CN104570620B - 一种宽光束扫描曝光方法 - Google Patents
一种宽光束扫描曝光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104570620B CN104570620B CN201510013442.4A CN201510013442A CN104570620B CN 104570620 B CN104570620 B CN 104570620B CN 201510013442 A CN201510013442 A CN 201510013442A CN 104570620 B CN104570620 B CN 104570620B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- area
- exposure
- substrate
- light beam
- sub
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 21
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 3
- 230000011514 reflex Effects 0.000 claims description 3
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 claims 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 208000031481 Pathologic Constriction Diseases 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 210000001215 vagina Anatomy 0.000 description 1
Landscapes
- Holo Graphy (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明涉及一种宽光束扫描曝光方法，其包括以下步骤：设置一双光束曝光***，将双光束曝光***中沿光栅矢量方向作为x方向，沿光栅栅线方向作为y方向，沿基板法线方向作为z方向；利用基板表面形成的干涉场在基板右边缘曝光出面积为A×d的工艺边，通过推入第一、第二衰减光楔，在工艺边上形成面积为A×d的潜像条纹；对工艺边左侧面积为A×3d的区域进行t时间静止曝光，对位于面积为A×3d区域左侧的面积为A×d的区域进行线性曝光；通过第一、第二衰减光楔形成面积为A×3d的潜像条纹；利用宽度为d的光束对面积为A×3d的潜像条纹左侧的全部区域依次进行扫描曝光，直到基板左边缘离开曝光光束的右边缘，扫描曝光过程结束。
Description
技术领域
本发明涉及一种扫描曝光方法，特别是关于一种宽光束扫描曝光方法。
背景技术
衍射光栅作为一种典型的衍射光学元件，被广泛应用于光谱分析、精密计量、集成光学、信息处理和激光脉冲压缩等领域。目前，大尺寸全息光栅的制造方法主要有单次曝光、扫描曝光和曝光拼接等方法。曝光过程中的条纹锁定是非常关键的。双光束全息曝光法是最通用的制作全息光栅的方法。
美国Lawrence Livermore国家实验室利用口径达1.09m的曝光透镜，单次曝光制造出面积为910×450mm2的光栅。单次曝光的优点在于技术成熟、***简单，缺点是光栅面积和质量均取决于曝光透镜，制作高质量大光栅需要使用大口径的非球面镜，成本很高，特别是制作口径明显超过米级的非球面镜目前仍不现实。扫描曝光方法是采用口径仅1mm左右的细光束形成的干涉条纹，对运动的基板沿栅线方向进行往复扫描，以制造大面积的光栅区域。目前美国Plymouh Grating Laboratory公司采用扫描曝光方法制造出面积为910×420mm2的光栅。扫描曝光方法的优点在于细光束曝光干涉场质量好，对光栅尺寸没有限制，缺点是使用双频激光干涉信号进行扫描过程中的条纹锁定，对扫描***的精密控制导致***极为复杂。基于潜像的曝光拼接是一种分区曝光的方法。曝光拼接是用较小的曝光区域进行一次曝光后，将光栅移动到下一个位置，根据潜像光栅(光刻胶折射率被曝光光场调制后得到的衍射效率非常低的光栅)在曝光光场中形成的干涉条纹，调节两次曝光的位相和姿态，再进行下一次曝光。曝光拼接方法的优点是***相对简单，锁定方法完全自参考，拼接精度高；缺点是拼接处存在接缝。
