CN104503178A - 一种阵列基板、其制备方法及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板、其制备方法及显示装置,由于在第一信号线和第二信号线的交叠区域设置有连接部,该连接部具有导电性,且连接部与第二信号线直接接触,因此,即使当位于上方的第二信号线在第一信号线与第二信号线的交叠区域由于端差大导致断裂时,与第二信号点电连接的连接仍然可以起到电连接第二信号的作用,从而避免由于信号线在交叠区域发生断裂而影响信号传输。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤指一种阵列基板、其制备方法及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,人们对显示产品的分辨率(Pixel per inch,PPI)以及像素开口率的要求越来越高。因此导致显示面板中的阵列基板上的像素尺寸以及像素间距(pixel pitch)越来越小,随之信号线也越来越细。
例如在液晶显示面板中,当阵列基板上的源极信号线与栅极信号线较细时,如图1a和图1b所示,其中图1b为图1a沿A-A’方向的剖面示意图,在源极信号线1与栅极信号线2的交叠处,由于位于下方的栅极信号线2是有一定厚度的,因此位于上方的源极信号线1在交叠处是向桥一样跨越过栅极信号线2,从而导致源极信号线1在交叠处产生端差,即源极信号线1的最高位置与最低位置的距离差h,一般位于源极信号线1下方的栅极信号线2的厚度越大,源极信号线1在交叠处产生的端差也越大,由于端差的存在,导致源极信号线1在端差较大的区域容易发生断裂,从而影响信号的传输。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种阵列基板、其制备方法及显示装置,用以解决现有技术中存在的信号线在交叠区域容易发生断裂,从而影响信号传输的问题。
因此,本发明实施例提供的一种阵列基板,包括衬底基板,位于所述衬底基板上的异层设置的第一信号线和第二信号线,以及位于所述第一信号线与所述第二信号线之间的绝缘层;其中,所述第二信号线位于所述第一信号线的上方,且沿不同方向延伸的所述第一信号线和所述第二信号线具有交叠区域;
所述绝缘层与所述第二信号线所在层之间还设置有至少覆盖一个所述交叠区域的连接部;
所述连接部具有导电性,且所述连接部与所述第二信号线直接接触。
较佳地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,还包括:位于所述绝缘层与所述第二信号线所在层之间的像素电极;
所述连接部设置为与所述像素电极同层同材质。
较佳地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述连接部的厚度与所述像素电极的厚度相同。
较佳地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述像素电极的材料为铟锡氧化物。
较佳地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述第一信号线包括源极信号线,所述第二信号线包括栅极信号线;或
所述第一信号线包括栅极信号线,所述第二信号线包括源极信号线。
较佳地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述第一信号线还包括公共电极线,或所述第二信号线还包括公共电极线。
较佳地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,各所述交叠区域均设置有一个所述连接部。
相应地,本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法,包括在衬底基板上形成第一信号线的图形,位于所述第一信号线上方的绝缘层,以及位于所述绝缘层上方的第二信号线的图形;且沿不同方向延伸的所述第一信号线和所述第二信号线具有交叠区域;在形成所述绝缘层之后,形成所述第二信号线的图形之前,还包括:
在所述绝缘层上形成至少覆盖一个所述交叠区域的连接部的图形,且所述连接部具有导电性。
较佳地,为了简化制备工艺、降低生产成本,在本发明实施例提供的上述制备方法中,形成所述连接部的图形具体包括:
在所述绝缘层的上方形成像素电极的薄膜;
通过一次构图工艺在所述像素电极的薄膜中形成包含像素电极和连接部的图形。
相应地,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明实施例提供的上述任一种阵列基板。
本发明实施例提供的上述阵列基板、其制备方法及显示装置,由于在第一信号线和第二信号线的交叠区域设置有连接部,该连接部具有导电性,且连接部与第二信号线直接接触,因此,即使当位于上方的第二信号线在第一信号线与第二信号线的交叠区域由于端差大导致断裂时,与第二信号点电连接的连接仍然可以起到电连接第二信号的作用,从而避免由于信号线在交叠区域发生断裂而影响信号传输。
附图说明
图1a为现有的阵列基板的俯视结构示意图;
图1b为图1a所示的阵列基板在沿A-A’方向的剖面结构示意图;
图2a为本发明实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图;
图2b为图2a所示的阵列基板在沿B-B’方向的剖面结构示意图;
图3a为本发明实施例提供的液晶显示中的阵列基板的俯视结构示意图;
图3b为图3a所示的阵列基板在沿C-C’方向的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图,对本发明实施例提供的阵列基板、其制备方法及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各部件的大小和形状不反映阵列基板的真实比例,目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供的一种阵列基板,如图2a和图2b所示,包括衬底基板10,位于衬底基板10上的异层设置的第一信号线11和第二信号线13,以及位于第一信号线11与第二信号线13之间的绝缘层12;其中,第二信号线13位于第一信号线11的上方,沿不同方向延伸的第一信号线11和第二信号线13具有交叠区域;
在绝缘层12与第二信号线13所在的层之间还设置有至少覆盖一个交叠区域的连接部14;
连接部14具有导电性,且连接部14与第二信号线13直接接触。
本发明实施例提供的上述阵列基板,由于在第一信号线和第二信号线的交叠区域设置有连接部,该连接部具有导电性,且连接部与第二信号线直接接触,因此,即使当位于上方的第二信号线在第一信号线与第二信号线的交叠区域由于端差大导致断裂时,与第二信号点电连接的连接仍然可以起到电连接第二信号的作用,从而避免由于信号线在交叠区域发生断裂而影响信号传输。
并且,由于在上述阵列基板的制备过程中,在对第二信号线进行构图时,覆盖在第二信号线的上的光刻胶层的表面距衬底基板的距离是均匀的,即在第二信号线的表面与衬底基板之间距离大的区域的光刻胶层的厚度薄,在第二信号线的表面与衬底基板之间距离小的区域的光刻胶层的厚度厚,因此将连接部设置于绝缘层与第二信号线之间、且至少覆盖交叠区域,可以减少在第二信号线端差处的光刻胶层的厚度,从而降低在形成第二信号线时位于端差处光刻胶的剥离难度,进而减小由于对光刻胶层的剥离难度大所造成的第二信号线发生断裂的问题。
具体地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,连接部的形状可以是圆形、椭圆形、矩形或其它不规则形,在此不作限定。
需要说明的是,本发明实施例提供的上述阵列基板,可以是具有相互绝缘的第一信号线和第二信号线,且第一信号和第二信号具有交叠区域的任意阵列基板,例如,液晶显示面板中具有源极信号线和栅极信号线的阵列基板,互电容触控面板中具有触控驱动线和驱动感应线的阵列基板等,在此不作限定。
具体地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,连接部的材料可以为金属材料,也可以为透明导电氧化物材料,还可以是具有导电性的其它材料,在此不作限定。
较佳地,当本发明实施例提供的上述阵列基板应用于液晶显示面板时,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,还包括:位于绝缘层与第二信号线所在层之间的像素电极;
连接部设置为与像素电极同层同材质。这样在制备时,可以将连接部与像素电极同层制备,从而不用增加新的制备工艺,仅需变更对应的膜层的构图即可实现,简化了工艺步骤,节省了生产成本,提高了生产效率。
较佳地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,连接部的厚度与像素电极的厚度相同。
较佳地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,像素电极的材料为铟锡氧化物,在此不作限定。
进一步地,当本发明实施例提供的上述阵列基板应用于液晶显示面板时,在发明实施例提供的上述阵列基板中,第一信号线包括源极信号线,第二信号线包括栅极信号线,即栅极信号线位于源极信号线的上方;或
第一信号线包括栅极信号线,第二信号线包括源极信号线,即源极信号线位于栅极信号线的上方。
进一步地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,第一信号线还包括公共电极线,即在公共电极线与源极信号线同层设置,在公共电极线与栅极信号信号线的交叠区域同样设置有连接部;或者第二信号线还包括公共电极线,即公共电极线与栅极信号线同层设置,在公共电极线与源极信号线交叠的区域同样设置有连接部。
下面通过一个具体的实施例来说明本发明实施例提供的上述阵列基板。如图3a和图3b所示,在应用于液晶显示面板的阵列基板中,包括依次位于衬底基板10上的:同层设置的栅极信号线111和公共电极线112、栅极绝缘层121、同层设置的连接部14和像素电极15、源极信号线131,以及源极绝缘层16。其中,连接部14位于在沿不同方向延伸的公共电极线112与源极信号线131的交叠区域,以及沿不同方向延伸的栅极信号线111与源极信号线131的交叠区域。这样通过设置连接部,既可以减小端差处源极信号线发生断裂的几率,又可以在即使源极信号线发生断裂时仍然可以起到电连接源极信号线的作用,从而避免由于源极信号线断裂影响信号传输。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法,包括在衬底基板上形成第一信号线的图形,位于第一信号线上方的绝缘层,以及位于绝缘层上方的第二信号线的图形;且沿不同方向延伸的第一信号线和第二信号线具有交叠区域;在形成绝缘层之后,形成第二信号线的图形之前,还包括:
在绝缘层上形成至少覆盖一个交叠区域的连接部的图形,且连接部具有导电性。
本发明实施例提供的上述制备方法,由于在第一信号线和第二信号线的交叠区域设置有连接部,该连接部具有导电性,因此,即使当位于上方的第二信号线在第一信号线与第二信号线的交叠区域由于端差大导致断裂时,与第二信号点电连接的连接仍然可以起到电连接第二信号的作用,从而避免由于信号线在交叠区域发生断裂而影响信号传输。并且,由于在上述阵列基板的制备过程中,在对第二信号线进行构图时,覆盖在第二信号线的上的光刻胶层的表面距衬底基板的距离是均匀的,即在第二信号线的表面与衬底基板之间距离大的区域的光刻胶层的厚度薄,在第二信号线的表面与衬底基板之间距离小的区域的光刻胶层的厚度厚,因此将连接部设置于绝缘层与第二信号线之间、且至少覆盖交叠区域,可以减少在第二信号线端差处的光刻胶层的厚度,从而降低在形成第二信号线时位于端差处光刻胶的剥离难度,进而减小由于对光刻胶层的剥离难度大所造成的第二信号线发生断裂的问题。
较佳地,为了简化制备工艺,在本发明实施例提供的上述制备方法中,形成连接部的图形具体可以包括:
在绝缘层的上方形成像素电极的薄膜;
通过一次构图工艺在像素电极的薄膜中形成包含像素电极和连接部的图形。这样不用增加新的制备工艺,仅需变更对应的膜层的构图即可实现,简化了工艺步骤,节省了生产成本,提高了生产效率。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明实施例提供的上述阵列基板,该显示装置可以为:显示面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施例,重复之处不再赘述。
具体地,本发明实施例提供的上述显示面板,可以是液晶显示(LiquidCrystal Display,LCD)面板,当然也可以是有机发光二极管(Organic LightEmitting Diode,OLED)显示面板,在此不做限定,在此不作限定。在具体实施时,对于显示面板的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的,在此不做赘述,也不应作为对本发明的限制。
本发明实施例提供的一种阵列基板、其制备方法及显示装置,由于在第一信号线和第二信号线的交叠区域设置有连接部,该连接部具有导电性,且连接部与第二信号线直接接触,因此,即使当位于上方的第二信号线在第一信号线与第二信号线的交叠区域由于端差大导致断裂时,与第二信号点电连接的连接仍然可以起到电连接第二信号的作用,从而避免由于信号线在交叠区域发生断裂而影响信号传输。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种阵列基板,包括衬底基板,位于所述衬底基板上的异层设置的第一信号线和第二信号线,以及位于所述第一信号线与所述第二信号线之间的绝缘层;其中,所述第二信号线位于所述第一信号线的上方,且沿不同方向延伸的所述第一信号线和所述第二信号线具有交叠区域;其特征在于:
所述绝缘层与所述第二信号线所在层之间还设置有至少覆盖一个所述交叠区域的连接部;
所述连接部具有导电性,且所述连接部与所述第二信号线直接接触。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:位于所述绝缘层与所述第二信号线所在层之间的像素电极;
所述连接部设置为与所述像素电极同层同材质。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述连接部的厚度与所述像素电极的厚度相同。
4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极的材料为铟锡氧化物。
5.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一信号线包括源极信号线,所述第二信号线包括栅极信号线;或
所述第一信号线包括栅极信号线,所述第二信号线包括源极信号线。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一信号线还包括公共电极线,或所述第二信号线还包括公共电极线。
7.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,各所述交叠区域均设置有一个所述连接部。
8.一种阵列基板的制备方法,包括在衬底基板上形成第一信号线的图形,位于所述第一信号线上方的绝缘层,以及位于所述绝缘层上方的第二信号线的图形;且沿不同方向延伸的所述第一信号线和所述第二信号线具有交叠区域;其特征在于,在形成所述绝缘层之后,形成所述第二信号线的图形之前,还包括:
在所述绝缘层上形成至少覆盖一个所述交叠区域的连接部的图形,且所述连接部具有导电性。
9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于,形成所述连接部的图形具体包括:
在所述绝缘层的上方形成像素电极的薄膜;
通过一次构图工艺在所述像素电极的薄膜中形成包含像素电极和连接部的图形。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05119345A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
US5287206A (en) * | 1990-11-30 | 1994-02-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix display device |
JPH0829805A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-02-02 | Nec Corp | アクティブマトリクス基板 |
CN101097320A (zh) * | 2006-06-29 | 2008-01-02 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 液晶显示装置及其制造方法 |
CN102629573A (zh) * | 2011-07-11 | 2012-08-08 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及制作方法 |
WO2012133158A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | シャープ株式会社 | 液晶パネル用アレイ基板および液晶パネル |
CN103513482A (zh) * | 2013-10-25 | 2014-01-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、阵列基板及其制备方法 |
CN103605242A (zh) * | 2013-11-21 | 2014-02-26 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1173216C (zh) * | 1997-11-03 | 2004-10-27 | 三星电子株式会社 | 具有改变的电极排列的液晶显示器 |
KR20140022671A (ko) * | 2012-08-14 | 2014-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2014
- 2014-12-31 CN CN201410857208.5A patent/CN104503178A/zh active Pending
-
2015
- 2015-07-16 US US14/801,531 patent/US9865625B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5287206A (en) * | 1990-11-30 | 1994-02-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix display device |
JPH05119345A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
JPH0829805A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-02-02 | Nec Corp | アクティブマトリクス基板 |
CN101097320A (zh) * | 2006-06-29 | 2008-01-02 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 液晶显示装置及其制造方法 |
WO2012133158A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | シャープ株式会社 | 液晶パネル用アレイ基板および液晶パネル |
CN102629573A (zh) * | 2011-07-11 | 2012-08-08 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及制作方法 |
CN103513482A (zh) * | 2013-10-25 | 2014-01-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、阵列基板及其制备方法 |
CN103605242A (zh) * | 2013-11-21 | 2014-02-26 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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