CN104536224B - 薄膜晶体管阵列基板及显示面板 - Google Patents

薄膜晶体管阵列基板及显示面板 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板。薄膜晶体管阵列基板上设置多个像素，每个像素包括沿第一方向依次排列的第一子像素、第二子像素及第三子像素，第一至第三子像素连接至同一条扫描线，薄膜晶体管阵列基板上还设置沿第一方向依次排列的第一数据线、第二数据线及第三数据线，第一数据线用于驱动第一子像素，第二数据线用于驱动第二子像素，第三数据线用于驱动第三子像素，第一子像素包括沿第二方向排列的第一区域及第二区域，第二子像素包括沿第二方向排列的第三区域及第四区域，第三子像素包括沿第二方向排列的第五区域及第六区域，第六区域内的子像素电极与公共电极的电压差不同于第五区域内的子像素电极与公共电极的电压差。

Description

薄膜晶体管阵列基板及显示面板
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)是一种常用的电子设备，由于其具有功耗低、体积小、重量轻等特点，因此备受用户的青睐。目前的液晶显示器主要是以薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)液晶显示器为主。随着平面显示技术的发展，具有广视角的液晶显示器的需求被提出。传统的广视角液晶显示面板在大视角观看的时候往往会出现色偏的问题。因此，现有技术中液晶显示面板在大视角观看的时候会出现色偏等技术问题。
发明内容
本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板上设置呈阵列分布的多个像素，每个像素包括沿第一方向依次排列的第一子像素、第二子像素及第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素连接至同一条扫描线，所述薄膜晶体管阵列基板上还设置沿第一方向依次排列的第一数据线、第二数据线及第三数据线，所述第一数据线用于驱动所述第一子像素，所述第二数据线用于驱动所述第二子像素，所述第三数据线用于驱动所述第三子像素，所述第一子像素包括沿第二方向排列的第一区域及第二区域，所述第二子像素包括沿第二方向排列的第三区域及第四区域，所述第三子像素包括沿第二方向排列的第五区域及第六区域，所述第六区域内的子像素电极与公共电极的电压差不同于所述第五区域内的子像素电极与公共电极的电压差。
其中，所述第一区域内设置第一薄膜晶体管，所述第二区域内设置第二薄膜晶体管，所述第三区域内设置第三薄膜晶体管，所述第四区域内设置第四薄膜晶体管，所述第五区域内设置第五薄膜晶体管，所述第六区域内设置第六薄膜晶体管和第七薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管及所述第七薄膜晶体管的栅极连接同一条扫描线，所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述第一数据线，所述第一薄膜晶体管的源极依次连接第一主子像素电极、第一电容至公共电极，所述第二薄膜晶体管的源极依次连接第一次子像素电极、第二电容至公共电极，所述第三薄膜晶体管及所述第四薄膜晶体管的漏极连接所述第二数据线，所述第三薄膜晶体管的源极依次连接第二主子像素电极、第三电容至公共电极，所述第四薄膜晶体管的源极依次连接第二次子像素电极、第四电容至公共电极，所述第五薄膜晶体管及所述第六薄膜晶体管的漏极连接所述第三数据线，所述第五薄膜晶体管的源极依次连接第三主子像素电极、第五电容至公共电极，所述第六薄膜晶体管的源极依次连接第三次子像素电极、第六电容至公共电极，所述第七薄膜晶体管的漏极连接所述第三次子像素电极，所述第七薄膜晶体管的源极连接所述公共电极。
其中，所述第四区域内的子像素电极与公共电极的电压差不同于所述第三区域内的子像素电极与公共电极的电压差。
其中，所述第四区域内设置第八薄膜晶体管，所述第八薄膜晶体管的栅极连接所述扫描线，所述第八薄膜晶体管的漏极连接所述第二次子像素电极，所述第八薄膜晶体管的源极连接所述公共电极。
其中，所述薄膜晶体管阵列基板上还设置的第四数据线，所述第三数据线驱动所述第三子像素的第五区域，所述第四数据线驱动所述第三子像素的第六区域，所述第三数据线上加载的驱动电压与所述第四数据线上加载的驱动电压不同。
