CN104425517A - 图像显示装置及其制造方法 - Google Patents

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富田佳宏
平野浩一
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

本发明的课题在于,高生产率地实现适于大画面的柔性的图像显示装置。为此,本发明的图像显示装置,具有:具有可挠性的布线埋设层;以与布线埋设层的一个主面大致处于同一平面状态而埋设的加厚布线;与加厚布线电连接,且设置在布线埋设层的所述一个主面上的引出的下部电极;设置在引出的下部电极上的发光层;以及形成在发光层上的上部电极,由此提供一种适于大画面并且生产率非常高的柔性的图像显示装置。

Description

图像显示装置及其制造方法
技术领域
本公开涉及图像显示装置及其制造方法。更详细而言,本公开涉及无源型的图像显示装置及其制造方法。
背景技术
近年来,各种各样的平板显示器被开发。一般来说,在平板显示器中,设置了由利用了液晶、有机EL、电泳等的元件所构成的显示介质。
在制造图像显示装置时,在玻璃等的绝缘性基板上通过真空工艺(例如溅射)以及光刻来形成薄膜布线,接下来在形成了薄膜布线的基板上形成LCD等的图像显示部。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2003-108029号公报
发明内容
发明要解决的课题
作为图像显示装置也开发了大型的装置,但本申请发明者们发现了这样的图像显示装置中存在因制造而引起的生产率恶化等课题。
用于解决课题的技术手段
本公开的图像显示装置具有:
布线埋设层,其具有可挠性;
加厚布线,其埋设于布线埋设层(例如,以与布线埋设层的一个主面大致处于同一平面状态而埋设的加厚布线);
引出的下部电极,其与加厚布线电连接,并设置在布线埋设层的一个主面(即,成为与加厚布线大致处于同一平面状态的主面)上;
发光层,其设置在引出的下部电极上;以及
上部电极,其形成在发光层上。
发明效果
在本公开中,实现了能够应对大型化所伴随的各种课题的图像显示装置。具体来说,不仅因“加厚布线”而带来了电阻低的布线,而且因“布线埋设层”而有效地减小了“加厚布线”所伴随的凹凸的影响。即,按照本公开,能够获得适合大面积化的图像显示装置。
此外,从制造方法的角度来说,由于是将加厚布线按压于布线埋设构件的主面这种比较简便的工艺,因此能够高生产率地获得适于大面积化的图像显示装置。
附图说明
图1是示意性地示出本公开的图像显示装置的构成的剖面图(图1(a):加厚布线和布线埋设层成为“完全处于同一平面状态”的形态的图,图1(b):加厚布线从布线埋设层稍微突出的形态的图,图1(c):加厚布线从布线埋设层稍微凹下地埋设的形态的图)。
图2是示意性地示出本公开的图像显示装置(具有2层构造的布线埋设层的图像显示装置)的构成的剖面图。
图3是示意性地示出本公开的图像显示装置的适宜的构成形态的剖面图(图3(a):像素区域设置在避开了加厚布线上的区域的位置的构成形态的图,图3(b):像素区域设置在加厚布线上的构成形态的图)。
图4是示意性地示出本公开的图像显示装置(具有层间连接过孔(viahole)的图像显示装置)的构成的剖面图。
图5是示意性地示出本公开的图像显示装置(具有阻挡层的图像显示装置)的构成的剖面图。
图6是示意性地示出与本公开的图像显示装置的实际形态更接近的构成的俯视图以及剖面图。
图7是示意性地示出与本公开的图像显示装置的实际形态更接近的构成的俯视图以及剖面图。
图8(a)~(f)是示意性地示出本公开的图像显示装置的制造方法的工序剖面图。
图9是用于说明本公开的制造方法的工序(i)的示意剖面图。
图10(a)~(f)是示意性地示出本公开的图像显示装置的制造方法(设置层间连接过孔的形态)的工序剖面图。
图11(a)~(f)是示意性地示出本公开的图像显示装置的制造方法(设置阻挡层的形态)的工序剖面图。
符号说明
10   布线埋设层
11   布线埋设构件
14   可挠性薄膜
16   粘接剂层
20   加厚布线
22   载体
32   下部电极
35   发光层
8    上部电极
50   层间连接过孔
70   阻挡层
100  图像显示装置
具体实施方式
以下,参照附图,对本公开的实施方式进行说明。
在此,本发明者们发现了以下几个课题。
·图像显示装置越大型化(大面积化)则越无法忽视因布线电阻而引起的电压降。为了减少电压降,只要较厚地形成布线即可,但是用真空工艺来形成厚的布线需要长时间的工艺时间,结果生产率下降。
·一旦形成厚的布线,则基板变得凹凸。在具有这样的凹凸的基板(尤其是具有大的凹凸的基板)上形成OLED等需要较厚地形成平坦化层,结果生产率下降。
·为了避免凹凸问题,提出了在形成于玻璃基板的槽中埋入金属而构成的布线构造(例如,参照JP特开2003-108029号),但是为了形成槽又重新需要RIE(Reactive Ion Etching:反应性离子蚀刻)等高价且长时间的工艺。此外,为了布线形成还需要长时间的真空薄膜形成工艺。
本公开鉴于这种情况而作出。本公开的主要目的在于,提供一种能够适宜地应对上述课题的图像显示装置。更具体来说,本公开的主要目的在于,提供一种能够应对伴随大型化所产生的各种上述课题的图像显示装置及其制造方法(换言之,可以说主要目的是高生产率地实现适于大面积化的图像显示装置)。
本申请发明者们,并不是在现有技术的延长线上进行应对,而是通过在新的方向上进行应对来尝试达到上述目的。其结果,成就了达到这种目的图像显示装置的公开。
以下对本发明的实施方式进行说明。
另外,在附图中,为了说明的简化,用相同的参照符号来表示实质上具有相同功能的构成要素。此外,各图中的尺寸关系(长度、宽度、厚度等)并不反映实际的尺寸关系。
在本说明书中说明的“方向”,是以布线埋设层10与EL元件的发光层35之间的位置关系为基准的方向,为了方便,用图中的上下方向进行说明。具体来说,对应于各图的上下方向,以布线埋设层10为基准将形成发光层35的一侧作为“上方”,将其相反侧作为“下方”。
首先,一边参照图1,一边对本公开的实施方式所涉及的图像显示装置100进行说明。图1(a)~(c)分别是示意性地表示本公开的图像显示装置100的构成的剖面图。
