CN104572365A - 一种内存自适配方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明适用于计算机领域，提供了一种内存自适配方法及装置，所述方法包括下述步骤：在检测到***开机时，读取第一存储区中的串行检测SPD信息；判断读取的所述SPD信息是否为缺省值；若否，读取内存SPD芯片的SPD信息；判断第一存储区中读取的SPD信息和内存SPD芯片上读取的SPD信息是否相同；若否，根据所述内存SPD芯片上读取的SPD信息，初始化微控制单元MCU；所述第一存储区为预先配置的电可擦可编程只读存储器中的存储空间。本发明通过利用SPD信息来进行内存自适配，从而简化了飞腾平台中设备更换不同的内存后首次开机启动时的操作。

Description

一种内存自适配方法及装置

技术领域

本发明属于计算机领域，尤其涉及一种内存自适配方法及装置。

背景技术

串行检测SPD是SERIAL PRESENCE DETECT的缩写。内存的SPD信息是一组关于内存模组的配置信息，通常存储在内存条上的一颗采用SOIC封装的8针的EEPROM芯片里，容量为256字节。SPD芯片内记录了内存的许多重要信息，诸如地址选通脉冲延迟、行预充电时间、行寻址至列寻址延迟时间、行有效至行预充电时间、内存芯片及模组的生产厂商、额定工作频率、工作电压、速度、容量等参数。

目前的飞腾平台，固件会在EEPROM中预留一段空间，用于存放内存的SPD信息，以下称为内存参数存储区。第一次开机时，固件辨别内存参数存储区的数据是空的，固件就会执行一次读取内存的SPD信息，初始化微控制单元MCU，同时将内存的SPD信息存放到内存参数存储区中，后续开机则直接使用内存参数存储区中的SPD信息进行开机。但是在更换不相同的内存条以后，若还使用存储在内存参数存储区中的SPD参数进行开机时，将会出现开机异常、程序运行异常，甚至档机等现象。所以在更换不同的内存条以后，需要手动操作，重新读取一次内存的SPD信息，初始化MCU，操作繁琐，不灵活。

发明内容

本发明提供一种内存自适配方法及装置，以解决飞腾平台中更换不同的内存后首次开机启动操作繁琐的问题。

本发明是这样实现的，一种内存自适配方法，所述方法包括：

在检测到***开机时，读取第一存储区中的串行检测SPD信息；

判断读取的所述SPD信息是否为缺省值；

若否，读取内存SPD芯片的SPD信息；

判断第一存储区中读取的SPD信息和内存SPD芯片上读取的SPD信息是否相同；

若否，根据所述内存SPD芯片上读取的SPD信息，初始化微控制单元MCU；

所述第一存储区为***预先配置的电可擦可编程只读存储器中的存储空间。

本发明还提供一种内存自适配装置，所述装置包括：

第一读取单元，用于在检测到***开机时，读取第一存储区中的串行检测SPD信息；

缺省值判断单元，用于判断读取的所述SPD信息是否为缺省值；

第二读取单元，用于在所述缺省值判断单元判断结果为否时，读取内存SPD芯片的SPD信息；

第二判断单元，用于判断第一存储区中读取的SPD信息和内存SPD芯片上读取的SPD信息是否相同；

初始化单元，用于在所述第二判断单元判断结果为否时，根据所述内存SPD芯片上读取的SPD信息，初始化微控制单元MCU；

所述第一存储区为预先配置的电可擦可编程只读存储器中的存储空间。

在本发明中，通过判断第一存储区的SPD信息是否为缺省值；若否，则读取内存SPD芯片的SPD信息，判断所述内存SPD芯片的SPD信息和第一存储区中的SPD信息是否相同；若不相同，则根据所述内存SPD芯片的SPD信息，初始化微控制单元MCU。从而完成了内存自适配，简化了飞腾平台中设备更换不同的内存后首次开机启动的操作，提升了用户体验。

附图说明

图1是本发明实施例提供的内存自适配方法的流程图；

图2是本发明实施例提供的内存自适配装置的结构图；

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明适用于飞腾平台，提供了一种内存自适配方法及装置。该方法基于SPARC架构，利用SPD信息来分辨是否更换了不相同的内存。若是，则重新读取内存SPD芯片上的SPD信息，初始化MCU；否则，加载第一存储区中的SPD信息，***正常开机。从而完成了内存的自适配。

