CN104472010A - 陶瓷加热器加热丝的布置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及陶瓷加热器加热丝的布置，是陶瓷加热器和散热的陶瓷基板上加热丝的布置，陶瓷加热器加热丝的布置包括加热丝，其加热丝是纵向延伸的金属丝构件，并二维布置在一个虚拟的二维平面上，此二维平面基本平行于陶瓷基板的上表面。因此，与传统的三维式加热丝不同，其可以维持均匀的加热密度并可以实现温度快速上升。
Description
技术领域
本发明涉及陶瓷加热器加热丝的布置，更特别的是涉及可以维持均匀的加热密度和温度快速上升的陶瓷加热器的加热丝。
背景技术
陶瓷加热器是在半导体制造过程中加热半导体晶片的装置，图1显示了这样的陶瓷加热器(1)的一个示例。
陶瓷加热器(1)包括陶瓷基板(2)，陶瓷基板(2)是通过利用陶瓷材料如氮化铝(AIN；aluminium nitride)或氧化铝(Al2O3；aluminium oxide)制造成的圆形平板，空心轴(3)连接至陶瓷基板(2)的底表面并在空心轴(3)的内部有一个孔H，加热丝(4)是三维卷(coil)式金属丝(wire)并布置在陶瓷基板(2)的内部以散热，静电发电电极(5)是布置在陶瓷基板(2)内部的网(mesh)状金属部件，并产生静电以吸附半导体晶片，第一供电部件(6)是布置在空心轴(3)的孔H内的杆状部件，并向加热丝(4)供电，第一连接部件(8)用于连接第一供电部件(6)至加热丝(4)，第二供电部件(7)是布置在空心轴(3)的孔H内的杆状部件，并向静电发电电极(5)供电，第二连接部件(9)是用于连接第二供电部件(7)至静电发电电极(5)。因此，陶瓷加热器(1)通过利用加热丝(4)加热半导体晶片，并通过利用由静电发电电极(5)产生的静电吸附和固定半导体晶片。
如图2所示，陶瓷加热器(1)通常包括三维卷式加热丝(4)，由于陶瓷基板(2)在烧结过程中可能会发生的收缩变形，因此很难维持三维卷式的形状。
此外，由于三维线圈的特性和在烧结过程中可能发生的三维线圈形状变形，很难维持加热密度(heat density)，需要设计陶瓷加热器(1)，需要陶瓷基板(2)上面整体均匀。
此外，如图3所示，由于三维卷式加热丝(4)具有三维线圈的形状，有比横截面的直径(D)更厚的厚度(W)，其产生的热量向四方发散。因此，经比较，通过加热丝4产生同样热量，二维平面式加热丝，在向上方向上产生的热量，也就是说，在加热半导体晶片必要的一个方向上产生的热量会减少。
此外，由于三维卷式加热丝(4)具有三维线圈的形状，工作人员把加热丝布置在陶瓷基板(2)的内部不容易。因此，陶瓷基板(2)不得不使用粉末型原料制造。
为了解决三维卷式加热丝(4)的这些问题，二维平面式加热丝(未示出)通过使用金属粘贴剂(paste)以薄片(sheet)形状制造。
然而，尽管薄片形状的加热丝(未示出)可实现均匀的加热密度，由于其制造方法只局限在蚀刻、粘贴压印或其它类似的方法，所以只能制造比较薄的薄片形状的加热丝。因此，加热丝与第一连接部件(8)的物理连接会更加恶化，并且加热丝的耐蚀性和耐久性会更加恶化。
此外，当从陶瓷基板(2)观察，薄片形状的加热丝与三维卷式加热丝(4)相比具有更大的上平表面。因此，与具有相同横截面和相同长度的加热丝相比，薄片形状的加热丝具有更小的单位面积上的加热密度，薄片形状的加热丝具有较慢的温度上升(ramp up)速度。
因此，有必要开发一种加热丝以弥补三维卷式加热丝(4)和薄片形状加热丝的各自的相关问题。
发明详细说明
要解决的技术问题
本发明提供了陶瓷加热器加热丝的布置，其布置是加强的，以便维持均匀的加热密度并可以实现温度快速上升。
根据本发明的一方面，提供了陶瓷加热器加热丝的布置，是陶瓷加热器和散热的陶瓷基板上加热丝的布置，包括加热丝，其加热丝是纵向延伸的金属丝部件，并二维布置在一个虚拟的二维平面上，此二维平面基本平行于陶瓷基板的上表面。
加热丝包括：多个弯曲部分布置成彼此平行相对的两列；及多个连接部分用于彼此连接多个弯曲部分，及加热丝是由多个弯曲部分和多个连接部分以Z字型弯曲形成的。
加热丝的间距彼此之间根据加热丝在陶瓷基板上的位置具有不同值。
加热丝的振动幅度彼此之间根据加热丝在陶瓷基板上的位置各自具有不同的值。
陶瓷基板是圆形平板，及加热丝布置在以陶瓷基板的圆心为中心的多个同心圆上。
加热丝的振动幅度或间距彼此之间根据加热丝在径向方向上从陶瓷基板的圆心远离的位置各自具有不同值。
加热丝的两端都布置在一个位置上以便连接至与陶瓷基板的底表面连接的空心轴的孔。
加热丝在相互平行二维平面上布置成多层结构。
加热丝是具有相对于陶瓷基板的热膨胀系数在±3.0*10-6*K-1的误差范围内的热膨胀系数的金属部件。
发明有益效果
本发明中，陶瓷加热器加热丝的布置包括加热丝，其加热丝是纵向延伸的金属丝部件，并二维布置在一个虚拟的二维平面上，此二维平面基本平行于陶瓷基板的上表面。因此可以维持均匀的加热密度并可以实现温度快速上升。
附图说明
图1为传统陶瓷加热器的横剖面透视图；
图2为图1中的加热丝局部透视图；
图3为图2中的加热丝***陶瓷基板的横剖面示意图；
图4是根据本发明的一个实施例的陶瓷加热器加热丝的布置的平面图；
图5是图4中加热丝的正面图；
图6是沿着图4中VI-VI线的加热丝横剖面图；
图7是图4的加热丝***陶瓷基板内部的横剖面示意图；
图8是图4加热丝VIII部分的放大图；
图9是图4的加热丝在陶瓷基板内部以多层结构布置的横剖面示意图。
本发明的最佳实施例
以下，将参考附图详细描述本发明的具体实施方式。
图4是根据本发明的一个实施例的陶瓷加热器加热丝的布置的平面图，图5是图4中加热丝的正面图。
参照图4和图5，根据本发明的一个实施例，陶瓷加热器加热丝的布置是陶瓷加热器(ceramic heater)中用于加热半导体晶片(wafer)的加热丝(heat wire)的布置。包括陶瓷基板(2)，空心轴(3)和加热丝(100)。以下说明是以用于如图1所示的陶瓷加热器加热丝的布置为前提。
陶瓷基板(2)是圆形平板部件，其通过使用陶瓷材料如具有热膨胀系数4*10-6*K-1的氮化铝(AlN；aluminiumnitride)或者具有膨胀系数8.0*10-6*K-1的氧化铝(Al2O3；aluminium oxide)制造的，在本实施例中，使用的是氮化铝(AlN)。
陶瓷基板(2)是通过在等于或高于1500℃的高温下烧结氮化铝的粉末原料制造的。
如图1所示，空心轴(3)是在内部具有孔(H)的管道型陶瓷部件，并连接至陶瓷基板(2)的底表面以便空心轴(3)可被密封，因此，孔(H)可与外部隔离以使空气密封。
加热丝(100)是布置在陶瓷基板(2)的内部的部件并因此散热。加热丝(100)是通过弯曲加工金属丝(wire)使其纵向延伸制造的。如图6所示，在本实施例中，使用的加热丝具有圆形横截面，具有预先确定的直径(D)。
在陶瓷基板(2)烧结之前，加热丝(100)布置在陶瓷基板(2)的粉末原料的内部，并通过烧结陶瓷基板固定在陶瓷基板(2)的内部。
加热丝(100)可以使用导电性金属如钼(Mo；molybdenum)或者钨(W；tungsten)制造。在本实施例中，加热丝(100)是用钼(Mo)制造的。钼(Mo)的热膨胀系数是5.1*10-6*K-1，钨(W)的热膨胀系数是5.4*10-6*K-1。
因此，加热丝(100)的热膨胀系数相对于陶瓷基板(2)的热膨胀系数具有在±3.0*10-6*K-1的误差范围内的值。
如图5和图7所示，加热丝(100)二维布置在一个虚拟的二维平面上，此二维平面基本平行于陶瓷基板(2)的上表面。加热丝(100)布置在不突出二维平面上以使加热丝(100)的布置厚度(D)具有与加热丝直径(D)相同的值。在本发明中，虚拟二维平面指的不是通常数学上完美的平面。
如图4所示，参考分割线(S)，加热丝(100)包含布置在陶瓷基板(2)的右表面的右半部分(10a)和布置在陶瓷基板(2)的左半表面的左半部分(10b)。
本实施例中，加热丝(100)是通过弯曲加工一根丝制造的，不需要执行附加的弯曲加工工作。
右半部分(10a)和左半部分(10b)分别包括以陶瓷基板2的圆心C为中心的多个同心圆上布置的多个弧形(14)，及彼此连接布置在不同的同心圆上的多个弧形(14)的多个连接部分(15)。
右半部分(10a)的一端11和左半部分(10b)的一端(12)是连接至第一连接部件(8)以接收电流的部分，并这些部分布置在陶瓷基板(2)圆心(C)的附近以便连接至空心轴(3)孔(H)的内部。
右半部分(10a)另外一端和左半部分(10b)的另外一端彼此连接至连接点(13)，连接点(13)布置位于陶瓷基板(2)最外部的边缘。
如图4所示，加热丝(100)是弯曲形成的，具有Z字型。如图8所示，加热丝(100)的Z字型是由布置成彼此平行相对的两列的多个弯曲部分(16)和多个连接部件(17)布置在不同行并相互相邻以便相互连接多个弯曲部分。
加热丝(100)的各自的间距(P)，即在相同的行上布置为彼此相邻的多个弯曲部分(16)之间的各个距离，其彼此之间根据其在布置在陶瓷基板(2)上的弯曲部分(16)各自的位置可能具有不同的数值。
在本实施例中，根据弯曲部分(16)从陶瓷基板(2)的圆心(C)向半径方向分离的位置，加热丝(100)的间距(P)根据弯曲部分(16)在径向方向上从陶瓷基板的圆心(C)远离的位置彼此具有不同值。如图4所示，这可通过陶瓷基板(2)圆心(C)附近的加热丝(100)的间距(P)进行核对，它比加热丝(100)的保留部分的间距(P)更小。但是，加热丝(100)的间距(P)在同一个同心圆上有着同样的数值。
加热丝(100)的震动幅度(A)，即在两行上布置为彼此相对的多数个弯曲部分(16)的峰之间的距离，其彼此之间根据其在布置在陶瓷基板(2)上的弯曲部分(16)各自的位置可能具有不同的数值布置。
在本实施例中，加热丝(100)的震动幅度(A)根据弯曲部分(16)在径向方向上从陶瓷基板的圆心(C)远离的位置彼此具有不同值。如图4所示，这可通过陶瓷基板(2)圆心(C)最近的加热丝(100)的振动幅度(A)进行核对，它比加热丝(100)的保留部分的振动幅度(A)更小。但是，加热丝(100)的振动幅度(A)在同一个同心圆上有着同样的数值。