其中，所述第一区域内设置第一薄膜晶体管，所述第二区域内设置第二薄膜晶体管、所述第三区域内设置第四薄膜晶体管、所述第五区域内设置第五薄膜晶体管，所述第六区域内设置第六薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管的栅极连接同一条扫描线，所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述第一数据线，所述第一薄膜晶体管的源极依次连接第一主子像素电极、第一电容至公共电极，所述第二薄膜晶体管的源极依次连接所述第一次像素电极、第二电容至公共电极，所述第三薄膜晶体管及所述第四薄膜晶体管的漏极连接所述第二数据线，所述第三薄膜晶体管的源极依次连接第二主子像素电极、第三电容至公共电极，所述第四薄膜晶体管的源极依次连接第二次子像素电极、第四电容至公共电极，所述第五薄膜晶体管的漏极连接所述第三数据线，所述第五薄膜晶体管的源极依次连接第三主子像素电极、第五电容至公共电极，所述第六薄膜晶体管的漏极连接所述第四数据线，所述第六薄膜晶体管的源极依次连接第三次子像素电极、第六电容至公共电极。
其中，所述薄膜晶体管阵列基板上还设置第五数据线，所述第二数据线驱动所述第二子像素的第三区域，所述第五数据线驱动所述第二子像素的第四区域，所述第二数据线上加载的驱动电压与所述第五数据线上加载的驱动电压不同。
其中，所述第一区域内设置第一薄膜晶体管，所述第二区域内设置第二薄膜晶体管，所述第三区域内设置第三薄膜晶体管，所述第四区域内设置第四薄膜晶体管，所述第五区域内设置第五薄膜晶体管，所述第六区域内设置第六薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管的栅极连接同一条扫描线，所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述第一数据线，所述第一薄膜晶体管的源极依次连接所述第一主子像素电极、第一电容至公共电极，所述第二薄膜晶体管的源极依次连接所述第一次子像素电极、第二电容至公共电极，所述第三薄膜晶体管的源极依次连接第二主子像素电极、第三电容至公共电极，所述第三薄膜晶体管的漏极连接所述第二数据线，所述第四薄膜晶体管的源极依次连接第二次子像素电极、第四电容至公共电极，所述第四薄膜晶体管的漏极连接所述第五数据线，所述第五薄膜晶体管的漏极连接所述第三数据线，所述第五薄膜晶体管的源极依次连接第三主子像素电极、第五电容至公共电极，所述第六薄膜晶体管的漏极连接所述第四数据线，所述第六薄膜晶体管的源极依次连接第三次子像素电极、第六电容至公共电极。
其中，所述第一子像素为红色子像素，第二子像素为绿色子像素，所述第三子像素为蓝色子像素。
本发明还提供一种显示面板，所述显示面板包括上述各实施方式中任意一种实施方式的薄膜晶体管阵列基板。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明第一较佳实施方式的薄膜晶体管阵列基板的示意图。
图2是本发明第一较佳实施方式中的薄膜晶体管阵列基板中像素的结构示意图。
图3是本发明第二较佳实施方式的薄膜晶体管阵列基板的示意图。
图4是本发明第二较佳实施方式中的薄膜晶体管阵列基板中像素的结构示意图。
图5为本发明第三较佳实施方式的薄膜晶体管阵列基板的示意图。
图6是本发明第三较佳实施方式中的薄膜晶体管阵列基板中像素的结构示意图。
图7为本发明第四较佳实施方式的薄膜晶体管阵列基板的示意图。
图8是本发明第三较佳实施方式中的薄膜晶体管阵列基板中像素的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1和图2，图1是本发明第一较佳实施方式的薄膜晶体管阵列基板的示意图；图2是本发明第一较佳实施方式中的薄膜晶体管阵列基板中像素的结构示意图。。所述薄膜晶体管阵列基板10上设置呈阵列分布的多个像素100，每个像素100包括沿第一方向排列的第一子像素110、第二子像素120及第三子像素130，所述第一子像素110、所述第二子像素120及所述第三子像素130连接至同一条扫描线GL。所述薄膜晶体管阵列基板10上还设置沿第一方向依次排列的第一数据线D1、第二数据线D2及第三数据线D3。所述第一数据线D1用于驱动第一子像素110，所述第二数据线D2用于驱动第二子像素120，所述第三数据线D3用于驱动所述第三子像素130。所述第一子像素110包括沿第二方向排列的第一区域111及第二区域112，所述第二子像素120包括沿第二方向排列的第三区域121及第四区域122，所述第三子像素130包括沿第二方向排列的第五区域131及第六区域132。所述第六区域132内的子像素电极与公共电极的电压差不同于所述第五区域131内的子像素电极与公共电极的电压差。在本实施方式中，所述第一方向为水平方向，所述第二方向为竖直方向。