本公开的图像显示装置100具有:布线埋设层10、加厚布线20、引出的下部电极32、发光层35、和上部电极38。布线埋设层10是具有可挠性的层,并且是至少用于埋设加厚布线的层。这样的加厚布线20,正如其名称那样,是指作为布线而言厚度特别大的布线。加厚布线20成为与布线埋设层10的一个主面大致处于同一平面状态地埋设。即,如图示那样,布线埋设层10的一个主面(即,上侧主面A)与加厚布线20的上表面作为整体大致处于同一平面。而且,EL元件(即,至少具有下部电极、发光层、和上部电极的EL元件)设置在布线埋设层的一个主面(即,与加厚布线处于同一平面状态的上侧主面A)上。具体来说,与加厚布线电连接的引出的下部电极32设置在布线埋设层10的一个主面(即,上侧主面A)上,在该下部电极上设置有发光层35,进而在该发光层上设置有上部电极38。
本公开的图像显示装置100,采用了厚度大的布线、即加厚布线20。因此,图像显示装置100的电阻有效地减小。另一方面,虽说是采用了厚度大的加厚布线20,但也将其适宜地埋入到布线埋设层10。因此,在图像显示装置100中,有效地减小了“加厚布线”所伴随的凹凸的影响,作为整体而言平坦化方面优异。因此,在本公开中,实现了布线电阻低且适于大面积的图像显示装置100(加厚布线不仅有助于低电阻化,而且还能有助于机械上的高强度化,因此对抗弯曲等外力的可靠性也很高)。
此外,由于布线埋设层10原本就是“具有可挠性的层”,因此本公开的图像显示装置例如成为柔性的装置。并且,因为如后述那样能够由薄膜来构成布线埋设层10,所以轻便的图像显示装置也得以实现。
在本公开的图像显示装置100中,虽然“布线埋设层10的一个主面(上侧主面A)”和“加厚布线20的上表面”大致处于同一平面,但这是指,在将图像显示装置100作为整体来大体进行判断的情况下,加厚布线20在接近于与布线埋设层10处于同一平面状态的状态下埋设。即,本公开中所说的“大致处于同一平面”,不仅包含如图1(a)那样布线埋设层10的一个主面(上侧主面A)与加厚布线20的上表面完全处于同一平面的形态,而且还包含如图1(b)那样加厚布线20的上表面位于从布线埋设层10的一个主面(上侧主面A)起稍微向上侧的形态、以及如图1(c)那样加厚布线20的上表面位于从布线埋设层10的一个主面(上侧主面A)起稍微向下侧的形态。
对图1(a)~图1(c)的各形态的差异进行说明。在图1(a)中,布线埋设层10的上侧主面A与加厚布线20的上表面成为“完全处于同一平面状态”。即,“布线埋设层10的上侧主面A”与“加厚布线20的上表面”准确地位于同一平面上。这样的情况下,作为装置整体而言,平坦化方面更加优异,在这一点上有利。在图1(b)中,成为加厚布线20的上表面与布线埋设层10的上侧主面A相比稍微位于更上侧的形态。即,加厚布线20以加厚布线20的上表面从布线埋设层10的一个主面(上侧主面A)突出的形态而埋设于布线埋设层10。在这样的形态下,虽说作为整体实现了大致平坦化,但因“稍微突出的形态”而使得能够更确切地实现加厚布线与EL元件(尤其是其下部电极)之间的电连接(此外,通过利用后述的阻挡层等,也能够实现与图1(a)同样的“完全处于同一平面”)。在图1(c)中,成为加厚布线20的上表面与布线埋设层10的上侧主面A相比稍微位于下侧的形态。即,加厚布线20以加厚布线20的上表面从布线埋设层10的一个主面(上侧主面A)凹下的形态而埋设于布线埋设层10。在这样的形态下,虽说作为整体实现了大致平坦化,但因“稍微凹下的形态”使得能确保用于加厚布线与EL元件(尤其是其下部电极)之间的电连接的空间更多。
对图1(b)以及图1(c)的形态进行详述。在图1(b)中,成为加厚布线20的上表面从布线埋设层10的上侧主面A稍微突出的形态。更具体来说,“加厚布线20的上表面”位于从“布线埋设层10的上侧主面A”起向上侧0(不包含0)~约1μm的位置,例如位于向上侧0(不包含0)~约200nm的位置。另一方面,在图1(c)中,成为加厚布线20的上表面从布线埋设层10的上侧主面A起稍微凹下的形态。更具体来说,“加厚布线20的上表面”位于从“布线埋设层10的上侧主面A”起向下侧例如0(不包含0)~约1μm的位置,在另一例中位于向下侧0(不包含0)~约200nm的位置。根据这样的说明可知,本说明书中所说的“以大致处于同一平面的状态埋设”这种表达方式,意味着包含从完全处于同一平面的状态向上下方向移动了±1μm的形态。即,在本公开中,将加厚布线20的上表面与布线埋设层10的上侧主面A之间的水平差控制在±1μm的范围内的形态称为『以大致处于同一平面状态埋设』。
在本公开的图像显示装置100中使用的加厚布线20,优选具有导电性并且熔点比较高的金属,例如,可以使用铜(Cu,熔点:1083℃)、镍(Ni,熔点:1453℃)、铝(Al,熔点:660℃)、不锈钢(SUS)等。例如,加厚布线20可以由金属箔构成。即,可以是对金属箔进行加工而得到的布线。作为金属箔,优选作为布线而言电阻低且廉价的铜箔或铝箔。加厚布线20的厚度尺寸可以为100nm~100μm之程度,但比例如在现有技术中常规使用的布线更厚。从这一角度来说,加厚布线20具有例如500nm~100μm的厚度尺寸,在另一例中具有1μm~70μm的厚度尺寸,在又一例中具有2μm~5μm的厚度尺寸。本公开中的加厚布线,像这样总的说来厚度较大,因此可以说是其剖面积(在厚度方向上切开的情况下的剖面积)比现有技术更大的布线。另一方面,加厚布线20的宽度尺寸(在后述的“锥状”的加厚布线的情况下,是最小宽度尺寸与最大宽度尺寸的平均值),可以成为5μm~1mm之程度。在此,由于本公开总归是“加厚布线”,因此即使宽度尺寸较小也能够实现所希望的低电阻。换言之,在本公开中能够在实现低电阻的同时使加厚布线20成为较细的形态。虽然只不过是例示,但加厚布线20的宽度尺寸可以设为例如4μm~20μm,在另一例中可以设为4μm~18μm,在又一例中可以设为4μm~10μm。在这种细的布线形态下,能够比较多地确保图像显示装置中的其他构成要件用的空间,在这一点上有利。此外,即使为与现有技术同样的宽度尺寸,本公开中的布线也由于原本“加厚”的缘故,而能够避免不当的电压降,能够有效地对画面尺寸的大型化做出贡献。
由于本公开中使用的加厚布线20总归是“加厚布线”的缘故,例如,在布线埋设层10内埋设的部分的比例比较大。具体来说,不论是“突出的形态”还是“凹下的形态”,在任意一种情况下,都成为将加厚布线20埋入到布线埋设层10的厚度的至少50%以上、或布线埋设层厚度的60%以上、或布线埋设层厚度的70%以上为止的形态(这样的值的上限虽然没有特别限制,但例如为90%)。此外,布线埋设层10,在如后述那样具有由可挠性薄膜14和粘接剂层16构成的2层构造的情况下(参照图2),成为将加厚布线20埋入到例如粘接剂层16的厚度的至少50%以上、在另一例中为粘接剂层厚度的60%以上、在又一例中为粘接剂层厚度的70%以上为止的形态(同样,上限值虽然没有特别限制,但例如为90%)。