光栅杂散光是评价光栅品质的重要技术指标。杂散光来自光栅槽形误差、粗糙度和栅距误差等。降低光栅杂散光对于提高光谱仪的检出限有着重要的意义。以上三种光栅制作方法虽然有可能通过光路调节减少栅距误差引入的杂散光，但是激光散斑的存在使得高频的槽形和粗糙度误差不可避免。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的是提供一种能够制造大尺寸或低杂散光全息光栅的宽光束扫描曝光方法。
为实现上述目的，本发明采取以下技术方案：一种宽光束扫描曝光方法，其包括以下步骤：1)设置一双光束曝光***，其包括激光器、分光镜、第一至第三反射镜、第一至第二显微物镜、第一至第二针孔、第一至第二准直透镜和涂覆光刻胶的基板，激光器发出的光束经分光镜分成两束，第一束光经第一反射镜反射后进入第一显微物镜中，经第一显微物镜聚焦后进入第一针孔，经第一针孔滤波后进入第一准直透镜，经第一准直透镜准直后成为第一平行光束；第二束光依次经第二、第三反射镜反射后进入第二显微物镜，经第二显微物镜聚焦后进入第二针孔，经第二针孔滤波后进入第二准直透镜，经第二准直透镜准直后成为第二平行光束；第一、第二平行光束在涂覆光刻胶的基板表面形成干涉场；将所述双光束曝光***中沿光栅矢量方向作为x方向，沿光栅栅线方向作为y方向，沿基板法线方向作为z方向；2)利用挡光屏限制基板表面形成的干涉场，并在基板右边缘留出面积为A×d的矩形区域；将第一、第二准直透镜的口径设置为D，利用宽度d为D/10～D/5的光束对基板右边缘面积为A×d的矩形区域进行曝光，曝光时间为t，得到一条面积为A×d的工艺边，此时工艺边上就得到了潜像光栅；3)在第一准直透镜与基板之间的光路上推入第一衰减光楔，使得第一平行光束照射到面积为A×d的工艺边上的部分被完全衰减；在第二准直透镜与基板之间的光路上推入第二衰减光楔，使得第二平行光束照射到工艺边上的部分被完全衰减；在面积为A×d的工艺边上形成面积为A×d的潜像条纹；在第二平行光束侧设置一探测器，第二衰减光楔将面积为A×d的潜像条纹反射到探测器上，探测器接收到的潜像条纹用于条纹锁定；4)将挡光屏相对于基板沿-x方向移动，在基板上工艺边左侧留出面积为A×4d的矩形区域；基板静止不动，对工艺边左侧面积为A×3d的区域进行t时间曝光；对位于面积为A×3d区域左侧的面积为A×d的区域进行线性曝光；在对工艺边左侧面积为A×4d的区域进行曝光的过程中，利用探测器探测步骤3)中面积为A×d的潜像条纹上的位相变化；在第一反射镜与第一显微物镜之间的光路上增设第一声光调制器，在第三反射镜与第二显微物镜之间的光路上增设第二声光调制器，第一声光调制器对第一光束进行调制，第二声光调制器对第二光束进行调制，使得调制后的第一光束和第二光束之间产生位相差，利用位相差对探测器探测到的位相变化进行补偿，使得面积为A×d的潜像条纹保持不动；5)相对于基板继续沿-x方向推入第一、第二衰减光楔，使得照射到面积为A×3d的静止曝光区域的光束被完全衰减，形成面积为A×3d的潜像条纹；利用宽度为d的光束对面积为A×3d的潜像条纹左侧的全部区域依次进行扫描曝光，扫描曝光过程中基板以速度v沿+x方向匀速移动；在扫描曝光过程中，利用探测器探测面积为A×3d的潜像条纹上的条纹位相变化、条纹间距变化和条纹倾斜变化，对于条纹位相变化，通过第一声光调制器和第二声光调制器在第一、第二光束之间产生的位相差来进行补偿；对于条纹间距变化，通过调整第一针孔沿y方向的位置进行补偿；对于条纹倾斜变化，通过调整第一针孔在xz平面内垂直第一光束方向的位置进行补偿，通过上述三种补偿，使得面积为A×3d的潜像条纹在扫描曝光过程中保持不动；6)保持步骤5)中面积为A×3d的潜像条纹锁定，直到基板左边缘离开曝光光束的右边缘，整个扫描曝光过程结束；取下基板，显影得到浮雕光栅。
