所述OLED显示结构包括:依次形成于基板上的第一电极、有机材料功能层以及第二电极;所述有机材料功能层包括:空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层。
可选的,所述金属材料包括:铁、镍、铜或铬。
可选的,所述融合层的厚度为
可选的,所述保护层覆盖区域的宽度为50~100um。
可选的,所述保护层的厚度为
可选的,所述密封胶层的厚度为3~10um。
第二方面,提供一种显示面板的制作方法,所述方法包括:
提供一第一基板和第二基板;
在所述第二基板上形成密封胶层;其中,所述密封胶层用于将所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构;
采用金属材料在所述密封胶层与所述第一基板之间,且与所述密封胶层对应的位置形成融合层;
将所述第一基板与所述第二基板对位压合,使得所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构。
可选的,所述将所述第一基板与所述第二基板对位压合,使得所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构之前,还包括:
在所述融合层的***且与所述第一基板靠近所述第二基板的一面接触的位置形成保护层;
其中,所述保护层覆盖所述融合层的外侧。
可选的,形成所述融合层包括:
采用金属材料在所述密封胶层与所述第一基板之间,且与所述密封胶层对应的位置形成金属薄膜;
通过构图工艺处理所述金属薄膜,形成所述融合层。
可选的,所述金属材料包括:铁、镍、铜或铬。
可选的,所述第一基板为具有OLED显示结构的基板,其中:
所述OLED显示结构包括:依次形成于基板上的第一电极、有机材料功能层以及第二电极;所述有机材料功能层包括:空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层。
可选的,所述将所述第一基板与所述第二基板对位压合,使得所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构,包括:
将所述第一基板和所述第二基板压合;
采用高频交变磁场处理经过压合后的所述显示面板,促使所述密封胶融合并与所述融合层粘结,使得所述第一基板和所述第二基板粘结后具有密闭结构。
第三方面,提供一种显示装置,所述显示装置包括第一方面所述的任一显示面板。
本发明的实施例提供的显示面板及其制作方法和显示装置,通过在包括第一基板和与第一基板相对贴合设置的第二基板,第一基板和第二基板之间设置有密封胶层的显示面板中的密封胶层与第一基板之间且与密封胶层对应的位置设置融合层,且融合层的材料为金属材料;这样融合层的材料在加热过程中可以将密封胶层的材料融化,使得融合层与密封胶层粘结在一起,最终采用密封胶层和融合层实现将第一基板和第二基板粘结形成密闭结构,解决了只能用特定的玻璃原料和特定的方法实现显示面板的封装基板和阵列基板的封装的问题,降低了生产成本,减少了生产时间,从而提高了生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2为本发明的实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图3为本发明的实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图;
图4为本发明的实施例提供的另一种显示面板的制作方法的流程示意图;
图5为本发明的实施例提供的又一种显示面板的制作方法的流程示意图。
附图标记:1-第一基板;2-第二基板;3-密封胶层;4-融合层;5-保护层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明的实施例提供一种显示面板,参照图1所示,该显示面板包括:第一基板1和与第一基板1相对贴合设置的第二基板2,第一基板1和第二基板2之间设置有密封胶层3,密封胶层3用于将第一基板1和第二基板2粘结形成密闭结构,显示面板还包括:融合层4,其中:
融合层4设置在密封胶层3与第一基板1之间,且与密封胶层3对应的位置。
融合层4的材料为金属材料。
需要说明的是,第一基板1可以是阵列基板,第二基板2可以是封装基板。阵列基板1由多条横纵交叉的栅线Gate和数据线Date界定形成多个亚像素。每个亚像素中设置有一个薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,简称TFT)。薄膜晶体管是一种具有开关特性的半导体单元,其可以是顶栅型,也可以是底栅型,在此不作限定。
其中,顶栅、底栅是栅极与漏极和源极相对于衬底基板的位置而定义的。例如,当栅极相对于漏极和源极而言,更靠近阵列基板的衬底基板时,为底栅型薄膜晶体管。当漏极和源极相对于栅极而言,更靠近阵列基板的衬底基板时,为顶栅型薄膜晶体管。本发明的实施例中,是以底栅型薄膜晶体管为例进行的说明。薄膜晶体管中还包括栅绝缘层和有源层。
密封胶层的材料可以是frit玻璃材料等,密封胶层的厚度为3~10um。
具体的,显示面板中采用在与密封胶层对应且位于密封胶层与第一基板之间的位置设置融合层,融合层的材料为金属材料,由于金属材料在变化的磁场的作用下会产生电流,且电流在导体内部流动会产生热量从而使得与融合层接触的密封胶层受热,进而密封胶层中的材料发生熔化,从而实现将第一基板与第二基板粘结在一起形成密闭的结构。