加厚布线20优选如图示那样设置为锥状。即,加厚布线20优选在装置厚度方向上切开的剖面具有锥形状。更具体来说,本公开中的加厚布线20具有从布线埋设层10的一个主面(上侧主面A)向另一个主面的方向逐渐减小宽度尺寸的锥形状。若为这种锥形状,则能够将加厚布线20容易地埋入到布线埋设层10。此外,若为“锥形状”,则能够适宜地调整埋入的程度/幅度,因此在这一点上也很有利。即,能够更容易得到将加厚布线20相对较浅地埋入,从而加厚布线20的上表面从布线埋设层10的上侧主面A稍微突出的形态(参照图1(b)),或者,能够更容易地得到将加厚布线20相对较深地埋入,从而加厚布线20的上表面从布线埋设层10的上侧主面A稍微凹下的形态(参照图1(c))。虽然只不过是例示,但图1(a)所示的加厚布线20的锥角α可以为例如约15°~约70°,在另一例中可以为约20°~约45°。
在图像显示装置100中使用的布线埋设层10不限于单层构造,可以具有多层构造(例如,2层构造)。在“2层构造”的情况下,布线埋设层10,如图2所示,优选由可挠性薄膜14、和在该可挠性薄膜上设置的粘接剂层16构成。粘接剂层16,若在加厚布线埋入时被施加压力则能够流动化,因此可以使该粘接剂层16适宜地具有布线埋入功能。另一方面,可挠性薄膜14尽管没有流动性,但热稳定性高、机械强度优异,因此可以使可挠性薄膜14具有作为芯材的功能。像这样,2层构造的布线埋设层10,由于能够分别分担功能,所以实现材料选择的范围扩大这样的效果。
布线埋设层10的可挠性薄膜14,例如,可以为有机薄膜或有机/无机杂化膜。作为有机薄膜的材质,可以列举PET、PEN、PI、液晶聚合物等。作为有机/无机杂化膜的材质,可以列举倍半硅氧烷(silsesquioxane)。换言之,可以采用树脂片作为可挠性薄膜14。例如,可以为环氧片、PPE片等。进而,从加入增强材料的角度出发,也可以使用使玻璃纤维、芳族聚酰胺纤维(aramid fiber)的织布、无纺布中浸渍树脂而得到的片。可挠性薄膜14的厚度可以为例如约1μm~约500μm之程度。
布线埋设层10的粘接剂层16,例如,可以是由环氧系、聚酰亚胺系、PPE系粘接剂构成的层。粘接剂层16的厚度考虑所埋设的加厚布线厚度来决定。即,若粘接剂层过薄则无法充分埋设加厚布线,另一方面,若过厚则产生粘接剂流动,无法在希望的位置埋设加厚布线。因此,若设想例如加厚布线20的厚度假设为0.1μm~10μm的情况,则粘接剂层16的厚度为1μm~30μm。
在图像显示装置100中使用的EL元件设置在布线埋设层10的一个主面、即上侧主面A上。EL元件,如图1所示,至少具有“与加厚布线20电连接的引出的下部电极32”、“发光层35”以及“上部电极38”。虽然只不过是例示,但如图示那样,在布线埋设层10的上侧主面A上形成有引出的下部电极32,在该下部电极上形成有发光层35,进而在该发光层上形成有上部电极38。为了提高EL元件的发光效率也可以附加地具备电子输送层、空穴输送层等。具体来说,也可以设置电子输送层以及空穴输送层,使得在下部电极32和上部电极38之间的内侧夹入发光层35(进而,也可以还设置电子注入层、空穴注入层等)。此外,本公开中的EL元件(电致发光元件)不仅可以是采用有机物作为发光体(发光层35中的发光材料)的有机EL元件,还可以是采用无机物作为发光体(发光层35中的发光材料)的无机EL元件。
EL元件中的“引出的下部电极32”至少兼具与加厚布线的电连接功能和用于发光层的电极功能。“上部电极38”至少具有用于发光层的电极功能。这样的下部电极32以及上部电极38的材料、厚度等没有特别限制,可以与常规的EL元件(例如有机EL元件)所使用的电极同样。虽然只不过是例示,但作为下部电极32以及上部电极38所包含的材料,可以列举从由ITO(铟锡氧化物)、InZnO(氧化铟锌)、ZnO(氧化锌)、镁、银、锂以及铝所构成的群中选择的至少1种以上的材料。由于光提取侧的电极(例如,上部电极38)要求透明性,因此从该角度来说优选由ITO材质构成。虽然同样只不过是例示,但下部电极32以及上部电极38的各自的厚度,可以为例如10nm~1μm之程度,在另一例中可以为50nm~500nm之程度,在又一例中可以为80nm~250nm之程度。
EL元件中的“发光层35”是能够产生荧光以及/或者磷光的层。因此,只要结果产生荧光以及/或者磷光,则对材料以及厚度尺寸等没有特别限制。即,发光层35可以由常规的EL元件的发光材料构成。例如,在有机EL元件的情况下,作为在发光层35中典型被使用的材质,可以列举低分子荧光材料、高分子荧光材料、金属络化物等(若进行例示,则可以是使微量的掺杂材料混入主体材料中而使发光效率提高的材料)。发光层35的厚度等也没有特别限制,可以与常规的EL元件的发光层同样(虽然只不过是例示,但发光层35的厚度为例如5nm~500μm,在另一例中为10nm~100mn)。此外,发光层自身不一定限定为单层,也可以是由多个层构成的层叠构造的发光层。
如图3所示,在本公开的图像显示装置100中,加厚布线20与EL元件的下部电极32相互连接。即,通过加厚布线20与下部电极32的接合,从而加厚布线20与EL元件电连接。下部电极32优选位于加厚布线20的上表面的至少一部分。即,将下部电极32设置为覆盖“在与布线埋设层10大致处于同一平面状态下埋入的加厚布线20”的上表面的至少一部分。这相当于EL元件的引出电极(即,引出的下部电极)从加厚布线的上表面直接引出的形态。这种形态成为引出电极从加厚布线的上表面直接引出的形态,不会产生因其他引出电极等而引起的“多余的接触电阻”,而且,无需***多余的制造工序,能够实现生产率高的图像显示装置。
在本公开的图像显示装置的适宜的形态中,装置的像素区域设置在避开了加厚布线上的区域。即,如图3(a)所示,布线埋设层10的上侧主面A上的EL元件,以从加厚布线20上的区域偏离的形态而设置。更具体来说,虽然引出的下部电极32位于加厚布线20上的区域,但EL元件的发光部不位于加厚布线20上。根据这种形态可知,本公开中所说的『在避开了加厚布线上的区域设置了像素区域』是指,EL元件的发光层35不位于加厚布线20上的区域,即、EL元件的发光层35和加厚布线20没有成为在上下方向上重叠的位置关系。在这种形态中,能够使EL元件从“加厚布线与布线埋设层之间的边界部”适宜地隔离。即,即使是“加厚布线20从布线埋设层10稍微突出的形态(图3(a)的左下图或者图1(b))”或者“加厚布线20从布线埋设层10稍微凹下地埋设的形态(图1(c))”,也能够适宜地避免在加厚布线20与布线埋设层10之间的边界部产生的“层差”的影响,能够以平坦的形态设置EL元件(尤其能够适宜地将EL元件的发光层35设置为平坦)。
在本公开的图像显示装置的其他适宜的形态中,装置的像素区域设置在加厚布线上。即,如图3(b)所示,布线埋设层10的上侧主面A上的EL元件,设置于加厚布线20上的区域。更具体来说,不仅引出的下部电极32位于加厚布线20上的区域,EL元件的发光部也位于加厚布线20上的区域。根据这种形态可知,本公开中所说的“在加厚布线上设置了像素区域”是指,EL元件的发光层35位于加厚布线20上的区域,即、EL元件的发光层35与加厚布线20成为在上下方向上重叠的位置关系。在这种方式中,能够将EL元件适宜地设置于加厚布线20的区域内。即,即使为“加厚布线20从布线埋设层10稍微突出的形态”或者“加厚布线20从布线埋设层10稍微凹下地埋设的形态”,也能够设置EL元件(其中特别是发光层35)使之不从加厚布线的区域伸出,其结果,能够避免在加厚布线与布线埋设层之间的边界部产生的“层差”的影响,能够设置为平坦的形态的EL元件(尤其是平坦的形态的发光层35)。
本公开的图像显示装置100,可以具有层间连接过孔。如图4所示,层间连接过孔50沿着布线埋设层10的厚度方向延伸地设置于布线埋设层内。层间连接过孔50可以与例如设置在布线埋设层10上的布线层等连接。若像这样设置了层间连接过孔50,则能够将布线层的电信号短距离且布线密度高地传送到背面等,因而优选。进而,在由金属构成的层间连接过孔的情况下,由于其热电阻低,因此能够利用层间连接过孔使得在发光层产生的热散热,能够有助于提高发光层的寿命、可靠性。
层间连接过孔50优选设置为锥状。即,这样的层间连接过孔50,在装置厚度方向上切开的剖面具有锥形状。更具体来说,本公开中的层间连接过孔50,优选具有从布线埋设层10的一个主面(上侧主面A)向另一个主面的方向逐渐增大宽度尺寸的锥形状。若像这样层间连接过孔为锥状,则形成像素的主面侧A的过孔的占有面积小,因此能够实现高密度布线,另一方面,背面侧的过孔大,因此与过孔连接盘(via land)、其他电路要素例如布线之间的相对位置的对准精度变得不严从而制造变得容易。此外,关于这样的层间连接过孔50,如图4所示的锥角β为例如约15°~约70°、在另一例中为约20°~约45°。
在本公开的图像显示装置100中,优选层间连接过孔与加厚布线具有倒锥的关系。即,如图4所示,层间连接过孔50的宽度尺寸Wa逐渐减少的方向a和加厚布线20的宽度尺寸Wb逐渐减少的方向b相反。这意味着,本公开中的层间连接过孔成为主面侧A的剖面积小的倒锥的圆锥台形状。在具有这种形态的图像显示装置100中,上述的“加厚布线的锥效应”和“层间连接过孔的锥效应”相辅相成地发挥作用。
本公开的图像显示装置100可以进一步具有“阻挡层”这样的层。具体来说,如图5所示,可以设置阻挡层70,该阻挡层70设置为直接覆盖布线埋设层10的一个主面(上侧主面A)。在这样的阻挡层70中优选在加厚布线上的局部区域形成有开口部72,加厚布线20和EL元件的引出的下部电极32经由这样的开口部72而相互连接。在此所说的“阻挡层”实质上是指阻止水分/水蒸气等的透过的层。若设置这样的阻挡层70,则能够提高不耐水分、水蒸气的发光层的寿命和可靠性。鉴于设置有“开口部72”并在此供加厚布线与引出的下部电极进行连接这一点,本公开中的阻挡层70不仅提供对水分、水蒸气的阻挡效果,而且还具有能够同时且简便地实现电连接这样的效果(顺便一提,由金属、氧化物构成的引出的下部电极由于不使水分、水蒸气透过,因此能够防止水分、水蒸气从阻挡层开口部透过)。此外,作为阻挡层70,可以采用SiO2、SiN等的无机膜或无机膜和聚合物的多层膜。
在图6以及图7中,示出了更接近本公开的图像显示装置的实际形态的构成(作为无源型OLED的构成)。尤其在图6所示的形态中,虽然引出的下部电极局部位于加厚布线上的区域,但发光层不位于加厚布线上的区域,并在避开了加厚布线上的区域设置了像素区域。此外,尤其在图7所示的形态中,不仅引出的下部电极位于加厚布线上的区域,发光层也位于加厚布线上的区域,并在加厚布线上设置了像素区域。
《图像显示装置的制造方法》
接着,参照图8,对本公开所涉及的图像显示装置100的制造方法进行说明。图8(a)~(f)是用于说明图像显示装置100的制造方法的工序剖面图。
在实施本公开的制造方法时,首先,实施工序(i)。即,如图8(a)所示,准备加厚布线20以及具有可挠性的布线埋设构件11。
加厚布线20可以对金属箔进行加工而得到。这是指,与用真空工艺来形成厚度大且剖面积大的低电阻的加厚布线的情况相比能够高生产率地获得厚度大且剖面积大的低电阻的加厚布线。作为金属箔,优选作为布线而言电阻低且廉价的铜箔、铝箔。此外,不仅可以采用单体的加厚布线20的形态,也可以准备将单体的加厚布线20设置于载体22上而得到的“带载体加厚布线”(参照图9的“A”)。带载体加厚布线在制造时的操作容易这一点上是为优选。例如,也可以采用在由PET、铜箔形成的载体上隔着脱模层而形成了布线形成用的铜箔的“带载体铜箔”(作为载体22,不限定于PET等的塑料薄膜、铜箔等金属箔之类的“挠性的基板”,也可以是玻璃基板等的“硬质的基板”。无论在哪种情况下,都根据需要隔着脱模层在载体上设置加厚布线材料)。
作为带载体铜箔的一例,可以列举将厚度为约100μm的PET薄膜作为载体22来使用,并在该载体上隔着有机的脱模层而层叠了厚度为2μm的铜箔所得到的带载体铜箔。铜箔自身的厚度可以考虑所需的布线电阻来决定。例如,从减小电压降来减少信号延迟的角度出发,布线电阻越低越好,因此,优选厚度大的铜箔,但是若过厚则难以埋入。因此,从这样的角度来说,带载体铜箔中的铜箔厚度优选处于100nm~100μm的范围。
如上所述,加厚布线20虽然可以对金属箔进行加工来形成,但例如将加厚布线加工为锥状(即,将金属箔加工为宽度尺寸逐渐减小)。如图9所示的锥角α’例如为约15°~约70°,在另一例中为约20°~约45°。锥状的加厚布线,例如,可以通过金属箔的蚀刻处理来形成(参照图9的“A”)。更具体来说,可以通过光刻等对金属箔局部实施蚀刻,由此来形成锥状的加厚布线20。
带载体加厚布线可以通过实施光刻以及蚀刻而获得。这种光刻/蚀刻可以采用在常规的电路基板制造中普遍使用的方法。例如,对铜箔(将用于带载体铜箔的铜箔)粘贴干膜抗蚀剂,层叠希望图案的光掩膜,加以曝光/显影,接着,用氯化铁一盐酸系、硫酸一过氧化氢系的蚀刻液来除去铜箔的无用部分,由此能够获得希望的布线图案(例如,具有锥状剖面的布线图案)。
工序(i)的布线埋设构件11是具有可挠性的构件,并且是在之后的工序(ii)中将会埋入加厚布线20的构件。例如,可以是未硬化或半硬化状态的构件,优选是因加厚布线20埋入时或之后的加热以及/或者光照射等而发生硬化的构件。
布线埋设构件11可以具有2层构造。例如,布线埋设构件11,如图9的“B”所示,可以由可挠性薄膜14、和在该可挠性薄膜上设置的粘接剂层16(例如处于未硬化或半硬化状态的粘接剂层)构成。对于粘接剂层16,若在工序(ii)的加厚布线埋入时被施加压力则能够流动化,因此可以适宜地使该粘接剂层16具有布线埋入功能。另一方面,对于可挠性薄膜14,尽管没有流动性但热稳定性高、机械强度优异,因此能够使可挠性薄膜14具有作为芯材的功能。关于可挠性薄膜14以及粘接剂层16的具体的材质·厚度等,如同上述《图像显示装置》中所例示的那样(虽然只不过是例示,但可以将赋予了保护薄膜和粘接剂的具有可挠性的KAPTON基体材料作为布线埋设构件11来使用)。
继工序(i)之后实施工序(ii)。即,如图8(b)所示实施将加厚布线20按压于布线埋设构件11的一个主面A’的操作,将加厚布线20埋入到布线埋设构件11中,使得加厚布线20成为与布线埋设构件11的主面A’大致处于同一平面的状态。
例如,对具有所希望的加厚布线图案形状的带载体铜箔进行层叠,使得该加厚布线图案与布线埋设构件侧直接对置,并用热压机或覆膜机(rolllaminator)等来施加热和压力,由此能够将加厚布线20埋入到布线埋设构件11中(在这样埋入时能够因“热”而使未硬化或半硬化状态的布线埋设构件硬化,尤其能够使粘接剂层硬化)。埋入条件根据加厚布线厚度、布线埋设构件的硬化温度·流动性等来决定。例如对于在厚度10μm的聚酰亚胺薄膜(KAPTON EN)上以10μm的厚度涂敷了作为布线埋设构件的半硬化状态的环氧系粘接剂的基板,在埋入对载体(厚度100μm的PET薄膜)上的厚度5μm的Cu箔进行图案形成并作为加厚布线的布线的情况下,只要在温度160℃/压力3MPa/30分钟的条件下实施热压即可。
在埋设了加厚布线之后,如图8(c)所示除去载体22。载体除去是将载体的一部分固定并机械剥离来进行的。此时,因为在带载体铜箔上设置有脱模层,所以能够使加厚布线保持埋设地仅除去载体。
在工序(ii)中,虽然可以进行埋入使得布线埋设层10的上侧主面A和加厚布线20的上表面完全处于同一平面(参照图8(b-1)),但也可以相对“浅”或“深”地埋入。例如,如图8(b-2)所示,可以将加厚布线20较浅地埋入到布线埋设构件11中,使得加厚布线20的上表面与布线埋设构件11的主面相比位于上方。在这样的情况下,加厚布线以加厚布线的上表面从布线埋设层的一个主面(上侧主面A)突出的形态而埋设于布线埋设层。更具体来说,可以将加厚布线20较浅地埋入到布线埋设构件11中,使得加厚布线20的上表面从布线埋设构件11(或由布线埋设构件11而得到的布线埋设层)的上侧主面起位于向上侧例如0(不包含0)~约1μm的位置,在另一例中位于向上侧0(不包含0)~约200nm的位置。此外,如图8(b-3)所示,也可以将加厚布线20较深地埋入到布线埋设构件11中,直到加厚布线20的上表面与布线埋设构件11的主面相比位于更下方。在这样的情况下,加厚布线将会以加厚布线的上表面从布线埋设层的一个主面(上侧主面A)凹下的形态而埋设于布线埋设层中。更具体来说,可以将加厚布线较深地埋入到布线埋设构件11中,使得加厚布线20的上表面从布线埋设构件11(或由布线埋设构件11而得到的布线埋设层)的上侧主面起位于向下侧例如0(不包含0)~约1μm的位置,在另一例中位于向下侧0(不包含0)~约200nm的位置。
作为工序(i)中的加厚布线,准备了具有宽度尺寸逐渐变小的锥形状的加厚布线的情况下,如图8(b)所示,优选将加厚布线20的宽度相对较小的面按压于布线埋设构件11的上侧主面A’,由此,将加厚布线20埋入到布线埋设构件11(或由布线埋设构件11而得到的布线埋设层)中。在这样的情况下,加厚布线20在所得到的图像显示装置100中将会具有从布线埋设层10的一个主面(上侧主面A)向其对置的另一个主面的方向逐渐减小宽度尺寸的锥形状。在将加厚布线20的宽度相对较小的面按压于布线埋设构件11的主面A’的情况下,能够将加厚布线20容易地埋入到布线埋设层10中,尤其能够适宜地调整其埋入幅度。即,能够更容易地获得将加厚布线20相对稍浅地埋入,从而加厚布线20的上表面从布线埋设构件11(或由布线埋设构件11而得到的布线埋设层)的上侧主面稍微突出的形态,或者,能够更容易地获得将加厚布线20相对稍深地埋入,从而加厚布线20的上表面从布线埋设构件11(或由布线埋设构件11而得到的布线埋设层)的上侧主面稍微凹下的形态。
继工序(ii)之后实施工序(iii)~(v)。即,在布线埋设构件的上侧主面上形成EL元件。
具体来说,首先作为工序(iii)而形成下部电极32。即,如图8(d)所示,将与加厚布线20电连接的引出的下部电极32形成在布线埋设构件的上侧主面上。这样的引出的下部电极32,例如可以通过实施真空蒸镀、溅射等的薄膜形成法、或丝网印刷、凹版印刷或喷墨法等的印刷法来形成。例如,引出的下部电极32形成为与加厚布线20连接,且位于该加厚布线20的上表面的至少一部分。
继工序(iii)之后,作为工序(iv),形成发光层。具体来说,如图8(e)所示,在引出的下部电极32上形成发光层35。作为这样的发光层的成膜方法,虽然也取决于材料是高分子系还是低分子系,但例如可以采用真空蒸镀法、离子化蒸镀法、MBE法、喷墨法等(典型来说,在低分子系材料的情况下,可以实施真空蒸镀等的干法工艺,而在高分子系材料的情况下,可以实施喷墨法等的湿法工艺)。
继工序(iv)之后,作为工序(v),形成上部电极。具体来说,如图8(f)所示,在发光层35上形成上部电极38。这样的上部电极,例如可以通过实施真空蒸镀、溅射等的薄膜形成法、或丝网印刷(screen prit)、凹版印刷或喷墨法等的印刷法来形成。从光提取的角度出发,在作为由ITO材质构成的透明电极而形成上部电极38的情况下,可以采用溅射法。
像这样可以通过经由工序(iii)~(v)而形成EL元件,但作为某1个适宜的形态,EL元件形成于避开了加厚布线20上的区域。即,如图8(d)~(f)所示,虽然EL元件的引出的下部电极32设置于加厚布线20上的区域,但EL元件的发光部设置于从加厚布线20偏离的位置。更具体来说,虽然引出的下部电极32形成为局部位于加厚布线20上的区域,但发光层35形成于从加厚布线20的形成区域向横向偏离的位置。
作为另一适宜的形态,在加厚布线20上的区域形成EL元件。即,不仅EL元件的引出的下部电极32设置于加厚布线上的区域,EL元件的发光部也设置在加厚布线20上。更具体来说,不仅形成为引出的下部电极32局部位于加厚布线20上的区域,还形成为发光层35也位于加厚布线20上。
通过经由以上这样的工序(i)~(v),最终能够构筑“厚度大的加厚布线”以与“具有可挠性的布线埋设层”大致处于同一平面状态埋入的图像显示装置100。
(设置层间连接过孔的形态)
本公开的制造方法,可以进一步具有层间连接过孔的形成工序。即,如图10(a)~(f)所示,可以进一步设置将在布线埋设构件的厚度方向上延伸的层间连接过孔50形成于布线埋设层(更具体来说,由布线埋设构件而得到的布线埋设层)的工序。从图示的形态可知,层间连接过孔50的形成工序,可以在本公开的制造方法的工序(ii)之后(并且,例如工序(iii)之前)实施。
层间连接过孔50可以通过在加厚布线20的埋设处理后实施的盲孔(blind via)形成而得到。具体来说,在加厚布线20的埋设处理后(并且,在因加热以及/或者光照射等而由布线埋设构件11得到了布线埋设层之后),从布线埋设层的另一个主面侧(即,与埋设了加厚布线的主面A对置的主面B)实施激光照射来形成盲孔(参照图10(d))。接着,若在所得到的盲孔中填充导电材料,则能够得到层间连接过孔(参照图10(e))。在导电材料的填充中,可以填充镀铜、Ag膏剂或Cu膏剂等的导电膏剂。层间连接过孔50的大小可以根据所需的电阻和布线密度来决定。即,虽然过孔越大则电阻越小且越流过大电流,但每单位面积可提取的过孔数减少。此外,小的过孔的形成的难易度高。若举出一例,则可以将过孔直径设为5μm~300μm。
顺便一提,盲孔的形成自身可以通过光刻来实施。在此情况下,可挠性薄膜优选是能够形成光学图案(photopattern)的材料。例如,可以采用感光性环氧片、感光性PPE片等。
在本公开中,优选以与加厚布线成为倒锥的关系来形成层间连接过孔,使得层间连接过孔的宽度尺寸Wa逐渐减少的方向a和加厚布线的宽度尺寸Wb逐渐减少的方向b相反(参照图10(e))。即,优选以主面侧A的剖面积小的倒锥的圆锥台形状来形成层间连接过孔50。在这样的情况下,在图像显示装置100中“加厚布线的锥效应”和“层间连接过孔的锥效应”相辅相成地发挥作用。
(设置阻挡层的形态)
本公开的制造方法,可以还具有阻挡部的形成工序。即,如图11(a)~(f)所示,可以进一步设置形成直接覆盖布线埋设构件(更具体来说,由布线埋设构件而得到的布线埋设层)的一个主面的阻挡层的工序(尤其参照图11(d))。
阻挡层70可以形成为用于发挥阻止水分透过的阻挡功能的SiO2、SiN等的无机膜、或无机膜和聚合物的多层膜。若举出一例则可以将由CVD形成的SiO2(约100nm)和硅氧烷(约100nm)作为1组,并层叠多组来使用。虽然若增多层叠的组数则阻挡性能提高,但同时成膜成本可能增加。因此,组数只要考量所希望的阻挡性能和成本来决定即可。若就此进行例示则可以层叠2组~10组之程度。
在形成阻挡层70时优选在加厚布线20上的区域形成开口部72(参照图11(e)),使加厚布线20和EL元件的下部电极32经由这样的开口部而相互连接。开口部72的形成既可以通过对阻挡层实施激光照射来形成,或者,也可以通过光刻/蚀刻等来形成。
这种阻挡层也可以用于对进一步的平坦化做出贡献。例如,在加厚布线具有从布线埋设层的主面稍微突出的形态的情况下,将阻挡层形成在布线埋设层的主面上,使得阻挡层与该突出部的最上面完全处于同一平面,由此能够达成进一步的平坦化。
另外,本公开的图像显示装置具有:
布线埋设层,其具有可挠性;
加厚布线,其埋设于布线埋设层(例如,以与布线埋设层的一个主面大致处于同一平面状态而埋设的加厚布线);
引出的下部电极,其与加厚布线电连接,且设置在布线埋设层的一个主面(即,成为与加厚布线大致处于同一平面状态的主面)上;
发光层,其设置在引出的下部电极上;以及
上部电极,其形成在发光层上。
这样的本公开的图像显示装置的1个特征在于,在具有可挠性的布线埋设层中埋入厚度大的布线。即,将比现有技术中常规使用的布线更厚的布线埋入到“具有可挠性的层”中(尤其是,这样的厚布线以与“具有可挠性的层”大致处于同一平面的状态而埋入)。
在本公开中还提供一种图像显示装置的制造方法。具体来说,提供一种图像显示装置的制造方法,包括:
(i)准备加厚布线以及具有可挠性的布线埋设构件的工序;
(ii)实施将加厚布线按压于布线埋设构件的一个主面的操作,并将加厚布线埋入到布线埋设构件中的工序(例如,将加厚布线埋入到布线埋设构件中,使得加厚布线成为与布线埋设构件的所述一个主面大致处于同一平面的状态),
(iii)形成与加厚布线电连接的引出的下部电极的工序;
(iv)在引出的下部电极上形成发光层的工序;以及,
(v)在发光层上形成上部电极的工序。
本公开的制造方法的1个特征在于,具有在具有可挠性的布线埋设构件中埋入厚度大的布线的工艺。即,在本公开的制造方法中,实施将比现有技术中常规使用的布线更厚的布线埋入到“具有可挠性的构件”中的工序(尤其是,实施将这样的厚布线以与“具有可挠性的构件”大致处于同一平面的状态而埋入的操作)。
以上,以本公开的适宜的实施方式为中心进行了说明,但本公开不限定于此,本领域技术人员容易理解能够进行各种改变。
工业实用性
本公开所涉及的图像显示装置,能够作为各种设备的图像显示部来使用。例如,可以用于智能电话的图像显示部、平板终端的图像显示部、电视的图像显示部、便携式电话的图像显示部、移动式个人电脑或笔记本个人电脑的图像显示部、数字静态照相机以及摄像机的图像显示部、进而电子纸的图像显示部等。

Claims (25)

1.一种图像显示装置,具备:
布线埋设层,其具有可挠性;
加厚布线,其以与所述布线埋设层的一个主面大致处于同一平面的状态埋设;
引出的下部电极,其与所述加厚布线电连接,且设置在所述一个主面上;
发光层,其设置在所述引出的下部电极上;以及
上部电极,其形成在所述发光层上。
2.根据权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于,
所述加厚布线埋设在所述布线埋设层,使得成为所述加厚布线的上表面从所述一个主面突出的形态。
3.根据权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于,
所述加厚布线埋设在所述布线埋设层,使得成为所述加厚布线的上表面从所述一个主面凹下的形态。
4.根据权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于,
所述加厚布线具有从所述布线埋设层的所述一个主面向另一个主面的方向逐渐减小宽度尺寸的锥形状。
5.根据权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于,
在避开了所述加厚布线上的位置设置了像素区域。
6.根据权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于,
在所述加厚布线上设置了像素区域。
7.根据权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于,
所述引出的下部电极位于所述加厚布线的上表面的至少一部分。
8.根据权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于,
所述布线埋设层,由可挠性薄膜和在所述可挠性薄膜上设置的粘接剂层构成,在所述粘接剂层埋设所述加厚布线。
9.根据权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于,
层间连接过孔沿着所述布线埋设层的厚度方向延伸地设置于所述布线埋设层。
10.根据权利要求9所述的图像显示装置,其特征在于,
所述层间连接过孔,具有从所述布线埋设层的所述一个主面向另一个主面的方向逐渐增大宽度尺寸的锥形状。
11.根据权利要求10所述的图像显示装置,其特征在于,
所述加厚布线,具有从所述布线埋设层的所述一个主面向另一个主面的方向逐渐减小宽度尺寸的锥形状,所述层间连接过孔和所述加厚布线具有倒锥的关系,所述层间连接过孔的宽度尺寸逐渐减小的方向和所述加厚布线的宽度尺寸逐渐减小的方向相反。
12.根据权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于,
所述加厚布线由金属箔构成。
13.根据权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于,
所述图像显示装置还具有设置成直接覆盖所述布线埋设层的一个主面的阻挡层,
在所述阻挡层中,在所述加厚布线上的局部区域形成有开口部,所述加厚布线和所述引出的下部电极经由所述开口部而相互连接。
14.一种图像显示装置的制造方法,是制造图像显示装置的方法,包括:
准备加厚布线以及具有可挠性的布线埋设构件的工序i;
实施将所述加厚布线按压于所述布线埋设构件的一个主面的操作,并将所述加厚布线埋入所述布线埋设构件中,使得所述加厚布线成为与所述一个主面大致处于同一平面状态的工序ii;
将与所述加厚布线电连接的引出的下部电极形成在所述布线埋设构件的所述一个主面上的工序iii;
在所述引出的下部电极上形成发光层的工序iv;以及
在所述发光层上形成上部电极的工序v。
15.根据权利要求14所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
在所述工序ii中,将所述加厚布线较浅地埋入所述布线埋设构件中,使得所述加厚布线的上表面与所述布线埋设构件的主面相比位于更上方。
16.根据权利要求14所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
在所述工序ii中,将所述加厚布线较深地埋入所述布线埋设构件中,直到所述加厚布线的上表面与所述布线埋设构件的主面相比位于更下方。
17.根据权利要求14所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
通过金属箔的加工来形成所述工序i的所述加厚布线。
18.根据权利要求14所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
作为所述工序i的所述加厚布线,准备设置在载体上的带载体加厚布线。
19.根据权利要求14所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
准备由可挠性薄膜和在所述可挠性薄膜上设置的粘接剂层构成的2层构造的布线埋设构件,作为所述工序i的布线埋设构件。
20.根据权利要求14所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
准备具有宽度尺寸逐渐减小的锥形状的加厚布线,作为所述工序i中的所述加厚布线,
在所述工序ii中,将所述加厚布线的宽度相对较小的面按压于所述布线埋设构件的所述一个主面,由此,将所述加厚布线埋入到所述布线埋设构件中。
21.根据权利要求14所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
所述图像显示装置的制造方法还包括:形成在所述布线埋设构件的厚度方向上延伸的层间连接过孔的工序。
22.根据权利要求21所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
准备具有宽度尺寸逐渐减小的锥形状的加厚布线,作为所述工序i中的所述加厚布线,
在所述工序ii中,将所述加厚布线的宽度相对较小的面按压于所述布线埋设构件的所述一个主面,由此,将所述加厚布线埋入所述布线埋设构件中,并以倒锥的关系形成所述层间连接过孔和所述加厚布线,使得所述层间连接过孔的宽度尺寸Wa逐渐减小的方向和所述加厚布线的宽度尺寸Wb逐渐减小的方向相反。
23.根据权利要求14所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
在所述工序iv中,在避开了所述加厚布线上的区域形成所述发光层。
24.根据权利要求14所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
在所述工序iv中,在位于所述加厚布线上的区域形成所述发光层。
25.根据权利要求14所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
所述图像显示装置的制造方法还包括:直接覆盖所述布线埋设构件的一个主面地形成阻挡层的工序,在所述阻挡层中,在所述加厚布线上的区域形成开口部,使所述加厚布线和所述引出的下部电极经由所述开口部而相互连接。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107230693A (zh) * 2016-03-25 2017-10-03 三星显示有限公司 柔性显示装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022112403A (ja) * 2021-01-21 2022-08-02 株式会社Joled 表示装置
CN113744644B (zh) * 2021-08-24 2022-10-04 武汉华星光电技术有限公司 显示装置及显示方法
US11943882B2 (en) 2021-08-24 2024-03-26 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display device and display method

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2708170B1 (fr) * 1993-07-19 1995-09-08 Innovation Dev Cie Gle Circuits électroniques à très haute conductibilité et de grande finesse, leurs procédés de fabrication, et dispositifs les comprenant.
US5959402A (en) * 1997-07-30 1999-09-28 Ruben Polyan Flexible electroluminescent light source
JP2003068450A (ja) * 2001-08-15 2003-03-07 Ind Technol Res Inst Oledディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2003108029A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置およびその製造方法
JP4339000B2 (ja) 2002-03-26 2009-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US7045861B2 (en) 2002-03-26 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, liquid-crystal display device and method for manufacturing same
FR2845778B1 (fr) * 2002-10-09 2004-12-17 Saint Gobain Dispositif electrocommandable du type electroluminescent
JP2005283911A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Fuji Photo Film Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示パネル
JP2006040581A (ja) * 2004-07-22 2006-02-09 Ams:Kk 有機el素子の基板
JP4551730B2 (ja) * 2004-10-15 2010-09-29 イビデン株式会社 多層コア基板及びその製造方法
JP2009519564A (ja) * 2005-12-12 2009-05-14 モア ビー. チャド ワイヤ式のフラットパネルディスプレイ
JP2007273261A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Hitachi Displays Ltd 有機el表示装置
JP4855186B2 (ja) * 2006-09-04 2012-01-18 日本メクトロン株式会社 両面フレキシブルプリント配線板の製造方法
CN101772842B (zh) * 2007-08-07 2011-08-17 松下电器产业株式会社 半导体装置及其制造方法以及图像显示装置
TWI373676B (en) * 2007-09-06 2012-10-01 Au Optronics Corp Pixel structure and forming method and driving method thereof
JP2009302363A (ja) * 2008-06-16 2009-12-24 Panasonic Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2012527092A (ja) * 2009-05-14 2012-11-01 エスアールアイ インターナショナル 有機光電子素子のための低コスト高効率透明有機電極
US8771840B2 (en) * 2009-11-13 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Heterocyclic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
JP2011145590A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Konica Minolta Holdings Inc 電気化学表示パネルおよび電気化学表示パネルの製造方法
JP2012119532A (ja) 2010-12-01 2012-06-21 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置
US8692457B2 (en) * 2010-12-20 2014-04-08 General Electric Company Large area light emitting electrical package with current spreading bus
CN102812541B (zh) * 2011-03-24 2016-02-03 松下知识产权经营株式会社 挠性半导体装置及其制造方法、以及使用挠性半导体装置的图像显示装置及其制造方法
KR101923173B1 (ko) * 2012-02-14 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102013314B1 (ko) * 2012-06-28 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107230693A (zh) * 2016-03-25 2017-10-03 三星显示有限公司 柔性显示装置
CN107230693B (zh) * 2016-03-25 2023-08-08 三星显示有限公司 柔性显示装置

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