为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。

图1示出了本发明实施例提供的内存自适配方法的流程，详述如下：

在步骤S101中，在检测到***开机时，读取第一存储区中的串行检测SPD信息；

在本实施例中，所述***包括但不限于计算机***、手机***。

所述***开机信息是指***上电的开机信息。

所述串行检测SPD是SERIAL PRESENCE DETECT的缩写，SPD信息是一组关于内存模组的配置信息，通常存储在内存条上的一颗采用SOIC封装的8针的EEPROM芯片里，该芯片称为SPD芯片，容量为256字节。SPD芯片内记录了内存的许多重要信息，诸如内存类型、内存插槽类型、DRAM容量和内部bank数、DRAM行列地址线数目、DRAM最小时钟周期、内存芯片及模组的生产厂商、额定工作频率、工作电压、速度、容量等参数。

作为本发明的一个实施示例，固件预先配置了16byte的EEPROM空间作为第一存储区，用于存放***前一次开机时所使用的内存条的内存SPD芯片上的SPD信息。

在步骤S102中，判断读取的所述SPD信息是否为缺省值；

在本实施例中，所述缺省值为预先配置。缺省值是指***第一次开机以前，第一存储区里存储的初始值，通常设置为全零。

进行缺省值判断，是为了识别***是否为首次开机；若为首次开机，第一存储区上为全零的缺省值；否则，第一存储区上为***前一次开机时所使用的内存条的内存SPD芯片上的SPD信息。

判断读取的所述SPD信息是否为缺省值。判断结果为是时，则读取内存SPD芯片的SPD信息，执行步骤S105；否则，执行步骤S103。

在步骤S103中，读取内存SPD芯片的SPD信息；

在本实施例中，内存SPD芯片是指***当前所使用的内存的SPD芯片。

在步骤S104中，判断第一存储区中读取的SPD信息和内存SPD芯片上读取的SPD信息是否相同。

作为本发明的一个实施示例，固件预留了一个EEPROM空间作为临时区，用于在读取内存SPD芯片上的SPD信息后，存储所述SPD信息。

对第一存储区中读取的SPD信息和内存SPD芯片上的SPD信息是否相同进行判断，是为了判断是否更换了不同的内存。判断结果为相同时，表示没有更换内存条或者更换了完全相同的内存条，SPD信息不变；若判断结果为不相同时，表示更换了不相同的内存条。

在本实施例中，判断所述内存SPD芯片的SPD信息和第一存储区中SPD信息是否相同；若是，则执行步骤S106；否则，执行步骤S105。

在步骤S105中，根据所述内存SPD芯片上读取的SPD信息，初始化微控制单元MCU；

作为本发明的一个实施示例，所述根据所述内存SPD芯片上读取的SPD信息，初始化微控制单元MCU步骤是指在飞腾平台中，固件执行memoryleveling操作。BIOS利用SPD信息中的模块大小、数据宽度、速度以及电压等信息来合适配置内存以达到最好的性能和可靠性。

进一步地，所述步骤S105后还包括：

将所述内存SPD芯片的SPD信息更新到所述第一存储区中。

在MCU初始化结束后，***正常开机。

在步骤S106中，加载第一存储区中的SPD信息，***正常开机；

在本发明实施例中，通过判断第一存储区中的SPD信息是否为缺省值来确定***是否为首次开机；当第一存储区中的SPD信息不为缺省值时，表示***为非首次开机，读取内存SPD芯片的SPD信息，并判断所述内存SPD芯片的SPD信息与第一存储区中的SPD信息是否相同；在判断结果为不相同时，表示更换了不同的内存条，根据所述内存SPD芯片上的SPD信息，初始化MCU；初始化结束后，***正常开机。从而完成了内存自适配，简化了飞腾平台中设备更换不同的内存后首次开机启动的操作，省去了用户手动读取内存SPD信息的步骤，提升了用户体验。

图2示出了本发明实施例提供的内存自适配装置的结构。该装置主要应用于飞腾平台，适用于平板电脑、笔记本电脑和台式计算机，用于运行本发明图1实施例所述的内存自适配方法。为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分。

参照图2，该装置包括：

第一读取单元21，读取第一存储区中的串行检测SPD信息；

作为本发明的一个实施示例，固件预留了16byte的EEPROM空间作为第一存储区，用于存放***前一次开机时所使用的内存条的内存SPD芯片上的SPD信息。

缺省值判断单元22，判断读取的所述SPD信息是否为缺省值；

所述缺省值预先配置。缺省值是指***第一次开机前，第一存储区里存储的初始值，通常设置为全零。

第二读取单元23，用于在所述缺省值判断单元判断结果为否时，读取内存SPD芯片上的SPD信息。

第二判断单元24，用于判断第一存储区中读取的SPD信息和内存SPD芯片上读取的SPD信息是否相同。

对第一存储区中读取的SPD信息和内存SPD芯片上的SPD信息是否相同进行判断，是为了判断是否更换了不同的内存。判断结果为相同时，表示没有更换内存条或者更换了完全相同的内存条，SPD信息不变；若判断结果为不相同时，表示更换了不相同的内存条。

初始化单元25，用于在所述第二判断单元判断结果为否时，根据所述内存SPD芯片上读取的SPD信息，初始化微控制单元MCU；

作为本发明的一个实施示例，所述根据所述内存SPD芯片上读取的SPD信息，初始化MCU是指在飞腾平台中，固件执行memory leveling操作。BIOS利用SPD信息中的模块大小、数据宽度、速度以及电压等信息来合适配置内存以达到最好的性能和可靠性。

进一步地，所述初始化单元25还用于：

在所述第一存储区中的SPD信息为缺省值时，根据所述内存SPD芯片上读取的SPD信息，初始化MCU。

进一步地，所述初始化单元25还用于：

将所述内存SPD芯片上的SPD信息更新到所述第一存储区中。

MCU初始化结束后，***正常开机。

加载单元26，在所述内存SPD芯片上的SPD信息和第一存储区中的SPD信息相同时，加载第一存储区中的SPD信息。

SPD信息加载结束后，***正常开机。

在本发明实施例中，通过判断第一存储区中的SPD信息是否为缺省值来确定***是否为首次开机；在判断第一存储区中的SPD信息不为缺省值时，***为非首次开机，则读取内存SPD芯片的SPD信息，并判断所述内存SPD芯片的SPD信息和第一存储区中的SPD信息是否相同；在判断结果为不相同时，表示更换了不同的内存条，则根据所述内存SPD芯片的SPD信息初始化MCU，MCU初始化结束后，***正常开机。从而完成了内存自适配，简化了飞腾平台中设备更换不同的内存后首次开机启动的操作，省去了用户手动读取内存SPD信息的步骤，提升了用户体验。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种内存自适配方法，其特征在于，所述方法包括：

在检测到***开机时，读取第一存储区中的串行检测SPD信息；

判断读取的所述SPD信息是否为缺省值；

若否，读取内存SPD芯片的SPD信息；

判断第一存储区中读取的SPD信息和内存SPD芯片上读取的SPD信息是否相同；

若否，根据所述内存SPD芯片上读取的SPD信息，初始化微控制单元MCU；

所述第一存储区为预先配置的电可擦可编程只读存储器中的存储空间。

2.如权利要求1所述的内存自适配方法，其特征在于，所述缺省值为***第一次开机以前，第一存储区存储的初始值。

3.如权利要求1所述的内存自适配方法，其特征在于，所述方法进一步包括：

在所述第一存储区中的SPD信息为缺省值时，读取内存SPD芯片的SPD信息，初始化微控制单元MCU。

4.如权利要求1所述的内存自适配方法，其特征在于，所述方法进一步包括：

在所述内存SPD芯片的SPD信息和第一存储区中的SPD信息相同时，加载第一存储区中的SPD信息。

5.如权利要求1所述的内存自适配方法，其特征在于，所述根据所述内存SPD芯片上读取的SPD信息，初始化微控制单元MCU的步骤之后还包括：

将所述内存SPD芯片上读取的SPD信息更新到所述第一存储区中。

6.一种内存自适配装置，其特征在于，所述装置包括：

第一读取单元，用于在检测到***开机时，读取第一存储区中的串行检测SPD信息；

缺省值判断单元，用于判断读取的所述SPD信息是否为缺省值；

第二读取单元，用于在所述缺省值判断单元判断结果为否时，读取内存SPD芯片的SPD信息；

第二判断单元，用于判断第一存储区中读取的SPD信息和内存SPD芯片上读取的SPD信息是否相同；

初始化单元，用于在所述第二判断单元判断结果为否时，根据所述内存SPD芯片上读取的SPD信息，初始化微控制单元MCU；

所述第一存储区为预先配置的电可擦可编程只读存储器中的存储空间。

7.如权利要求6所述的内存自适配装置，其特征在于，所述缺省值为***第一次开机以前，第一存储区存储的初始值。

8.如权利要求6所述的内存自适配装置，其特征在于，所述初始化单元还用于：

在所述第一存储区中的SPD信息为缺省值时，根据所述内存SPD芯片上读取的SPD信息，初始化微控制单元MCU。

9.如权利要求6所述的内存自适配装置，其特征在于，所述装置还包括：

加载单元，用于在所述内存SPD芯片上的SPD信息和第一存储区中的SPD信息相同时，加载第一存储区中的SPD信息。

10.如权利要求6所述的内存自适配装置，其特征在于，所述初始化单元还用于：

将所述内存SPD芯片上读取的SPD信息更新到所述第一存储区中。