本发明的实施例提供的显示面板,通过在包括第一基板和与第一基板相对贴合设置的第二基板,第一基板和第二基板之间设置有密封胶层的显示面板中的密封胶层与第一基板之间且与密封胶层对应的位置设置融合层,且融合层的材料为金属材料;这样融合层的材料在加热过程中可以将密封胶层的材料融化,使得融合层与密封胶层粘结在一起,最终采用密封胶层和融合层实现将第一基板和第二基板粘结形成密闭结构,解决了只能用特定的玻璃原料和特定的方法实现显示面板的封装基板和阵列基板的封装的问题,降低了生产成本,减少了生产时间,从而提高了生产效率。
进一步,如图2中所示,该显示面板还包括:保护层5,其中:
保护层5设置在融合层4的***,且与第一基板1靠近第二基板2的一面接触。
保护层5覆盖融合层4的外侧。
其中,保护层5与融合层4同层设置。
保护层的材料可以是氮化硅,氮氧化硅,或者氧化硅等具有将融合层与空气隔离的作用的材料。
保护层的厚度为保护层覆盖区域的宽度为50~100um。
本实施例中设置保护层的厚度为宽度为50~100um,可以实现对融合层进行保护,避免融合层与空气接触发生氧化的同时,减少生产材料的使用,降低成本,节省生产资源,使得最终形成的显示面板具有更高的价值和更好的市场前景。
进一步,第一基板1上设置有OLED显示结构(图中未示出),其中:
OLED显示结构包括:依次形成于基板上的第一电极、有机材料功能层以及第二电极;其中,有机材料功能层包括:空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层(图中未示出)。
第一电极可以采用透明导电材料,例如氧化铟锡或氧化铟锌构成。而第二电极可以采用金属材料构成。当构成第二电极的材料为金属铝或金属银中的至少一种时,由于金属铝或金属银具有较高反射率,当显示面板处于非工作状态时,可以当做镜子使用。从而能够制备出镜面显示器。
其中,融合层的金属材料具体可以包括:铁、镍、铜或铬等金属。采用此处列举的磁性金属材料,可以在进行磁场照射工艺中更好的将释放出足够的热量,保证将密封胶层的材料熔化,实现第一基板与第二基板之间的密封粘结结构。当然,此处只是举例说明采用列举的这些金属材料,并没有限定只能是使用这些金属材料,凡是可以实现在交变的磁场中产生电流将密封胶层材料熔化的材料均可以适用。
融合层的厚度为
其中,本实施例中设置融合层的厚度为可以在实现最好的将密封胶层的材料熔化的同时尽可能的降低生产成本,节省了资源。
需要说明的是,本实施例中在得到相对贴合设置的第一基板与第二基板,且第一基板和第二基板直接设置有密封胶层、融合层和保护层之后,可以在显示面板的外部施加一个高频交变磁场,实现在变化的磁场的作用下,融合层产生电流进而释放出热量,将融合层熔化将第一基板与第二基板密封粘结在一起。其中,高频交变磁场中的磁场的强度和频率可以根据实际设计中的融合层的厚度和使用的材料具体的设定。
本发明的实施例提供的显示面板,通过在包括第一基板和与第一基板相对贴合设置的第二基板,第一基板和第二基板之间设置有密封胶层的显示面板中的密封胶层与第一基板之间且与密封胶层对应的位置设置融合层,且融合层的材料为金属材料;这样融合层的材料在加热过程中可以将密封胶层的材料融化,使得融合层与密封胶层粘结在一起,最终采用密封胶层和融合层实现将第一基板和第二基板粘结形成密闭结构,解决了只能用特定的玻璃原料和特定的方法实现显示面板的封装基板和阵列基板的封装的问题,降低了生产成本,减少了生产时间,从而提高了生产效率。
本发明的实施例提供一种显示面板的制作方法,参照图3所示,该方法包括以下步骤:
101、提供一第一基板和第二基板。
其中,第一基板可以是阵列基板,第二基板可以是封装基板。
102、在第二基板上形成密封胶层。
其中,密封胶层用于将第一基板和第二基板粘结形成密闭结构。
在第二基板表面通过丝网印刷或涂覆的方法形成厚度在3~10um的frit薄膜,之后将得到的frit薄膜放入氮气或氧气氛围的烘箱中加热,使frit薄膜中有机部分完全除去,实现frit薄膜固化。其中,烘箱的温度可以设置为350-500℃之间。
103、采用金属材料在密封胶层与第一基板之间,且与密封胶层对应的位置形成融合层。
其中,融合层的厚度可以为之间。
104、将第一基板与第二基板对位压合,使得第一基板和第二基板粘结形成密闭结构。
具体的,可以将对位压合之后的第一基板和第二基板外侧施加交变磁场,使得融合层产生电流进而产生热量将密封胶层的材料熔化,实现第一基板和第二基板的密闭粘结。
本发明的实施例提供的显示面板的制作方法,通过在形成有第一基板和与第一基板相对贴合设置的第二基板,第一基板和第二基板之间设置有密封胶层的显示面板的密封胶层与第一基板之间且与密封胶层对应的位置形成融合层,且融合层的材料为金属材料;这样融合层的材料在加热过程中可以将密封胶层的材料融化,使得融合层与密封胶层粘结在一起,最终采用密封胶层和融合层实现将第一基板和第二基板粘结形成密闭结构,解决了只能用特定的玻璃原料和特定的方法实现显示面板的封装基板和阵列基板的封装的问题,降低了生产成本,减少了生产时间,从而提高了生产效率。
本发明的实施例提供一种显示面板的制作方法,参照图4所示,该方法包括以下步骤:
201、提供一第一基板和第二基板。
202、在第二基板上形成密封胶层。
其中,密封胶层用于将第一基板和第二基板粘结形成密闭结构。
203、采用金属材料在密封胶层与第一基板之间,且与密封胶层对应的位置形成融合层。
204、在融合层的***且与第一基板靠近第二基板的一面接触的位置形成保护层。
其中,保护层覆盖融合层的外侧。
具体的,保护层可以利用化学气相沉积法或者磁控溅射的方法在融合层的***且与第一基板靠近第二基板的一面接触的位置上沉积厚度为覆盖的宽度为50~100um之间的保护层薄膜,该保护层薄膜的材料通常是氮化硅,也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。
