CN104319330A - 一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法,其中,InxGa1-xN/GaN有源层的生长步骤:在主载气为H2的氛围下,通入Ga源和NH3生长8-15nm的GaN垒层;切换主载气为N2,通入Ga源、In源和NH3,生长2-5nm的InxGa1-xN阱层;关闭Ga源和In源,保持NH3正常通入,停顿InxGa1-xN生长;打开Ga源,生长1-5nm的GaN保护层;切换主载气为H2,通入Ga源和NH3生长8-15nm的GaN垒层;重复二至五的生长步骤1至20个周期。本发明可以获得高质量InGaN/GaN有源层,提高LED发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术领域,尤其是指一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法。
背景技术
GaN基蓝绿光发光二极管具有体积小、寿命长、功耗低、亮度高、易集成化等优点。现有技术中,GaN基蓝绿光LED材料生长主要通过金属有机化学气相沉积***(MOCVD)进行外延生长。由于GaN衬底价格较高,为节约成本,GaN基蓝绿光LED通常异质外延在蓝宝石、碳化硅等衬底上。由于异质外延存在的晶格失配和热失配等问题,难以获得高晶体质量的GaN基蓝绿光LED外延片。
现有技术中,蓝绿光LED均采用GaN与InN的合金InGaN材料作为发光有源区,通过调节InGaN量子阱中的In组分实现不同波长的发射,有源区InGaN材料的晶体质量直接影响蓝绿光LED的发光效率。
在常规的GaN基蓝绿光LED生长中,主要包括低温缓冲层、非故意掺杂层、N型掺杂层的生长,多量子阱有源层的生长和P型掺杂AlGaN层,以及P型掺杂GaN层的生长。其中低温缓冲层的生长温度在500-600℃之间;非故意掺杂层、N型掺杂层、P型掺杂AlGaN层、P型掺杂GaN层的生长温度在950-1150℃之间;多量子阱有源层生长步骤包括:在反应温度750-900℃生长8-15nm GaN 垒层,之后降温至650-800℃生长2-5nm InGaN阱层,然后升高温度到750-900℃再生长8-15nmGaN 垒层,以此重复周期结构的生长。在整个多量子阱有源层的生长过程中,主载气和有机源的载气均为N2。
由于In原子的蒸汽压比Ga原子高,生长InGaN时,In原子难以并入,因此多量子阱有源层通常在N2为主载气的氛围下进行低温生长。为了提高In组分,通常选用较高的TMIn分压,这容易在InGaN量子阱生长表面析出In滴,降低有源区的晶体质量。此外,由于异质外延的应力延伸和GaN与InN之间本身的晶格失配,使得多量子阱有源层应力积累严重,加大材料生长的困难。虽然在N2氛围下可以加大In组分的并入,然而N2氛围下生长的GaN薄膜表面较为粗糙,晶体质量相对较差。
在高温下,InGaN薄膜会遭到破坏,降低晶体质量。由于垒层的生长温度高于阱层,并且P型掺杂的AlGaN层是在高温下生长,使得已经生长的阱层遭到破坏。
多量子阱有源层之后生长的AlGaN层由于进行了P型Mg掺杂,使得Mg原子会向有源区扩散,形成非辐射复合中心,降低发光效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法,以获得高质量InGaN/GaN有源层,提高LED发光效率。
为达成上述目的,本发明的解决方案为:
一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法,在衬底上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、N型掺杂层、应力平衡层、InxGa1-xN/GaN有源层、空穴注入层、电子阻挡层及P型掺杂层;其中,InxGa1-xN/GaN有源层的生长包括以下步骤:
一,在主载气为H2的氛围下,通入Ga源和NH3生长8-15nm的GaN垒层,生长温度为750-900℃,反应压强为200-400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为5000-30000,生长速率为0.15-0.3μm/h;
二,降低反应温度到650-800℃,切换主载气为N2,通入Ga源、In源和NH3,生长2-5nm的InxGa1-xN阱层,反应压强为100-400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为5000-30000,生长速率为0.1-0.25μm/h;
三,保持反应温度和压强不变,关闭Ga源和In源,保持NH3正常通入,停顿InxGa1-xN生长;
四,保持反应温度和压强不变,打开Ga源,生长1-5nm的GaN保护层,Ⅴ/Ⅲ之比为5000-30000,生长速率为0.1-0.25μm/h;
五,升高反应温度到750-900℃,切换主载气为H2,通入Ga源和NH3生长8-15nm的GaN垒层,反应压强为200-400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为5000-30000,生长速率在0.15 -0.3μm/h;
六,重复二至五的生长步骤1至20个周期。
进一步,生长GaN垒层时,主载气和Ga源的载气均为H2,生长GaN保护层和InxGa1-xN阱层时,主载气、Ga源载气和In源的载气均为N2。
进一步,停顿InxGa1-xN生长的时间为10-60s。
进一步,应力平衡层在主载气为H2或者N2的氛围下生长,生长温度为800-950℃,应力平衡层的材料为InyGa1-yN,N型掺杂浓度为5×1017-5×1018。
进一步,InyGa1-yN层的厚度大于等于有源层总厚度的一半,且InyGa1-yN层的In组分取值为y使得:有源层的平均应力等于应力平衡层InyGa1-yN的应力。
进一步,空穴注入层的材料为GaN层,其中GaN层在主载气为N2的氛围下生长,生长温度在750-950℃之间,厚度在50-100nm之间。
进一步,GaN层进行阶梯式的P型Mg掺杂,沿远离量子阱方向,P型掺杂浓度阶梯式递增,且平均掺杂浓度在5×1017-5×1018。
进一步,空穴注入层的材料为GaN层与InzGa1-zN/GaN超晶格层的组合层,GaN层在主载气为N2的氛围下生长,生长温度为750-950℃,厚度为50-100nm,InzGa1-zN/GaN超晶格层在主载气为H2的氛围下生长,0.03<z<0.1,生长温度为800-1050℃,厚度为1nm-5nm。
进一步,GaN层进行阶梯式的P型Mg掺杂,沿远离量子阱方向,P型掺杂浓度阶梯式递增,且平均掺杂浓度在5×1017-5×1018,InzGa1-zN/GaN超晶格层进行恒定的P型Mg掺杂,掺杂浓度在1×1017-5×1018之间。
进一步,除最后1-3个周期外,有源区其余的GaN垒层均进行N型Si掺杂,掺杂浓度在5×1017-2×1018。
一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构,在衬底上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、N型掺杂层、应力平衡层、InxGa1-xN/GaN有源层、空穴注入层、电子阻挡层及P型掺杂层;InxGa1-xN/GaN有源层由多组InxGa1-xN量子阱层及GaN量子垒层构成,其中0.1<x<0.3。
进一步,在每一组InxGa1-xN量子阱层及GaN量子垒层之间生长GaN保护层。
进一步,应力平衡层为InyGa1-yN层,N型掺杂浓度为5×1017-5×1018。
进一步,InyGa1-yN层的厚度大于等于有源层总厚度的一半,且In组分取值为y使得InyGa1-yN的晶格常数满足:
(aInyGa1-yN-aGaN barrier)tGaN barrier =(aInGaN well- aInyGa1-yN)tInGaN well
即有源层的平均应力等于应力平衡层InyGa1-yN的应力。其中ai代表对应层材料的晶格常数,ti代表对应层的厚度。
进一步,空穴注入层为阶梯式掺杂的空穴注入层。
进一步,空穴注入层为GaN层,GaN层厚度为50-100nm。
进一步,GaN层进行阶梯式的P型Mg掺杂,沿远离量子阱方向,P型Mg掺杂浓度阶梯式递增,且平均掺杂浓度在5×1017-5×1018。
进一步,空穴注入层为GaN层与InzGa1-zN/GaN超晶格层的组合层,0.03<z<0.1;GaN层厚度为50-100nm,InzGa1-zN/GaN超晶格层厚度为1nm-5nm。
进一步,GaN层进行阶梯式的P型Mg掺杂,沿远离量子阱方向,P型Mg掺杂浓度阶梯式递增,且平均掺杂浓度在5×1017-5×1018,InzGa1-zN/GaN超晶格层进行恒定的P型Mg掺杂,掺杂浓度在1×1017-5×1018。
采用上述方案后,本发明在InGaN/GaN有源层一侧外延生长应力平衡层,另一侧外延生长空穴注入层。应力平衡层的生长,平衡了有源区的应力,显著提高了有源层的质量,进而提升了LED的发光效率。
同时,空穴注入层采用N2氛围下低温生长,可显著提高Mg原子的并入,提高空穴浓度,并且,通过空穴注入层的阶梯式P型掺杂,避免了Mg原子向有源区的扩散,减少了有源区的非辐射复合中心,进一步提高了有源层的质量,进而提升了LED的发光效率。发光效率相比常规外延结构提升20%以上。
此外,空穴注入层中GaN层后生长InGaN/GaN超晶格层,一方面超晶格可阻隔GaN层由于低温生长产生的位错,提高后续外延层的晶体质量,另一方面超晶格层产生的能带震荡也可进一步提高空穴浓度。
在生长所述LED外延结构时,首先,通过生长阱层与垒层过程中主载气与有机源载气的切换,既增加了In组分的并入,又获得了高质量的GaN垒层;第二,通过低温下GaN保护层的生长和低温N2氛围下空穴注入层的生长,保护了InGaN量子阱,避免了高温对量子阱的破坏,又提高了空穴向有源区的注入;第三,通过InGaN阱层的间断生长,避免了In滴在量子阱表面的形成,提高了量子阱的晶体质量。
附图说明
图1为本发明实施例一形成的LED外延结构示意图;
图2为本发明多量子阱有源层生长温度变化趋势示意图;
图3为本发明多量子阱有源层有机源开关及载气切换示意图;
图4为本发明阶梯式掺杂空穴注入层的P型掺杂浓度变化趋势示意;
图5为本发明实施例二形成的LED外延结构示意图。
标号说明
衬底1 缓冲层2
非故意掺杂层3 N型掺杂层4
应力平衡层5 有源层6
GaN量子垒层61 InxGa1-xN量子阱层62
GaN保护层63 空穴注入层7
电子阻挡层8 P型掺杂层9
超晶格层10。
具体实施方式
以下结合附图及具体实施例对本发明做详细描述。
实施例一
如图1所示,本发明揭示的一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构,在衬底1上依次生长缓冲层2、非故意掺杂层3、N型掺杂层4、应力平衡层5、InxGa1-xN/GaN有源层6、空穴注入层7、电子阻挡层8及P型掺杂层9;InxGa1-xN/GaN有源层6由多组GaN量子垒层61及InxGa1-xN量子阱层62构成。在每一组GaN量子垒层61及InxGa1-xN量子阱层62之间生长GaN保护层63。
本发明还揭示所述一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法,在衬底1上依次生长缓冲层2、非故意掺杂层3、N型掺杂层4、应力平衡层5、InxGa1-xN/GaN有源层6、空穴注入层7、电子阻挡层8及P型掺杂层9;利用MOCVD设备外延生长高亮度的蓝光发光二极管,采用2英寸c面免清洗蓝宝石衬底1,其中,InxGa1-xN/GaN有源层6的生长包括以下步骤:
一,将反应温度升高到1200℃,反应压力为100mbar,在H2氛围下烘焙蓝宝石衬底1时间为100-300s。
二,降低反应温度到550℃,通入NH3,氮化衬底1时间为60-180s。
三,通入Ga源和NH3,在550℃下生长25nm低温GaN缓冲层2,反应压力为650mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为500-5000。
四,升高反应温度到1100℃,通入Ga源和NH3,生长2000nm未掺杂GaN层,形成非故意掺杂层3,反应压力为250mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为500-5000。
五,在1100℃下,通入Ga源,NH3和硅烷,生长2000nm N型掺杂GaN层,形成N型掺杂层4,反应压力为250mbar,Ⅴ/Ⅲ比为500-5000,N型掺杂浓度为1×1018-5×1018。
六,降低反应温度到900℃,通入Ga源,In源,NH3和硅烷,生长100nm N型掺杂InGaN应力平衡层5,其中In组分为0.04,反应压力为400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为500-5000。
七,降低反应室温度到850℃,通入Ga源,NH3和硅烷,生长12nm N型掺杂GaN量子垒层61,反应压力为400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为5000-30000,N型掺杂浓度为1×1017-5×1018,其中有机源的载气为H2。
八,切换主载气为N2,降低反应温度到730℃,通入Ga源,In源和NH3,生长3nm InGaN量子阱层62,其中In组分为0.17,反应压力为400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为5000-30000,其中有机源的载气为N2。
九,关闭Ga源和In源,继续通入NH3,保持反应室其他状态不变,停顿阱层生长30s。
十,通入Ga源,生长3nm GaN保护层63,反应压力为400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为5000-30000,其中有机源的载气为N2。
十一,切换主载气为H2,升高反应温度到850℃,通入Ga源, NH3和硅烷,生长12nm N型掺杂GaN量子垒层61,反应压力为400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为5000-30000,N型掺杂浓度为1×1017-5×1018,其中有机源的载气为H2。
十二,重复步骤八至步骤十一生长步骤8个周期,其中最后两次循环中,步骤十一中的硅烷不通入反应室内。
十三,切换主载气为N2,在850℃下生长60 nm P型阶梯掺杂的GaN空穴注入层7,反应压力为400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为500-5000,其中二茂镁通入流量阶梯式递增,使其P型掺杂浓度满足图4所示浓度梯度趋势,空穴注入层7平均掺杂浓度为5×1017-5×1018。
十四,切换主载气为H2,升高反应温度到1050℃,通入Ga源,Al源,NH3和二茂镁,生长25nm P型掺杂的AlGaN电子阻挡层8,其中Al组分为0.2,反应压力为250mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为500-5000,P型掺杂浓度为5×1017-5×1018。
十五,通入Ga源,NH3和二茂镁,生长200nm P型掺杂的GaN电子阻挡层,形成P型掺杂层9,反应压力为250mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为500-5000,P型掺杂浓度为5×1017-1×1019。
十六,降低反应温度到800℃,在纯N2氛围下退火600s,降低反应温度到室温,结束外延生长,形成如图1所示的外延结构。
其中,InxGa1-xN/GaN有源层6的生长温度曲线如图2所示,而InxGa1-xN/GaN有源层6的有机源开关及载气切换情况如图3所示。
实施例二
与实施例一不同在于:如图5所示,空穴注入层7与电子阻挡层8之间生长GaN/InGaN超晶格层10,通过该超晶格层10的生长,可进一步提高晶体质量和空穴浓度。