所述步骤2)中，面积为A×d的潜像光栅用放置在基板下方或者侧方的参考光栅代替，并将用参考光栅上产生的干涉条纹锁定代替步骤5)中的用潜像条纹锁定。
所述步骤3)中，探测器采用光电倍增管和电子倍增电荷耦合器件中的一种。
所述步骤4)中，对位于面积为A×3d区域左侧的面积为A×d的区域进行线性曝光，其具体过程为：在面积为A×3d区域左侧的面积为A×d的区域上方遮挡一挡板，挡板将该区域上方的光束完全遮挡；开始曝光后，将挡板以v＝d/t的速度相对于基板沿-x方向匀速拉开，使得面积为A×d的区域被曝光，且曝光时间沿x方向呈线性变化，该面积为A×d的区域右端的曝光时间为t，左端的曝光时间为0。
本发明由于采取以上技术方案，其具有以下优点：1、本发明由于首先采用宽度为准直透镜口径1/10～1/5的光束在基板一侧曝光得到一条工艺边，通过在设置的双光束曝光***中增设衰减光楔，在工艺边上形成潜像条纹；其次在设置的双光束曝光***中增设探测器和声光调制器，对探测器探测到的潜像条纹上的变化，通过声光调制器进行补偿，使得潜像条纹保持不动；然后，采用曝光光束对工艺边左侧面积为A×3d的区域进行静止曝光，对位于面积为A×3d的区域左侧面积为A×d的区域进行线性曝光，利用衰减光楔使得面积为A×3d的静止曝光区域产生潜像条纹；最后，在对面积为A×3d的潜像条纹进行锁定的基础上，对面积为A×3d的区域左侧的全部区域进行扫描曝光，扫描基板的长度不受准直透镜口径的制约，因此采用本发明能够制造出大尺寸全息光栅。2、本发明由于采用宽度为准直透镜口径1/10～1/5的光束沿光栅矢量对基板进行扫描曝光，因此本发明能够克服已有曝光拼接方法存在的接缝问题，也不需要与光栅面积相当的大口径非球面镜。3、本发明由于通过锁定潜像光栅干涉条纹或者参考光栅干涉条纹的位相和姿态，能够消除影响扫描效果的位相误差、栅线不平行和光栅周期误差等，因此本发明能够实现光栅位相、栅线方向和光栅周期的锁定，且锁定***简单、精度较高，而不需要像现有技术中扫描曝光那样复杂的双频位相测量与条纹锁定***。4、本发明由于宽光束扫描曝光使得基板上一个点历经曝光光束上多个点的照射，一方面通过扫描的平均效果实现对微观结构的平滑作用，减小甚至消除曝光光束中的高频误差，直接降低杂散光；另一方面扫描过程中基板上沿光栅矢量的各点历经完全相同的曝光过程，可以改善曝光均匀性，降低像差，间接降低杂散光；因此本发明能够制作低杂散光的光栅。基于以上优点，本发明可以广泛应用于大尺寸或低杂散光全息光栅的制作中。
附图说明
图1是本发明宽光束扫描曝光方法中的光路示意图；
图2是本发明宽光束扫描曝光方法中各步骤示意图；其中，阴影区域表示用于产生潜像条纹。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细的描述。
本发明宽光束扫描曝光方法的工作原理为：在锁定曝光光束相对基板的位相和姿态的基础上，用准直透镜口径1/10到1/5宽的光束沿光栅矢量扫描曝光。可以根据实际需要调整光束宽度，窄光束质量好，但需要的曝光时间长；宽光束质量相对差，但需要的曝光时间短。在曝光过程中，要求干涉场和基板严格地以相同的速度和方向移动(整个干涉场不动，但干涉场的位相在做平移)，否则基板表面涂覆的光刻胶里记录的干涉条纹就会被抹平。当基板依次通过宽光束被曝光，已曝光的部分产生的潜像光栅或者置于基板下方(或者侧方)的参考光栅用于条纹锁定，可以同时锁定位相、栅线方向和光栅周期。在扫描过程中，沿光栅矢量方向的曝光长度是不受限制的，且不会产生接缝，因此本发明宽光束扫描曝光方法是一种低成本、快速有效的制作大光栅的方法。同时，由于宽光束扫描曝光使得基板上一个点历经曝光光束上多个点的照射，可以平均掉光束中的高频误差，从而减小光栅槽形误差、粗糙度和栅距误差，因此本发明宽光束扫描曝光方法能够制作低杂散光的光栅。
本发明宽光束扫描曝光方法包括以下步骤：