所述第一区域111内设置第一薄膜晶体管Q1、所述第二区域112内设置第二薄膜晶体管Q2，所述第三区域121内设置第三薄膜晶体管Q3，所述第四区域122内设置第四薄膜晶体管Q4，所述第五区域131内设置第五薄膜晶体管Q5，所述第六区域132内设置第六薄膜晶体管Q6和第七薄膜晶体管Q7。所述第一薄膜晶体管Q1、所述第二薄膜晶体管Q2、所述第三薄膜晶体管Q3、所述第四薄膜晶体管Q4、所述第五薄膜晶体管Q5、所述第六薄膜晶体管Q6及所述第七薄膜晶体管Q7均包括栅极、源极和漏极。所述第一区域111、所述第二区域112、所述第三区域121、所述第四区域122、所述第五区域131及所述第六区域132内分别对应一个子像素电极，为了方便描述，所述第一区域111内对应的子像素电极命名为第一主子像素电极113，所述第二区域112内对应的子像素电极命名为第一次子像素电极114，所述第三区域121内对应的子像素电极命名为第二主子像素电极123，所述第四区域122内对应的子像素电极命名为第二次子像素电极124，所述第五区域131内对应的子像素电极命名为第三主子像素电极133，所述第六区域132内对应的子像素电极命名为第三次子像素电极134。所属领域的一般技术人员应当理解，上述各个区域内对应的子像素电极的命名只是为了区分不同区域内的子像素，以方便描述之用，实际上并不存在主次之分。
所述第一薄膜晶体管Q1、所述第二薄膜晶体管Q2、所述第三薄膜晶体管Q3、所述第四薄膜晶体管Q4、所述第五薄膜晶体管Q5、所述第六薄膜晶体管Q6及所述第七薄膜晶体管Q7的栅极连接同一条扫描线GL。所述第一薄膜晶体管Q1和所述第二薄膜晶体管Q2的漏极连接所述第一数据线D1，所述第一薄膜晶体管Q1的源极依次连接第一主子像素电极113、第一电容C1至公共电极Cm(在图2中用三角符号△表示)，所述第二薄膜晶体管Q2的源极依次连接第一次子像素电极114、第二电容C2至公共电极Cm。所述第三薄膜晶体管Q3及所述第四薄膜晶体管Q4的漏极连接所述第二数据线D2，所述第三薄膜晶体管Q3的源极依次连接第二主子像素电极123、第三电容C3至公共电极Cm，所述第四薄膜晶体管Q4的源极依次连接第二次子像素电极124、第四电容C4至公共电极Cm。所述第五薄膜晶体管Q5及所述第六薄膜晶体管Q6的漏极连接所述第三数据线D3，所述第五薄膜晶体管Q5的源极依次连接第三主子像素电极133、第五电容C5至公共电极Cm，所述第六薄膜晶体管Q6的源极依次连接第三次子像素电极134、第六电容C6至公共电极Cm。所述第七薄膜晶体管Q7的漏极连接所述第三次子像素电极134，所述第七薄膜晶体管Q7的源极连接所述公共电极Cm。
在本实施方式中，由于所述第五区域131的第五薄膜晶体管Q5及所述第六区域132的第六薄膜晶体管Q6的漏极同时连接所述第三数据线D3，所述第五薄膜晶体管Q5的源极依次连接所述第三主子像素电极133、所述第五电容C5至公共电极Cm，所述第六薄膜晶体管Q6的源极依次连接第三次子像素电极134、第六电容C6至公共电极Cm，所述第七薄膜晶体管Q7的漏极连接所述第三次子像素电极134，所述第七薄膜晶体管Q7的源极连接所述公共电极Cm。即，由于薄膜晶体管有一定的电阻，经过所述第七薄膜晶体管Q7的分压作用，所述第六区域132中加载在所述第三次子像素电极134的电压与所述第五区域131中加载在所述第三主子像素电极133的电压不同。在本实施方式中，所述第六区域132中加载在所述第三次子像素电极134的电压小于所述第五区域131中加载在所述第三主子像素电极133的电压。
在本实施方式中，所述第六区域132的子像素电极与公共电极的电压差不同于第五区域内131内的子像素电极与公共电极的电压差，因此，加载在所述第六区域132的子像素电极的电压不同于加载在所述第五区域131内的子像素的电压。换句话说，加载在所述第三主子像素电极133上的电压不同于加载在所述第三次子像素电极134的电压，从而能够改善所述薄膜晶体管阵列基板10驱动液晶层时的色偏。另一方面，在本实施方式中，在一个像素100的三个子像素中仅仅有一个第三子像素130中的第六区域132对应的第三次子像素电极134上加载的电压不同于所述第五区域131对应的第三主子像素电极133上加载的电压，相较于现有技术能够减小液晶层中的液晶分子不能完全转动的缺陷，从而将光线穿过液晶层时的损失降低。因此，相较于现有技术，本实施方式中的薄膜晶体管阵列基板10在驱动液晶层时能够改善大视角色偏且能够增大光线穿过液晶层时的光线穿透率。