205、将第一基板与第二基板对位压合,使得第一基板和第二基板粘结形成密闭结构。
需要说明的是,本实施例中的流程与上述实施例中的步骤相同的描述与上述实施例中的说明类似,此处不再赘述。
本发明的实施例提供的显示面板的制作方法,通过在形成有第一基板和与第一基板相对贴合设置的第二基板,第一基板和第二基板之间设置有密封胶层的显示面板的密封胶层与第一基板之间且与密封胶层对应的位置形成融合层,且融合层的材料为金属材料;这样融合层的材料在加热过程中可以将密封胶层的材料融化,使得融合层与密封胶层粘结在一起,最终采用密封胶层和融合层实现将第一基板和第二基板粘结形成密闭结构,解决了只能用特定的玻璃原料和特定的方法实现显示面板的封装基板和阵列基板的封装的问题,降低了生产成本,减少了生产时间,从而提高了生产效率。
本发明的实施例提供一种显示面板的制作方法,参照图5所示,该方法包括以下步骤:
301、提供一第一基板和第二基板。
302、在第二基板上形成密封胶层。
其中,密封胶层用于将第一基板和第二基板粘结形成密闭结构。
303、采用金属材料在所述密封胶层与所述第一基板之间,且与所述密封胶层对应的位置形成金属薄膜。
其中,金属材料包括:铁、镍、铜或铬等磁性材料。
304、通过构图工艺处理金属薄膜,形成融合层。
具体的,将第一基板经过清洗液和清洗槽的清洗,由清洗槽内的风刀和盘刷自动完成清洗。并将经过清洗后的第一基板放置于烘箱中进行干燥处理,将第一基板表面水汽除净。
然后通过磁控溅射或真空蒸镀的方法在对应的位置形厚度在之间的金属薄膜,之后通过曝光、显影和刻蚀工艺处理该金属薄膜形成融合层。
305、在融合层的***且与第一基板靠近第二基板的一面接触的位置形成保护层。
其中,保护层覆盖融合层的外侧。
306、将第一基板和第二基板压合。
307、采用高频交变磁场处理经过压合后的显示面板,促使密封胶融合并与融合层粘结,使得第一基板和第二基板粘结后具有密闭结构。
具体的,可以在显示面板的外部施加一个高频交变磁场,实现在变化的磁场的作用下,融合层产生电流进而释放出热量,将融合层熔化将第一基板与第二基板密封粘结在一起。其中,高频交变磁场中的磁场的强度和频率可以根据实际设计中的融合层的厚度和使用的材料具体的设定。
需要说明的是,本实施例中的流程与上述实施例中的步骤相同的描述与上述实施例中的说明类似,此处不再赘述。
本发明的实施例提供的显示面板的制作方法,通过在形成有第一基板和与第一基板相对贴合设置的第二基板,第一基板和第二基板之间设置有密封胶层的显示面板的密封胶层与第一基板之间且与密封胶层对应的位置形成融合层,且融合层的材料为金属材料;这样融合层的材料在加热过程中可以将密封胶层的材料融化,使得融合层与密封胶层粘结在一起,最终采用密封胶层和融合层实现将第一基板和第二基板粘结形成密闭结构,解决了只能用特定的玻璃原料和特定的方法实现显示面板的封装基板和阵列基板的封装的问题,降低了生产成本,减少了生产时间,从而提高了生产效率。
本发明的实施例提供一种显示装置,该显示装置包括上述实施例中提供的任一显示面板,该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明的实施例提供的显示装置,通过在形成有第一基板和与第一基板相对贴合设置的第二基板,第一基板和第二基板之间设置有密封胶层的显示装置的显示面板的密封胶层与第一基板之间且与密封胶层对应的位置形成融合层,且融合层的材料为金属材料;这样融合层的材料在加热过程中可以将密封胶层的材料融化,使得融合层与密封胶层粘结在一起,最终采用密封胶层和融合层实现将第一基板和第二基板粘结形成密闭结构,解决了只能用特定的玻璃原料和特定的方法实现显示面板的封装基板和阵列基板的封装的问题,降低了生产成本,减少了生产时间,从而提高了生产效率。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种显示面板,所述显示面板包括:第一基板和与所述第一基板相对贴合设置的第二基板,所述第一基板和第二基板之间设置有密封胶层,所述密封胶层用于将所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构,其特征在于,所述显示面板还包括:融合层,其中:
所述融合层设置在所述密封胶层与所述第一基板之间,且与所述密封胶层对应的位置;
所述融合层的材料为金属材料。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括保护层,其中:
所述保护层设置在所述融合层的***,且与所述第一基板靠近所述第二基板的一面接触;所述保护层覆盖所述融合层的外侧。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述保护层与所述融合层同层设置。
4.根据权利要求1~3任一所述的显示面板,其特征在于,所述第一基板上设置有OLED显示结构,其中:
所述OLED显示结构包括:依次形成于基板上的第一电极、有机材料功能层以及第二电极;所述有机材料功能层包括:空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层。
5.根据权利要求1~3任一所述的显示面板,其特征在于,
所述金属材料包括:铁、镍、铜或铬。
6.根据权利要求1~3任一所述的显示面板,其特征在于,
所述融合层的厚度为
7.根据权利要求1~3任一所述的显示面板,其特征在于,
所述保护层覆盖区域的宽度为50~100um。
8.根据权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,