1)如图1所示，设置一双光束曝光***，其包括激光器1、分光镜2、第一反射镜3、第二反射镜4、第三反射镜5、第一显微物镜6、第二显微物镜7、第一针孔8、第二针孔9、第一准直透镜10、第二准直透镜11和涂覆光刻胶的基板12，激光器1发出的光束经分光镜2分成两束，第一束光经第一反射镜3反射后进入第一显微物镜6中，经第一显微物镜6聚焦后进入第一针孔8，经第一针孔8滤波后进入第一准直透镜10，经第一准直透镜10准直后成为第一平行光束；第二束光依次经第二、第三反射镜4、5反射后进入第二显微物镜7，经第二显微物镜7聚焦后进入第二针孔9，经第二针孔9滤波后进入第二准直透镜11，经第二准直透镜11准直后成为第二平行光束；第一、第二平行光束在涂覆光刻胶的基板12表面形成干涉场。其中，将该双光束曝光***中沿光栅矢量方向作为x方向，沿光栅栅线方向作为y方向，沿基板法线方向作为z方向。
2)如图2(a)所示，利用挡光屏限制基板12表面形成的干涉场，并在基板12右边缘留出面积为A×d的矩形区域；将第一准直透镜10和第二准直透镜11的口径设置为D，利用宽度d为D/10～D/5的光束对基板12右边缘面积为A×d的矩形区域进行曝光，曝光时间为t，得到一条面积为A×d的工艺边，此时工艺边上就得到了衍射效率非常低的潜像光栅。
3)如图1和图2(b)所示，在第一准直透镜10与基板12之间的光路上推入第一衰减光楔13，使得第一平行光束照射到面积为A×d的工艺边上的部分被完全衰减；在第二准直透镜11与基板12之间的光路上推入第二衰减光楔14，使得第二平行光束照射到工艺边上的部分被完全衰减；由于第一、第二衰减光楔13、14楔角的存在，衰减后的第一平行光束和第二平行光束照到潜像光栅上时，潜像光栅对第一平行光束的0级衍射光和潜像光栅对第二平行光束的-1级衍射光发生干涉，形成面积为A×d的对比度和间距适中的横向干涉条纹，即潜像条纹。在第二平行光束侧设置一探测器15，第二衰减光楔14将潜像条纹反射到探测器15上，探测器15接收到的面积为A×d的潜像条纹用于条纹锁定。
4)如图2(b)所示，将挡光屏相对于基板12沿-x方向移动，在基板12上工艺边左侧留出面积为A×4d的矩形区域。基板12静止不动，对工艺边左侧面积为A×3d的区域进行t时间曝光；对位于面积为A×3d区域左侧的面积为A×d的区域进行线性曝光。
进行线性曝光时，其具体过程为：
在面积为A×3d区域左侧的面积为A×d的区域上方遮挡一挡板，挡板将该区域上方的光束完全遮挡。开始曝光后，将挡板以v＝d/t的速度相对于基板12沿-x方向匀速拉开，使得面积为A×d的区域被曝光，且曝光时间沿x方向呈线性变化，其中，该区域右端的曝光时间为t，左端的曝光时间为0。
在对工艺边左侧面积为A×4d的区域进行曝光的过程中，利用探测器15探测步骤3)中面积为A×d的潜像条纹上点P1的光强，即位相变化。如图1所示，在第一反射镜3与第一显微物镜6之间的光路上增设第一声光调制器16，在第三反射镜5与第二显微物镜7之间的光路上增设第二声光调制器17，第一声光调制器16对第一光束进行调制，第二声光调制器17对第二光束进行调制，使得调制后的第一光束和第二光束之间产生位相差，利用位相差对探测器15探测到的位相变化进行补偿，使得面积为A×d的潜像条纹保持不动。
5)如图2(c)所示，相对于基板12继续沿-x方向推入第一、第二衰减光楔13、14，使得照射到面积为A×3d的静止曝光区域的光束被完全衰减，形成面积为A×3d的潜像条纹。令基板12以速度v沿+x方向匀速移动，利用宽度为d的光束对面积为A×3d的潜像条纹左侧的全部区域依次进行扫描曝光，即开始扫描曝光过程。
在这一扫描曝光过程中，探测器15探测面积为A×3d的潜像条纹上点P2、点P3和点P4的光强。对于点P2的光强变化，即条纹位相变化，通过第一声光调制器16和第二声光调制器17在第一、第二光束之间产生的位相差来进行补偿。对于点P3相对于点P2的光强变化，即条纹间距变化，通过调整第一针孔8沿y方向的位置进行补偿。对于点P4相对于点P2的光强变化，即条纹倾斜变化，通过调整第一针孔8在xz平面内垂直第一光束方向的位置进行补偿。通过上述三种补偿，使得面积为A×3d的潜像条纹在扫描曝光过程中保持不动。
6)如图2(d)所示，保持步骤5)中面积为A×3d的潜像条纹锁定，直到基板12左边缘离开扫描光束的右边缘，整个扫描曝光过程结束。取下基板12，显影得到浮雕光栅。
上述步骤3)中，探测器15可以采用光电倍增管或EMCCD(Electron-MultiplyingCCD，电子倍增电荷耦合器件)。
上述步骤3)中，可以用放置在基板12下方或者侧方的参考光栅代替面积为A×d的潜像光栅，本发明宽光束扫描曝光方法介绍的制造光栅的方法依然有效，只需省略掉上述步骤中的步骤2)、步骤3)和步骤4)，把步骤5)中用潜像条纹锁定改为用参考光栅产生的干涉条纹锁定，并对基板12进行扫描曝光即可。此时，虽然参考光栅的长度将限制所制作光栅的长度，但扫描对光栅杂散光的消除依然成立，可以单独作为一种制作低杂散光光栅的方法。
上述各实施例仅用于说明本发明，其中各部件的结构、连接方式和方法步骤等都是可以有所变化的，凡是在本发明技术方案的基础上进行的等同变换和改进，均不应排除在本发明的保护范围之外。
Claims (3)
1.一种宽光束扫描曝光方法，其包括以下步骤：
1)设置一双光束曝光***，其包括激光器、分光镜、第一至第三反射镜、第一至第二显微物镜、第一至第二针孔、第一至第二准直透镜和涂覆光刻胶的基板，激光器发出的光束经分光镜分成两束，第一束光经第一反射镜反射后进入第一显微物镜中，经第一显微物镜聚焦后进入第一针孔，经第一针孔滤波后进入第一准直透镜，经第一准直透镜准直后成为第一平行光束；第二束光依次经第二、第三反射镜反射后进入第二显微物镜，经第二显微物镜聚焦后进入第二针孔，经第二针孔滤波后进入第二准直透镜，经第二准直透镜准直后成为第二平行光束；第一、第二平行光束在涂覆光刻胶的基板表面形成干涉场；将所述双光束曝光***中沿光栅矢量方向作为x方向，沿光栅栅线方向作为y方向，沿基板法线方向作为z方向；
2)利用挡光屏限制基板表面形成的干涉场，并在基板右边缘留出面积为A×d的矩形区域；将第一、第二准直透镜的口径设置为D，利用宽度d为D/10～D/5的光束对基板右边缘面积为A×d的矩形区域进行曝光，曝光时间为t，得到一条面积为A×d的工艺边，此时工艺边上就得到了潜像光栅；
3)在第一准直透镜与基板之间的光路上推入第一衰减光楔，使得第一平行光束照射到面积为A×d的工艺边上的部分被完全衰减；在第二准直透镜与基板之间的光路上推入第二衰减光楔，使得第二平行光束照射到工艺边上的部分被完全衰减；在面积为A×d的工艺边上形成面积为A×d的潜像条纹；
在第二平行光束侧设置一探测器，第二衰减光楔将面积为A×d的潜像条纹反射到探测器上，探测器接收到的潜像条纹用于条纹锁定；
4)将挡光屏相对于基板沿-x方向移动，在基板上工艺边左侧留出面积为A×4d的矩形区域；基板静止不动，对工艺边左侧面积为A×3d的区域进行t时间曝光；对位于面积为A×3d区域左侧的面积为A×d的区域进行线性曝光；
在对工艺边左侧面积为A×4d的区域进行曝光的过程中，利用探测器探测步骤3)中面积为A×d的潜像条纹上的位相变化；在第一反射镜与第一显微物镜之间的光路上增设第一声光调制器，在第三反射镜与第二显微物镜之间的光路上增设第二声光调制器，第一声光调制器对第一光束进行调制，第二声光调制器对第二光束进行调制，使得调制后的第一光束和第二光束之间产生位相差，利用位相差对探测器探测到的位相变化进行补偿，使得面积为A×d的潜像条纹保持不动；
其中，对位于面积为A×3d区域左侧的面积为A×d的区域进行线性曝光，其具体过程为：在面积为A×3d区域左侧的面积为A×d的区域上方遮挡一挡板，挡板将该区域上方的光束完全遮挡；开始曝光后，将挡板以v＝d/t的速度相对于基板沿-x方向匀速拉开，使得面积为A×d的区域被曝光，且曝光时间沿x方向呈线性变化，该面积为A×d的区域右端的曝光时间为t，左端的曝光时间为0；
5)相对于基板继续沿-x方向推入第一、第二衰减光楔，使得照射到面积为A×3d的静止曝光区域的光束被完全衰减，形成面积为A×3d的潜像条纹；
利用宽度为d的光束对面积为A×3d的潜像条纹左侧的全部区域依次进行扫描曝光，扫描曝光过程中基板以速度v沿+x方向匀速移动；
