CN104542207A - 一种人工培育石斛返野种植方法 - Google Patents

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张远国
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Anhui Province Ecological Huoshan County Yishengyuan Agriculture Development Co Ltd
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    • A01G31/00—Soilless cultivation, e.g. hydroponics
    • A—HUMAN NECESSITIES
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    • A01G24/00—Growth substrates; Culture media; Apparatus or methods therefor

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  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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Abstract

本发明属于植物栽培技术领域，具体涉及一种人工种培育霍山石斛完全返野生种植方法，在石斛萌发初期将其放入特定配比的培养基内培养，提高其存活率，使得培育出的石斛幼苗健壮、根系发达，待石斛幼苗经过9-10个月的发育后移栽至大棚内培养一年，最后移栽至海拔600-800米山体适应野生环境地方小面积连片种植，移栽初期在山体的孔洞内提供石斛种苗根系依附在岩体上的肥料，提高石斛野外存活的机率，对濒临危机紧缺药用植物再生和持续利用有着十分积极的意义，相对于大棚内的石斛更具有药用价值和市场价值。

Description

一种人工培育石斛返野种植方法
技术领域
本发明属于植物栽培技术领域，具体涉及一种人工种培育石斛返野种植方法。
背景技术
霍山石斛为兰科的一个属类，石斛属植物种类繁多，全世界共有一千五百多种，广泛分布于热带及亚热带地区。我国约有76 种，主要分布于西南、华东及华南地区。霍山石斛是我国传统的名贵中药。《神农本草经》、《本草纲目拾遗》等均有详细记载，以新鲜或干燥茎入药，具有滋阴清热、养胃生津、补肾益精之功效。并且，现代研究表明，石斛含有的多糖、生物碱和酚类化合物，具有抗肿瘤、抗衰老、增强人体免疫能力和扩张血管的作用。并且此物种只产于大别山境内，属国家濒危保护物种。
长期以来，人们只采挖野生的石斛却不种植，导致野生石斛资源濒临灭绝，国家已将霍山石斛引为一类重点保护的珍惜濒危物种，并鼓励人工大面积种植，变野生为家种，以保障霍山石斛的可持续发展，但人工培育的石斛始终不能与野生石斛的药用价值相比较，而野生石斛又由于采挖濒临灭绝，目前还没有一种方法可以提高野生石斛种植面积。
发明内容
为解决野生霍山石斛濒临灭绝的现状，本发明提供一种先用人工培育出石斛幼苗，待成苗后移栽至野外的一种种植方法。
本发明采用的技术方案为，一种人工培育石斛返野种植方法，其包括如下步骤：
a、对霍山石斛种子进行常规消毒灭菌；
b、将消毒后的霍山石斛种子放入装有萌发培养基的培养瓶里进行萌发，在温度20℃-25℃、湿度60％～ 65％、光照1500 ～ 2000lx 的环境下培养1个月，所述培养基中含有1/2MS 基本培养基+NAA 0.4mg/L+15％土豆汁+10%椰汁+0.9％琼脂的培养基里进行种子萌发培养；
c、将培养1个月的石斛幼苗进行第一次转瓶，使石斛幼苗之间的间隔面积大于0.004㎡，温度控制在22℃-26℃，湿度55％～ 60％，光照2000 ～ 2200lx 的环境下培养2个月，瓶内培养基中含有1/3MS 基本培养基+NAA 0.5mg/L+15％香蕉汁+10%椰汁+0.9％琼脂的培养基里进行培养2个月；
d、将培养3个月的石斛幼苗进行第二次转瓶，使石斛幼苗之间的间隔面积大于0.008㎡，温度控制在23℃-25℃，湿度50％～ 55％，光照2200 ～ 2400lx 的环境下培养2个月，瓶内培养基中含有1/4MS 基本培养基+NAA 0.5mg/L+20％香蕉汁+10%椰汁+0.9％琼脂的培养基里进行培养2个月；
e、将培养5个月的石斛幼苗进行第三次转瓶，使石斛幼苗之间的间隔面积大于0.01㎡，温度控制在20℃-22℃，湿度60％～ 65％，光照2000 ～ 2200lx 的环境下培养2个月，瓶内培养基中含有1/4MS 基本培养基+NAA 0.5mg/L+20％香蕉汁+10%椰汁+0.9％琼脂的培养基里进行培养4-5个月；
f、将石斛幼苗从培养基内取出，用清水冲洗干净，将幼苗根部置于100mg/L的ABT生根粉中浸泡10分钟，用1000倍多菌灵浸泡整株小苗10分钟；
g、将石斛苗移栽至大棚内培育1年，大棚种植基质选取发酵3个月以上的松树表皮颗粒，大棚内的温度控制在22℃～ 25℃，湿度控制在70% ～74%；
h、选取根系发达，苗体健壮的石斛种苗；
i、选取海拔400米-800米的花岗岩山体，常年平均气温18℃至20℃，空气相对湿度在80～85% ，在东南向的岩体上人工打孔，孔径大于4公分，孔口朝上倾斜65°—70°；
j、将石斛种苗的根茎用订书钉紧固在木楔上，避免订书钉的钉脚损伤到石斛种苗的根茎，木楔的直径小于3公分；
k．将木楔置于岩体孔洞中，使根茎完全舒展，剩余空间填充70%的松针粉、30的栎树叶。
本发明通过人工培育出石斛幼苗，选育出根系发达，苗体健壮的石斛种苗移栽至海拔600-800米岩石山上小面积连片种植，使霍山石斛更具有药用价值和市场价值。

Claims (1)

1.一种人工培育霍山石斛完全返野生种植方法，其包括如下步骤：
a、对霍山石斛种子进行常规消毒灭菌；
b、将消毒后的霍山石斛种子放入装有萌发培养基的培养瓶里进行萌发，在温度20℃-25℃、湿度60％～ 65％、光照1500 ～ 2000lx 的环境下培养1个月，所述培养基中含有1/2MS 基本培养基+NAA 0.4mg/L+15％土豆汁+10%椰汁+0.9％琼脂的培养基里进行种子萌发培养；
c、将培养1个月的石斛幼苗进行第一次转瓶，使石斛幼苗之间的间隔面积大于0.004㎡，温度控制在22℃-26℃，湿度55％～ 60％，光照2000 ～ 2200lx 的环境下培养2个月，瓶内培养基中含有1/3MS 基本培养基+NAA 0.5mg/L+15％香蕉汁+10%椰汁+0.9％琼脂的培养基里进行培养2个月；
d、将培养3个月的石斛幼苗进行第二次转瓶，使石斛幼苗之间的间隔面积大于0.008㎡，温度控制在23℃-25℃，湿度50％～ 55％，光照2200 ～ 2400lx 的环境下培养2个月，瓶内培养基中含有1/4MS 基本培养基+NAA 0.5mg/L+20％香蕉汁+10%椰汁+0.9％琼脂的培养基里进行培养2个月；
e、将培养5个月的石斛幼苗进行第三次转瓶，使石斛幼苗之间的间隔面积大于0.01㎡，温度控制在20℃-22℃，湿度60％～ 65％，光照2000 ～ 2200lx 的环境下培养2个月，瓶内培养基中含有1/4MS 基本培养基+NAA 0.5mg/L+20％香蕉汁+10%椰汁+0.9％琼脂的培养基里进行培养4-5个月；
f、将石斛幼苗从培养基内取出，用清水冲洗干净，将幼苗根部置于100mg/L的ABT生根粉中浸泡10分钟，用1000倍多菌灵浸泡整株小苗10分钟；
g、将石斛苗移栽至大棚内培育1年，大棚种植基质选取发酵3个月以上的松树表皮颗粒；
大棚内的温度控制在22℃～ 25℃，湿度控制在70% ～74%；
h、选取根系发达，苗体健壮的石斛种苗；
i、选取海拔400米-800米的花岗岩山体，常年平均气温18℃至20℃，空气相对湿度在80～85% ，在东南向的岩体上人工打孔，孔径大于4公分，孔口朝上倾斜65°—70°；
j、将石斛种苗的根茎用订书钉紧固在木楔上，避免订书钉的钉脚损伤到石斛种苗的根茎，木楔的直径小于3公分；
k．将木楔置于岩体孔洞中木楔头平整于岩石表面，使根茎完全舒展，剩余空间填充70%的松针粉、30的栎树叶。
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