上述描述的陶瓷加热器加热丝的布置包括加热丝(100)，其加热丝(100)是纵向延伸的金属丝(wire)部件，并布置在一个虚拟的二维平面上，此二维平面基本平行于陶瓷基板(2)的上表面。因此，不像传统的三维卷式加热丝(4)，可以在加热半导体晶片必要的一个方向上产生充足的热量，即在朝向陶瓷基板(2)的上表面的方向上，及可以维持均匀的加热密度并可以实现温度快速上升。
另外，由于加热丝(100)布置在二维平面上，只需考虑加热丝(100)在二维平面上的布置，不像传统的在三维空间布置的三维卷式加热丝(4)需要确定。因此，加热丝(100)的布置形状和直径(D)是为了达成容易地确定均匀的加热密度。
另外，加热丝(100)可弯曲形成Z字型使其包括布置成彼此平行相对的两列的多个弯曲部分(16)，及多个连接部分(17)彼此连接多个弯曲部分(16)。因此，加热丝(100)可以紧密并均匀地分布在陶瓷基板(2)上，因此冷点可以最小化。
另外，由于加热丝(100)是布置在二维平面上的金属丝，加热丝(100)不仅可布置在粉末原材料的内部还可在已经烧结的陶瓷基板(2)上，不像三维卷式加热丝(4)需要布置在陶瓷基板(2)的粉末原材料的内部不同。
另外，加热丝(100)的振动幅度(A)或间距(P)之间根据弯曲部分(16)布置在陶瓷基板(2)上各自的位置各自具有不同值。因此，根据布置位置很容易调节加热丝的布置密度。
另外，加热丝(100)可布置在以陶瓷基板(2)的圆心(C)为圆中心的多个同心圆上。因此，可以很容易在圆形平板的陶瓷基板(2)上布置加热丝(100)。
加热丝(100)的间距(P)或振动幅度(A)彼此之间根据弯曲部分(16)在径向方向上从陶瓷基板(2)的圆心(C)远离的位置具有不同值。因此，根据弯曲部分(16)在从陶瓷基板(2)的圆心(C)到半径的方向上的位置可调节加热密度。
另外，加热丝(100)的两端(11)和(12)都布置在陶瓷基板(2)的附近的位置上以便连接至与陶瓷基板(2)的底表面连接的空心轴(3)的孔(H)。因此，两端(11)和(12)可电连接至布置在空心轴(3)孔(H)内部的第一供电部件(6)。
加热丝(100)是具有相对于陶瓷基板(2)的热膨胀系数在±3.0*10-6*K-1的误差范围内的热膨胀系数的金属部件。因此，当制造或者使用陶瓷加热器(1)时，即使加热丝(100)通过加热产生热膨胀，陶瓷基板(2)不会被热应力破坏。
在本实施例中，加热丝(100)在陶瓷基板(2)上单层布置，然而，如图9所示，加热丝(100)可在相互平行的二维平面上多层结构布置。在这种情况下，可增强加热丝(100)的布置密度和加热密度。
虽然以上参考实施例具体展示和描述了本发明，但可以理解的是没有脱离下述权利要求的精神和范围的形式或者细节的各种变换都在本发明的的保护范围内。
Claims (9)
1.陶瓷加热器加热丝的布置是陶瓷加热器和散热的陶瓷基板上加热丝的布置，陶瓷加热器加热丝的布置包括加热丝，其加热丝是纵向延伸的金属丝部件，并二维布置在一个虚拟的二维平面上，此二维平面基本平行于陶瓷基板的上表面。
2.如权利要求1所述的陶瓷加热器加热丝的布置，其中加热丝包括：
多个弯曲部分布置成彼此平行相对的两列；及
多个连接部分用于彼此连接多个弯曲部分；及
加热丝是由多个弯曲部分和多个连接部分以Z字型弯曲形成的。
3.如权利要求2所述的陶瓷加热器加热丝的布置，其中加热丝的间距彼此之间根据加热丝在陶瓷基板上的位置具有不同值。
4.如权利要求2所述的陶瓷加热器加热丝的布置，其中加热丝的振动幅度彼此之间根据加热丝在陶瓷基板上的位置各自具有不同的值。
5.如权利要求1所述的陶瓷加热器加热丝的布置，所述陶瓷基板是圆形平板，及
加热丝布置在以陶瓷基板的圆心为中心的多个同心圆上。
6.如权利要求5所述的陶瓷加热器加热丝的布置，其中加热丝的振动幅度或间距彼此之间根据加热丝在径向方向上从陶瓷基板的圆心远离的位置各自具有不同值。
7.如权利要求1所述的陶瓷加热器加热丝的布置，其中加热丝的两端都布置在一个位置以便连接至与陶瓷基板的底表面连接的空心轴的孔。
8.如权利要求1所述的陶瓷加热器加热丝的布置，加热丝在相互平行二维平面上布置成多层结构。
9.如权利要求1所述的陶瓷加热器加热丝的布置，其中加热丝是具有相对于陶瓷基板的热膨胀系数在±3.0*10-6*K-1的误差范围内的热膨胀系数的金属部件。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107708234A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-02-16 | 厦门宝益科技有限公司 | 一种柔性电热板及其制备方法 |
| CN110010516A (zh) * | 2017-11-20 | 2019-07-12 | 应用材料公司 | 加热的基板支撑件 |
| CN111698799A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-09-22 | 佛山市也牛科技有限公司 | 烹饪用非金属发热盘及其制备方法和加热装置 |
| CN116113084A (zh) * | 2023-04-07 | 2023-05-12 | 无锡卓瓷科技有限公司 | 一种陶瓷加热盘 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101581920B1 (ko) | 2014-09-03 | 2015-12-31 | 주식회사 케이에스엠컴포넌트 | 세라믹 히터 및 세라믹 히터 제조 방법 |
| US9888528B2 (en) * | 2014-12-31 | 2018-02-06 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with multiple heating zones |
| JP6715699B2 (ja) * | 2016-06-27 | 2020-07-01 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックスヒータ |
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| US20220018135A1 (en) * | 2020-07-16 | 2022-01-20 | Clear Industries | Ice melting assembly |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5798499A (en) * | 1994-07-08 | 1998-08-25 | Asahi Glass Company Ltd. | Electrically heating windshield glass having a substantially uniform thermal distribution |
| WO2001028291A2 (en) * | 1999-10-13 | 2001-04-19 | Watlow Polymer Technologies | Heating element containing sewn resistance material |
| US20030183616A1 (en) * | 2002-03-28 | 2003-10-02 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic heater |
| US20040108308A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-06-10 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic heater having a resistant heater element |
| US20040112888A1 (en) * | 2002-12-17 | 2004-06-17 | Nhk Spring Co., Ltd. | Ceramics heater |
| US20050173411A1 (en) * | 2004-01-07 | 2005-08-11 | Ngk Insulators, Ltd. | Heating resistances and heaters |
| TW200536425A (en) * | 2004-04-12 | 2005-11-01 | Ngk Insulators Ltd | Substrate heating device |
| CN101390444A (zh) * | 2006-02-20 | 2009-03-18 | 科发伦材料株式会社 | 面状加热器 |
| CN100477076C (zh) * | 2004-10-28 | 2009-04-08 | 京瓷株式会社 | 加热器和晶片加热装置以及该加热器的制造方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6616767B2 (en) | 1997-02-12 | 2003-09-09 | Applied Materials, Inc. | High temperature ceramic heater assembly with RF capability |
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| JP2002231421A (ja) * | 2000-04-07 | 2002-08-16 | Ibiden Co Ltd | セラミックヒータ |
| WO2001078454A1 (fr) | 2000-04-07 | 2001-10-18 | Ibiden Co., Ltd. | Dispositif chauffant ceramique |
| JP3565496B2 (ja) * | 2000-04-13 | 2004-09-15 | イビデン株式会社 | セラミックヒータ、静電チャックおよびウエハプローバ |
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| JP2003077781A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ |
| US7098428B1 (en) * | 2004-02-04 | 2006-08-29 | Brent Elliot | System and method for an improved susceptor |
| KR100782395B1 (ko) * | 2004-02-23 | 2007-12-07 | 쿄세라 코포레이션 | 세라믹 히터, 그것을 이용한 웨이퍼 가열장치 및 반도체 기판 제조방법 |
| TWI281833B (en) * | 2004-10-28 | 2007-05-21 | Kyocera Corp | Heater, wafer heating apparatus and method for manufacturing heater |
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-
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Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5798499A (en) * | 1994-07-08 | 1998-08-25 | Asahi Glass Company Ltd. | Electrically heating windshield glass having a substantially uniform thermal distribution |
| WO2001028291A2 (en) * | 1999-10-13 | 2001-04-19 | Watlow Polymer Technologies | Heating element containing sewn resistance material |
| US20030183616A1 (en) * | 2002-03-28 | 2003-10-02 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic heater |
| US20040108308A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-06-10 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic heater having a resistant heater element |
| US20040112888A1 (en) * | 2002-12-17 | 2004-06-17 | Nhk Spring Co., Ltd. | Ceramics heater |
| US20050173411A1 (en) * | 2004-01-07 | 2005-08-11 | Ngk Insulators, Ltd. | Heating resistances and heaters |
| TW200536425A (en) * | 2004-04-12 | 2005-11-01 | Ngk Insulators Ltd | Substrate heating device |
| CN100477076C (zh) * | 2004-10-28 | 2009-04-08 | 京瓷株式会社 | 加热器和晶片加热装置以及该加热器的制造方法 |
| CN101390444A (zh) * | 2006-02-20 | 2009-03-18 | 科发伦材料株式会社 | 面状加热器 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107708234A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-02-16 | 厦门宝益科技有限公司 | 一种柔性电热板及其制备方法 |
| CN110010516A (zh) * | 2017-11-20 | 2019-07-12 | 应用材料公司 | 加热的基板支撑件 |
| CN111698799A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-09-22 | 佛山市也牛科技有限公司 | 烹饪用非金属发热盘及其制备方法和加热装置 |
| CN116113084A (zh) * | 2023-04-07 | 2023-05-12 | 无锡卓瓷科技有限公司 | 一种陶瓷加热盘 |
| CN116113084B (zh) * | 2023-04-07 | 2023-06-06 | 无锡卓瓷科技有限公司 | 一种陶瓷加热盘 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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