在扫描曝光过程中，利用探测器探测面积为A×3d的潜像条纹上的条纹位相变化、条纹间距变化和条纹倾斜变化，对于条纹位相变化，通过第一声光调制器和第二声光调制器在第一、第二光束之间产生的位相差来进行补偿；对于条纹间距变化，通过调整第一针孔沿y方向的位置进行补偿；对于条纹倾斜变化，通过调整第一针孔在xz平面内垂直第一光束方向的位置进行补偿，通过上述三种补偿，使得面积为A×3d的潜像条纹在扫描曝光过程中保持不动；
6)保持步骤5)中面积为A×3d的潜像条纹锁定，直到基板左边缘离开曝光光束的右边缘，整个扫描曝光过程结束；取下基板，显影得到浮雕光栅。
2.如权利要求1所述的一种宽光束扫描曝光方法，其特征在于：所述步骤2)中，面积为A×d的潜像光栅用放置在基板下方或者侧方的参考光栅代替，并将用参考光栅上产生的干涉条纹锁定代替步骤5)中的用潜像条纹锁定。
3.如权利要求1所述的一种宽光束扫描曝光方法，其特征在于：所述步骤3)中，探测器采用光电倍增管和电子倍增电荷耦合器件中的一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510013442.4A CN104570620B (zh) | 2015-01-12 | 2015-01-12 | 一种宽光束扫描曝光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510013442.4A CN104570620B (zh) | 2015-01-12 | 2015-01-12 | 一种宽光束扫描曝光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104570620A CN104570620A (zh) | 2015-04-29 |
| CN104570620B true CN104570620B (zh) | 2016-09-21 |
Family
ID=53087040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510013442.4A Active CN104570620B (zh) | 2015-01-12 | 2015-01-12 | 一种宽光束扫描曝光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104570620B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108318954B (zh) * | 2018-04-09 | 2019-12-27 | 苏州大学 | 一种制作米量级光栅的***及方法 |
| CN111065968B (zh) * | 2018-05-22 | 2022-02-08 | 苏州大学 | 一种全息光栅光刻***及其干涉光路自准直的调节方法 |
| CN109870754B (zh) * | 2019-03-25 | 2020-04-10 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种二维平面全息光栅曝光装置 |
| CN110007385B (zh) * | 2019-05-21 | 2020-08-11 | 清华大学 | 用于制作光栅的全息曝光***及方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6882477B1 (en) * | 1999-11-10 | 2005-04-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and system for interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
| US7981591B2 (en) * | 2008-03-27 | 2011-07-19 | Corning Incorporated | Semiconductor buried grating fabrication method |
| CN101726778B (zh) * | 2009-11-05 | 2011-04-20 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 凹面全息光栅制作中光栅基底的双光束定位方法 |
-
2015
- 2015-01-12 CN CN201510013442.4A patent/CN104570620B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104570620A (zh) | 2015-04-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104570620B (zh) | 一种宽光束扫描曝光方法 | |
| DE102015207431B4 (de) | Erfassungsvorrichtung und -verfahren einer Oberflächenform verwendend eine Beugungswellenfront einer Aperturblendenstitchmessung | |
| DE68908879T2 (de) | Verfahren und vorrichtung für optische messungen. | |
| CN101726779B (zh) | 一种制作全息双闪耀光栅的方法 | |
| CN107894288B (zh) | 部分相干光条件下的涡旋光束拓扑荷的测量方法及*** | |
| CN101799569B (zh) | 一种制作凸面双闪耀光栅的方法 | |
| CN107144955A (zh) | 基于线扫描时空聚焦的结构光显微成像*** | |
| JP7453981B2 (ja) | ライトフィールド結像システムの較正 | |
| CN109405752A (zh) | 光学测量装置及光学测量方法 | |
| CN106537104B (zh) | 用于光束表征的设备和方法 | |
| CN108318954B (zh) | 一种制作米量级光栅的***及方法 | |
| CN105333815B (zh) | 一种基于光谱色散线扫描的超横向分辨率表面三维在线干涉测量*** | |
| CN102564575A (zh) | 一种基于正交光楔分光特性及焦斑重构算法的激光远场焦斑测量方法 | |
| EP2326915A1 (de) | Verfahren und anordnung zur erfassung von konturdaten und/oder optischen eigenschaften eines dreidimensionalen semitransparenten objekts | |
| CN103499429B (zh) | 透射型大口径元件相位测量方法 | |
| CN105890529A (zh) | 测量细丝直径的方法及装置 | |
| CN110954522A (zh) | 一种多焦点超分辨光学显微成像方法及装置 | |
| WO2020015872A1 (de) | Diffraktiver biosensor | |
| CN108646396A (zh) | 自动对焦显微镜*** | |
| CN108761602A (zh) | 一种全息光栅光刻***中干涉光路自准直的调节方法 | |
| CN110160440A (zh) | 一种基于频域oct技术的三维彩色动态成像装置及方法 | |
| CN207965204U (zh) | 一种制备米量级光栅的扫描曝光装置 | |
| CN104697454A (zh) | 一种基于双光栅的细丝直径测量方法和装置 | |
| CN101893766B (zh) | 一种变入射光角度实现相移的方法及其装置 | |
| CN113092073A (zh) | 一种液晶空间光调制器相位调制特性自动测量方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |