CN104276540B - 微机械部件及微机械部件的制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 7
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 99
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 60
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 35
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 229910018459 Al—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000001550 time effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0035—Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
- B81B3/0037—For increasing stroke, i.e. achieve large displacement of actuated parts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0018—Structures acting upon the moving or flexible element for transforming energy into mechanical movement or vice versa, i.e. actuators, sensors, generators
- B81B3/0021—Transducers for transforming electrical into mechanical energy or vice versa
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00642—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for improving the physical properties of a device
- B81C1/0065—Mechanical properties
- B81C1/00682—Treatments for improving mechanical properties, not provided for in B81C1/00658 - B81C1/0065
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/04—Microphones
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0257—Microphones or microspeakers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0264—Pressure sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0127—Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/01—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
- B81B2207/012—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being separate parts in the same package
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/09—Packages
- B81B2207/091—Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
- B81B2207/094—Feed-through, via
- B81B2207/095—Feed-through, via through the lid
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
本发明涉及一种微机械部件，具有：基片(10)，其具有空穴(12)，所述空穴向内构造在所述基片的功能性上侧(10a)中；至少部分导电的薄膜(24)，其至少部分地张紧所述空穴；以及对应电极(42)，其间隔开地布置在所述薄膜的从基片远离地指向的外侧上，以使在对应电极和至少部分导电的薄膜之间存在自由空间(52)；所述至少部分导电的薄膜张紧在至少一个至少部分地覆盖所述基片的功能性上侧的电绝缘材料上或其上方；和至少一个压力入口(56)构造在空穴上，以使所述至少部分导电的薄膜利用从所述微机械部件的外部环境流入到所述空穴中的气体介质可向内弯曲到所述自由空间中。本发明还涉及一种微机械部件的制造方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种微机械部件。本发明还涉及一种电容性传感器装置和麦克风。此外，本发明还涉及一种微机械部件的制造方法，和电容性传感器装置的制造方法及麦克风的制造方法。
背景技术
在DE 10 2007 019 639 A1中描述了一种微机械部件，这种微机械部件具有用单晶硅制成的薄膜，其中所述薄膜直接固定在基片的功能性上侧上，用于覆盖空腔。电极悬挂在所述薄膜的从空腔远离地指向的外侧。所述薄膜和电极用作电容性压力传感器的传感器元件。
发明内容
本发明提供一种具有权利要求1的特征的微机械部件，一种具有权利要求4的特征的电容性传感器装置，一种具有权利要求5的特征的麦克风，一种具有权利要求6的特征的微机械部件制造方法，一种具有权利要求12的特征的电容性传感器装置制造方法和一种具有权利要求13的特征的麦克风制造方法。
利用在至少部分导电的薄膜和基片的功能性上侧之间布置至少一层电绝缘材料能够提高所述薄膜的弯曲性能。此外，所述薄膜相对于所述基片的功能性上侧的附近区域使用这种方式电绝缘，以便构成用至少一种材料制成的、在内侧对准空穴的薄膜。因此不再使用常规的嵌入方法将导电的中间层嵌入到所述薄膜中。所述微机械部件因而具有适用于所述薄膜的简单的层结构。特别地，所述薄膜可以是用一个单层制成的/织构的。
此外，因为有利地装配这种具有至少一个压力入口的微机构部件，从所述基片的远离功能性上侧指向的背面和/或从位于所述基片的功能性上侧和背面之间的所述微机械部件的侧面对所述薄膜施加压力。本发明因此提高了构造电容性传感器装置和/或麦克风的设计自由度。
在一个有利的实施例中，在基片中构造多个沟槽，以便利用多个沟槽分割所述空穴的底面。如下面更精确地阐述的，利用在多个沟槽中构造的至少一个空腔，在制造所述微机械部件时更容易钻蚀所述薄膜。因此不再需要常规必需的、在所述薄膜中钻蚀出缺口/蚀孔。相应地，也不再必需接着用封闭层封闭所述被钻蚀的薄膜中的缺口/蚀孔。根据本发明的微机械部件因此更容易和低成本地制造。
作为替代或补充，也可在所述至少部分导电的薄膜的内侧构造多个凹陷，这些凹陷被所述空穴暴露。钻蚀所述薄膜可容易在多个凹陷中构造至少一个第二空腔。因此在这种情形下也简化了微机械部件的制造性能。
如果电容性传感器装置或者麦克风安装有这种微机械部件，则所述电容性传感器装置或者麦克风也具有上述优点。
实施微机械部件的制造方法也实现了上述优点。
优选地，在构成至少部分导电的薄膜前，所述空穴至少部分地填充至少一个牺牲材料，至少部分导电薄膜的内侧的至少一个材料沉积在这样的牺牲材料上方，其中所述牺牲材料通过至少一个与所述薄膜间隔开构造的蚀刻入口被蚀去。在实施所述制造方法时，因为在所述薄膜中可能不再形成缺口/蚀孔，可靠地保证所述薄膜的希望的弹性。
在所述制造方法的一个有利实施例中，在构成所述至少部分导电的薄膜之前，所述空穴只部分地填充至少一个牺牲材料，从而构成至少一个第一空腔，其中所述第一空腔被所述至少一个牺牲材料和所述至少部分导电的薄膜的内侧的至少一个材料覆盖。这样保证了在实施标准的蚀刻方法时所述薄膜的良好的钻蚀性能。
特别地，所述至少一个第一空腔可在所述基片的多个沟槽中构成，所述多个沟槽分割了所述空穴的底面。因此不用担心以这种方式暴露的薄膜以后蠕动(Sticking)。
此外，在以后被蚀刻的牺牲材料附近和/或在至少一个电绝缘材料附近，在所述薄膜内侧的多个凹陷中构成至少一个第二空腔。特别地，在这种情形下，在利用气相蚀刻法移除牺牲材料时能够容易地实现所述薄膜的暴露。
例如，所述至少部分导电的薄膜的内侧的至少一个材料被沉积为LPCVD层，在所述LPCVD层中构造连续的缺口，以确定以后在所述缺口中形成的凹陷的位置，其中所述薄膜利用外延的(epitaktischen)生长过程在构造凹陷时增强位于其中的至少一个第二空腔。因此可使用简单的可实行的制造步骤构造所述至少一个第二空腔。
电容性传感器装置的制造方法或麦克风的制造方法也可实现上述优点。
附图说明
下面将参考附图，说明本发明的其它特征和优点，其中：
图1A至1I示出了用于说明微机械部件制造方法的实施例的示意性俯视图和截面图；
图2a至2c示出了穿过微机械部件的第一实施例的截面图，其中图2b的横截面平行于图2a的横截面，图2c的横截面垂直于图2a和2b的横截面进行指向；
图3示出了穿过微机械部件的第二实施例的示意性截面图；
图4示出了穿过微机械部件的第三实施例的示意性截面图。
具体实施方式
图1A至1I示出了用于说明微机械部件的一个实施例的示意性俯视图和截面图。
在这里所述的制造方法情形中，构成至少部分导电的薄膜，利用所述薄膜，在基片10的功能性上侧10a中形成的空穴12被至少部分地张紧(ü berspannen)。空穴12优选完全由至少部分导电的薄膜张紧。图1A示出了基片10的功能性上侧10a的俯视图。
基片10包括优选一种半导体材料，例如硅。基片10尤其可以是半导体基片，例如硅基片。然而应指出进一步描述的制造方法的可实施性不限于基片10确定的材料。
为了在基片10中构造空穴12，可实施标准的蚀刻过程。可选地，为了蚀刻至少一个空穴12，在待蚀刻的基片面上可施加保护层13。优选地，同时利用空穴12，在基片10的功能性上侧10a中蚀刻至少一个通道14，通道14在以后的方法步骤中用作蚀刻入口。如下面所详细描述的，至少一个通道14在操作已完成的微机械部件时用作压力入口。至少一个通到空穴12中的通道14优选从开始部段14a开始构成，开始部段14a与空穴12分隔开地构造在基片10中。特别地，至少一个通道14的至少一个开始部段14a适当布置，以使它们的位置不被以后构成的薄膜覆盖。
优选地，在形成至少部分地导电的薄膜之前，空穴12至少部分地填充牺牲材料16。特别地，空穴12(和至少一个通道14)能够只部分地填充至少一个牺牲材料16，以便在空穴12中形成至少一个第一空腔18。例如至少一个第一空腔18能够形成在基片10的多个沟槽(未绘出)中，这些沟槽分割了空穴12的底面12a。然而，至少一个第一空穴18同样能够嵌入在牺牲材料16中，如图1A所示的那样。
至少一个牺牲材料16可以是例如氧化物，特别的氧化硅。特别合适的是，至少一个空腔18被构造成使以后使用的蚀刻入口在空穴12中从所有区域相互通过至少一个第一空腔18连接。于是在以后的牺牲蚀刻步骤中，至少一个牺牲材料16能够非常快且均匀地被移除。
接着，如图1B所示，基片10的功能性上侧10a至少部分地用至少一个电绝缘材料20覆盖。空穴12、至少一个通道14和/或至少一个第一空腔18也能够用至少一个电绝缘的材料20覆盖。例如，为此电绝缘材料20的至少一层全表面地沉积在基片10的功能性上侧10a上。基片10的功能性上侧10a优选用至少一个层覆盖，其中这里至少一个层包括与至少一个牺牲材料16相同的材料。特别地，为此沉积氧化层，例如氧化硅层。可选地，至少一个接触孔22通过至少一个电绝缘材料20构成，以使基片10的功能性上侧10a的至少一个接触面暴露。图1Ba示出了沿图1B的线A-A’剖切的截面图，其中图1B的线A-A’穿过接触孔22。图1Bb的横截面沿图1B的线B-B’延伸，并且图1B的线B-B’垂直地穿过通道14延伸。
至少部分导电的薄膜24接着在至少部分地覆盖于基片10的功能性上侧10a的至少一个电绝缘材料20上或其上方张紧。至少一个第一空腔18因而被至少一个牺牲材料16、至少一个电绝缘材料20和/或至少部分导电薄膜24的内侧的至少一个材料覆盖。例如为此第一半导体层和/或金属层26被沉积在至少一个电绝缘材料20上。第一半导体层和/或金属层26可以是例如多晶硅层。
例如LPCVD多晶硅层(低压化学蒸汽沉积)作为第一半导体层和/或金属层26被沉积。含有半导体材料的半导体层和/或金属层26利用掺杂制成为至少部分导电的。优选地，薄膜24/第一半导体层和/或金属层26垂直于基片10的功能性上侧10a的层厚在200nm至8μm之间。
除至少部分导电的薄膜24外，还可构造有至少一个其它部件，例如用第一半导体层和/或金属层26制成的至少一个触点28a和/或至少一个带状导线28b。在这里所述的制造方法中，还构造有用第一半导体层和/或金属层26制成的参考薄膜24a。优选地，在空穴12和至少一个通到其中的通道14分开的位置处，所述参考薄膜24a覆盖至少一个电绝缘材料20。(在下文中说明参考薄膜24a的功能。)优选地，至少一个电绝缘材料20的至少一个区域位于至少一个通道14的至少一个开始部段14a上方，在构造第一半导体层和/或金属层26时，至少一个通道14的上述至少一个开始部段14a暴露。
接着，至少一个绝缘层30a和30b被沉积在薄膜24上。在这里所述的制造方法实施例中，除了对应电极外，还构造至少一个阻挡件，所述阻挡件具有指向薄膜24的接触凸起。
为了得到接触凸起，首先第一绝缘层30a屏蔽在薄膜24上。如图1D所示，通过穿过第一绝缘层30a构造至少贯通的缺口32，后来的接触凸起的位置和扩展可被暴露。此后，构成第二绝缘层30b，第二绝缘层30b覆盖所述贯通的缺口32。绝缘层30a和30b优选具有相同的材料，例如氧化物。在一个可选的方法步骤中，更多的接触孔34通过绝缘层30a和30b构造，例如接触区域28a从第一半导体层和/或金属层26暴露。图1E示出了已构造更多接触孔34以后的俯视图。图1Ea示出了穿过接触区域28a返回的截面，这个截面沿着图1E的线C-C’延伸。
利用图1Eb的沿图1E的D-D’延伸的横截面，用于构成接触凸起的有利方法示意性地示出在后来的阻挡件上。因为以前构成的贯通缺口32(其中线D-D’穿过贯通的缺口32延伸)，两个绝缘层30a和30b组成的共同层结构具有凹陷36。凹陷36对应后来形成的接触凸起的形状。
通过两个半导体层和/或金属层38屏蔽，在制造方法的上述实施例中构成所述对应电极，其中绝缘层30a和30b至少部分地被覆盖。例如多晶硅层可构成为第二半导体层和/或金属层38。第二半导体层和/或金属层28可以是LPCVD-多晶硅层(低压化学蒸汽沉积)。包括半导体材料的第二半导体层和/或金属层38利用掺杂形成至少部分导电的。可选地，第二半导体层和/或金属层38利用CMP过程(化学机械抛光)使其平面化。优选地，第二半导体层和/或金属层38垂直于基片10的功能性上侧10a，具有1-50μm之间的层厚。
如图1F所示，还有金属喷涂40，例如用铝构成，屏蔽在第二半导体层和/或金属层38上。利用金属喷涂可构成强化结构40a，至少一个触点40b和/或至少(未示出)线路构成。
图1G示出了已经用第二半导体层和/或金属层38构成对应电极42之后的俯视图。对应电极42优选设有穿孔44，对应电极42通过穿孔44在另一方法步骤中完全被钻蚀。除此之外，在这里所述制造方法中，参考电极42a还在参考薄膜24a的离开基片10的方向上指向，参考薄膜24a用第二半导体层和/或金属层38构成。图1Ga示出了沿图1G的线E-E’穿过接触区域40剖切的横截面。
至少一个阻挡件46具有至少一个接触凸起48，至少一个阻挡件46也用第二半导体层和/或金属层38构成。至少一个阻挡件46优选与薄膜24电连接。图1Gb的横截面沿线F-F’延伸，线F-F’恰好位于图1E的线D-D’上方，并且延伸穿过接触凸起48。由此得到，至少一个接触凸起48相对薄膜24的距离比对应电极42(和至少一个阻挡件46的其余区域)更小。相反地，参考薄膜24a和参考对应电极42a之间的距离对应薄膜24和对应电极42之间的距离。
此外，至少一个触点49a和/或至少一个线路49b也能够用第二半导体层和/或金属层构成。例如，对应电极42和参考电极42a设有共同的触点49a。此外，至少一个电绝缘材料20的至少一个区域29位于至少一个通道14的至少一个开始部段14a上方，至少一个电绝缘材料20的至少一个区域29在构造第二半导体层和/或金属层38恢复被暴露。
接着，至少一个牺牲材料18、至少一个电绝缘材料20、第一绝缘层30a和/或第二绝缘层30b至少部分地被蚀去优选地，为此使用气相蚀刻法，尤其是HF。至少一个牺牲材料18能够通过至少一个蚀刻入口50被蚀去，其中至少部分导电薄膜24内侧的至少一个材料通过至少一个牺牲材料18被屏蔽，蚀刻入口50在至少一个电绝缘材料20的至少一个区域29的位置处通过至少一个通道14的开始部段14a(自动)构成。如图1H所示，薄膜24的释放因至少一个这种蚀刻入口50而可能变得容易，这种蚀刻入口50部分沿着其中一个通道14延伸。在空穴12内部，至少一个牺牲材料18被均匀地移除。
图1Ha示出了沿图1H的线G-G’剖切的横截面。如图1Ha所示，尽管使用了所述蚀刻方法，至少一个电绝缘材料20的和/或绝缘层30a和30b的其余区域仍能够被保留，如这里所希望的那样。相反地，可靠地保证空穴18上的至少一个牺牲材料18被完全移除。对此，图1Hb示出沿图1H的线H-H’穿过空穴12的横截面，图1H的线H-H’位于图1G的线F-F’上方。由此得到在这里所述的制造方法中，对应电极46间隔开地布置在薄膜24的远离基片10指向的外侧上，从而在对应电极46和至少部分导电的薄膜24之间构造自由空间52。
图1E示出了罩形晶片54作为罩壳固定在对应电极46的从基片10远离地指向的侧上之后的俯视图。特别地，薄膜24和对应电极46能够利用罩形晶片54不透气地封闭。如果希望在固定罩形晶片54后能够具体地(不透气地)密封蚀刻入口50。罩形晶片54于是能够利用粘结方法，钎焊方法和/或(导电)粘结剂固定在微机械部件上。对此，例如用密封玻璃粘合剂或者易熔粘合剂实现。特别地，可使用二元Al-Ge***或者三元Al-Ge-Si***固定粘合罩形晶片54。有利地，如从图1Ia显示的沿图1I线I-I’剖切的横截面看到的，含有铝的金属喷涂40可在一侧用作外部接触的接触面，同时用作粘合连接55的部件。
同时，在空穴12上构造至少一个压力入口56，以使在气体介质从微机械部件的外部环境流入到空穴12中时，至少部分导电的薄膜24向内弯曲到自由空间52中。优选地，如沿图1I线J-J’剖切的、图1Ib显示的横截面所示的，至少一个压力入口56至少部分地延伸到至少一个蚀刻入口50上方和/或至少一个通道14上方。同时，通过密封其它蚀刻入口能够实现在薄膜24下方只有一个希望的压力入口56，因为压力入口56小的宽度和/或因为至少一个格栅而能够非常良好地阻止颗粒渗入到薄膜24下方。至少一个格栅(未示出)能够例如用半导体层和/或金属层26和38的材料构成。
在另一实施例中，全部蚀刻入口50都可被密封。在这种情形下，通过一个穿过基片10的沟道构成基片10的背面的压力入口50。
作为至少一个第一空腔18的上述实例的替代或者补充，在薄膜24内侧的多个凹陷中还构成至少一个第二空腔，至少一个第二空腔界定后来蚀刻的牺牲材料18和/或至少一个电绝缘材料20。在构成至少一个第二空腔的特别有利的步骤中，首先薄膜24内侧的至少一个材料作为LPCVD层被屏蔽。接着，在LPCVD层中向内构造贯通的缺口，以使后来在其中形成的凹陷的位置被暴露。特别地，在LPCVD层中可蚀刻所述贯通的缺口。此后，薄膜24利用外延的生长过程，在构成凹陷(在内侧)时增强在其内已存在的至少一个第二空腔。为此，以前构造的LPCVD层用作开始层/起始层，用于(快速)外延的生长过程。因为在外延的生长过程中，一般只沉积所述开始层/或起始层材料，在外延的生长过程中，在薄膜24内侧的内部形成凹陷。所述凹陷尤其能够构造在薄膜24的边缘区域上。因此也表明在凹陷下方没有形成贯通薄膜24的开口。换而言之，所述凹陷也可转换为在薄膜24内侧上形成的拱度。包围到所述凹陷中的至少一个第二空腔能够在钻蚀薄膜24过程中有利地用于改善蚀刻效率。
进一步描述的微机械部件例如利用前述制造方法制造。然而也表明所述微机械部件也可使用稍微修改的制造方法的实例制造。
图2a至2c示出了微机械部件的第一实施例的横截面，其中图2b的横截面平行于图2a的横截面，并且图2c的横截面垂直于图2a和2b的横截面。
图2a至2c示意性示出的微机械部件包括基片10，基片10具有在基片10的功能性上侧10a中向内构成的空穴12。空穴12由至少部分导电的薄膜24至少部分地张紧。附加地，所述微机械部件具有对应电极42，对应电极42间隔开地布置在薄膜24的从基片10远离地指向的外侧上，以便在对应电极42和至少部分导电的薄膜24之间存在自由空间52。至少部分导电的薄膜24张紧在基片10的功能性上侧10a中的至少一个上或其上方，至少部分覆盖地电绝缘的材料20。此外，在空穴12上构造至少一个压力入口56，以使至少部分导电的薄膜24利用从微机械部件的外部环境流入到空穴12中的气体介质向内弯曲到自由空间52中。
根据薄膜24和对应电极24构成的电容器的电容能够测定所述微机械部件外部环境中存在的压力。所述微机械部件因而适用于电容性的传感器装置，利用这种传感器装置可靠地确定压力。所述电容性传感器装置能够比较简单的且相对低成本地用已知的方法步骤制造。对此研发费用比较小。此外，对于所述微机械部件，薄膜24因为它的布置而非常有效地防止污染和其它有害的影响。
在一个有利的实施例中，在基片10中可构造多个小沟，空穴的底面12a被该多个沟槽分割。在至少部分导电的薄膜24内侧58上相应地也构造多个凹陷，这些凹陷被空穴12暴露。如上所述，在制造所述微机械部件时可以这种方式形成空腔，使薄膜24容易暴露。
薄膜24可用第一半导体层和/或金属层26构造。例如至少一个接触区域28a和/或至少一个带状导线28b用第一半导体层和/或金属层26构成。使用第二半导体层和/或金属层38的材料构造对应电极42。此外，还可用第二半导体层和/或金属层38构成至少一个接触区域60a、60b和60c，框架件62，和/或阻挡件46。有利地，具有对应电极42和/或至少一个用第二半导体层和/或金属层38构成的部件穿孔44，这个结构使微机械部件容易制造。
图2a示出了第一触点60a，第一触点60a通过带状导线28b连接到对应电极42上。(图2b示出了相应的触点60b，用于电连接至少部分导电的薄膜24。)在由层26和28构造的部件之间存在至少一个绝缘层30a和30b的其余区域。以这种方式使至少部分导电的薄膜24与对应电极42电绝缘。
如图2b所述，至少一个阻挡件46与薄膜24和对应电极42电联接/分开。在薄膜24严重翘曲时，通过形成这种阻挡件46能够阻止薄膜24和对应电极42之间的电短路。优选地，为此在阻挡件46上构造至少一个接触凸起/至少一个突出的阻挡面48。因此在薄膜24严重翘曲时，至少一个接触凸起48与薄膜24之间发生接触，这阻止薄膜24的进一步翘曲。因此薄膜24和对应电极42之间的直接接触被可靠地阻止。因为在高装配压力时薄膜24与对应电极之间直接接触，于是可停止薄膜24与对应电极42焊接。因为在薄膜24和对应电极42之间直接接触时可能发生短路，这对赋值电子器件产生了损害，但现在也不必担心这种损害。
优选地，至少一个接触凸起48构造得比较小。在薄膜24非常软时，以这种方式能够阻碍它粘结在至少一个接触凸起48上。
在一个改进方案中，在所述微机械部件上还构造一个参考电容。图2c示出了参考薄膜24a和参考对应电极42a，其中参考薄膜24a牢固粘结在所述基片上，是用第一半导体层和/或金属层26制成的，参考对应电极42是用第二半导体层和/或金属层38制成的，参考对应电极42不可运动地布置在参考薄膜24a的从基片10远离地指向的侧上。在参考对应电极42a可电粘结到对应电极42上时，参考薄膜24a可通过适当的触点60c接触。
在微机械部件具有参考电容时，通过特别准确地测量薄膜24和对应电极42之间的第一电容与参考薄膜24a和参考对应电极42a之间的第二电容的差推断外面邻近的压力。因为温度影响和时效影响一般对两个电容的影响是相同的，以这种方式能够避免或至少剧烈减小因时效过程或温度波动引起的电容漂移。
在又一有利的改进方案中，至少一个罩壳，例如罩形晶片54，固定在微机械部件上。在图2a至图2c所示的实施例中，罩形晶片54利用粘结连接55布置在框架件62上。然而，作为粘结连接55的替代，罩壳也可利用钎焊连接或利用(导电的)粘接剂固定在所述微机械部件上。在所述罩壳和对应电极之间的中间空间中包含尽可能小的内部压力作为参考压力，这是有益的。优选包含小于100mbar的压力。为了在中间体积中达到尽可能稳定的内部压力，可有利地在罩壳中设置凹陷以获得良好的体积与表面积比。例如在所述罩壳中可使用栅格材料，在维持小压力时，所述栅格材料尽可能界定所述参考压力。
图3示出了穿过微机械部件第二实施例的示意性横截面。
在图3所示的微机械部件时，粘结到对应电极42上的触点60a从基片10向外构造。于是构造/蚀刻穿过基片10的贯通缺口70(穿过硅)。在基片10的从部件24和42远离地指向的背面72上，构造带状导线76和粘结连接78，通过带状导线76和粘结连接78保证电接触到对应电极42，其中基片10的该背面72可选地用绝缘层74至少部分地覆盖。
与前述优选实施例相反，图3的微机械部件具有在封装54和基片10之间延伸的侧向通路80(位于第二半导体层和/或金属层38中)，侧向通路80从微机械部件的外部区域延伸到第一半导体层和/或金属层26中的开口82。空穴12通过开口82而与侧向通路80连接。因此，特别地在与穿过基片10延伸的缺口70结合时不需要构造封装53。
图4示出了穿过微机械部件的第三实施例的示意性截面图。
作为替换用罩壳向外构造的封装，图4示意性示出的微机械部件具有装配电路的另外的基片84，例如ASIC。装配电路的另外的基片84例如提供有操作电路和/或赋值电路，用于作为传感器元件操作微机械部件，和/或通过测定的传感器信号赋值。在装配电路的另外的基片84上，带状导线76和粘结连接78因此可构造为使得装配电路的另外的基片84的从薄膜24远离地指向的侧可能电接触和/或信号传输。电接触向外的这种导向使微机械部件具有紧凑的结构，进而使微机械部件容易运行。薄膜34的压力加载能够通过基片10构造的背面通路86实现，背面通路86优选通到空穴12中。
微机械部件的所有上述实施例能够安装在电容性传感器装置中。以这种方式实现的电容性传感器装置尤其能够实施压力传感器的功能。然而在一个有利的改进方案中，所述电容性传感器装置也实施加速传感器、转速传感器和/或磁场传感器的功能。通过在薄膜24上固定地震质量，上述微机械部件中每个的改进方案例如作为加速传感器(它的部件)。然而当在薄膜24上布置磁化部分时，每个上述微机械部件也可用于测量磁场。
此外，上述阻挡件46也可粘结到适当的触点上。因此通过至少一个弹簧可调整地布置的对应电极42的调整运动指向平行于薄膜24对齐的方向。所述微机械部件因而能够构造为压力传感器和加速传感器的组合，其中对应电极42可用作地震质量。
在电容性传感器装置的另一实施例中，也可构造多个微机械部件，其中每个微机械部件分别具有一个薄膜24。在这种情形下，薄膜24的结构大小不同是有利的，以便适用于至少一个敏感的薄膜24的不同测量区域，例如适用于不同的压力范围。特别地，不同大小的薄膜24被平行地处理，以使各薄膜24的未完全线性化的变形进行线性化，使多个不同的薄膜24的组合线性化或者得到非线性的特性曲线，利用所述非线性的特性曲线可解决更大的测量区域/压力范围。可替代地，在电容性传感器装置上可平行地布置多个类似的薄膜24，以提高传感器信号的总分辨率，其中同时使各薄膜24的大小和贯通翘曲度保持是小的。
另外，有利的是，除实现的压力传感器外，在气密连接的区域还布置一个转速传感器、加速度传感器和/或磁场传感器。为此，可用第一半导体层和/或金属层26和/或第二半导体层和/或金属层38构造更多的部件。所有这些传感器可选地可单通道、两通道或三通道地执行。
因此，根据本发明的技术也能够用于制造电容性传感器装置，其中这种电容性传感器装置具有适用于不同物理量的多个敏感元件。根据本发明的技术在这里也允许电容性压力传感器、电容性加速度传感器、电容性转速传感器和/或磁场传感器集成到同一芯片上。
所述电容性传感器装置能够用已知的电容性赋值电路运行，这里所述的已知的电容性赋值电路例如是加速器传感器的赋值电路。特别地，组合的传感器能够通过一个纯电容性赋值电路一起赋值。在电容性压力传感器适当布置的情形下，例如相同传感器装置的加速度传感器的正面结构也适用于电容性压力传感器。这可通过适用于压力和加速度的总界面的多路复用或者通过更多的界面通道简单地实现。
有利的电容性传感器装置可例如安装在用户端设备中，例如尤其是移动电话中。
Claims (13)
1.一种微机械部件，具有：
基片(10)，其具有空穴(12)，所述空穴(12)向内构造在所述基片(10)的功能性上侧(10a)中；
至少部分导电的薄膜(24)，其使所述空穴(12)至少部分地张紧；以及
对应电极(42)，其间隔开地布置在所述薄膜(24)的从所述基片(10)远离地指向的外侧上，以使在所述对应电极(42)和至少部分导电的薄膜(24)之间存在自由空间(52)；
其特征在于，
所述至少部分导电的薄膜(24)张紧在至少一个至少部分地覆盖所述基片(10)的功能性上侧(10a)的电绝缘材料(20)上或其上方，和
至少一个压力入口(56)构造在所述空穴(12)上，以使所述至少部分导电的薄膜(24)利用从所述微机械部件的外部环境流入到所述空穴(12)中的气体介质可向内弯曲到所述自由空间(52)中，使得从所述基片的远离所述功能性上侧指向的背面和/或从所述微机械部件的位于所述基片的功能性上侧和所述背面之间的侧面对所述薄膜施加压力。
2.根据权利要求1所述的微机械部件，其特征在于，
多个沟槽构造在所述基片(10)中，以使所述空穴(12)的底面(12a)被所述多个沟槽分割。
3.根据权利要求1或2所述的微机械部件，其特征在于，
在所述至少部分导电的薄膜(24)的内侧(58)构造多个凹陷，所述凹陷被所述空穴(12)暴露。
4.一种电容性传感器装置，其具有根据前述权利要求中任一项所述的微机械部件。
5.一种具有根据权利要求1至3中任一项所述的微机械部件的麦克风。
6.一种适用于微机械部件的制造方法，具有下述步骤：
构成至少部分导电的薄膜(24)，在基片(10)的功能性上侧(10a)中向内构造的空穴(12)利用所述薄膜(24)至少部分被张紧；以及
构成对应电极(42)，其间隔开地布置在所述薄膜(24)的从所述基片(10)远离地指向的外侧上，其中在所述对应电极(42)和至少部分导电的薄膜(24)之间形成自由空间(52)；
其特征在于，
所述至少部分导电的薄膜(24)张紧在至少一个至少部分地覆盖所述基片(10)的功能性上侧(10a)的电绝缘材料(20)上或其上方；以及
在所述空穴(12)处构造至少一个压力入口(56)，以便在气体介质从所述微机械部件的外部环境流入到所述空穴(12)中时，所述至少部分导电的薄膜(24)向内弯曲到自由空间(52)中，使得从所述基片的远离所述功能性上侧指向的背面和/或从所述微机械部件的位于所述基片的功能性上侧和所述背面之间的侧面对所述薄膜施加压力。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，
在构成所述至少部分导电的薄膜(24)之前，所述空穴(12)至少部分地填充至少一个牺牲材料(16)，所述至少部分导电的薄膜(24)内侧(58)的至少一个材料沉积在所述牺牲材料上方，并且其中所述牺牲材料(16)通过至少一个与所述薄膜(24)间隔开地构造的蚀刻入口(50)蚀去。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，
在构成所述至少部分导电的薄膜(24)之前，所述空穴(12)只部分地填充所述至少一个牺牲材料(16)，以便构成至少一个由所述至少一个牺牲材料(16)、至少一个电绝缘材料(20)和/或至少部分导电的薄膜(24)内侧(58)的至少一个材料覆盖的第一空腔(18)。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，
所述至少一个第一空腔在所述基片内的多个沟槽中构成，其中所述基片内的多个沟槽分割所述空穴的底面。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的制造方法，其特征在于，
在所述薄膜(24)内侧(58)的多个凹陷中，邻近后来蚀刻的牺牲材料(16)和/或至少一个电绝缘材料(20)地构造至少一个第二空腔。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，
所述至少部分导电的薄膜(24)内侧(58)的至少一个材料被沉积为LPCVD层，在所述LPCVD层中构造贯通的缺口，用于确定在所述LPCVD中后来构成的凹陷的位置，和其中所述薄膜(24)利用向外拓展的生长过程在构成凹陷时增强在其中存在的至少一个第二空腔。
12.一种传感器装置的制造方法，具有下述步骤：
在所述传感器装置上和/或其中布置根据权利要求1至3中任一项所述的微机械部件或者根据权利要求6至11中任一项所述的制造方法制造的微机械部件。
13.一种麦克风的制造方法，具有下述方法：
在所述麦克风上和/或其中布置根据权利要求1至3中任一项所述的微机械部件或者根据权利要求6至11中任一项所述的制造方法制造的微机械部件。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102013213071.6 | 2013-07-04 | ||
| DE201310213071 DE102013213071B3 (de) | 2013-07-04 | 2013-07-04 | Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104276540A CN104276540A (zh) | 2015-01-14 |
| CN104276540B true CN104276540B (zh) | 2018-01-09 |
Family
ID=51567778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410315253.8A Active CN104276540B (zh) | 2013-07-04 | 2014-07-03 | 微机械部件及微机械部件的制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9156675B2 (zh) |
| CN (1) | CN104276540B (zh) |
| DE (1) | DE102013213071B3 (zh) |
| TW (1) | TWI616396B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE102014214532B3 (de) * | 2014-07-24 | 2015-10-08 | Robert Bosch Gmbh | Bauteil mit einem MEMS-Bauelement und einer Kappenstruktur mit Medienanschlussöffnung |
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- 2014-07-03 CN CN201410315253.8A patent/CN104276540B/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20150008542A1 (en) | 2015-01-08 |
| US9156675B2 (en) | 2015-10-13 |
| TWI616396B (zh) | 2018-03-01 |
| CN104276540A (zh) | 2015-01-14 |
| TW201512076A (zh) | 2015-04-01 |
| DE102013213071B3 (de) | 2014-10-09 |
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |