CN104282711B - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了有机发光显示装置及其制造方法。有机发光显示装置包括：基板；设置在基板上并且包括形成在其上面的沟道的第一电极；以及填埋到沟道内的空穴注入层。有机发光显示装置的制造方法包括：在基板上形成在上面包括沟道的第一电极；以及在沟道内形成空穴注入层。

Description

有机发光显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
随着信息通信技术的发展以及信息化社会的需求多样化，人们对显示器的需求增加。根据紧凑化、节能化等需求开发出平板显示器（Flat Panel Display，简称为FPD）以替代以往用作主流显示装置的阴极射线管（Cathode-Ray Tube，简称为CRT）装置。目前一般比较普遍的平板显示器包括：电致发光显示装置（ELD）、液晶显示装置（LCD）、等离子显示装置（PDP）、有机发光显示装置（Organic Light Emitting Diode display，简称为OLED）等。
其中，因有机发光显示装置可以低压驱动并且具有视角宽、响应时间短的优点而得到了广泛普及。通常，有机发光显示装置包括：阳电极、阴电极和设置在阳电极与阴电极之间的有机层。从阳电极供给的空穴与从阴电极供给的电子可以通过在有机层中进行结合而生成激子（exiton）。所述激子再次恢复到基态而产生能量，通过该能量可以进行发光。
发明内容
发光效率会随着从阳电极至有机层的空穴注入效率的提升而提升。为此，可以将空穴注入层设置在阳电极与有机层之间。然而，当未把空穴注入层设置在准确的位置时将无法显现出充分的空穴注入效率。
本发明要解决的技术问题在于，提供改善了空穴注入效率的有机发光显示装置。
本发明要解决的另一技术问题在于，提供改善了空穴注入效率的有机发光显示装置的制造方法。
本发明要解决的技术问题并不限定于上述提及到的问题，本领域的技术人员通过下面的记载可以理解未提及的技术问题以及其他要解决的技术问题。
为了解决上述问题，根据本发明一实施例的有机发光显示装置包括：基板；第一电极，设置在所述基板上并且包括形成在其上面的沟道；以及空穴注入层，填埋到所述沟道内。
为了解决上述问题，根据本发明另一实施例的有机发光显示装置包括：基板；多个像素，限定在所述基板上；第一电极，形成在所述基板上的各个所述像素中，并且包括形成在其上面的沟道；像素限定膜，形成在所述第一像素上的位于各个所述像素的边界的部分上，并且包括用于暴露所述第一电极的所述沟道的开口；空穴注入层，填埋到所述第一电极的所述沟道内；有机发光层，形成在所述空穴注入层上；以及第二电极，形成在所述有机发光层上。
为了解决上述另一问题，根据本发明一实施例的有机发光显示装置的制造方法包括：在基板上形成在其上面包括沟道的第一电极；以及在所述沟道内形成空穴注入层。
其他实施例的具体方面将包括于具体说明和附图中。
根据本发明的实施例，将至少具有如下的效果。
即，不仅可以精确地设置空穴注入层，而且还可以改善空穴注入效率。
根据本发明的效果并不限制于以上所述的内容，更加多种的效果将包括于本说明书内。
附图说明
图1为根据本发明一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
图2为根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
图3为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
图4为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
图5为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
图6为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
图7为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
图8至图12为根据本发明多种实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
图13为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的剖面图。
图14至图17为用于说明根据本发明一实施例的有机发光显示装置的制造方法的各工艺步骤的剖面图。
图18至图20为用于说明根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的制造方法的各工艺步骤的剖面图。
附图说明
10：有机发光显示装置
110：第一电极
120：空穴注入层
140：有机发光层
170：第二电极
具体实施方式
通过参照附图以及后述的实施例，能够明确本发明的优点、特征以及将其实施的方法。然而，本发明并不限于以下所公开的实施例，而是可以以多种形态实现，所公开的实施例仅仅是为了使本发明的公开完整，并且为了将本发明的范畴完整地告知给本领域的普通技术人员而提供的。本发明的范围由权利要求书而定。
当元件（element）或层被表述为位于其他元件或层“上（on）”时，包括直接在其他元件或层上的情况以及在中间设置有其他层或其他元件的情况。相反，当元件被表述为“直接在...上（directly on）”时，则中间不介入有其他元件或层。贯穿说明书全文，相同的附图标记表示相同的构件。“和/或”是表示包括每个所提及项目以及所提及项目中的一个以上的所有组合。
根据本发明实施例的有机发光显示装置可以是朝向底部方向（设置有基板的方向）发射光的底部发光型（bottom emission type）、朝向顶部方向（设置有第二电极的方向）发射光的顶部发光型（top emission type）和同时朝向底部方向和顶部方向发射光的两面发光型（dual emission type）中的任一种。
下面将参照附图对本发明的实施例进行详细说明。
图1为根据本发明一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。参照图1，有机发光显示装置10包括：基板100；形成在基板100上并且包括沟道的第一电极110；设置在第一电极110上的空穴注入层120；形成在空穴注入层120上的有机发光层140；以及形成在有机发光层140上的第二电极170。
基板100用于支撑形成在上部的结构物。可以使用绝缘基板作为基板100。被采用的绝缘基板可以例举玻璃、塑料等。当用作底部发光型或双面发光型有机发光显示装置时，可以使用透明基板。当用作顶部发光型有机发光显示装置时，不仅可以采用透明基板而且还可以采用半透明或不透明基板。
第一电极110形成在基板100上。第一电极100可以形成在有机发光显示装置的每个像素中。虽然未在图中示出，但是每个第一电极110可以与至少一个开关元件连接，从而使驱动电压或驱动电流施加到每个第一电极110，其中所述至少一个开关元件形成在基板100与第一电极110之间。
第一电极110与将要后述的第二电极170相对，而有机发光层140被设置在第一电极110与第二电极170之间。第一电极110和第二电极170中的一个可以为阳电极，而另一个可以为阴电极。在本实施例中，示出了第一电极110为阳电极而第二电极170为阴电极的情况。
第一电极110可以包括导电层，该导电层的功函数相对大于第二电极170的功函数。例如，第一电极110可以包括铟锡氧化物（Indium-Tin-Oxide，简称为ITO）层、铟锌氧化物（Indium-Zinc-Oxide，简称为IZO）层、氧化锌（ZnO）层、氧化铟（Induim Oxide）层等。上述例举的导电层具有相对较大的功函数且透明的特性。因此，当有机发光显示装置10为底部发光型或两面发光型时，可以通过上述例举的导电层或其叠层膜形成第一电极110。当有机发光显示装置10为顶部发光型时，在上述例举的导电层下部还可以设置具有反射功能的层，例如由银（Ag）、镁（Mg）、铝（Al）、铂（Pt）、铅（Pd）、金（Au）、镍（Ni）、钕（Nd）、铱（Ir）、铬（Cr）、锂（Li）、钙（Ca）等构成的层。
第一电极110可以包括形成在上面的一部分的沟道。例如，沟道可以形成在第一电极110的上面的中央部。第一电极110可以包括底部110b和侧壁部110s。可以通过底部110b的上面和侧壁部110s的内侧面限定沟道。作为与空穴注入层120接触的区域，底部110b的上面和侧壁部110s的内侧面都可以由上述具有较大的功函数的导电层构成。此外，第一电极110的上面中未形成有沟道的部分也可以由上述的具有较大的功函数的导电层构成。
虽然在作为剖面图的图1中图示成如同第一电极110的两个侧壁部110s以底部110b为基准彼此分离，但是在平面图的视角上所述两个侧壁部110s可以是围绕底部110b的闭曲线（例如，四角形）的一部分，可以是彼此物理连接的。
空穴注入层120形成在第一电极110上。空穴注入层120的作用在于提高从第一电极110至有机发光层140侧的空穴注入效率。即，空穴注入层120通过降低能障，使得空穴更加有效地注入。
虽然空穴注入层120可以使用如铜酞菁（CuPc）等的酞菁化合物、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸（Polyaniline/Dodecyl benzene sulfonic acid，简称为Pani/DBSA）、聚-（3,4-乙撑二氧噻吩）/聚-（4-苯乙烯磺酸）（Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrene sulfonate)，简称为PEDOT/PSS）、聚苯胺/樟脑磺酸（Polyaniline/Camphorsulfonic acid，简称为PANI/CSA）或者聚苯胺/聚-（4-苯乙烯磺酸）（Polyaniline/Poly(4-styrene sulfonate))，简称为PANI/PSS）等，但是本发明并不限定于此，只要是有助于空穴注入的物质皆可用作空穴注入层120。
可以设置空穴注入层120，以使其填埋形成在第一电极110上的沟道。在沟道内，空穴注入层120可以被第一电极110围绕。在示例性实施例中，空穴注入层120可以完全地被填埋在沟道内，并且空穴注入层120的厚度与沟道的深度实质上相同，从而使空穴注入层120的上面处于与第一电极110的上面（侧壁的上面）处在实质上相同的水平上。示例性的空穴注入层120的厚度可以是约至约或者约至约
