CN104520306A - 制备烯基卤代硅烷的方法和对其合适的反应器 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 title abstract 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 87
- -1 alkenyl halide Chemical class 0.000 claims abstract description 51
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims description 51
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 30
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 23
- 230000008676 import Effects 0.000 claims description 19
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 19
- 238000007600 charging Methods 0.000 claims description 18
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 17
- 125000002769 thiazolinyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 9
- OSDWBNJEKMUWAV-UHFFFAOYSA-N Allyl chloride Chemical group ClCC=C OSDWBNJEKMUWAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims description 5
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012043 crude product Substances 0.000 claims description 4
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- PAAZPARNPHGIKF-UHFFFAOYSA-N 1,2-dibromoethane Chemical compound BrCCBr PAAZPARNPHGIKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BHELZAPQIKSEDF-UHFFFAOYSA-N allyl bromide Chemical compound BrCC=C BHELZAPQIKSEDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- INLLPKCGLOXCIV-UHFFFAOYSA-N bromoethene Chemical compound BrC=C INLLPKCGLOXCIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IBOKZQNMFSHYNQ-UHFFFAOYSA-N tribromosilane Chemical compound Br[SiH](Br)Br IBOKZQNMFSHYNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000004071 soot Substances 0.000 abstract 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 15
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 14
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 8
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 7
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 7
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 5
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- 101100450129 Caenorhabditis elegans hal-3 gene Proteins 0.000 description 3