所述保护层的厚度为
9.根据权利要求1~3任一所述的显示面板,其特征在于,
所述密封胶层的厚度为3~10um。
10.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一第一基板和第二基板;
在所述第二基板上形成密封胶层;其中,所述密封胶层用于将所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构;
采用金属材料在所述密封胶层与所述第一基板之间,且与所述密封胶层对应的位置形成融合层;
将所述第一基板与所述第二基板对位压合,使得所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述将所述第一基板与所述第二基板对位压合,使得所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构之前,还包括:
在所述融合层的***且与所述第一基板靠近所述第二基板的一面接触的位置形成保护层;
其中,所述保护层覆盖所述融合层的外侧。
12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,形成所述融合层包括:
采用金属材料在所述密封胶层与所述第一基板之间,且与所述密封胶层对应的位置形成金属薄膜;
通过构图工艺处理所述金属薄膜,形成所述融合层。
13.根据权利要求10~12任一所述的方法,其特征在于,
所述金属材料包括:铁、镍、铜或铬。
14.根据权利要求10~12任一所述的方法,其特征在于,所述第一基板为具有OLED显示结构的基板,其中:
所述OLED显示结构包括:依次形成于基板上的第一电极、有机材料功能层以及第二电极;所述有机材料功能层包括:空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层。
15.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述将所述第一基板与所述第二基板对位压合,使得所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构,包括:
将所述第一基板和所述第二基板压合;
采用高频交变磁场处理经过压合后的所述显示面板,促使所述密封胶融合并与所述融合层粘结,使得所述第一基板和所述第二基板粘结后具有密闭结构。
16.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1~9任一所述的显示面板。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104966727A (zh) * 2015-07-10 2015-10-07 京东方科技集团股份有限公司 封装方法、显示面板及显示装置
CN105161515A (zh) * 2015-08-11 2015-12-16 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其封装方法、显示装置
WO2016115806A1 (zh) * 2015-01-23 2016-07-28 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
CN106848094A (zh) * 2017-01-19 2017-06-13 深圳市华星光电技术有限公司 Oled封装方法
WO2017193761A1 (zh) * 2016-05-13 2017-11-16 京东方科技集团股份有限公司 一种封装材料、封装盖板、烧结设备、烧结方法及显示装置
CN111225514A (zh) * 2020-01-19 2020-06-02 京东方科技集团股份有限公司 压焊装置及压焊方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105097885B (zh) * 2015-09-01 2018-07-27 京东方科技集团股份有限公司 Oled面板及其封装方法、显示装置
CN106373982B (zh) * 2016-09-06 2017-11-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、以及显示装置
CN110224085B (zh) * 2019-07-19 2021-06-11 业成科技(成都)有限公司 侧向阻气封装结构的制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130119362A1 (en) * 2008-11-05 2013-05-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
CN103811528A (zh) * 2012-11-02 2014-05-21 株式会社半导体能源研究所 密封体及密封体的制造方法
CN103943648A (zh) * 2013-01-18 2014-07-23 群创光电股份有限公司 显示装置及其封装方法
US20140291629A1 (en) * 2013-04-02 2014-10-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102038844B1 (ko) * 2011-06-16 2019-10-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 밀봉체의 제작 방법 및 밀봉체, 그리고 발광 장치의 제작 방법 및 발광 장치
KR102058387B1 (ko) * 2011-11-28 2019-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유리 패턴 및 그 형성 방법, 밀봉체 및 그 제작 방법, 및 발광 장치
CN102447077A (zh) * 2011-12-27 2012-05-09 福州华映视讯有限公司 有机发光二极管封装结构及其制造方法
CN103811668A (zh) * 2012-11-07 2014-05-21 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN102983279A (zh) 2012-12-20 2013-03-20 友达光电股份有限公司 一种有机发光二极管封装结构
CN103500800A (zh) * 2013-09-27 2014-01-08 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
KR20160006861A (ko) * 2014-07-09 2016-01-20 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN104617128B (zh) * 2015-01-23 2017-08-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法和显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130119362A1 (en) * 2008-11-05 2013-05-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
CN103811528A (zh) * 2012-11-02 2014-05-21 株式会社半导体能源研究所 密封体及密封体的制造方法
CN103943648A (zh) * 2013-01-18 2014-07-23 群创光电股份有限公司 显示装置及其封装方法
US20140291629A1 (en) * 2013-04-02 2014-10-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016115806A1 (zh) * 2015-01-23 2016-07-28 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
US10141537B2 (en) 2015-01-23 2018-11-27 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel and manufacturing method therefor, and display apparatus
CN104966727B (zh) * 2015-07-10 2018-10-02 京东方科技集团股份有限公司 封装方法、显示面板及显示装置
WO2017008486A1 (zh) * 2015-07-10 2017-01-19 京东方科技集团股份有限公司 封装方法、显示面板及显示装置
CN104966727A (zh) * 2015-07-10 2015-10-07 京东方科技集团股份有限公司 封装方法、显示面板及显示装置
US10566392B2 (en) 2015-07-10 2020-02-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Encapsulation method, display panel and display device
CN105161515B (zh) * 2015-08-11 2018-03-23 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其封装方法、显示装置
CN105161515A (zh) * 2015-08-11 2015-12-16 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其封装方法、显示装置
WO2017193761A1 (zh) * 2016-05-13 2017-11-16 京东方科技集团股份有限公司 一种封装材料、封装盖板、烧结设备、烧结方法及显示装置
US10033011B1 (en) 2016-05-13 2018-07-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Encapsulating material, encapsulating cover plate, sintering equipment, sintering method, and display apparatus
CN106848094A (zh) * 2017-01-19 2017-06-13 深圳市华星光电技术有限公司 Oled封装方法
WO2018133143A1 (zh) * 2017-01-19 2018-07-26 深圳市华星光电技术有限公司 Oled封装方法
CN111225514A (zh) * 2020-01-19 2020-06-02 京东方科技集团股份有限公司 压焊装置及压焊方法

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