CN104375783A - 一种eeprom数据写入的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种EEPROM数据写入的方法，包括：步骤1，写入的起始地址为EEPROM的有效地址，且待写入的数据总长度不超过从所述的起始地址到EEPROM的最高地址的有效长度时，则执行步骤2，否则退出；步骤2，待写入数据预处理后分批传送到EEPROM；步骤3，EEPROM将接收到的待写入数据写入EEPROM。采用本发明方法后，待写入数据预处理后分批传送到EEPROM，所述EEPROM依次将接收到的待写入数据写入EEPROM，避免了EEPROM数据写入时的自动翻页现象，更由于将待写入数据分批传送，每传送完一批，EEPROM写入一批，提高了效率，避免了每传送完一个byte后延时一定的时间让EEPROM写入硬件效率低的问题。

Description

一种EEPROM数据写入的方法
技术领域
本发明涉及泛洪攻击的技术领域，尤其涉及一种EEPROM数据写入的方法。
背景技术
EEPROM(带电可擦写可编程只读存储器)是用户可更改的只读存储器，其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程，因此EEPROM应用广泛。
EEPROM有一个特点，写入数据会出现页翻转现象。例如一个AT24C02BNEEPROM芯片存储空间是2kbit，也就是256byte，AT24分为32页，每页的长度为8byte，如果从地址0x5开始写入data[8]＝{0，1，2，3，4，5，6，7}，完成之后第一页内容为：0x0～0x7：3、4、5、6、7、0、1、2。EEPROM在调用I2C写入接口后，每传输完一个byte，当前页地址会自加1，传输完当前页最后一个byte后地址重回到当前页页首。无论传输多少个byte，只要是写入时到达当前页最后一个byte，地址都会自动回到当前页页首，其它地址则自动加1。这就是EEPROM自动页写自动翻转。基于EEPROM的页写翻转现象，如果通过I2C批量传输数据到EEPROM写入，将无法逐页写入。另外，EEPROM收到I2C传输过来的数据后，硬件需要一定的时间写入。所以，如果每次调用I2C只传输一个byte的话，一方面重复调用会增加I2C占用率和时间，另一方面每输完一个byte后延时一定的时间让EEPROM写入硬件又大大降低了执行效率。
发明内容
本发明需解决的技术问题是克服上述的不足，提供一种高效率的EEPROM数据写入的方法，其特征在于，包括：
步骤1，在写入的起始地址为EEPROM的有效地址，且待写入的数据总长度不超过从所述的起始地址到EEPROM的最高地址的有效长度时，执行步骤2；
步骤2，待写入数据预处理后分批传送到EEPROM；
步骤3，EEPROM依次将接收到的待写入数据写入EEPROM。
进一步的，所述待写入数据预处理的步骤具体包括：
步骤A，若待写入数据总长度小于等于所述起始地址到EEPROM当前页最高地址的长度，则将待写入数据一次性传送到EEPROM，否则执行步骤B；
步骤B，若待写入数据总长度大于所述起始地址到EEPROM当前页最高地址的长度，则向EEPROM传送所述起始地址到EEPROM当前页最高地址的长度的数据，更新所述起始地址和所述待写入数据总长度，执行步骤A。
进一步的，所述待写入数据向EEPROM传送采用I2C传输。
进一步的，所述起始地址为EEPROM的页首地址。
进一步的，所述EEPROM为AT24C02BN。
采用本发明方法后，待写入数据预处理后分批传送到EEPROM，所述EEPROM依次将接收到的待写入数据写入EEPROM，避免了EEPROM数据写入时的自动翻页现象，更由于将待写入数据分批传送，每传送完一批，EEPROM写入一批，提高了效率，避免了每传送完一个byte后延时一定的时间让EEPROM写入硬件效率低的问题。
附图说明
图1是本发明提供的EEPROM数据写入的方法流程图；
图2是本发明提供的待写入数据预处理的流程图。
具体实施方式
为了使本领域相关技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面将结合本发明实施方式的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。
下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。
参阅图1，为本发明提供的一种实施方式的EEPROM数据写入的方法，本方法包括：
步骤S100，在写入的起始地址为EEPROM的有效地址，且待写入的数据总长度不超过从的起始地址到EEPROM的最高地址的有效长度时，执行步骤S200；
本实施例中，起始地址为页首地址。
一个AT24C02BN EEPROM芯片存储空间是2kbit，也就是256byte，AT24分为32页，0x00～0xff为EEPROM的有效地址，当写入的起始地址为0x00，其可写入的待写入的数据总长度最大为256byte。
步骤200，待写入数据预处理后分批传送到EEPROM；
将待写入EEPROM的待写入数据预处理分批传送，每传送完一批等待EEPROM写入。
步骤S300，EEPROM依次将接收到的待写入数据写入EEPROM。
EEPROM每接收一批待写入数据，就写入一批。
在优选实施方式中，所述待写入数据预处理包括：
步骤S201，判断待写入数据总长度是否小于等于所述起始地址到EEPROM当前页最高地址的长度；
步骤S202，若待写入数据总长度小于等于所述起始地址到EEPROM当前页最高地址的长度，则将待写入数据一次性传送到EEPROM，否则执行步骤S203；
步骤S203，向EEPROM传送所述起始地址到EEPROM当前页最高地址的长度的数据，更新所述起始地址和所述待写入数据总长度，执行步骤S201。
通过步骤S201～S203，不断更新所述起始地址和所述待写入数据总长度，直至在EEPROM一页上就将待写入数据写入，然后传送给EEPROM，写入EEPROM。
本实施例中，起始地址为页首地址，所以每次向EEPROM传送的数据长度就是该页的长度。
上述步骤中，将待写入数据传一批，写入一批。传入的这批数据刚好能够从写入的起始地址到当前页最后一个地址的长度，避免了写一批数据时产生页翻转的现象，也避免了传一个字节写一个字节效率低的问题。
以上仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (5)

1.一种EEPROM数据写入的方法，其特征在于，包括：
步骤1，在写入的起始地址为EEPROM的有效地址，且待写入的数据总长度不超过从所述的起始地址到EEPROM的最高地址的有效长度时，执行步骤2；
步骤2，待写入数据预处理后分批传送到EEPROM；
步骤3，EEPROM将接收到的待写入数据写入EEPROM。
2.根据权利要求1所述的EEPROM数据写入的方法，其特征在于，所述待写入数据预处理的步骤具体包括：
步骤A，若待写入数据总长度小于等于所述起始地址到EEPROM当前页最高地址的长度，则将待写入数据一次性传送到EEPROM，否则执行步骤B；
步骤B，若待写入数据总长度大于所述起始地址到EEPROM当前页最高地址的长度，则向EEPROM传送所述起始地址到EEPROM当前页最高地址的长度的数据，更新所述起始地址和所述待写入数据总长度，执行步骤A。
3.根据权利要求1所述的EEPROM数据写入的方法，其特征在于，所述待写入数据向EEPROM传送采用I2C传输。
4.根据权利要求1所述的EEPROM数据写入的方法，其特征在于，所述起始地址为EEPROM的页首地址。
5.根据权利要求1所述的EEPROM数据写入的方法，其特征在于，所述EEPROM为AT24C02BN。
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