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- SOVUWYRIYWIZIE-UHFFFAOYSA-N C#C.I.I Chemical compound C#C.I.I SOVUWYRIYWIZIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZETWZZNDACBTQ-UHFFFAOYSA-N [Cl].C=C Chemical compound [Cl].C=C GZETWZZNDACBTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVEKCCAVEOMRRI-UHFFFAOYSA-N [SiH4].ClI Chemical compound [SiH4].ClI ZVEKCCAVEOMRRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCHGDLSNQMRKGZ-UHFFFAOYSA-N [SiH4].[I] Chemical compound [SiH4].[I] JCHGDLSNQMRKGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- HFEHLDPGIKPNKL-UHFFFAOYSA-N allyl iodide Chemical compound ICC=C HFEHLDPGIKPNKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- KVPIFZRDXDYGBA-UHFFFAOYSA-N chlorine(1+) Chemical compound [Cl+] KVPIFZRDXDYGBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVRXUBCNDACNHK-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)silicon Chemical compound F[Si]Cl KVRXUBCNDACNHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- AIHCVGFMFDEUMO-UHFFFAOYSA-N diiodosilane Chemical compound I[SiH2]I AIHCVGFMFDEUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 1
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical compound FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHXZPUGJZVBLGC-UHFFFAOYSA-N iodoethene Chemical compound IC=C GHXZPUGJZVBLGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- DNAPJAGHXMPFLD-UHFFFAOYSA-N triiodosilane Chemical compound I[SiH](I)I DNAPJAGHXMPFLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/24—Stationary reactors without moving elements inside
- B01J19/2415—Tubular reactors
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
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- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/121—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/00121—Controlling the temperature by direct heating or cooling
- B01J2219/00123—Controlling the temperature by direct heating or cooling adding a temperature modifying medium to the reactants
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00162—Controlling or regulating processes controlling the pressure
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00164—Controlling or regulating processes controlling the flow
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00164—Controlling or regulating processes controlling the flow
- B01J2219/00166—Controlling or regulating processes controlling the flow controlling the residence time inside the reactor vessel
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00245—Avoiding undesirable reactions or side-effects
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Abstract
描述了制备烯基卤代硅烷的方法，该方法通过使选自乙烯基卤、偏二卤乙烯或者烯丙基卤的烯基卤与选自单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷的卤代硅烷以气相形式在反应器中反应，该反应器包括在管的一端配有入口（2）和在管的另一端配有出口（3）的反应管（1）以及具有气体导入装置（4），该气体导入装置具有多个在反应管（1）纵轴方向上彼此间隔和导入反应管（1）的进气位点（5）。为了实施所述方法，将单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷通过入口（2）导入反应管（1）中并且通过反应管（1）流向出口（3）方向，以及将乙烯基卤、偏二卤乙烯或者烯丙基卤通过进气位点（5）分区地导入反应管（1）内部的气流中。所述方法允许以高产率和以高选择性制备烯基卤代硅烷。相比于传统反应器，炭黑的形成明显减少。本发明还涉及用以实施气相反应的反应器，其特征在于存在至少下列元件：A)反应管（1），其具有 B)在管一侧的入口（2）、C)在管另一侧的出口（3），以及D)具有气体导入装置（4），该气体导入装置具有多个在反应管（1）纵轴方向上彼此间隔和导入反应管（1）的进气位点（5）。
Description
本发明涉及制备烯基卤代硅烷，特别是由乙烯基氯和三氯硅烷制备乙烯基三氯硅烷的方法，以及对其特别合适的反应器。
烯基卤代硅烷的工业大规模制备是普遍已知的。对于制备烯基卤代硅烷，在此代表性地进一步说明乙烯基三氯硅烷(III)的工业大规模制备。这由原料乙烯基氯(I)和三氯硅烷(II)进行。在此，按照以下反应方案(1)使硅烷(II)与乙烯基氯(I)在自由基高温反应中结合，并消去氯化氢(IV)：
C2H3Cl (I) + SiHCl3
(II) →
C2H3SiCl3 (III) + HCl (IV) (1)
烯基卤代硅烷，例如乙烯基三氯硅烷(III)，特别是由化合物(III)通过酯化反应制备的乙烯基三烷氧基硅烷类，在有机硅烷化学中是工业上重要的中间产物或者最终产物。其例如用作塑料（如PVC、PP和PE）中的交联剂。
在所述反应中，除了以上示出的主反应，还进行多个不希望的副反应。其中可以提及的例如是：
A）按照以下方案(2)形成四氯化硅(V)：
SiHCl3 (II) + HCl
(IV) → SiCl4 (V)
+ H2
(VI)
(2)
B）按照以下方案(3)形成双(三氯甲硅烷基)乙烷(VII) ：
SiHCl3 (II) + C2H3SiCl3
(III) → Cl3Si
C2H4SiCl3
(VII) (3)
C）按照以下方案(4)形成炭黑(VIII)：
C2H3Cl (I) → 2 C (VIII) + HCl
(IV) + H2
(VI) (4)
通常在高温反应器中，在400至700℃的温度范围和1至2 bar abs的压力下，进行乙烯基氯和三氯硅烷之间的自由基放热取代反应。所述常见方法的特征在于，使用管状反应器或者具有旋转压出体（Verdrängerkörper）的反应器。对此的实例可在EP 0
438 666 A2、DE 199 18 114 A1和DE 199 18 115 A1中找到。
上述方法具有多个缺点。其中包括由于逆混而产生的副产物、例如导致形成炭黑（反应方案4）的器壁反应和困难的温度控制。
此外，乙烯基氯的转化率只能在最大80%的范围内调节，乙烯基三氯硅烷的选择性这时最大为约86%。在转化率>80%的情况下，由于进行所述副反应，该选择性明显下降。
由于在使用传统反应器的情况下形成炭黑，必须定期停工和清洁该反应器。
在EP 0 438 666 A2中描述了缝隙尺寸为20 mm的环形缝隙式反应器。该环形缝隙通过在所述反应器外壳内的旋转压出体而形成。在文件DE 199 18 114 A1和DE 199 18 115 A1中同样描述了用以生产乙烯基三氯硅烷的环形缝隙式反应器，在其中在流过所述环形缝隙之后，流经绝热反应区，并且随后冷激所述反应气体。
由DE 199 18 115 A1已知的常见方法方式实现85%的乙烯基氯-转化率，并且实现88%的乙烯基三氯硅烷-选择性，基于转化的乙烯基氯计。在100
kg/h乙烯基氯和700 kg/h 三氯硅烷的进料情况下，在所述反应器的出口处出现下列所述反应混合物的物料流：
乙烯基氯 = 14.9
kg/h
三氯硅烷 = 495.2 kg/h
乙烯基三氯硅烷 = 193.3
kg/h
氯化氢= 43.6 kg/h
四氯化硅 = 38.1
kg/h
高沸物/其它次要组分 = 15.1 kg/h
上述反应器的产量为每月139 t乙烯基三氯硅烷，或者特别地作为时空产率为900
kg/(m3*h)。
由DE 199 18 114 A1已知的常见方法方式实现86%的乙烯基氯-转化率，并且实现89%的乙烯基三氯硅烷-选择性，基于转化的VC计。在70 kg/h乙烯基氯和420kg/h
三氯硅烷的进料情况下，在所述反应器的出口处出现下列所述反应混合物的物料流：
乙烯基氯 = 9.8
kg/h
三氯硅烷 = 274.8 kg/h
乙烯基三氯硅烷 = 138.5
kg/h
氯化氢 = 32.2 kg/h
四氯化硅 = 20.8
kg/h 高沸物/其它次要组分 =
15.5 kg/h
上述环形缝隙式反应器的产量为每月100 t乙烯基三氯硅烷，或者特别地作为时空产率为648kg/(m3*h)。
这两个比较例中描述了86%的最大乙烯基氯-转化率、89%的最大乙烯基三氯硅烷-选择性和900 kg/(m3*h)的最大乙烯基三氯硅烷-时空产率。
如今已令人惊奇地发现，相对于现有方法，在使用“喷嘴-反应器”类型的新型反应器情况下，可以明显提高所述目标产物烯基卤代硅烷，特别是乙烯基三氯硅烷(III)的产率和选择性。此外，进行保护性的方法方式，以便可以明显减小发生副反应趋势并且可以急剧减少副产物（例如炭黑）的形成。
本发明的目的在于，提供制备烯基卤代硅烷的方法和对此合适的反应器，其相比于已知的方法和反应器具有提高的产率和选择性以及具有减小的副反应趋势。
本发明涉及制备烯基卤代硅烷的方法，该方法通过使选自乙烯基卤、偏二卤乙烯或者烯丙基卤的烯基卤与选自单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷的卤代硅烷以气相形式在反应器中反应，该反应器包括在管的一端配有入口（2）和在管的另一端配有出口（3）的反应管（1）以及具有气体导入装置（4），该气体导入装置具有多个在反应管（1）纵轴方向上彼此间隔和导入反应管（1）的进气位点（5），其中单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷通过入口（2）导入反应管（1）并且通过反应管（1）流向出口（3）方向，和其中乙烯基卤、偏二卤乙烯或者烯丙基卤通过进气位点（5）分区地导入反应管（1）内部的气流中。
在本说明书的范围内，卤素理解为氟、氯、溴或者碘，优选为氯和溴，特别优选为氯。
本发明使用的乙烯基卤是指乙烯基氟、乙烯基氯、乙烯基溴和乙烯基碘或者是指其两个或者更多个的混合物。优选使用乙烯基氯和/或乙烯基溴，极特别优选使用乙烯基氯。
本发明使用的偏二卤乙烯是指偏二氟乙烯、偏二氯乙烯、偏二溴乙烯和偏二碘乙烯或者是指其两个或者更多个的混合物。优选使用偏二氯乙烯和/或偏二溴乙烯，极特别优选使用偏二氯乙烯。
本发明使用的烯丙基卤是指烯丙基氟、烯丙基氯、烯丙基溴和烯丙基碘或者是指其两个或者更多个的混合物。优选使用烯丙基氯和/或烯丙基溴，极特别优选使用烯丙基氯。
本发明使用的单卤代硅烷是指一氟硅烷、一氯硅烷、一溴硅烷和一碘硅烷或者是指其两个或者更多个的混合物。优选使用一氯硅烷和/或一溴硅烷，极特别优选使用一氯硅烷。
本发明使用的双卤代硅烷是指式(Hal1)(Hal2)SiH2的化合物，其中Hal1和Hal2 相互独立地表示氟、氯、溴或者碘。双卤代硅烷的实例是二氟硅烷、二氯硅烷、二溴硅烷、二碘硅烷或者例如氯-溴硅烷、氟-氯硅烷或者氯-碘硅烷的混合类型。还可以是指其两个或者更多个的混合物。优选使用其中Hal1和Hal2相同的双卤代硅烷。极特别优选使用二氯硅烷和/或二溴硅烷，并且特别是二氯硅烷。
本发明使用的三卤代硅烷是指式(Hal1)(Hal2)(Hal3)SiH的化合物，其中Hal1、Hal2和Hal3相互独立地表示氟、氯、溴或者碘。三卤代硅烷的实例是三氟硅烷、三氯硅烷、三溴硅烷、三碘硅烷或者例如氟-氯-溴硅烷、二氯-溴硅烷或者氯-二溴硅烷的混合类型。还可以是指其两个或者更多个的混合物。优选使用其中Hal1、Hal2和Hal3相同的三卤代硅烷。极特别优选使用三氯硅烷和/或三溴硅烷，并且特别是三氯硅烷。
极特别优选地，使三氯硅烷和乙烯基氯或者三氯硅烷和烯丙基氯相互反应。
在本发明的反应器中，所述烯基卤通过多个进气位点（5）导入到流动的单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷-气流中。进气位点（5）在反应管（1）纵轴方向上是间隔排列的，并且允许将气体分区地导入反应管（1）中。进气位点（5）优选地在反应管（1）中心导入，以便所导入的气体在反应管（1）纵轴的位置处分区地导入。但是，变型方案也是可行的，在其中一个或者多个进气位点（5）在反应管（1）纵轴的位置处不是中心导入的。所述反应器是低逆混的，并且所述反应远离所述反应器壁，这可以减少副产物形成。
此外，通过所述反应进行（=将所述烯基卤-流分配到所述反应器中的多个进料处），在所述反应器中产生最佳温度分布，由此可以特别有利地提高所述目标产物烯基卤代硅烷的选择性和时空产率。
通过避免旋转的内件（如描述于EP 0 438 666 A2、DE
199 18 114 A1和DE 199 18 115 A1中），所述反应器的构造就保养而言明显变得更简单和更不复杂。
在本发明的方法中，可以在入口（2）处将所述单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷完全导入到反应管（1）中。替代地，可以在入口（2）处将一部分所述单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷导入反应管（1）中，并且剩余部分通过一个或者多个气体导入装置（4）导入反应管（1）中部。
优选这样的方法，其中在入口（2）处只导入单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷，而跨反应管（1）的长度在多个位置分散地将烯基卤导入在反应管（1）内部流动的气体混合物中。所述烯基卤特别以主流动方向进料。
通过气体导入装置（4）提供用以使所述烯基卤进入反应管（1）的进气位点（5）。进气位点（5）的数量可以在宽范围内改变。通常设置二至十个进气位点（5），优选地设置三至六个进气位点（5）。
两个进气位点（5）之间的距离同样可以在宽范围内变化。所述距离通常为100
mm至2000 mm。优选地，进气位点（5）是等距排列的；但是也可以选择其它任意的排列。
通常在输入所述单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷之后，将所述烯基卤导入到所述反应器中。第一进气位点（5）和入口（2）之间的距离通常为20 mm至1000 mm。
通过改变所述烯基卤在进气位点（5）的流量，可以控制所述反应进程。因此，优选在气体导入装置（4）处设置工具，用其可以改变所述烯基卤在进气位点（5）的流量。
优选地，所述烯基卤的流量在不同的进气位点（5）之间均匀分配；替代地，可以任意改变所述烯基卤在不同进气位点（5）之间的流量。在此，优选地选择每进气位点（5）烯基卤/(n·5)的流量作为最小量，并且选择每进气位点（5）烯基卤/(n·½)的流量作为最大量。在此，n表示所述反应器中进气位点（5）的总数，n适合为大于等于2，优选为3至15，特别优选为4至13，极特别优选为5至12，尤其也为6、7、8、9、10以及11。
通过单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷与烯基卤的用量比同样可以控制所述反应。单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷与烯基卤的用量比通常为1.0至10 mol:mol，优选为2.0至4.0 mol:mol。
在反应管（1）的末端处，基本上完成了单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷与烯基卤的反应。包含所述产物的反应混合物可以通过出口（3）从反应管（1）导出并且输入到进一步的操作（例如从所述反应混合物中分离所述产物烯基卤代硅烷）中。
优选地，通过骤冷来冷激在反应管（1）产物侧的一端处的所述热反应混合物。这可以优选地用液体粗产物来进行，其优选地在反应管（1）产物侧的一端处喷入该热反应混合物中。
在本发明的方法中，可以在宽范围中选择的反应温度。在反应管（1）内部的温度（=所述反应温度）优选为400至700℃，特别优选为500至650℃。
在本发明的方法中，同样可以选择宽范围的反应压力。在反应管（1）内部的压力（=反应压力）优选为1.0至2.0 bar abs，特别优选为1.0至1.5 bar abs。
所述反应进程可以通过所添加的反应物的量来控制。优选地，控制着调节烯基卤在所述进料处的分流量。可以通过在进气位点（5）的温度-调节回路来进行控制。
所述反应混合物在所述反应器中的停留时间同样可以在宽范围内改变。所述反应混合物在所述反应器中从第一进气位点（5）至出口（3）的停留时间通常在0.5至10 sec的范围内，优选地在1.5至4 sec的范围内变化。
本发明还涉及管状反应器，其适用于实施气相反应和特别适用于实施上述制备烯基卤代硅烷的方法。
本发明反应器的特征在于存在至少下列元件：
A) 反应管（1），其具有
B) 在管一侧的入口（2），
C) 在管另一侧的出口（3），以及
D) 具有气体导入装置（4），该气体导入装置具有多个在反应管（1）纵轴方向上彼此间隔和导入反应管（1）的进气位点（5）。
通过多个导入反应管（1）的进气位点（5）分区地喷入反应物，实施分区的反应方式，因此本发明的反应器也可以称为搁架式反应器（Hordenreaktor）。
由其制造反应管（1）和气体导入装置（4）的材料是耐高温的。这样的材料例如包括含铁的合金，例如除了铁还含有铬、镍和/或钛和/或钼作为合金成分的抗氧化性钢。
通过使烯基卤与单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷反应来制备烯基卤代硅烷的反应器可以是水平、垂直或倾斜地设置的。该反应器的安装方式对所述反应单元的烯基卤代硅烷-产量没有影响。然而已显示，相比于以水平位置运行的反应器，垂直设置的反应器的耐久性明显更长。
所述反应器，即外部的反应管（1）的加热，能够以最不同的类型和方式进行。最常使用的类型在于直接电加热反应管（1）的外表面。另一种形式的加热在于，通过例如液体铅的中间介质来加热所述外部的管。通过气体火焰或者通过红外线辐射来加热所述外部的管也是可行的。所述反应器加热的类型只次要地影响每反应器横截面积可获得的转化率。
优选这样的反应器，在其中紧接着入口（2）存在预热区（6），在其中将在反应管（1）内部的反应物（7）加热至所需的反应温度。
优选这样的反应器，在其中出口（3）导入用于冷却的产物（9）的储存容器（8）中。
在这样的反应器变型中，优选设置管道（10），通过该管道将一部分产物（9）引回到出口（3）附近，并且喷入处于其中的反应混合物中，由此骤冷所述反应混合物并且形成冷却的产物（9）。
在图1中描述了本发明的方法和本发明的反应器。示出的是反应管（1），其在左侧配有用于反应物（7）（例如用于三氯硅烷）的入口（2）。紧接着入口（2）存在预热区（6），在其中将反应物（7）加热至所需的反应温度。多个进气位点（5）导入反应管（1）中，该进气位点由气体导入装置（4）进料。在此，进气位点（5）分别导入所述管横截面的中部。通过进气位点（5），另外的反应物（11）（例如乙烯基氯）分区地喷入处于反应管（1）内部的反应混合物中。反应管（1）在右侧以用于所述反应混合物的出口（3）终结。出口（3）导入用于冷却的产物（9）的储存容器（8）中。将一部分产物（9）通过管道（10）在泵（12）的作用下引回到出口（3）附近，并且喷入到处于其中的反应混合物中。这导致所述反应混合物的骤冷和冷却的产物（9）的形成。此后，其通过出口（3）导入储存容器（8）中。
下列实施例描述了本发明的进一步细节，而并不意在由此限制。
在搁架式反应器（直径200
mm，长度6000 mm）中，使乙烯基氯与三氯硅烷反应生成乙烯基三氯硅烷。在此，将所述反应物三氯硅烷在预热段中预热至400℃。在所述反应器的前端存在三氯硅烷的进料。同样地，乙烯基氯以气态和经预热地通过多个进料处各自分散地喷入所述管状反应器的轴中心中。在乙烯氯在所述进料处排出时，所述乙烯基氯由三氯硅烷包围，并且这时在短的反应区中发生生成乙烯基三氯硅烷的所述反应，并避免所述负面的器壁反应。所输入的三氯硅烷是过量输入的，并且因此根本不可能在所述乙烯基氯-进料处完全消耗。在所述乙烯基氯-进料处进行三氯硅烷和乙烯基氯之间的纯的气相反应。例如导致炭黑形成的所述减少产率的器壁反应被阻碍。
所述反应在所述搁架式反应器中连续地进行，在其中乙烯基氯分区地导入所述热三氯硅烷-流中。
所述反应器原则上可以看作是低逆混的管状反应器。通过将所述乙烯基氯-流分配到多个进料处中，可以优化所述反应器中的温度方式。在所述反应器的末端处，用液体粗产物冷激所述热反应气体，由此最大程度地抑制了形成四氯化硅(V)的后续反应。
在实施例中，在400℃下在所述反应器的入口处导入了650 kg/h三氯硅烷。在所述反应器的第一部分中，将所述三氯硅烷-流进一步加热至约550℃。在z=800 mm（=从所述反应器左边缘测量的距离）下，第一份的乙烯基氯（25 kg/h）导入所述热三氯硅烷-流中。在1000 mm的距离内，跟随另外三个乙烯基氯-进料口，在其中也各自导入25
kg/h乙烯基氯。在第四和最后进料处后的1000 mm处，用液体粗产物冷激所述热反应气体至约40℃。乙烯基氯的转化率为86%，选择性为95%。
所使用的反应器具有200 mm的直径和6000 mm的长度。在所述反应器的出口处出现下列所述反应混合物的物料流：
乙烯基氯 = 14.0 kg/h 三氯硅烷 =
447.9 kg/h
乙烯基三氯硅烷 = 211.1 kg/h 氯化氢 = 47.6 kg/h
四氯化硅 = 17.4 kg/h 高沸物/其它次要组分 =
11.8 kg/h
因此，所述反应器具有152 t乙烯基三氯硅烷的月产量和1120
kg/(m³*h)的时空产率。相比于上述用现有技术反应器的比较例，实现了更高的时空产率，并且所使用的搁架式反应器的95%的乙烯基三氯硅烷-选择性也高于在所述比较例中的值。通过更少产生副产物（四氯化硅和高沸物或者其它次要组分）实现更高的乙烯基三氯硅烷-选择性。
作为本发明方法和本发明“搁架式反应器”类型的反应器的优点，可以发现所述目标产物乙烯基三氯硅烷的提高的选择性和提高的时空产率，因为通过用三氯硅烷-流包围而有针对性地阻碍器壁反应。此外，所述反应器可以称为是低逆混的，由此在所观察的反应体系中形成较少的例如四氯化硅、炭黑和1,2-双(三氯甲硅烷基)乙烷的副产物。此外，通过分区导入乙烯基氯，调节最佳温度分布，由此特别地使所述生成四氯化硅(V)的副反应(2)减小到最低限度。
由于通过用三氯硅烷侧流而最大程度地阻碍所述器壁反应，炭黑的形成减小到最低限度，并且延长所述反应器清洁程序的时间间隔。本发明使用的搁架式反应器可以在乙烯基氯-转化率和乙烯基氯-通过量明显提高的情况下运行，因为该搁架式反应器低逆混地工作。相比于传统使用的反应器，乙烯基三氯硅烷的时空产率由此提高。通过优化所述乙烯基氯-进料处的数量和通过优化乙烯基氯-进料量可以这样优化温度分布，以便所述乙烯基三氯硅烷的选择性是最大化的。理想地，通过温度-调节回路控制在所述进料处的乙烯基氯-分流量。此外，乙烯基氯的所述进料处优选配有90°-弯曲，以便乙烯基氯以所述流动方向进料。
Claims (19)
1.制备烯基卤代硅烷的方法，该方法通过使选自乙烯基卤、偏二卤乙烯或者烯丙基卤的烯基卤与选自单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷的卤代硅烷以气相形式在反应器中反应，该反应器包括在管的一端配有入口（2）和在管的另一端配有出口（3）的反应管（1）以及具有气体导入装置（4），该气体导入装置具有多个在反应管（1）纵轴方向上彼此间隔和导入反应管（1）的进气位点（5），其中单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷通过入口（2）导入反应管（1）并且通过反应管（1）流向出口（3）方向，和其中乙烯基卤、偏二卤乙烯或者烯丙基卤通过进气位点（5）分区地导入反应管（1）内部的气流中。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，使用的烯基卤是乙烯基氯、乙烯基溴、偏二氯乙烯、偏二溴乙烯、烯丙基氯或者烯丙基溴，特别是乙烯基氯或者烯丙基氯，并且使用的卤代硅烷是二氯硅烷或三氯硅烷或者二溴硅烷或三溴硅烷，优选二氯硅烷或者三氯硅烷。
3.根据权利要求1的方法，其特征在于，使用的烯基卤是乙烯基氯或者烯丙基氯，并且使用的卤代硅烷是三氯硅烷。
4.根据权利要求1的方法，其特征在于，在入口（2）处只导入单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷，而将烯基卤跨反应管（1）的长度在多个位置分散地导入到在反应管（1）内部流动的气体混合物中，特别地以主流动方向进料。
5.根据权利要求1的方法， 其特征在于，所述烯基卤通过气体导入装置（4）通过二至十个，优选地通过三至六个进气位点（5）导入到所述管状反应器的中心，其中第一个进气位点（5）与入口（2）之间的距离为20 mm至1000 mm。
6.根据权利要求5的方法，其特征在于，两个进气位点（5）之间的距离为100 mm至2000 mm，并且进气位点（5）优选地等距排列。
7.根据权利要求1的方法，其特征在于，在气体导入装置（4）处设置工具，用其可以改变所述烯基卤在进气位点（5）的流量。
8.根据权利要求7 的方法，其特征在于，所述烯基卤的流量在不同的进气位点（5）之间均匀分配或者所述烯基卤的流量在不同的进气位点（5）之间任意改变，其中每个进气位点（5）选择烯基卤/（n∙5）的流量作为最小量，其中每个进气位点（5）选择烯基卤/（n∙½）的流量作为最大量，其中n表示所述反应器中进气位点（5）的总数，n≥2。
9.根据权利要求1的方法，其特征在于，单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷与烯基卤的用量比为1.0至10 mol:mol，优选为2.0至4.0 mol:mol。
10.根据权利要求1的方法，其特征在于，在反应管（1）的产物侧的一端，用液体粗产物冷激所述热反应混合物。
11.根据权利要求1的方法，其特征在于，在反应管（1）内部的温度为400至700℃，优选为500至650℃。
12.根据权利要求1的方法，其特征在于，在反应管（1）内部的压力为 1.0至2.0 bar abs，优选为1.0至1.5 bar abs。
13.根据权利要求1的方法，其特征在于，烯基卤在进气位点（5）的分流量各自通过温度-调节回路来控制。
14.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述反应混合物在所述反应器中从第一进气位点（5）至出口（3）的停留时间为0.5至10 sec，优选为1.5至4 sec。
15.用于气相反应的反应器，其特征在于存在至少下列元件：
A) 反应管（1），其具有
B) 在管一侧的入口（2），
C) 在管另一侧的出口（3），以及
D) 具有气体导入装置（4），其具有多个在反应管（1）纵轴方向上彼此间隔和导入反应管（1）的进气位点（5）。
16.根据权利要求15的反应器，其特征在于，在气体导入装置（4）处设置工具，用其可以改变所述气体在进气位点（5）的流量。
17.根据权利要求15的反应器，其特征在于，紧接着入口（2）存在预热区（6），在其中将反应物（7）加热至所需的反应温度。
18.根据权利要求15的反应器，其特征在于，出口（3）导入用于冷却的产物（9）的储存容器（8）中。
19.根据权利要求18的反应器，其特征在于，设置管道（10），通过该管道将一部分产物（9）引回到出口（3）附近，并且喷入位于其中的反应混合物中，由此骤冷所述反应混合物并且形成冷却的产物（9）。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102012212915.4 | 2012-07-24 | ||
| DE102012212915.4A DE102012212915A1 (de) | 2012-07-24 | 2012-07-24 | Verfahren zur Herstellung von Alkenylhalogensilanen und dafür geeigneter Reaktor |
| PCT/EP2013/060910 WO2014016014A1 (de) | 2012-07-24 | 2013-05-28 | Verfahren zur herstellung von alkenylhalogensilanen und dafür geeigneter reaktor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104520306A true CN104520306A (zh) | 2015-04-15 |
| CN104520306B CN104520306B (zh) | 2016-11-30 |
Family
ID=
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2015105915A (ru) | 2016-09-10 |
| EP2877475B1 (de) | 2016-11-23 |
| KR20150038083A (ko) | 2015-04-08 |
| JP2015530365A (ja) | 2015-10-15 |
| WO2014016014A9 (de) | 2015-01-15 |
| WO2014016014A1 (de) | 2014-01-30 |
| KR101792923B1 (ko) | 2017-11-02 |
| US9272258B2 (en) | 2016-03-01 |
| JP6042540B2 (ja) | 2016-12-14 |
| DE102012212915A1 (de) | 2014-05-15 |
| BR112015001368A2 (pt) | 2017-07-04 |
| EP2877475A1 (de) | 2015-06-03 |
| RU2605553C2 (ru) | 2016-12-20 |
| US20150202590A1 (en) | 2015-07-23 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20160107 Address after: essen Applicant after: Evonik Degussa GmbH Address before: essen Applicant before: Evonik Industries AG |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20161130 Termination date: 20180528 |
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |