CN104553199A - 三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法 - Google Patents

三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104553199A
CN104553199A CN201510022447.3A CN201510022447A CN104553199A CN 104553199 A CN104553199 A CN 104553199A CN 201510022447 A CN201510022447 A CN 201510022447A CN 104553199 A CN104553199 A CN 104553199A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
polyvinylidene fluoride
dielectric
kynoar
layers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510022447.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104553199B (zh
Inventor
翁凌
李红霞
刘立柱
鞠培海
王婷
闫利文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harbin University of Science and Technology
Original Assignee
Harbin University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harbin University of Science and Technology filed Critical Harbin University of Science and Technology
Priority to CN201510022447.3A priority Critical patent/CN104553199B/zh
Publication of CN104553199A publication Critical patent/CN104553199A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104553199B publication Critical patent/CN104553199B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/304—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising vinyl halide (co)polymers, e.g. PVC, PVDC, PVF, PVDF
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/02—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by a sequence of laminating steps, e.g. by adding new layers at consecutive laminating stations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/06—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the heating method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/24—Acids; Salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L27/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L27/02—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L27/12—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C08L27/16—Homopolymers or copolymers or vinylidene fluoride

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

<b>一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。传统</b><b>聚偏氟乙烯是一种热塑性聚合物，有限的介电常数满足不了现代嵌入式电容器和半导体存储器件对材料高介电性能的要求，钛酸钡作为高介电常数的铁电陶瓷广泛应用于聚合物中改善聚合物的介电性能；但是掺杂量较高时，随着复合材料的介电性能的提高时其力学性能也急剧下降，达不到高容量电器元件对聚合物介电性能和力学性能的要求</b><b>。一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜，其组成是：纯聚偏氟乙烯层，所述的纯聚偏氟乙烯层（</b><b>2</b><b>）的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（</b><b>3</b><b>），所述的纯聚偏氟乙烯层的下面也具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（</b><b>1</b><b>）。本发明应用于三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。</b>

Description

三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法
技术领域：
本发明涉及一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。
背景技术：
随着我国经济和科技的高速发展，电容器的微型化和嵌入式以及高容量存储器件的需求急剧增加。以聚合物为基体制备具有高介电常数和低接电损耗的杂化材料成为现代电介质材料的发展趋势；
聚偏氟乙烯因为比其他聚合物具有较高的介电常数和较低的介电损耗，所以被广泛应用于嵌入式电容器和半导体存储器件中；但是，聚偏氟乙烯是一种热塑性聚合物，有限的介电常数满足不了现代嵌入式电容器和半导体存储器件对材料高介电性能的要求，钛酸钡作为高介电常数的铁电陶瓷广泛应用于聚合物中改善聚合物的介电性能；
但是掺杂量较高时，随着复合材料的节电性能的提高时其力学性能也急剧下降，达不到高容量电器元件对聚合物介电性能和力学性能的要求。因此，开发一种高介电常数、低介电损耗和高力学性能的杂化材料具有十分重要的意义。
发明内容：
本发明的目的是提供一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。
上述的目的通过以下的技术方案实现：
一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜，其组成是：纯聚偏氟乙烯层，所述的纯聚偏氟乙烯层的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层，所述的纯聚偏氟乙烯层的下面也具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层。
所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯采用聚乙烯吡咯烷（PVP）改性钛酸钡溶胶制成，即将改性后的钛酸钡溶于50mL N,N二甲基甲酰胺中超声震荡1h，加入10.25g聚偏氟乙烯粉末，在60℃温度下超声溶解反应2h，得掺杂改性钛酸钡溶胶。
所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，所述的改性钛酸钡粉体的制备中，所述PVP的分子量为10000，改性后的钛酸钡与聚偏氟乙烯的质量之比为0.1:1~0.5:1。
所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，将所述的改性钛酸钡掺杂的溶胶进行杂质过滤和抽气泡，然后用铺膜机铺一层0.01mm~0.05m厚度的薄膜，将该薄膜在80℃下烘干得聚偏氟乙烯杂化薄膜。
所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，所述的钛酸钡改性处理中，所述所述的PVP单体与钛酸钡粉末的物质的量之比为0.04:1。
所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，中层纯聚偏氟乙烯由10.25g聚偏氟乙烯粉末溶于50mL N,N二甲基甲酰胺中，在60℃温度下超声震荡2h，得纯聚偏氟乙烯溶胶。
所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，将纯溶胶进行抽滤和抽气泡，然后用铺膜机在改性钛酸钡掺杂的聚偏氟乙烯杂化薄膜上铺一层0.01mm~0.05m厚度的薄膜，将该薄膜在80℃下烘干得底层为改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯薄膜中层为纯聚偏氟乙烯薄膜的双层杂化薄膜。
所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，用铺膜机在底层为改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯薄膜中层为聚偏氟乙烯纯膜的双层杂化薄膜上铺0.01mm~0.05m厚度的改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯薄膜，将该杂化薄膜在80℃下烘干得底层为聚偏氟乙烯杂化薄膜中层为聚偏氟乙烯纯膜上层为聚偏氟乙烯杂化薄膜的三层杂化薄膜。
所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，将三层杂化薄膜用平板硫化机在170-180℃的温度下，在10-20MPa的压力下进行压片，半个小时后得高介电和高力学性能的聚偏氟乙烯三层杂化薄膜。
本发明的有益效果：
1.本发明制备的高介电和高力学性能的三层杂化薄膜，将其应用于制备嵌入式电容器和半导体存储器件中，能有效增加其与主板聚合物的相容性，以及有效提高其的电容性和存储量，为微型嵌入式电容和高存储量的半导体存储器件的开发提供一种新技术。
本发明制备的高介电和高力学性能的三层杂化薄膜，用改性的钛酸钡掺杂聚偏氟乙烯（PVDF），极大的提高了杂化聚偏氟乙烯的介电性能，制备的上层、底层为改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层和中间层为纯聚偏氟乙烯层，极大的提高了三层杂化薄膜的介电性能和力学性能。
本发明制备的高介电和高力学性能的三层杂化薄膜，所述上层和底层改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯薄膜厚度和中层纯聚偏氟乙烯薄膜的厚度均为0.01mm~0.05m。其厚度小，介电性能强，力学性能高，与主板聚合物的相容性能好，充分发挥了其嵌入式电容器和高半导体存储器件的应用能力。
本发明制备的高介电和高力学性能的三层杂化薄膜，其制备方法简单，制备过程中不需要高温高压煅烧处理，成本低安全系数高，适合工业化生产。
附图说明：
附图1 是本发明一种高介电和高力学性能的聚偏氟乙烯三层杂化膜的局
部剖视示意图。图中：1-BaTiO 3 /PVDF层  2-纯PVDF层  3- BaTiO 3 /PVDF层
具体实施方式：
实施例1：
一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜，其组成是：纯聚偏氟乙烯层，所述的纯聚偏氟乙烯层2的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层3，所述的纯聚偏氟乙烯层的下面也具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层1。
实施例2：
根据实施例1所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯采用聚乙烯吡咯烷（PVP）改性钛酸钡溶胶制成，即将改性后的钛酸钡溶于50mL N,N二甲基甲酰胺中超声震荡1h，加入10.25g聚偏氟乙烯粉末，在60℃温度下超声溶解反应2h，得掺杂改性钛酸钡溶胶。
实施例3：
根据实施例2所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，所述的改性钛酸钡粉体的制备中，所述PVP的分子量为10000，改性后的钛酸钡与聚偏氟乙烯的质量之比为0.1:1~0.5:1。
实施例4：
根据实施例2或3所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，将所述的改性钛酸钡掺杂的溶胶进行杂质过滤和抽气泡，然后用铺膜机铺一层0.01mm~0.05m厚度的薄膜，将该薄膜在80℃下烘干得聚偏氟乙烯杂化薄膜。
实施例5：
根据实施例.2或3或4所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，所述的钛酸钡改性处理中，所述所述的PVP单体与钛酸钡粉末的物质的量之比为0.04:1。
实施例6：
根据实施例.2或3或4或5所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，中层纯聚偏氟乙烯由10.25g聚偏氟乙烯粉末溶于50mL N,N二甲基甲酰胺中，在60℃温度下超声震荡2h，得纯聚偏氟乙烯溶胶。
实施例7：
根据实施例.2或3或4或5或6所述的一种的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，将纯溶胶进行抽滤和抽气泡，然后用铺膜机在改性钛酸钡掺杂的聚偏氟乙烯杂化薄膜上铺一层0.01mm~0.05m厚度的薄膜，将该薄膜在80℃下烘干得底层为改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯薄膜中层为纯聚偏氟乙烯薄膜的双层杂化薄膜。
实施例8：
根据实施例.2或3或4或5或6或7的一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，用铺膜机在底层为改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯薄膜中层为聚偏氟乙烯纯膜的双层杂化薄膜上铺0.01mm~0.05m厚度的改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯薄膜，将该杂化薄膜在80℃下烘干得底层为聚偏氟乙烯杂化薄膜中层为聚偏氟乙烯纯膜上层为聚偏氟乙烯杂化薄膜的三层杂化薄膜。
实施例9：
根据实施例.2或3或4或5或6或7或8所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，将三层杂化薄膜用平板硫化机在170-180℃的温度下，在10-20MPa的压力下进行压片，半个小时后得高介电和高力学性能的聚偏氟乙烯三层杂化薄膜。

Claims (9)

1.一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜，其组成是：纯聚偏氟乙烯层，其特征是：所述的纯聚偏氟乙烯层的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层，所述的纯聚偏氟乙烯层的下面也具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层。
2.一种权利要求1所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征是：改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯采用聚乙烯吡咯烷（PVP）改性钛酸钡溶胶制成，即将改性后的钛酸钡溶于50mL N,N二甲基甲酰胺中超声震荡1h，加入10.25g聚偏氟乙烯粉末，在60℃温度下超声溶解反应2h，得掺杂改性钛酸钡溶胶。
3.根据权利要求2所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征是：所述的改性钛酸钡粉体的制备中，所述PVP的分子量为10000，改性后的钛酸钡与聚偏氟乙烯的质量之比为0.1:1~0.5:1。
4.根据权利要求2或3所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征是：将所述的改性钛酸钡掺杂的溶胶进行杂质过滤和抽气泡，然后用铺膜机铺一层0.01mm~0.05m厚度的薄膜，将该薄膜在80℃下烘干得聚偏氟乙烯杂化薄膜。
5.根据权利要求2或3或4所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征是：所述的钛酸钡改性处理中，所述的PVP单体与钛酸钡粉末的物质的量之比为0.04:1。
6.根据权利要求2或3或4或5所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征是：中层纯聚偏氟乙烯由10.25g聚偏氟乙烯粉末溶于50mL N,N二甲基甲酰胺中，在60℃温度下超声震荡2h，得纯聚偏氟乙烯溶胶。
7.根据权利要求2或3或4或5或6所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征是：将纯溶胶进行抽滤和抽气泡，然后用铺膜机在改性钛酸钡掺杂的聚偏氟乙烯杂化薄膜上铺一层0.01mm~0.05m厚度的薄膜，将该薄膜在80℃下烘干得底层为改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯薄膜中层为纯聚偏氟乙烯薄膜的双层杂化薄膜。
8.根据权利要求2或3或4或5或6或7所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征是：用铺膜机在底层为改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯薄膜中层为聚偏氟乙烯纯膜的双层杂化薄膜上铺0.01mm~0.05m厚度的改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯薄膜，将该杂化薄膜在80℃下烘干得底层为聚偏氟乙烯杂化薄膜中层为聚偏氟乙烯纯膜上层为聚偏氟乙烯杂化薄膜的三层杂化薄膜。
9.根据权利要求2或3或4或5或6或7或8所述的三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征是：将三层杂化薄膜用平板硫化机在170-180℃的温度下，在10-20MPa的压力下进行压片，半个小时后得高介电和高力学性能的聚偏氟乙烯三层杂化薄膜。
CN201510022447.3A 2015-01-16 2015-01-16 三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法 Expired - Fee Related CN104553199B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510022447.3A CN104553199B (zh) 2015-01-16 2015-01-16 三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510022447.3A CN104553199B (zh) 2015-01-16 2015-01-16 三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104553199A true CN104553199A (zh) 2015-04-29
CN104553199B CN104553199B (zh) 2017-10-13

Family

ID=53070735

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510022447.3A Expired - Fee Related CN104553199B (zh) 2015-01-16 2015-01-16 三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104553199B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105219021A (zh) * 2015-08-19 2016-01-06 中南大学 一种介电复合材料
CN105235343A (zh) * 2015-10-28 2016-01-13 哈尔滨理工大学 高介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法
CN106633153A (zh) * 2016-12-29 2017-05-10 哈尔滨理工大学 一种三层结构的聚合物基介电储能纳米复合材料及其制备方法
CN107359051A (zh) * 2017-06-30 2017-11-17 同济大学 一种高能量密度三明治结构柔性复合材料及其制备方法
CN110556247A (zh) * 2019-09-11 2019-12-10 邯郸学院 一种三明治结构高储能低电导率聚合物基复合薄膜制备方法
CN112373162A (zh) * 2020-11-20 2021-02-19 湖北科技学院 一种具有三层结构的复合介电材料及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61123519A (ja) * 1984-11-20 1986-06-11 Mitsubishi Petrochem Co Ltd 誘電性フイルムの製造方法
CN102173155A (zh) * 2011-01-14 2011-09-07 北京化工大学 聚合物基陶瓷复合介电材料及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61123519A (ja) * 1984-11-20 1986-06-11 Mitsubishi Petrochem Co Ltd 誘電性フイルムの製造方法
CN102173155A (zh) * 2011-01-14 2011-09-07 北京化工大学 聚合物基陶瓷复合介电材料及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHUNXI HAI等: "Surfactant-assisted synthesis of mono-dispersed cubic BaTiO3 nanoparticles", 《MATERIALS RESEARCH BULLETIN》 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105219021A (zh) * 2015-08-19 2016-01-06 中南大学 一种介电复合材料
CN105235343A (zh) * 2015-10-28 2016-01-13 哈尔滨理工大学 高介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法
CN105235343B (zh) * 2015-10-28 2018-10-12 哈尔滨理工大学 高介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法
CN106633153A (zh) * 2016-12-29 2017-05-10 哈尔滨理工大学 一种三层结构的聚合物基介电储能纳米复合材料及其制备方法
CN107359051A (zh) * 2017-06-30 2017-11-17 同济大学 一种高能量密度三明治结构柔性复合材料及其制备方法
CN107359051B (zh) * 2017-06-30 2019-10-18 同济大学 一种高能量密度三明治结构柔性复合材料及其制备方法
CN110556247A (zh) * 2019-09-11 2019-12-10 邯郸学院 一种三明治结构高储能低电导率聚合物基复合薄膜制备方法
CN112373162A (zh) * 2020-11-20 2021-02-19 湖北科技学院 一种具有三层结构的复合介电材料及其制备方法
CN112373162B (zh) * 2020-11-20 2024-01-05 湖北科技学院 一种具有三层结构的复合介电材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104553199B (zh) 2017-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104553199A (zh) 三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法
CN100434393C (zh) 电子部件、电介质陶瓷组合物及其制造方法
CN107359051B (zh) 一种高能量密度三明治结构柔性复合材料及其制备方法
JP5895177B2 (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2008130844A (ja) 全固体型電気二重層コンデンサー
CN101781115A (zh) X8r型多层陶瓷电容器介质材料及制备方法
CN101899177B (zh) 一种高介电常数低模量介电弹性体材料及其制备方法
CN108456324A (zh) 一种表面涂覆工艺制备高性能无机/有机复合多层介电薄膜的方法及其应用
CN105121499A (zh) 导电性高分子微粒分散体和使用该导电性高分子微粒分散体的电解电容器以及它们的制造方法
CN113218543B (zh) 柔性压力传感器及其介电层、介电层的制备方法
CN103346014B (zh) 石墨纸-钛酸钡陶瓷薄膜电容器及其制备方法
CN106653359B (zh) 高介电常数二氧化钛/石墨烯复合材料的制备方法
CN107958794A (zh) 超薄柔性全固态石墨烯水凝胶超级电容器及其制备方法
KR20150073191A (ko) 무정형 활성탄 물질 및 이의 제조방법
US9183987B2 (en) Multilayered ceramic component
CN110676068B (zh) 一种聚多巴胺包覆MoS2-多孔碳超级电容器材料及其制法
CN102936351B (zh) 一种聚偏氟乙烯/钛酸钡复合膜材料的制备方法
CN204303756U (zh) 聚偏氟乙烯高介电膜
CN101908415B (zh) X8r特性片式多层陶瓷电容器的制备方法
CN101030478A (zh) 一种高介金属－电介质复合陶瓷电容器介质及其制备方法
CN111171379A (zh) 球状Ag@T-ZnOw粉体的制备方法以及制备高介电聚合物复合薄膜的方法和应用
CN113461422B (zh) 一种高压电、抗疲劳铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法
CN1322052C (zh) 高介电常数的三元复合材料及其制备方法
CN111218072B (zh) 一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法
JPH10287412A (ja) 固形状活性炭

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20171013

Termination date: 20190116