本实施例中,一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法,在衬底1上依次生长缓冲层2、非故意掺杂层3、N型掺杂层4、应力平衡层5、InxGa1-xN/GaN有源层6、空穴注入层7、电子阻挡层8及P型掺杂层9,空穴注入层7与电子阻挡层8之间生长GaN/InGaN超晶格层10;其中,InxGa1-xN/GaN有源层6的生长包括以下步骤:
利用MOCVD设备外延生长高亮度的绿光发光二极管,采用2英寸c面免清洗蓝宝石衬底1,具体外延生长步骤一至步骤五与实施例一相同。
一,将反应温度升高到1200℃,反应压力为100mbar,在H2氛围下烘焙蓝宝石衬底1时间为100-300s。
二,降低反应温度到550℃,通入NH3,氮化衬底1时间为60-180s。
三,通入Ga源和NH3,在550℃下生长25nm低温GaN缓冲层2,反应压力为650mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为500-5000。
四,升高反应温度到1100℃,通入Ga源和NH3,生长2000nm未掺杂GaN层,形成非故意掺杂层3,反应压力为250mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为500-5000。
五,在1100℃下,通入Ga源,NH3和硅烷,生长2000nm N型掺杂GaN层,形成N型掺杂层4,反应压力为250mbar,Ⅴ/Ⅲ比为500-5000,N型掺杂浓度为1×1018-5×1018。
六,降低反应室温度到880℃,通入Ga源,In源,NH3和硅烷,生长100nm N型掺杂InGaN应力平衡层5,其中In组分为0.08,反应压力为400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为500-5000。
七,降低反应温度到810℃,通入Ga源, NH3和硅烷,生长12nm N型掺杂GaN量子垒层61,反应压力为400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为5000-30000,N型掺杂浓度为1×1017-5×1018,其中有机源的载气为H2。
八,切换主载气为N2,降低反应温度到690℃,通入Ga源,In源和NH3,生长3nm InGaN量子阱层62,其中In组分为0.24,反应压力为400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为5000-30000,其中有机源的载气为N2气。
九,关闭Ga源和In源,继续通入NH3,保持反应室其他状态不变,停顿阱层生长45s。
十,通入Ga源,生长3nm GaN保护层63,反应压力为400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为5000-30000,其中有机源的载气为N2。
十一,切换主载气为H2,升高反应温度到810℃,通入Ga源, NH3和硅烷,生长12nm N型掺杂GaN量子垒层61,反应压力为400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为5000-30000,N型掺杂浓度为1×1017-5×1018,其中有机源的载气为H2。
十二,重复步骤八至步骤十一生长步骤8个周期,其中最后两个周期循环中,步骤十一中的硅烷不通入反应室内。
十三,切换主载气为N2,在850℃下生长50 nm P型阶梯掺杂的GaN空穴注入层7,反应压力为400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为500-5000,其中二茂镁通入流量阶梯式递增,使其P型掺杂浓度满足图4所示浓度梯度趋势,平均掺杂浓度为5×1017-5×1018。
十四,切换主载气为H2,升高反应温度到900℃,通入Ga源, NH3和二茂镁,周期性的通入In源,生长5个周期的P型掺杂的GaN/InGaN超晶格层10 ,厚度为GaN层4nm/InGaN层2nm,In组分为0.07,反应压力为400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为500-5000,P型掺杂浓度为1×1017-5×1018,其中In源载气为N2。
十五,切换主载气为H2,升高反应温度到1050℃,通入Ga源,Al源,NH3和二茂镁,生长25nm P型掺杂的AlGaN电子阻挡层8,其中Al组分为0.2,反应压力为250mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为500-5000,P型掺杂浓度为5×1017-5×1018。
十六,通入Ga源,NH3和二茂镁,生长200nm P型掺杂的GaN电子阻挡层,形成P型掺杂层9,反应压力为250mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为500-5000,P型掺杂浓度为5×1017-1×1019。
十七,降低反应温度到800℃,在纯N2氛围下退火600s,降低反应温度到室温,结束外延生长,形成如图2所示的外延结构。
除文中特殊说明外,以上所用有机源的载气均为H2。本发明旨在获得一种具有高质量InGaN/GaN多量子阱有源层的LED,实施例一所生长的蓝光LED光功率相比传统蓝光LED外延生长方式可提升20%以上,实施例二所生长的绿光LED光功率相比传统绿光LED外延生长方式可提升25%以上。
以上所述仅为本发明的优选实施例,并非对本案设计的限制,凡依本案的设计关键所做的等同变化,均落入本案的保护范围。
Claims (10)
1.一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法,其特征在于:在衬底上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、N型掺杂层、应力平衡层、InxGa1-xN/GaN有源层、空穴注入层、电子阻挡层及P型掺杂层;其中,InxGa1-xN/GaN有源层的生长包括以下步骤:
一,在主载气为H2的氛围下,通入Ga源和NH3生长8-15nm的GaN垒层,生长温度为750-900℃,反应压强为200-400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为5000-30000,生长速率为0.15-0.3μm/h;
二,降低反应温度到650-800℃,切换主载气为N2,通入Ga源、In源和NH3,生长2-5nm的InxGa1-xN阱层,反应压强为100-400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为5000-30000,生长速率为0.1-0.25μm/h;
三,保持反应温度和压强不变,关闭Ga源和In源,保持NH3正常通入,停顿InxGa1-xN生长;
四,保持反应温度和压强不变,打开Ga源,生长1-5nm的GaN保护层,Ⅴ/Ⅲ之比为5000-30000,生长速率为0.1-0.25μm/h;
五,升高反应温度到750-900℃,切换主载气为H2,通入Ga源和NH3生长8-15nm的GaN垒层,反应压强为200-400mbar,Ⅴ/Ⅲ之比为5000-30000,生长速率为0.15 -0.3μm/h;
六,重复二至五的生长步骤1至20个周期。
2.如权利要求1所述的一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法,其特征在于:生长GaN垒层时,主载气和Ga源的载气均为H2,生长GaN保护层和InxGa1-xN阱层时,主载气、Ga源载气和In源的载气均为N2。
3.如权利要求1所述的一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法,其特征在于:停顿InxGa1-xN生长的时间为10-60s。
4.如权利要求1所述的一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法,其特征在于:应力平衡层在主载气为H2或者N2的氛围下生长,生长温度为800-950℃,应力平衡层的材料为InyGa1-yN,N型掺杂浓度为5×1017-5×1018。
5.如权利要求4所述的一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法,其特征在于:应力平衡层InyGa1-yN的厚度大于等于有源层总厚度的一半,且In组分取值为y使得InyGa1-yN的晶格常数满足:有源层的平均应力等于应力平衡层InyGa1-yN的应力。
6.如权利要求1所述的一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法,其特征在于:空穴注入层的材料为GaN层,其中GaN层在主载气为N2的氛围下生长,生长温度在750-950℃之间,厚度在50-100nm之间。
7.如权利要求6所述的一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法,其特征在于:GaN层进行阶梯式的P型Mg掺杂,沿远离量子阱方向,P型掺杂浓度阶梯式递增,且平均掺杂浓度在5×1017-5×1018。
8.如权利要求1所述的一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法,其特征在于:空穴注入层的材料为GaN层与InzGa1-zN/GaN超晶格层的组合层,GaN层在主载气为N2的氛围下生长,生长温度在750-950℃之间,厚度在50-100nm之间,InzGa1-zN/GaN超晶格层在主载气为H2的氛围下生长,0.03<z<0.1,生长温度为800-1050℃,厚度为1nm-5nm。
9.如权利要求8所述的一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法,其特征在于:GaN层进行阶梯式的P型Mg掺杂,沿远离量子阱方向,P型掺杂浓度阶梯式递增,且平均掺杂浓度在5×1017-5×1018;InzGa1-zN/GaN超晶格层进行恒定的P型Mg掺杂,掺杂浓度在1×1017-5×1018之间。
10.如权利要求1所述的一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法,其特征在于:除最后1-3个周期外,有源区其余的GaN垒层均进行N型Si掺杂,掺杂浓度在5×1017-2×1018。
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