CN104516614A - 触控装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种触控装置。该触控装置包括第一导电层与第二导电层，所述第一导电层与第二导电层相互绝缘而构成电容式的触摸感测结构。所述触控装置还包括与所述第一导电层电连接的降阻层，所述降组层与所述第一导电层电性连接所形成的等效电阻小于所述第一导电层之电阻。本发明通过降阻层与第一导电层电性连接的结构使得所述触控装置比单纯的使用触控感测电极更加容易驱动，以此来加快所述触控装置的响应速度以及触控灵敏度。

Description

触控装置
技术领域
本发明涉及一种触控装置，尤其是一种触控式液晶显示面板。
背景技术
随着人机交互界面的发展，触控装置，尤其是触控式显示面板现在越来越流行。为实现触控装置的轻、薄化，现很流行将触控功能整合至液晶显示面板中或有机电致发光面板中。然而，在面板解析度越来越高的背景下，触控电极将变得越来越难驱动，影响触控装置的触控灵敏度。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种触控装置。该触控装置包括第一导电层与第二导电层，所述第一导电层与第二导电层相互绝缘而构成电容式的触摸感测结构。所述触控装置还包括与所述第一导电层电连接的降阻层，所述降组层与所述第一导电层电性连接所形成的等效电阻小于所述第一导电层之电阻。
与现有技术相比较，本发明所提供的触控装置通过降阻层与第一导电层电性连接的结构使得所述触控装置比单纯的使用触控感测电极更加容易驱动，以此来加快所述触控装置的响应速度以及触控灵敏度。
附图说明
图1是本发明具体实施方式所提供的触控装置的分解示意图。
图2是本发明触控装置第一实施方式的剖面示意图。
图3是图2所示的阵列基板中触控传送电极上金属层分布的平面结构示意图。
图4是图2所示的阵列基板中触控传送电极上金属层分布的又一实施方式的平面结构示意图。
图5是本发明触控装置第二实施方式的剖面示意图。
图6是本发明触控装置第三实施方式的剖面示意图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1，本发明具体实施方式所提供的触控装置1000包括显示面板1、触控感测结构2以及降阻层3。
具体而言，所述显示面板1包括第一基板11、第二基板12以及液晶层13。所述第一基板11与所述第二基板12相对设置。所述液晶层13夹于所述第一基板11与第二基板12之间。其中，所述第一基板11包括第一基底1101、栅极驱动线1102以及源极驱动线1103。所述栅极驱动线1102与源极驱动线1103设置于所述第一基底1101上，且相互交错并绝缘设置。所述显示面板1还包括多个透光的用于显示图像的像素单元1104以及位于相邻的两个像素单元1104之间的非透光区A。所述像素单元1104位于所述栅极驱动线1102与源极驱动线1103的相交处。所述第二基板12包括第二基底1201。
所述触控感测结构2包括第一导电层21以及第二导电层22。所述第一导电层21设置于所述第一基底1101上，且位于所述栅极驱动线1102与源极驱动线1103靠近所述液晶层13的一侧。所述第二导电层22设置于所述第二基底1201上，且位于所述第二基底1201远离所述液晶层13的一侧。所述第二导电层22与第一导电层21相互绝缘而作为触控电极构成电容式的触摸感测结构，当一手指触摸到所述触控装置1000上时，该手指影响所述第二导电层22与第一导电层21之间的电容，并藉此侦测触摸的位置。所述第一导电层21包括多个触控感测电极211，所述第二导电层22包括多个触控感测电极221。
所述降阻层3直接覆盖于所述第一导电层21上，并与所述第一导电层21电性连接。所述降阻层3包括多个与所述触控感测电极211相对应的降阻单元31。所述降阻单元31对应分布于所述非透光区A。在垂直于所述第一基板11的方向上，所述降阻单元31的位置正对所述栅极驱动线1102。这样设计的目的在于不影响该显示面板1的开口率。
