CN104245993A - 非晶合金薄带 - Google Patents

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CN104245993A CN201380014114.5A CN201380014114A CN104245993A CN 104245993 A CN104245993 A CN 104245993A CN 201380014114 A CN201380014114 A CN 201380014114A CN 104245993 A CN104245993 A CN 104245993A
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东大地
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Abstract

本发明提供一种非晶合金薄带，其含有Fe、Si、B、C和无法避免的杂质，以Fe、Si和B的合计量为100.0原子％时，Si量为8.5原子％～9.5原子％、B量为10.0原子％以上且小于12.0原子％；相对于前述合计量100.0原子％，C量为0.2原子％～0.6原子％；厚度为10μm～40μm、宽度为100mm～300mm。

Description

非晶合金薄带
技术领域
本发明涉及非晶合金薄带。
背景技术
非晶合金薄带由于其优异的特性，在很多用途中有望被视作工业材料。
其中，以Fe(铁)为主成分的Fe系非晶合金薄带(例如，以Fe(铁)为主成分且还含有B(硼)和Si(硅)的Fe-B-Si系非晶合金薄带)由于铁损低、饱和磁通密度高等的理由，被用作了变压器的磁芯等的材料。所述Fe系非晶合金薄带的占空系数一般低于取向性电磁钢板，因而寻求高的占空系数。如果占空系数低，则制作相同的内外径的磁芯时，总磁通、电感均降低，这样不得不增大磁芯、增加线圈数，因而在机器的小型化方面、成本方面成问题。
为了使Fe系非晶合金薄带的占空系数提高，至今进行了各种研究。
例如，作为用于通过单辊法制造显示高占空系数的Fe系非晶合金薄带的制造方法，已知有调整熔液喷嘴前端与冷却辊表面的距离、冷却辊的温度、冷却辊的圆周速度、冷却辊周围的气氛、熔液喷嘴产生的喷出压力、冷却辊的表面状态等制造条件的方法(例如，参照日本特开2006-281317号公报、日本特开平9-216036号公报和日本特开2007-217757号公报)。
发明内容
发明要解决的问题
然而，对于如上述现有技术地通过制造条件的调整而使薄带的占空系数提高的方法来说，连续地制造非晶合金薄带时，存在难以长时间维持制造条件(例如冷却辊的表面状态等)的情况。另外，对于通过制造条件的调整而使薄带的占空系数提高的方法来说，存在磁通密度等磁特性降低的情况。
因此，作为使Fe-B-Si系非晶合金薄带的占空系数提高的方法，除了上述的制造条件的调整以外，考虑了调整Fe-B-Si系非晶合金薄带的自身组成的方法。
根据本发明人的研究，弄清了通过在Fe-B-Si系非晶合金薄带的组成中加入C(碳)而使薄带的占空系数提高。进一步研究的结果表明，相对于组成中Si量比较多的Fe-B-Si系非晶合金薄带过多地加入C时，薄带有变脆的倾向。
另外，对于非晶合金薄带来说维持高的磁通密度也是重要的。
因此，本发明的课题在于提供占空系数优异、脆度(脆性)受到抑制、高的磁通密度得到维持的非晶合金薄带。
用于解决问题的方案
用于解决前述课题的具体的手段如下所述。