在本实施方式中，所述第一子像素110为红色子像素，第二子像素120为绿色子像素，所述第三子像素130为蓝色子像素。由于所述人眼对蓝色子像素的变化最敏感，对绿色子像素的变化次之，对红色子像素的变化更次之。因此，对所述第三子像素130对应的第六区域132内的子像素电极与公共电极的电压差不同于第五区域131内的子像素电极与公共电极的电压差，从而能够很好地改善大视角色偏，且将穿透率的损失降到最低。
请参阅图3和图4，图3是本发明第二较佳实施方式的薄膜晶体管阵列基板的示意图；图4是本发明第二较佳实施方式中的薄膜晶体管阵列基板中像素的结构示意图。在本实施方式中，所述薄膜晶体管阵列基板20上设置呈阵列状分布的多个像素200，每个像素200包括沿第一方向排列的第一子像素210、第二子像素220及第三子像素230，所述第一子像素210、所述第二子像素220及所述第三子像素230连接至同一条扫描线GL。所述薄膜晶体管阵列基板20上还设置沿第一方向依次排列的第一数据线D1、第二数据线D2及第三数据线D3。所述第一数据线D1用于驱动所述第一子像素210，所述第二数据线D2用于驱动第二子像素220，所述第三数据线D3用于驱动第三子像素230。所述第一子像素210包括沿第二方向排列的第一区域211及第二区域212，所述第二子像素220包括沿第二方向排列的第三区域221及第四区域222，所述第四子像素230包括沿第二方向排列的第五区域231及第六区域232。所述第六区域232内的子像素电极与公共电极的电压差不同于所述第五区域231内的子像素电极与公共电极的电压差。在本实施方式中，所述第一方向为水平方向，所述第二方向为竖直方向。
所述第一区域211内设置第一薄膜晶体管Q1，所述第二区域212内设置第二薄膜晶体管Q2，所述第三区域221内设置第三薄膜晶体管Q3，所述第四区域222内设置第四薄膜晶体管Q4及第八薄膜晶体管Q8，所述第五区域231内设置第五薄膜晶体管Q5，所述第六区域232内设置第六薄膜晶体管Q6和第七薄膜晶体管Q7。所述第一薄膜晶体管Q1、所述第二薄膜晶体管Q2、所述第三薄膜晶体管Q3、所述第四薄膜晶体管Q4、所述第五薄膜晶体管Q5、所述第六薄膜晶体管Q6、所述第七薄膜晶体管Q7及所述第八薄膜晶体管Q8均包括栅极、源极和漏极。所述第一区域211、所述第二区域212、所述第三区域221、所述第四区域222、所述第五区域231及所述第六区域232内分别对应一个子像素电极，为了方便描述，所述第一区域211内对应的子像素电极命名为第一主子像素电极213，所述第二区域212内对应的子像素电极命名为第一次子像素电极214，所述第三区域221内对应的子像素电极命名为第二主子像素电极223，所述第四区域222内对应的子像素电极命名为第二次子像素电极224，所述第五区域231内对应的子像素电极命名为第三主子像素电极233，所述第六区域232内对应的子像素电极命名为第三次子像素电极234。所属领域的一般技术人员应当理解，上述各个区域内对应的子像素电极的命名只是为了区分不同区域内的子像素，以方便描述之用，实际上并不存在主次之分。
所述第一薄膜晶体管Q1、所述第二薄膜晶体管Q2、所述第三薄膜晶体管Q3、所述第四薄膜晶体管Q4、所述第五薄膜晶体管Q5、所述第六薄膜晶体管Q6、所述第七薄膜晶体管Q7及所述第八薄膜晶体管Q8的栅极连接同一条扫描线GL。所述第一薄膜晶体管Q1和所述第二薄膜晶体管Q2的漏极连接所述第一数据线D1，所述第一薄膜晶体管Q1的源极依次连接第一主子像素电极213、第一电池C1至公共电极Cm(在图4中用三角符号△表示)，所述第二薄膜晶体管Q2的源极依次连接第一次像素电极224、第二电容C2至公共电极Cm。所述第三薄膜晶体管Q3及所述第四薄膜晶体管Q4的漏极连接所述第二数据线D2，所述第三薄膜晶体管Q3的源极依次连接第二主子像素电极223、第三电容C3至公共电极Cm，所述第四薄膜晶体管Q4的源极依次连接所述第二次子像素电极224、第四电容C4至公共电极Cm。所述第八薄膜晶体管Q8的漏极连所述第二次子像素电极224，所述第八薄膜晶体管Q8的源极连接所述公共电极Cm。所述第五薄膜晶体管Q5及所述第六薄膜晶体管Q6的漏极连接所述第三数据线D3，所述第五薄膜晶体管Q5的源极依次连接第三主子像素电极233、第五电容C5至公共电极Cm，所述第六薄膜晶体管Q6的源极依次连接第三次子像素电极234、第六电容C6至公共电极Cm。所述第七薄膜晶体管Q7的漏极连接所述第三次子像素电极234，所述第七薄膜晶体管Q7的源极连接所述公共电极Cm。
在本实施方式中，由于所述第五区域231的第五薄膜晶体管Q5及所述第六区域232的第六薄膜晶体管Q6的漏极同时连接所述第三数据线D3，所述第五薄膜晶体管Q5的源极依次连接所述第三主子像素电极233、所述第五电容C5至公共电极Cm，所述第六薄膜晶体管Q6的源极依次连接第三次子像素电极234、第六电容C6至公共电极Cm，所述第七薄膜晶体管Q7的漏极连接所述第三次子像素电极234，所述第七薄膜晶体管Q7的源极连接所述公共电极Cm。即，由于薄膜晶体管有一定的电阻，经过所述第七薄膜晶体管Q7的分压作用，所述第六区域232中加载在所述第三次子像素电极234的电压与所述第五区域231中加载在所述第三主子像素电极233的电压不同。在本实施方式中，所述第六区域232中加载在所述第三次子像素电极234的电压小于所述第五区域231中加载在所述第三主子像素电极233的电压。同样原理，经过所述第八薄膜晶体管Q8的分压作用，所述第四区域222中加载在所述第二次子像素电极224的电压与所述第三区域221中加载在所述第二主子像素电极223的电压不同。在本实施方式中，所述第四区域222中加载在所述第二次子像素电极224的电压小于所述第三区域221中加载在所述第二主子像素电极223的电压。
在本实施方式中，所述第六区域232的子像素电极与公共电极的电压差不同于第五区域内231内的子像素电极与公共电极的电压差，因此，加载在所述第六区域232的子像素电极的电压不同于加载在所述第五区域231内的子像素的电压。换句话说，加载在所述第三主子像素电极233上的电压不同于加载在所述第三次子像素电极234的电压，从而能够改善所述薄膜晶体管阵列基板20驱动液晶层时的色偏。同样道理，在本实施方式中，加载在所述第二主子像素电极223上的电压不同于加载在所述第二次子像素电极224的电压，进一步改善了薄膜晶体管阵列基板20驱动液晶层时的色偏。另一方面，在本实施方式中，在一个像素200中第三子像素230中的第六区域232对应的第三次子像素电极234上加载的电压不同于所述第五区域231对应的第三主子像素电极233上加载的电压，所述第二子像素220中的第四区域222对应的第二次子像素电极224上加载的电压不同于所述第三区域221对应的第二主子像素电极221上加载的电压，相较于现有技术能够减小液晶层中的液晶分子不能完全转动的缺陷，从而将光线穿过液晶层时的损失降低。因此，相较于现有技术，本实施方式中的薄膜晶体管阵列基板20在驱动液晶层时能够改善大视角色偏且能够增大光线穿过液晶层时的光线穿透率。
同样地，在本实施方式中，所述第一子像素210为红色子像素，第二子像素220为绿色子像素，所述第三子像素230为蓝色子像素。
请参阅图5和图6，图5为本发明第三较佳实施方式的薄膜晶体管阵列基板的示意图；图6是本发明第三较佳实施方式中的薄膜晶体管阵列基板中像素的结构示意图。所述薄膜晶体管阵列基板30上设置呈阵列分布的多个像素300，每个像素300包括沿第一方向排列的第一子像素310、第二子像素320及第三子像素330，所述第一子像素310、所述第二子像素320及所述第三子像素330连接至同一条扫描线GL。所述薄膜晶体管阵列基板30上还设置沿第一方向依次排列的第一数据线D1、第二数据线D2、第三数据线D3及第四数据线D4。所述第一数据线D1用于驱动第一子像素310，所述第二数据线D2用于驱动第二子像素320，所述第三数据线D3用于驱动所述第三子像素330，所述第四数据线D4用于驱动第三子像素330。所述第一子像素310包括沿第二方向排列的第一区域311及第二区域312，所述第二子像素320包括沿第二方向排列的第三区域321及第四区域322，所述第三子像素330包括沿第二方向排列的第五区域331及第六区域332。所述第六区域332内的子像素电极与公共电极的电压差不同于所述第五区域331内的子像素电极与公共电极的电压差。在本实施方式中，所述第一方向为水平方向，所述第二方向为竖直方向。所述第三数据线D3驱动所述第三子像素330的第五区域331，所述第四数据线D4用于驱动所述第三子像素330的第六区域332，所述第三数据线D3上加载的驱动电压与所述第四数据线上加载的驱动电压不同。在本实施方式中，通过分别用第三数据线D3及第四数据线D4驱动第三子像素330的第五区域331及第六区域332，并且第三数据线D3及第四数据线D4上加载的电压不同，以实现所述第六区域332内的子像素电极与公共电极的电压差不同于所述第五区域331内的子像素电极与公共电极的电压差。
所述第一区域311内设置第一薄膜晶体管Q1、所述第二区域312内设置第二薄膜晶体管Q2，所述第三区域321内设置第三薄膜晶体管Q3，所述第四区域322内设置第四薄膜晶体管Q4，所述第五区域331内设置第五薄膜晶体管Q5，所述第六区域332内设置第六薄膜晶体管Q6。所述第一薄膜晶体管Q1、所述第二薄膜晶体管Q2、所述第三薄膜晶体管Q3、所述第四薄膜晶体管Q4、所述第五薄膜晶体管Q5及所述第六薄膜晶体管Q6均包括栅极、源极和漏极。所述第一区域311、所述第二区域312、所述第三区域321、所述第四区域322、所述第五区域331及所述第六区域332内分别对应一个子像素电极，为了方便描述，所述第一区域311内对应的子像素电极命名为第一主子像素电极313，所述第二区域312内对应的子像素电极命名为第一次子像素电极314，所述第三区域321内对应的子像素电极命名为第二主子像素电极323，所述第四区域322内对应的子像素电极命名为第二次子像素电极324，所述第五区域331内对应的子像素电极命名为第三主子像素电极333，所述第六区域332内对应的子像素电极命名为第三次子像素电极334。所属领域的一般技术人员应当理解，上述各个区域内对应的子像素电极的命名只是为了区分不同区域内的子像素，以方便描述之用，实际上并不存在主次之分。
所述第一薄膜晶体管Q1、所述第二薄膜晶体管Q2、所述第三薄膜晶体管Q3、所述第四薄膜晶体管Q4、所述第五薄膜晶体管Q5及所述第六薄膜晶体管Q6的栅极连接同一条扫描线GL。所述第一薄膜晶体管Q1和所述第二薄膜晶体管Q2的漏极连接所述第一数据线D1，所述第一薄膜晶体管Q1的源极依次连接第一主子像素电极313、第一电容C1至公共电极Cm(在图6中用三角符号△表示)，所述第二薄膜晶体管Q2的源极依次连接第一次子像素电极314、第二电容C2至公共电极Cm。所述第三薄膜晶体管Q3及所述第四薄膜晶体管Q4的漏极连接所述第二数据线D2，所述第三薄膜晶体管Q3的源极依次连接第二主子像素电极323、第三电容C3至公共电极Cm，所述第四薄膜晶体管Q4的源极依次连接第二次子像素电极324、第四电容C4至公共电极Cm。所述第五薄膜晶体管Q5的漏极连接所述第三数据线D3，所述第五薄膜晶体管Q5的源极依次连接第三主子像素电极333、第五电容C5至公共电极Cm。所述第六薄膜晶体管Q6的漏极连接所述第四数据线D4，所述第六薄膜晶体管Q6的元件依次连接第三次子像素电极334、第六电容至公共电极Cm。
在本实施方式中，通过分别用第三数据线D3及第四数据线D4驱动第三子像素330的第五区域331及第六区域332，并且第三数据线D3及第四数据线D4上加载的电压不同，以实现所述第六区域332内的子像素电极与公共电极的电压差不同于所述第五区域331内的子像素电极与公共电极的电压差。换句话说，加载在所述第三主子像素电极333上的电压不同于加载在所述第三次子像素电极334的电压，从而能够改善所述薄膜晶体管阵列基板30驱动液晶层时的色偏。另一方面，在本实施方式中，在一个像素300的三个子像素中仅仅有一个第三子像素330中的第六区域332对应的第三次子像素电极334上加载的电压不同于所述第五区域331对应的第三主子像素电极333上加载的电压，相较于现有技术能够减小液晶层中的液晶分子不能完全转动的缺陷，从而将光线穿过液晶层时的损失降低。因此，相较于现有技术，本实施方式中的薄膜晶体管阵列基板30在驱动液晶层时能够改善大视角色偏且能够增大光线穿过液晶层时的光线穿透率。
在本实施方式中，所述第一子像素310为红色子像素，第二子像素320为绿色子像素，所述第三子像素330为蓝色子像素。
请参阅图7和图8，图7为本发明第四较佳实施方式的薄膜晶体管阵列基板的示意图；图8是本发明第三较佳实施方式中的薄膜晶体管阵列基板中像素的结构示意图。所述薄膜晶体管阵列基板30上设置呈阵列分布的多个像素400，每个像素400包括沿第一方向排列的第一子像素410、第二子像素420及第三子像素430，所述第一子像素410、所述第二子像素420及所述第三子像素430连接至同一条扫描线GL。所述薄膜晶体管阵列基板40上还设置沿第一方向依次排列的第一数据线D1、第二数据线D2、第三数据线D3、第四数据线D4及第五数据线D5。所述第一数据线D1用于驱动第一子像素410，所述第二数据线D2用于驱动第二子像素420，所述第三数据线D3用于驱动所述第三子像素430，所述第四数据线D4用于驱动第三子像素430，所述第五数据线D5用于驱动第二子像素420。所述第一子像素410包括沿第二方向排列的第一区域411及第二区域412，所述第二子像素420包括沿第二方向排列的第三区域421及第四区域422，所述第三子像素430包括沿第二方向排列的第五区域431及第六区域432。所述第六区域432内的子像素电极与公共电极的电压差不同于所述第五区域431内的子像素电极与公共电极的电压差。在本实施方式中，所述第一方向为水平方向，所述第二方向为竖直方向。所述第三数据线D3驱动所述第三子像素430的第五区域431，所述第四数据线D4用于驱动所述第三子像素430的第六区域432，所述第三数据线D3上加载的驱动电压与所述第四数据线D4上加载的驱动电压不同。所述第二数据线D2用于驱动所述第二子像素420的第三区域421，所述第五数据线D5用于驱动所述第二子像素420的第四区域422，所述第二数据线D2上加载的驱动电压与所述第五数据线D5上加载的驱动电压不同。在本实施方式中，通过第三数据线D3上加载的驱动电压与所述第四数据线D4上加载的驱动电压不同以实现所述第五区域331中的子像素电极上加载的电压不同于所述第六区域332中的子像素电极上加载的电压。通过所属第二数据线D2上加载的驱动电压与所述第五数据线D5上加载的驱动电压不同以实现所述第三区域321中的子像素电极上加载的电压不同于所述第四区域322中的子像素电极上加载的电压。
所述第一区域411内设置第一薄膜晶体管Q1、所述第二区域412内设置第二薄膜晶体管Q2，所述第三区域421内设置第三薄膜晶体管Q3，所述第四区域422内设置第四薄膜晶体管Q4，所述第五区域431内设置第五薄膜晶体管Q5，所述第六区域432内设置第六薄膜晶体管Q6。所述第一薄膜晶体管Q1、所述第二薄膜晶体管Q2、所述第三薄膜晶体管Q3、所述第四薄膜晶体管Q4、所述第五薄膜晶体管Q5及所述第六薄膜晶体管Q6均包括栅极、源极和漏极。所述第一区域411、所述第二区域412、所述第三区域421、所述第四区域422、所述第五区域431及所述第六区域432内分别对应一个子像素电极，为了方便描述，所述第一区域411内对应的子像素电极命名为第一主子像素电极413，所述第二区域412内对应的子像素电极命名为第一次子像素电极414，所述第三区域421内对应的子像素电极命名为第二主子像素电极423，所述第四区域422内对应的子像素电极命名为第二次子像素电极424，所述第五区域431内对应的子像素电极命名为第三主子像素电极433，所述第六区域432内对应的子像素电极命名为第三次子像素电极434。所属领域的一般技术人员应当理解，上述各个区域内对应的子像素电极的命名只是为了区分不同区域内的子像素，以方便描述之用，实际上并不存在主次之分。
所述第一薄膜晶体管Q1、所述第二薄膜晶体管Q2、所述第三薄膜晶体管Q3、所述第四薄膜晶体管Q4、所述第五薄膜晶体管Q5及所述第六薄膜晶体管Q6的栅极连接同一条扫描线GL。所述第一薄膜晶体管Q1和所述第二薄膜晶体管Q2的漏极连接所述第一数据线D1，所述第一薄膜晶体管Q1的源极依次连接第一主子像素电极413、第一电容C1至公共电极Cm(在图8中用三角符号△表示)，所述第二薄膜晶体管Q2的源极依次连接第一次子像素电极414、第二电容C2至公共电极Cm。所述第三薄膜晶体管Q3的漏极连接所述二数据线D2，所述第三薄膜晶体管Q3的源极依次连接第二主子像素电极423、第三电容C3至公共电极Cm，所述第四薄膜晶体管Q4的漏极连接所述第五数据线D5，所述第四薄膜晶体管Q4的源极依次连接第二次子像素电极424、第四电容C4至公共电极Cm。所述第五薄膜晶体管Q5的漏极连接所述第三数据线D3，所述第五薄膜晶体管Q5的源极依次连接第三主子像素电极433、第五电容C5至公共电极Cm。所述第六薄膜晶体管Q6的漏极连接所述第四数据线D4，所述第六薄膜晶体管Q6的元件依次连接第三次子像素电极434、第六电容至公共电极Cm。
在本实施方式中，通过分别用第三数据线D3及第四数据线D4驱动第三子像素430的第五区域431及第六区域432，并且第三数据线D3及第四数据线D4上加载的电压不同，以实现所述第六区域432内的子像素电极与公共电极的电压差不同于所述第五区域431内的子像素电极与公共电极的电压差。换句话说，加载在所述第三主子像素电极433上的电压不同于加载在所述第三次子像素电极434的电压，从而能够改善所述薄膜晶体管阵列基板40驱动液晶层时的色偏。同样地，通过用第二数据线D2及第五数据线D5驱动第二像素420的第三区域421和第四区域422，并且所述第二数据线D2与所述第五数据线D5上加载的电压不同，以实现第三区域421内的子像素电极与公共电极的电压差不同于第四区域422内的子像素电极与公共电极的电压差。相较于现有技术能够减小液晶层中的液晶分子不能完全转动的缺陷，从而将光线穿过液晶层时的损失降低。因此，相较于现有技术，本实施方式中的薄膜晶体管阵列基板30在驱动液晶层时能够改善大视角色偏且能够增大光线穿过液晶层时的光线穿透率。
在本实施方式中，所述第一子像素410为红色子像素，第二子像素420为绿色子像素，所述第三子像素430为蓝色子像素。
本发明还提供了一种显示面板，在所述显示面板的各个较佳的实施方式中，所述显示面板分别包括前述图1至图8中的任意一种薄膜晶体管阵列基板，在此不再赘述。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (6)

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板上设置呈阵列分布的多个像素，每个像素包括沿第一方向依次排列的第一子像素、第二子像素及第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素连接至同一条扫描线，所述薄膜晶体管阵列基板上还设置沿第一方向依次排列的第一数据线、第二数据线及第三数据线，所述第一数据线用于驱动所述第一子像素，所述第二数据线用于驱动所述第二子像素，所述第三数据线用于驱动所述第三子像素，所述第一子像素包括沿第二方向排列的第一区域及第二区域，所述第二子像素包括沿第二方向排列的第三区域及第四区域，所述第三子像素包括沿第二方向排列的第五区域及第六区域，所述第六区域内的子像素电极与公共电极的电压差不同于所述第五区域内的子像素电极与公共电极的电压差，所述薄膜晶体管阵列基板上还设置的第四数据线，所述第三数据线驱动所述第三子像素的第五区域，所述第四数据线驱动所述第三子像素的第六区域，所述第三数据线上加载的驱动电压与所述第四数据线上加载的驱动电压不同。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一区域内设置第一薄膜晶体管，所述第二区域内设置第二薄膜晶体管、所述第三区域内设置第三薄膜晶体管、所述第四区域内设置第四薄膜晶体管、所述第五区域内设置第五薄膜晶体管，所述第六区域内设置第六薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管的栅极连接同一条扫描线，所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述第一数据线，所述第一薄膜晶体管的源极依次连接第一主子像素电极、第一电容至公共电极，所述第二薄膜晶体管的源极依次连接第一次子像素电极、第二电容至公共电极，所述第三薄膜晶体管及所述第四薄膜晶体管的漏极连接所述第二数据线，所述第三薄膜晶体管的源极依次连接第二主子像素电极、第三电容至公共电极，所述第四薄膜晶体管的源极依次连接第二次子像素电极、第四电容至公共电极，所述第五薄膜晶体管的漏极连接所述第三数据线，所述第五薄膜晶体管的源极依次连接第三主子像素电极、第五电容至公共电极，所述第六薄膜晶体管的漏极连接所述第四数据线，所述第六薄膜晶体管的源极依次连接第三次子像素电极、第六电容至公共电极。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板上还设置第五数据线，所述第二数据线驱动所述第二子像素的第三区域，所述第五数据线驱动所述第二子像素的第四区域，所述第二数据线上加载的驱动电压与所述第五数据线上加载的驱动电压不同。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一区域内设置第一薄膜晶体管，所述第二区域内设置第二薄膜晶体管，所述第三区域内设置第三薄膜晶体管，所述第四区域内设置第四薄膜晶体管，所述第五区域内设置第五薄膜晶体管，所述第六区域内设置第六薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管的栅极连接同一条扫描线，所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述第一数据线，所述第一薄膜晶体管的源极依次连接第一主子像素电极、第一电容至公共电极，所述第二薄膜晶体管的源极依次连接第一次子像素电极、第二电容至公共电极，所述第三薄膜晶体管的源极依次连接第二主子像素电极、第三电容至公共电极，所述第三薄膜晶体管的漏极连接所述第二数据线，所述第四薄膜晶体管的源极依次连接第二次子像素电极、第四电容至公共电极，所述第四薄膜晶体管的漏极连接所述第五数据线，所述第五薄膜晶体管的漏极连接所述第三数据线，所述第五薄膜晶体管的源极依次连接第三主子像素电极、第五电容至公共电极，所述第六薄膜晶体管的漏极连接所述第四数据线，所述第六薄膜晶体管的源极依次连接第三次子像素电极、第六电容至公共电极。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一子像素为红色子像素，第二子像素为绿色子像素，所述第三子像素为蓝色子像素。
6.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至5任意一项所述的薄膜晶体管阵列基板。
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