通过上述的设置，空穴注入层120与第一电极110的接触面可以在两个以上。随着第一电极110与空穴注入层120接触的面增加，可以改善空穴注入效率。具体地，空穴注入层120可以与第一电极110的底部110b的上面和侧壁部110s的内侧面接触，因此空穴不仅可以从第一电极110通过底部110b的上面而且还可以从侧壁部110s的内侧面注入到空穴注入层120。因此，相比于空穴注入层120仅与第一电极110的一面（例如，第一电极110的上面）接触的情况，因为可注入空穴的面积变大，所以可以改善空穴注入效率。此外，因为将空穴注入层120以填埋到第一电极110的沟道内的方式进行设置，所以可以防止空穴注入层120与第一电极110之间发生对齐误差。
空穴传输层130可以设置在空穴注入层120上。空穴传输层130的作用在于将注入到空穴注入层120的空穴传输到有机发光层140。当空穴传输层130的最高已占分子轨道能量（highest occupied molecular orbital energy，简称为HOMO）实质上小于构成第一电极110的物质的功函数（work function）且实质上大于第一有机发光层140的最高已占分子轨道能量（HOMO）时，可以使空穴传输效率达到最优。例如，空穴传输层130可以包括N,N'-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺（N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine，简称为NPD）、N,N'-双（3-甲基苯基）-N,N'-双（苯基）-联苯胺（N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine，简称为TPD）、s-TAD、4,4',4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺（4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine，简称为MTDATA）等，但是并不限定于此。
有机发光层140可以设置在空穴传输层130上。有机发光层140可以包括主体和掺杂物。例如可以使用Alq3、4,4'-N,N'-二咔唑-联苯（CBP）、聚（n-乙烯咔唑）（PVK）、二聚乙烯亚芳基（DSA）等作为所述主体。可以使用荧光掺杂物和公知的磷光掺杂物作为所述掺杂物。掺杂物的种类随着有机发光层140的发光颜色的变化而变化。例如，PtOEP、Ir(piq)3、Btp2Ir(acac)、DCJTB等可作为红色掺杂物。例如Ir(ppy)3（ppy=苯基吡啶）、Ir(ppy)2(acac)、Ir(mpyp)3等可作为绿色掺杂物。例如，F2Irpic,(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、三芴（ter-fluoren）等可作为蓝色掺杂物。
电子传输层150设置在有机发光层140上。电子传输层150可以使用喹啉衍生物，例如三-8-羟基喹啉铝（Alq3）、TAZ、BAlq、Bebq2等，但并不限定于此。
电子注入层160形成在电子传输层150上。电子注入层160可以由LiF、NaCl、CsF、Li2O或BaO等的物质构成。
第二电极170形成在电子注入层160上。第二电极170可以包括导电层，该导电层的功函数相对小于第一电极110的功函数。例如，第二电极170可以由银（Ag）、镁（Mg）、铝（Al）、铂（Pt）、铅（Pd）、金（Au）、镍（Ni）、钕（Nd）、铱（Ir）、铬（Cr）、锂（Li）、钙（Ca）或其组合构成。
当有机发光显示装置10为底部发光型时，第二电极170可以单独地或层叠地使用上述功函数小的导电层，或者在导电层的上部层叠额外的反射层。当有机发光显示装置10为顶部发光型时，作为第二电极170可以以薄膜形式形成功函数小的导电层，并且在导电层上部层叠诸如铟锡氧化物（Indium-Tin-Oxide，简称为ITO）层、铟锌氧化物（Indium-Zinc-Oxide，简称为IZO）层、氧化锌（ZnO）层、氧化铟（Induim Oxide）层等的导电膜。
如上所述，在根据本实施例的有机发光显示装置10中，沟道形成在第一电极110上，并且空穴注入层120被填埋到沟道内，由此可以改善空穴注入效率并且可以构成空穴注入层120与第一电极110之间的精确对齐。
下面将对本发明的其他实施例进行说明。在下面的实施例中，将省略或简化对于与已说明的实施例相同的构成，并且将以区别点为重点进行说明。
图2为根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。与图1的实施例的区别在于，根据本实施例的有机发光显示装置11包括底部电极111b和侧壁电极111s。
参照图2，侧壁电极111s和底部电极111b可以由功函数高的物质构成。例如，侧壁电极111s和底部电极111b分别可以包括铟锡氧化物（Indium-Tin-Oxide，简称为ITO）、铟锌氧化物（Indium-Zinc-Oxide，简称为IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（Induim Oxide）等。此外，侧壁电极111s和底部电极111b可以由相同的物质构成。