请参阅图2，图2是本发明触控装置1000第一实施方式的剖面示意图(其中所述剖面可以是包括阶梯状剖面)。所述第一基板11还包括薄膜晶体管1105、钝化层1106以及像素电极1107。所述薄膜晶体管1105设置于所述第一基底1101上。所述钝化层1106覆盖该薄膜晶体管1105。所述第一导电层21与该薄膜晶体管1105绝缘设置。所述像素电极1107与该第一导电层21绝缘设置。
本实施方式中，所述第二基板12包括黑矩阵1202与彩色滤光层1203，所述黑矩阵1202与彩色滤光层1203共同构成所述触控装置1000的彩色滤光片。其中，所述彩色滤光层1203可以包括间隔的红色滤光单元R、绿色滤光单元G及蓝色滤光单元B。
进一步地，所述黑矩阵1202与所述彩色滤光层1203设置于所述第二基底1201邻近所述液晶层13一侧，且所述红色滤光单元R、绿色滤光单元G及蓝色滤光单元B间隔设置于相邻的黑矩阵1202之间。所述第二导电层22与所述第一导电层21之间的介质层至少包括所述黑矩阵1202、彩色滤光层1203以及液晶层13。
在本实施方式中，所述显示面板1可以是平面电场切换型(In-Plane Switching, IPS)液晶显示面板或边缘电场切换型(Fringing Field Switching, FFS)液晶显示面板。所述第一导电层21还能够作为所述显示面板1的公共电极，配合所述像素电极1107产生基本平行于所述第一基板11的电场以驱动液晶层13的液晶分子1301在平面内旋转。
所述第一导电层21设置于所述钝化层1106上，所述降阻层3设置于所述第一导电层21上远离所述钝化层1106的一侧。所述第一导电层21上的每个触控感测电极211至少与所述降阻层3上的一个降阻单元31电性连接。
所述显示面板1还包括绝缘层1108，所述绝缘层1108覆盖于所述第一导电层21及降阻层3上。所述像素电极1107设置于所述绝缘层1108上。所述钝化层1106开设有贯穿所述钝化层1106的导通孔1116，所述第一基板11还包括设置于所述钝化层1106上且经由所述导通孔1116连接所述薄膜晶体管1105的导电部1111。所述导电部1111与所述第一导电层21间隔设置。所述绝缘层1108包括贯穿所述绝缘层1108的导通孔1117，所述像素电极1107经由所述导通孔1117电连接所述导电部1111以与所述薄膜晶体管1105电连接。
其中，所述第一导电层21与所述像素电极1107的材料可以均为透明导电材料，例如氧化铟锡（Indium tin oxide,ITO）等。所述降阻层3材料可以为金属，例如金属钼、金属铝、金属铜等。所述导电部1111的材料也为金属。所述降阻层3设置在所述第一导电层21上，且所述降阻层3与所述第一导电层21电性连接所形成的等效电阻小于所述第一导电层21自身的电阻，因此所述降阻层3与第一导电层21电性连接的结构要比所述第一导电层21更容易驱动，并能够进一步地加快所述触控装置1000的响应速度以及触控灵敏度。
如图3所示，为所述降阻层3的一个降阻单元31在所述第一导电层21的一个触控感测电极211上排布的一个实施方式的平面结构示意图。所述降阻单元31为图案化结构，其包括若干降阻条311以及由这些降阻条311围成的开口312。在本实施方式中，所述降阻条311包括至少二个第一降阻条3111以及与所述第一降阻条3111相交的至少二个第二降阻条3112。其中，该些第一降阻条3111并列排列，且该些第一降阻条3111的两端分别与两条所述第二降阻条3112相连。
如图4所示，为所述降阻层3的一个降阻单元31在所述第一导电层21的一个触控感测电极211上排布的另一个实施方式的平面结构示意图。该降阻条311同样包括至少二个第一降阻条3111以及与所述第一降阻条3111相交的至少二个第二降阻条3112。其中，该第一降阻条3111沿与所述触控感测电极211的延伸方向延伸，该第一降阻条3111与第二降阻条3112形成网格状图案。
所述第一降阻条3111与第二降阻条3112的宽度分别为10μm至30μm，相邻的第一降阻条3111或相邻的第二降阻条3112之间的距离为100μm至300μm。需要说明的是，所述降阻单元31在所述触控感测电极211上的排布方式并不限于上述两种，以上对该降阻单元31的描述仅为使读者更容易理解本发明，而并非对降阻单元31在所述触控感测电极211上的排布方式进行限定。
如图2所示，所述薄膜晶体管1105可以是低温多晶硅薄膜晶体管，其包括栅极1105a、源极1105b、漏极1105c及沟道层1105d。所述第一基底1101为透明基底，如玻璃基底。所述第二基底1201也可以为透明基底。所述第一基板11还包括光遮蔽层1112、第一隔离层组1113、栅极绝缘层1114以及第二隔离层组1115。
具体地，该光遮蔽层1112设置于该第一基底1101上。该第一隔离层组1113覆盖于该光遮蔽层1112上，其可以包括三层隔离层，该三层隔离层的材料可以自下而上依序为氧化硅、氮化硅及氧化硅。该沟道层1105d设置于该第一隔离层组1113上，其包括轻掺杂区及重掺杂区。该栅极绝缘层1114覆盖于该沟道层1105d上，其材料可以为氧化硅。该栅极1105a设置于该栅极绝缘层1114上，本实施方式中，该薄膜晶体管1105可以为双栅极型薄膜晶体管。该第二隔离层组1115设置于该栅极1105a上，其可以包括自下而上的氮化硅及氧化硅。该第二隔离层组1115及该栅极绝缘层1114还开设有贯穿该第二隔离层组1115及该栅极绝缘层1114的导通孔1118及导通孔1119。该源极1105b及该漏极1105c设置在该第二隔离层组1115上，且该源极1105b通过该导通孔1118连接至该沟道层1105d的一端，该漏极1105c通过该导通孔1119连接至该沟道层1105d的另一端。可以理解，该源极1105b还连接设置于该第二隔离层组1115上且与该源极1105b同层设置的源极驱动线1103(图未示)，该栅极1105a还连接设置于该栅极绝缘层1114上且与该栅极1105a同层设置的栅极驱动线1102(图未示)。该钝化层112覆盖于该第二隔离层组1115、该源极1105b及该漏极1105c上，并且该贯穿该钝化层112的导通孔1117的位置可以与该导通孔1119对应。
此外，该像素电极1107中还形成有多个第一开口1109，该第一导电层21对应形成多个第二开口1110，该多个第一开口1109及多个第二开口1110可以交错设置。当然，当该触控装置1000为边缘电场切换型液晶显示面板时，该第一导电层21也可以不设置该多个第二开口1110或者该像素电极1107中不设置第一开口1109。又，该触控装置1000还可以包括位于该液晶层13中的间隔物1302，其中该间隔物1302的位置可以与降阻单元31对应。
与现有技术相比较，本发明具体实施方式所提供的触控装置1000中，通过所述降阻层3与第一导电层21电性连接的结构使得所述触控装置比单纯的使用第一导电层21更加容易驱动，以此来加快所述触控装置1000的响应速度以及触控灵敏度。
请参阅图5，图5是本发明触控装置2000第二实施方式的剖面示意图。该第二实施方式的触控装置2000与第一实施方式的触控装置1000的主要区别在于：所述降阻层6设置于所述钝化层4106上面向所述第一导电层51的一侧且正对所述第一导电层51。也就是说，所述降阻层6位于所述第一导电层51靠近所述钝化层4106一侧。该降阻层6与第一导电层51电性连接的结构同样能够使得所述触控装置2000比单纯的使用第一导电层51更加容易驱动，以此来加快所述触控装置2000的响应速度以及触控灵敏度。
可以理解的是，该降阻层3的设计同样可以应用在所述第二导电层22上。如图6所示，在本发明第三实施方式所提供的触控装置3000中，通过设置在所述第二基底7201上并与第二导电层82并连的降阻层9同样能够使得所述触控装置3000比单纯的使用第二导电层82更加容易驱动，以此来加快所述触控装置3000的触控灵敏度。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (19)

1.一种触控装置，包括第一导电层与第二导电层，所述第一导电层与第二导电层相互绝缘而构成电容式的触摸感测结构，所述触控装置还包括与所述第一导电层电连接的降阻层，所述降组层与所述第一导电层电性连接所形成的等效电阻小于所述第一导电层之电阻。
2.如权利要求1所述的触控装置，其特征在于，所述第一导电层包括多个触控感测电极，所述降阻层包括多个降阻单元，每个触控感测电极至少与一个降阻单元电性连接。
3.如权利要求2所述的触控装置，其特征在于，所述降阻单元为图案化结构，其包括若干降阻条以及由这些降阻条围成的开口。
4.如权利要求3所述的触控装置，其特征在于，该降阻条包括至少二个第一降阻条及与第一降阻条相交的至少二个第二降阻条。
5.如权利要求4所述的触控装置，其特征在于，该些第一降阻条并列排列，且该些第一降阻条的两端分别与两条所述第二降阻条相连。
6.如权利要求5所述的触控装置，其特征在于，所述第一降阻条与第二降阻条的宽度分别为10μm至30μm，相邻的第一降阻条或相邻的第二降阻条之间的距离分别为100μm至300μm。
7.如权利要求4所述的触控装置，其特征在于，该第一降阻条沿与所述触控感测电极的延伸方向延伸，该第一降阻条与第二降阻条形成网格状图案。
8.如权利要求7所述的触控装置，其特征在于，所述第一降阻条与第二降阻条的宽度分别为10μm至30μm，相邻的第一降阻条或相邻的第二降阻条之间的距离分别为100μm至300μm。
9.如权利要求1所述的触控装置，其特征在于，所述降组层直接覆盖于该第一导电层上。
10.如权利要求1所述的触控装置，其特征在于，所述降阻层的材料为金属，该第一导电层的材料为透明导电材料。
11.如权利要求3-10项任意一项所述的触控装置，其特征在于，该触控装置还包括显示面板，该显示面板包括多个透光的用于显示图像的像素单元以及位于相邻的两个像素单元之间的非透光区，该降组单元对应分布于该非透光区。
12.如权利要求11所述的触控装置，其特征在于，所述显示面板包括第一基板，该第一基板包括第一基底以及设置于该第一基底上的栅极驱动线与源极驱动线，所述栅极驱动线与源极驱动线相互交错并相互绝缘，所述像素单元位于所述栅极驱动线与源极驱动线的相交处，在垂直于所述第一基板的方向上，所述降组单元的位置正对所述栅极驱动线。
13.如权利要求12所述的触控装置，其特征在于，该第一导电层及该降阻层设置于该第一基底上。
14.如权利要求13所述的触控装置，其特征在于，所述显示面板还包括与所述第一基板相对设置之第二基板及夹于该第一基板与该第二基板之间的液晶层，该第一基板还包括设置于该第一基底上的薄膜晶体管、覆盖该薄膜晶体管的钝化层以及与该第一导电层绝缘设置的像素电极，所述第一导电层与所述薄膜晶体管绝缘设置。
15.如权利要求14所述的触控装置，其特征在于，所述第一导电层设置于所述钝化层上，所述降阻层设置于所述第一导电层上远离所述钝化层的一侧。
16.如权利要求15所述的触控装置，其特征在于，所述第二基板还包括设置于该第二基底邻近该液晶层一侧的黑矩阵以及彩色滤光层，所述第二导电层设置于所述第二基底上，所述第一导电层与第二导电层之间的介质至少包括该黑矩阵、彩色滤光层以及液晶层。
17.如权利要求13所述的触控装置，其特征在于，该第一导电层还作为显示面板的公共电极。
18.如权利要求16所述的触控装置，其特征在于，所述第一基板还包括绝缘层，该绝缘层覆盖于该第一导电层及该降阻层，该像素电极设置于该绝缘层上。
19.如权利要求14所述的触控装置，其特征在于，所述第一导电层设置于所述钝化层上，所述降阻层设置于所述钝化层上面向所述第一导电层的一侧且正对所述第一导电层。
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