侧壁电极111s和底部电极111b可以形成在同一层上。侧壁电极111s可以限定开口。底部电极111b可以设置在所述开口中。底部电极111b可以被侧壁电极111s围绕。侧壁电极111s和底部电极111b可以彼此电连接。此外，侧壁电极111s和底部电极111b可以物理接触。
侧壁电极111s的上面高度可以高于底部电极111b的上面高度。为了形成如上所述的结构，侧壁电极111s的厚度可以大于底部电极111b的厚度。
可以通过侧壁电极111s的上面与底部电极111b的上面之间的高度差限定第一电极111的沟道。即，可以通过底部电极111b的上面和侧壁电极111s的内侧面限定沟道。空穴注入层120填埋到第一电极111的沟道内，空穴注入层120可以与底部电极111b和侧壁电极111s接触。因此，空穴不仅可以从底部电极111b而且还可以从侧壁电极111s注入到空穴注入层120，由此可以改善空穴注入效率。此外，因为空穴注入层120被填埋到沟道内，所以可以构成空穴注入层120与第一电极111之间的精确对齐。
图3为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。与图2的实施例的区别在于，在根据本实施例的有机发光显示装置12中，第一电极112的侧壁电极112s形成在底部电极112b上。
参照图3，侧壁电极112s形成在底部电极112b上，并且限定开口以暴露底部电极112b的至少一部分。侧壁电极112s的内侧面与在所述开口处被暴露的底部电极112b的上面可以限定沟道。空穴注入层120可以被填埋到沟道内。
虽然在附图中示出了侧壁电极112s的外侧壁与底部电极112b的侧壁实质上对齐的情况，但是相对于底部电极112b的侧壁侧壁电极112s的外侧壁可以位于更靠里或更靠外的位置上。
在本实施例中，空穴不仅可以从底部电极112b而且还可以从侧壁电极112s注入到空穴注入层120，由此可以改善空穴注入效率。此外，因为空穴注入层120被填埋到沟道内，所以可以构成空穴注入层120与第一电极112之间的精确对齐。
图4为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。根据图4的实施例的有机发光显示装置13示出了可以以组合的方式适用图2的底部电极111b和图3的底部电极112b。
参照图4，底部电极可以包括第一底部电极113b_1、形成在第一底部电极113b_1上的第二底部电极113b_2和形成在第二底部电极113b_2上的第三底部电极113b_3。侧壁电极113s形成在第二底部电极113b_2上。侧壁电极113s可以形成在第二底部电极113b_2的外侧部上。侧壁电极113s限定开口，而第二底部电极113b_2的中央部通过所述开口被暴露。第三底部电极113b_3设置在通过所述开口暴露的第二底部电极113b_2上。第三底部电极113b_3可以被侧壁电极113s围绕。
侧壁电极113s的上面的高度可以高于第三底部电极113b_3的上面的高度。为了形成如上所述的结构，侧壁电极113s的厚度可以大于第三底部电极113b_3的厚度。
可以通过侧壁电极113s的上面与第三底部电极113b_3的上面之间的高度差限定第一电极113的沟道。即，可以通过第三底部电极113b_3的上面和侧壁电极113s的内侧面限定沟道。
侧壁电极113s和第三底部电极113b_3可以由功函数高的物质构成。例如，侧壁电极113s和第三底部电极113b_3分别可以包括铟锡氧化物（Indium-Tin-Oxide，简称为ITO）、铟锌氧化物（Indium-Zinc-Oxide，简称为IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（Induim Oxide）等。此外，第三侧壁电极113s和底部电极可以由相同的物质构成。
当第一底部电极113b_1和第二底部电极113b_2具有充足的导电性时，则有利于降低第一电极113的电阻。然而，因为第一底部电极113b_1和第二底部电极113b_2不直接与空穴注入层120接触，所以不需要由功函数高的物质构成。因此，除了上面列出的功函数高的物质以外，还可以适用诸如银（Ag）、镁（Mg）、铝（Al）、铂（Pt）、铅（Pd）、金（Au）、镍（Ni）、钕（Nd）、铱（Ir）、铬（Cr）、锂（Li）、钙（Ca）等功函数相对较低的物质。
当有机发光显示装置13为顶部发光型时，第一底部电极113b_1和第二底部电极113b_2中的至少一个可以由反射性优良的物质构成。在示例性实施例中，第二底部电极113b_2可以由诸如银（Ag）、镁（Mg）、铝（Al）、铂（Pt）、铅（Pd）、金（Au）、镍（Ni）、钕（Nd）、铱（Ir）、铬（Cr）、锂（Li）、钙（Ca）等反射性优良的物质构成，而第一底部电极可以由与第三底部电极实质上相同的物质构成。
在本实施例中，空穴注入层120被填埋到沟道内，并且与第三底部电极113b_3和侧壁电极113s接触。因此，空穴不仅可以从第三底部电极113b_3而且还可以从侧壁电极113s注入到空穴注入层120，由此可以改善空穴注入效率。此外，因为空穴注入层120被填埋到沟道内，所以可以构成空穴注入层120与第一电极113之间的精确对齐。
在其他一些实施例中，可以省略第一底部电极113b_1和第二底部电极113b_2中的某一个。
图5为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。与图4的实施例的区别在于，在根据本实施例的有机发光显示装置14中，第一电极114的侧壁电极包括第一侧壁电极114s_1和第二侧壁电极114s_2。
参照图5，第二侧壁电极114s_2形成在第一侧壁电极114s_1上。第二侧壁电极114s_2的厚度d12可以与第三底部电极114b_3的厚度d11实质上相同。第一侧壁电极114s_1的厚度可以大于第三底部电极114b_3的厚度d11。
此外，第二侧壁电极114s_2可以由与第三底部电极114b_3实质上相同的物质形成。此外，第二侧壁电极114s_2可以由与第一侧壁电极114s_1相同的物质形成。
未说明的附图标记“114b_1”是表示第一底部电极，“114b_2”是表示第二底部电极。
在本实施例中，可以通过第三底部电极114b_3、第一侧壁电极114s_1的内侧面以及第二侧壁电极114s_2的内侧面限定第一电极114的沟道。空穴注入层120被填埋到第一电极114的沟道内，因此不仅可以与第三底部电极114b_3接触，而且还可以与第一侧壁电极114s_1和第二侧壁电极114s_2接触。因此，可以改善空穴注入效率，并且可以构成空穴注入层120与第一电极114之间的精确对齐。
图6为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。本实施例示出了可以将图5的第二侧壁电极114s_2和第三底部电极114b_3形成为一体。
更具体地，如图6所示，根据本实施例的有机发光显示装置15包括侧壁电极115s和形成在第二底部电极115b_2上的沟道电极115t。沟道电极115t包括位于侧壁电极115s上的侧壁部和位于第二底部电极115b_2上的底部。侧壁部与底部被物理连接。侧壁部的外侧面可以与侧壁电极115s的外侧面对齐。
侧壁部的厚度d22与底部的厚度d21可以实质上相同。虽然在附图中示出了沟道电极115t的厚度大于侧壁电极115s的厚度的情况，但是沟道电极115t的厚度可以小于或等于侧壁电极115s的厚度。
沟道电极115t的侧壁部的内侧面和底部的上面可以限定沟道。空穴注入层120可以被填埋到沟道内。
未说明的附图标记“115b_1”表示第一底部电极。
在本实施例中，可以通过沟道电极115t的底部的上面和侧壁部的内侧面限定第一电极115的沟道。空穴注入层120被填埋到第一电极115的沟道内，因此不仅可以与沟道电极115t底部的上面接触，而且还可以与沟道电极115t侧壁部的内侧面接触。因此，可以改善空穴注入效率，并且可以构成空穴注入层120与第一电极115之间的精确对齐。
图7示出根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。参照图7，与图6的实施例的区别在于，在根据本实施例的有机发光显示装置16中，沟道电极116t的侧壁部的外侧面不与侧壁电极116s的外侧面对齐而是位于更靠里的位置上。即，沟道电极116t的侧壁部的外侧面位于侧壁电极116s的上面，并且可以与侧壁电极116s的外侧面向内侧隔开设置。
未说明的附图标记“116b_1”表示第一底部电极，“116b_2”表示第二底部电极。
在本实施例的情况下，空穴注入层120也被填埋到第一电极116的沟道内，由此不仅可以与沟道电极116t底部的上面接触，而且还可以与沟道电极116t侧壁部的内侧面接触。因此，可以改善空穴注入效率，并且可以构成空穴注入层120与第一电极116之间的精确对齐。
图8至图12为根据本发明多种实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。图8至图12示例性地示出用于填埋空穴注入层的沟道的多种设置形态。
在图8所示的有机发光显示装置17中，与图4的实施例的区别在于，空穴注入层121的厚度小于沟道的深度。侧壁电极113s的上面相对凸出于空穴注入层121的上面。此外，空穴传输层130形成在空穴注入层121上，虽然这点与图4相同，但是空穴传输层130至少部分地位于沟道内。
在图9所示的有机发光显示装置18中，与图4的实施例的区别在于，空穴注入层122的厚度大于沟道的深度。空穴注入层122的上面相对凸出于侧壁电极113s的上面。在本实施例的情况下，空穴传输层130与第一电极113之间的距离将大于图4或图8的实施例。
在图10所示的有机发光显示装置19中，与图4的实施例的区别在于，空穴注入层123不完全与侧壁电极113s的内侧壁接触而是有一部分与侧壁电极113s的内侧壁相隔。在本实施例的情况下，虽然空穴不会从与侧壁电极113s的内侧壁相隔的空穴注入层123侧直接注入，但是因为空穴依然可以从与侧壁电极113s的内侧壁接触的部分直接注入，所以相比于空穴注入层123仅仅与第三底部电极113b_3相比还是可以改善空穴注入效率。
在图11所示的有机发光显示装置20中，与图4的实施例的区别在于，空穴注入层124不仅填埋第一电极113的沟道，而且还扩张至侧壁电极113s的上面。空穴注入层124的厚度总体上可以是均匀的。即，空穴注入层124可以根据下部的沟道图案相似地形成，因此对于空穴注入层124的厚度而言，填埋到沟道中的部分与位于侧壁电极113s上面的部分可以彼此相同。
在本实施例的情况下，空穴不仅可以从第三底部电极113b_3的上面注入到空穴注入层124，而且还可以从侧壁电极113s的内侧壁和侧壁电极113s的上面注入到空穴注入层124，因此可以改善空穴注入效率。
在图12所示的有机发光显示装置21中，与图11的实施例相同的点在于，空穴注入层125扩张至侧壁电极113s的上面；但是与图11的实施例的区别在于，在沟道上的空穴注入层125的厚度大于在侧壁电极113s的上面上的空穴注入层125的厚度。在示例性实施例中，侧壁电极113s的上面上的空穴注入层125的表面高度可以与沟道上的空穴注入层125的表面高度相同。即，空穴注入层125的表面总体上可以是平坦的。但是空穴注入层125的表面形状并不是一定限定于此，而是可以与图11相似地，在沟道图案上部的表面可以是相对较低的。
在本实施例的情况下，同样地空穴不仅可以从第三底部电极113b_3的上面注入到空穴注入层124，而且还可以从侧壁电极113s的内侧壁和侧壁电极113s的上面注入到空穴注入层124，因此可以改善空穴注入效率。
在图13中将示出将以上所说明的实施例适用于包括多个像素的有机发光显示装置中的结构。
图13为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的剖面图。参照图13，有机发光显示装置22包括多个像素，例如第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3。
多个像素（例如，第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3）被限定在基板100上。在基板100上，第一电极113可以形成在各个像素（例如，第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3）上。虽然在附图中适用图4所示的第一电极113作为第一电极113，但是也可以适用根据本发明的其他多种实施例的第一电极。
彼此不同的像素（例如，第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3）的第一电极113可以是彼此电分离和物理分离的像素电极。
像素限定膜180可以形成在第一电极113上。像素限定膜180可以设置在各个像素（例如，第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3）的边界上。像素限定膜180可以包括用于部分地暴露第一电极113的开口。像素限定膜180的开口可以与第一电极113的沟道重叠，从而暴露第一电极113的沟道。虽然用于限定开口的像素限定膜180的侧壁可以与用于构成第一电极113的沟道的侧壁电极113s的内侧面对齐，但是也可以位于相对于侧壁电极113s的内侧面更靠外的位置上。即，如图13所示，像素限定膜180的侧壁可以位于侧壁电极113s的上面。
像素限定膜180可以由无机物、有机物或其组合构成。例如，像素限定膜180可以由硅氧化物（SiO2）、硅氮化物（SiNx）、硅氮氧化物、丙烯酸类（acrylic）有机化合物、聚酰胺或聚酰亚胺等构成。虽然在附图中示出了以单层膜形成像素限定膜180的情况，但是也可以由相同物质膜或不同物质膜的叠层膜构成像素限定膜180。
空穴注入层120形成在第一电极113上。空穴注入层120被填埋到第一电极113的沟道内以改善空穴注入效率，这与图4的实施例相同。
空穴传输层130形成在空穴注入层120上。虽然在附图中示出了空穴传输层130设置在由像素限定膜180限定的开口内的示例，但是空穴传输层130可以是未区分像素（例如，第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3）的、彼此连接为一体的公共层。
有机发光层（例如，有机发光层140_1、有机发光层140_2、有机发光层140_3）形成在空穴传输层130上。根据各像素，有机发光层可以包括不同颜色的有机发光物质。例如，第一像素PX1的有机发光层140_1可以包括红色有机发光物质，第二像素PX2的有机发光层140_2可以包括绿色有机发光物质，第三像素PX3的有机发光层140_3可以包括蓝色有机发光物质。
电子传输层150和电子注入层160依次形成在有机发光层（例如，有机发光层140_1、有机发光层140_2、有机发光层140_3）上。第二电极170形成在电子注入层160上。在示例性实施例中，虽然电子传输层150和电子注入层160分别设置在由像素限定膜180限定的开口内，但是第二电极170可以延伸至像素限定膜180的上方。即，第二电极170可以是未区分像素（例如，第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3）的、彼此连接为一体的公共电极。在其他一些实施例中，作为电子传输层150和电子注入层160也可以适用未区分像素（例如，第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3）的、彼此连接为一体的公共层。
上述的实施例也可以以彼此组合的多种方式进行实施。
下面将对上述有机发光显示装置的制造方法进行说明。
图14至图17为用于说明根据本发明一实施例的有机发光显示装置的制造方法的各工艺步骤的剖面图。图14至图17涉及制造图4的有机发光显示装置示例性方法。
参照图14，将第一底部电极层113b_1a、第二底部电极层113b_2a和侧壁电极层113s_a依次形成在基板100上。第一底部电极层113b_1a可以由铟锡氧化物（Indium-Tin-Oxide，简称为ITO）、铟锌氧化物（Indium-Zinc-Oxide，简称为IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（Induim Oxide）等形成。第二底部电极层113b_2a可以由铝（Al）、铂（Pt）、铅（Pd）、金（Au）、镍（Ni）、钕（Nd）、铱（Ir）、铬（Cr）、锂（Li）、钙（Ca）等形成。侧壁电极层113s_a可以由与第一底部电极层113b_1a相同的物质形成。
参照图15，接着对侧壁电极层113s_a、第二底部电极层113b_2a和第一底部电极层113b_1a进行图案化，从而形成第一电极图案。
接着，形成用于在第一电极图案的侧壁电极层113s_b上限定开口的光刻胶图案PR1。光刻胶图案PR1可以是与用于形成第一电极图案的光刻胶图案不同的，也可以是用于第一电极图案的光刻胶图案的残留物。例如，在形成第一电极图案时，通过使用缝隙掩模或半透射掩模调节曝光量即可调节光刻胶图案的厚度。通过使用这种光刻胶图案进行蚀刻，在形成第一电极图案后也可以残留如图15所示的光刻胶图案PR1。
参照图16，接着，通过将光刻胶图案PR1用作蚀刻掩模对侧壁电极层113s_b进行蚀刻，从而暴露第二底部电极113b_2。
参照图17，去除光刻胶图案PR1，将第三底部电极113b_3形成在通过侧壁电极113s暴露的第二底部电极113b_2上。
具体地，可以将第三底部电极层形成在基板100的整个面上，并对该第三底部电极层进行图案化。在另一示例中，可以通过使用喷墨印刷法等将第三底部电极层选择性地层叠在通过侧壁电极暴露的第二底部电极层上。
作为图7的结果物，完成包括沟道的第一电极。接着，通过使用喷墨印刷法等将空穴注入层形成在沟道内。因为将空穴注入层形成在第一电极的沟道内部，所以可以构成空穴注入层与第一电极之间的精确对齐。
接着，通过使用本领域公知的方法形成空穴传输层130、有机发光层140、电子传输层150、电子注入层160和第二电极170，从而完成图4的有机发光显示装置13。
图18至图20为用于说明根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的制造方法的各工艺步骤的剖面图。图18至图20涉及制造图6的有机发光显示装置示例性方法。
参照图18，将第一底部电极层、第二底部电极层、侧壁电极层形成在基板100上后进行图案化形成第一电极图案，然后通过将光刻胶图案用作蚀刻掩模对侧壁电极层进行蚀刻以暴露第二底部电极层，这些步骤与图14至图17中所说明的步骤实质上相同。然而，考虑到后续步骤中沟道电极115t会形成在侧壁电极层上，所以侧壁电极115s的厚度可以小于图14至图17的侧壁电极113s的厚度。
参照图19，接着，将沟道电极层115t_a形成在基板100的整个面上。沟道电极层115t_a可以由与侧壁电极层相同的物质构成。
接着，将用于覆盖第一电极图案的光刻胶图案PR2形成在沟道电极层115t_a上。
参照图20，接着，通过将光刻胶图案PR2用作蚀刻掩模对暴露的沟道电极层115t_a进行蚀刻并去除。接着，去除光刻胶图案PR2。
然后，将空穴注入层120形成在沟道电极115t的沟道内。接着，通过使用本领域公知的方法形成空穴传输层130、有机发光层140、电子传输层150、电子注入层160和第二电极170，从而完成图6的有机发光显示装置13。
在上文中虽然参照附图对本发明的实施例进行了说明，但是本领域的技术人员应当理解，在不改变本发明的技术思想或必要条件的情况下可以以其他具体形态实施本发明。因此，以上所记载的实施例在各方面上仅仅是示例性的，并不应该理解成限定性的。

Claims (6)

1.一种有机发光显示装置，包括：
基板；
第一电极，设置在所述基板上并且包括形成在所述第一电极的上面上的沟道；以及
空穴注入层，设置在所述第一电极的所述沟道上，
其中，所述第一电极包括设置在所述基板上的第一底部电极、设置在所述第一底部电极上的第二底部电极、设置在所述第二底部电极上并且限定开口的侧壁电极、以及设置在所述开口内的第三底部电极，
所述沟道由所述第三底部电极的上面和所述侧壁电极的内侧面限定，
所述第一底部电极、所述第三底部电极和所述侧壁电极包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、氧化铟中的至少一种，以及
所述第二底部电极包括银、镁、铝、铂、铅、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙中的至少一种。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
所述侧壁电极包括第一侧壁电极和形成在所述第一侧壁电极上的第二侧壁电极。
3.如权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，
所述第三底部电极具有与所述第二侧壁电极相同的厚度。
4.如权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括：
有机发光层，形成在所述空穴注入层上；以及
第二电极，形成在所述有机发光层上。
5.一种有机发光显示装置，包括：
基板；
多个像素，限定在所述基板上；
第一电极，形成在所述基板上的各个所述像素中，并且包括沟道；
像素限定膜，形成在所述第一电极上的位于各个所述像素的边界的部分上，并且暴露所述第一电极的一部分；
空穴注入层，设置在所述第一电极上；
有机发光层，设置在所述空穴注入层上；以及
第二电极，设置在所述有机发光层上，
其中，所述第一电极包括设置在所述基板上的第一底部电极、设置在所述第一底部电极上的第二底部电极、设置在所述第二底部电极上并且限定开口的侧壁电极、以及设置在所述开口内的第三底部电极，
所述沟道由所述第三底部电极的上面和所述侧壁电极的内侧面限定，
所述像素限定膜至少部分地暴露所述侧壁电极的上面，
所述第一底部电极、所述第三底部电极和所述侧壁电极包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、氧化铟中的至少一种，以及
所述第二底部电极包括银、镁、铝、铂、铅、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙中的至少一种。
6.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，
所述第二电极延伸至所述像素限定膜的上方，并且未区分各个所述像素地连接为一体。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102173510B1 (ko) * 2014-05-20 2020-11-04 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
US9082735B1 (en) * 2014-08-14 2015-07-14 Srikanth Sundararajan 3-D silicon on glass based organic light emitting diode display
CN108565352B (zh) * 2018-04-19 2020-02-21 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102077689A (zh) * 2009-08-31 2011-05-25 松下电器产业株式会社 发光元件及其制造方法以及发光装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050190253A1 (en) 2002-02-01 2005-09-01 Duineveld Paulus C. Structured polmer substrate for ink-jet printing of an oled matrix
KR20060113735A (ko) 2003-12-19 2006-11-02 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기 발광 소자, 도전 적층체 및 표시 장치
WO2009125472A1 (ja) * 2008-04-07 2009-10-15 パイオニア株式会社 発光素子及び表示パネル
CN102687302A (zh) * 2009-09-30 2012-09-19 凸版印刷株式会社 有机电致发光元件、有机电致发光显示屏及有机电致发光显示屏的制造方法
KR101182442B1 (ko) 2010-01-27 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
CN102449767A (zh) * 2010-08-06 2012-05-09 松下电器产业株式会社 有机el显示面板、显示装置以及有机el显示面板的制造方法
JP5573616B2 (ja) * 2010-11-12 2014-08-20 住友化学株式会社 表示装置
US9263690B2 (en) * 2012-01-05 2016-02-16 Kaneka Corporation Organic el device and manufacturing method thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102077689A (zh) * 2009-08-31 2011-05-25 松下电器产业株式会社 发光元件及其制造方法以及发光装置

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