＜1＞一种非晶合金薄带，其含有Fe、Si、B、C和无法避免的杂质，以Fe、Si和B的合计量为100.0原子％时，Si量为8.5原子％～9.5原子％、B量为10.0原子％以上且小于12.0原子％；相对于前述合计量100.0原子％，C量为0.2原子％～0.6原子％；厚度为10μm～40μm、宽度为100mm～300mm。
＜2＞根据＜1＞记载的非晶合金薄带，其中，前述C量为0.3原子％～0.6原子％。
＜3＞根据＜1＞或＜2＞记载的非晶合金薄带，其中，前述B量为10.0原子％～11.5原子％。
＜4＞根据＜1＞～＜3＞中任一项记载的非晶合金薄带，其中，占空系数为88％以上。
＜5＞根据＜1＞～＜4＞中任一项记载的非晶合金薄带，其中，以Fe、Si和B的合计量为100.0原子％时，Fe量为79.0原子％～80.0原子％、Si量为8.5原子％～9.5原子％、B量为10.5原子％～11.5原子％。
＜6＞根据＜1＞～＜5＞中任一项记载的非晶合金薄带，其是通过单辊法制造的。
发明的效果
采用本发明可以提供占空系数优异、脆度(脆性)受到抑制、高的磁通密度得到维持的非晶合金薄带。
附图说明
图1是概括性显示适合于制造本发明的非晶合金薄带的非晶合金薄带制造装置的一种实施方式的示意截面图。
图2是示意性显示脆度评价中使用的样品的示意图。
图3是示意性显示脆度评价的撕裂后的样品片和撕裂线的示意图。
具体实施方式
本说明书中，使用“～”表示的数值范围是指以“～”前后记载的数值分别为最小值及最大值所涵盖的范围。
以下，对于本发明的非晶合金薄带进行详细说明。
本发明的非晶合金薄带(以下也简称为“薄带”)含有Fe、Si、B、C和无法避免的杂质，以Fe、Si和B的合计量为100.0原子％时，Si量为8.5原子％～9.5原子％(即8.5原子％以上且9.5原子％以下)、B量为10.0原子％以上且小于12.0原子％；相对于前述合计量100.0原子％，C量为0.2原子％～0.6原子％(即0.2原子％以上且0.6原子％以下)；厚度为10μm～40μm(即10μm以上且40μm以下)、宽度为100mm～300mm(即100mm以上且300mm以下)。
根据本发明人的研究，弄清了通过在以Fe为主成分且还含有B和Si的Fe-B-Si系非晶合金薄带(以下也简称为“Fe-B-Si系非晶合金薄带”)的组成中加入C(碳)而使薄带的占空系数提高。究其原因如下：通过加入C，Fe-B-Si系非晶合金薄带的原料即合金熔液的流动性提升，结果所制造的薄带的表面的平坦性提高。
另外，本发明人进一步研究的结果表明，相对于组成中Si量比较多(具体而言，以Fe、Si和B的合计量为100.0原子％时的Si量为8.5原子％以上)的Fe-B-Si系非晶合金薄带过多地加入C时(具体而言，相对于Fe、Si和B的合计量100.0原子％，C量超过0.6原子％时)，薄带变脆。
因此，本发明人对于以Fe、Si和B的合计量为100.0原子％时的Si量为8.5原子％以上的Fe-B-Si系非晶合金薄带的组成，以相对于前述合计量100.0原子％的量为0.2原子％～0.6原子％的方式加入C，由此得到能够抑制脆度(脆性)并提高占空系数、而且还能够维持高的磁通密度的认识，基于该认识从而完成了本发明。
即，采用本发明可提供占空系数优异、脆度(脆性)受到抑制、高的磁通密度得到维持的非晶合金薄带。
另外，采用本发明通过使前述C量为0.6原子％以下，从而能够抑制添加C时会产生的非晶合金薄带的经年劣化。
如上所述，本发明的非晶合金薄带显示高的占空系数(例如，占空系数为86％以上)。
本发明的非晶合金薄带的占空系数优选为88％以上、更优选为89％以上。
本发明中“占空系数”是指按照ASTM A900/A900M-01(2006)测定的占空系数(％)。
需要说明的是，依经验知悉如下：使用前述测定法测得的占空系数为88％的非晶合金薄带制作变压器的磁芯的情况下，制作时的紧固会导致占空系数稍有增加，因而所制作的磁芯的占空系数显示为88～90％。
以下，对于本发明的非晶合金薄带的组成进行说明。
本发明的非晶合金薄带中，相对于Fe、Si和B的合计量100.0原子％的C量(以下也简称为“C量”)为0.2原子％～0.6原子％。
C量超过0.6原子％时，薄带变脆。另外，C量超过0.6原子％时，存在非晶合金薄带的经年劣化被促进、直至发生结晶的时间变短的情况。
另一方面，本发明中C量为0.2原子％以上表示薄带中实质上含C，由此使薄带的占空系数提高。
从使薄带的占空系数进一步提高的观点来看，C量优选为0.3原子％～0.6原子％。
本发明的非晶合金薄带中，以Fe、Si和B的合计量为100.0原子％时的Si量(以下也简称为“Si量”)为8.5原子％～9.5原子％。
本发明的非晶合金薄带由于Si量为8.5原子％以上，可期待抑制薄带的经年劣化的效果。Si量更优选为9.0原子％以上。
然而，如上述表明，相对于Si量为8.5原子％以上(尤其是9.0原子％以上)的Fe-B-Si系非晶合金薄带过多地加入C时，薄带有变脆的倾向。关于这点，本发明的非晶合金薄带通过使C量为0.6原子％以下，从而能够显著抑制薄带的脆度。
另一方面，Si量超过9.5原子％时，Fe量相对地变少，因而饱和磁通密度降低。此外，Si量超过9.5原子％时，非晶态形成能力有降低的倾向。
本发明的非晶合金薄带中，以Fe、Si和B的合计量为100.0原子％时的B量(以下也简称为“B量”)为10.0原子％以上且小于12.0原子％(优选为10.0原子％～11.5原子％)。
B量小于10.0原子％时，结晶温度变低，非晶相的稳定性受损。
另一方面，B量为12.0原子％以上时，原料成本增大，因而不优选。因此，B量小于12.0原子％、优选为11.5原子％以下。
另外，从使非晶态形成能力进一步提高的观点来看，B量优选为10.5原子％以上、更优选为11.0原子％以上。
本发明的非晶合金薄带中，只要以Fe、Si和B的合计量为100.0原子％时的Fe量(以下也简称为“Fe量”)、Si量为8.5原子％～9.5原子％且B量为10.0原子％以上且小于12.0原子％，就没有特别的限定。
Fe量具体而言为超过78.5原子％且为81.5原子％以下，优选为79.0原子％～81.5原子％，更优选为79.0原子％～81.0原子％，进一步优选为79.0原子％～80.5原子％，特别优选为79.0原子％～80.0原子％。
Fe量为81.0原子％以下时，结晶温度进一步升高，热稳定性进一步提高。
本发明中，Fe量、Si量和B量的优选组合是Fe量为79.0原子％～81.5原子％(更优选为79.0原子％～81.0原子％、进一步优选为79.0原子％～80.5原子％)、Si量为8.5原子％～9.5原子％、B量为10.0原子％以上且小于12.0原子％(优选为10.0原子％～11.5原子％)的组合，更优选的组合是Fe量为79.0原子％～80.0原子％、Si量为8.5原子％～9.5原子％、B量为10.5原子％～11.5原子％的组合，特别优选的组合是Fe量为79.0原子％～80.0原子％、Si量为9.0原子％～9.5原子％、B量为11.0原子％～11.5原子％的组合。
另外，本发明的非晶合金薄带除了上述的元素(Fe、Si、B和C)以外还含有无法避免的杂质。其中，无法避免的杂质是指在非晶合金薄带或者作为它的原料的母合金或合金熔液的制造工序中无法避免地混入的杂质。作为前述无法避免的杂质，例如可列举出Mn、S、Cr、P、Ti、Ni、Al、Co、Zr、Mo、Cu等。
然而，非晶合金薄带物性的确定受Si、B支配，上述杂质的影响度小。
另外，本发明的非晶合金薄带的厚度(板厚)为10μm～40μm。
前述厚度小于10μm时，存在薄带的机械强度不足的倾向。从该观点来看，前述厚度为10μm以上、优选为15μm以上、更优选为20μm以上。
另一方面，前述厚度超过40μm时，存在难以稳定得到非晶相的倾向。从该观点来看，前述厚度为40μm以下、优选为35μm以下、更优选为30μm以下。
另外，本发明的非晶合金薄带的宽度为100mm～300mm。
前述宽度为100mm以上时，可适合于制作实用的变压器。从该观点来看，前述宽度为100mm以上、更优选为125mm以上。
另一方面，前述宽度超过300mm时，变得难以得到宽度方向厚度均一的薄带，由于形状不均一，部分发生脆化、磁通密度(B1)降低。从这些观点来看，前述宽度为300mm以下、更优选为275mm以下。
对于本发明的非晶合金薄带的制造方法没有特别的限定，例如可以使用液体骤冷法(单辊法、双辊法、离心法等)等公知的方法。
其中，单辊法是制造设备比较简单、且能够稳定制造的制造法，具有优异的工业生产率。
图1是概括性显示适合用于制造本发明的非晶合金薄带的非晶合金薄带制造装置的一种实施方式的示意截面图。
图1中显示的非晶合金薄带制造装置100是利用单辊法的非晶合金薄带制造装置。
如图1所示，非晶合金薄带制造装置100具备：坩埚20，其具备熔液喷嘴10；以及冷却辊30，其表面与熔液喷嘴10的前端相对。图1显示了将非晶合金薄带制造装置100沿着相对于冷却辊30的轴向及非晶合金薄带22C的宽度方向(这两个方向相同)垂直的面切断时的截面。
坩埚20具有能够容纳作为非晶合金薄带的原料的合金熔液22A的内部空间，该内部空间与熔液喷嘴10内的熔液流路连通。由此，能够利用熔液喷嘴10将容纳在坩埚20内的合金熔液22A排出至冷却辊30(图1中用箭头Q表示合金熔液22A的排出方向和流通方向)。需要说明的是，坩埚20和熔液喷嘴10可以是一体构成的，也可以独立构成。
坩埚20周围的至少一部分配置有作为加热手段的高频线圈40。由此，使得能够将收纳了非晶合金薄带的母合金的状态的坩埚20加热而在坩埚20内生成合金熔液22A、或者维持从外部向坩埚20内供给的合金熔液22A的液体状态。
另外，熔液喷嘴10具有用于排出合金熔液的开口部(排出口)。
该开口部优选为矩形(狭缝形状)的开口部。
矩形的开口部的长边的长度是与所制造的非晶合金薄带的宽度对应的长度。作为矩形的开口部的长边的长度，具体而言，优选为100mm～300mm。该长边的长度的下限更优选为125mm。另外，该长边的长度的上限更优选为275mm。
熔液喷嘴10的前端与冷却辊30的表面的距离近乎于利用熔液喷嘴10排出合金熔液22A时由合金熔液22A形成熔池22B的程度。
该距离可以是单辊法中通常设定的范围，优选为500μm以下，更优选为300μm以下。
另外，从抑制熔液喷嘴10的前端与冷却辊30的表面的接触的观点来看，该距离优选为50μm以上。
冷却辊30的构成是能够沿着箭头P的方向绕轴旋转。
冷却辊30的内部流通水等的冷却介质，由此能够将赋予(排出)至冷却辊30的表面的合金熔液22A冷却而生成非晶合金薄带22C。
冷却辊30的材质优选Cu、Cu合金(Cu-Be合金、Cu-Cr合金、Cu-Zr合金、Cu-Zn合金、Cu-Sn合金、Cu-Ti合金等)的导热性高的材料。
对于冷却辊30表面的表面粗糙度没有特别的限定，从占空系数的观点来看，冷却辊30表面的算术平均粗糙度(Ra)优选为0.5μm以下、更优选为0.3μm以下。从表面粗糙度调整的加工性的观点来看，冷却辊30表面的算术平均粗糙度(Ra)优选为0.1μm以上。
另外，本实施方式中，为了维持上述优选的表面粗糙度(Ra)，可以在合金薄带的制造中用刷子等研磨冷却辊30的表面。
此外，作为冷却辊30，可以采用单辊法中通常使用的冷却辊。
从冷却能力的观点来看，冷却辊30的直径优选为200mm以上、更优选为300mm以上。另一方面，从冷却能力的观点来看，该直径更优选为700mm以下。
在本说明书中，表面粗糙度(前述算术平均粗糙度Ra)是指按照JIS B0601(2001)测定的表面粗糙度。
冷却辊30的表面的附近(对于冷却辊30的旋转方向来说，与熔液喷嘴10相比的下游侧)配置有剥离气体喷嘴50。由此，通过相对于冷却辊30的旋转方向(箭头P)反向(图2中的虚线的箭头的方向)地吹送剥离气体(例如氮气、压缩空气等的高压气体)，从而效率更好地进行非晶合金薄带22C从冷却辊30的剥离。
非晶合金薄带制造装置100还可以具备上述构成以外的其他构成(例如，卷取所制造的非晶合金薄带22C的卷取辊，在合金熔液的熔池22B或其附近吹送CO2气体、N2气体等的气体喷嘴等)。
此外，非晶合金薄带制造装置100的基本构成可以与以往的利用单辊法的非晶合金薄带制造装置(例如，参照日本特许第3494371号公报、日本特许第3594123号公报、日本特许第4244123号公报、日本特许第4529106号公报等)的构成相同。
接着，对于使用非晶合金薄带制造装置100制造非晶合金薄带22C的一例进行说明。
首先，坩埚20中准备作为本发明的非晶合金薄带的原料的合金熔液22A。
其中，合金熔液22A可以是使本发明的非晶合金薄带的组成的母合金熔解而得到的合金熔液，也可以是先准备组成为从本发明的非晶合金薄带的组成中扣除了C(碳)的母合金、在使该母合金熔解而成的熔液中熔解C(碳)而得到的合金熔液。
对于合金熔液22A的温度没有特别的限定，从抑制源于合金熔液22A的析出物附着在熔液喷嘴的壁面的观点来看，优选为1210℃以上、更优选为1260℃以上。另外，从抑制发生在与冷却辊30表面的接触面侧的气穴的生成的观点来看，合金熔液22A的温度优选为1410℃以下、更优选为1360℃以下。
接着，在沿箭头P的方向旋转的冷却辊30表面，利用熔液喷嘴10排出合金熔液而形成熔池22B，同时在前述冷却辊30表面形成前述合金熔液的涂膜，并将塗膜冷却而制成非晶合金薄带22C。接着，对于形成在冷却辊30的表面的非晶合金薄带22C吹送来自剥离气体喷嘴50的剥离气体而从冷却辊30的表面剥离，利用未图示的卷取辊卷取成卷状而回收。
从合金熔液的排出至非晶合金薄带的卷取(回收)的操作连续地进行，由此得到例如长度方向长度为3000m以上的长条状的非晶合金薄带。
此时的合金熔液的排出压力优选为10kPa以上，更优选为15kPa以上。另一方面，该排出压力优选为30kPa以下、更优选为25kPa以下。
排出压力为上述优选的范围时，可以进一步提高占空系数。
另外，冷却辊30的转速可以为单辊法中通常设定的范围，优选为圆周速度40m/s以下、更优选为圆周速度30m/s以下。另一方面，该转速优选为圆周速度10m/s以上、更优选为圆周速度20m/s以上。
另外，从合金熔液供给至冷却辊30表面开始计时、经过5秒以上之后，冷却辊30表面的温度优选为80℃以上、更优选为100℃以上。另一方面，该温度优选为300℃以下、更优选为250℃以下。
冷却辊30的合金熔液的冷却速度优选为1×105℃/s以上、更优选为1×106℃/s以上。
实施例
以下列举实施例对本发明具体地说明，但本发明并不限于这些实施例。以下的实施例中，“at％”表示原子％。
(实施例1～9、比较例1～2)
《非晶合金薄带的制作》
准备与图1所示非晶合金薄带制造装置100的构成相同的非晶合金薄带制造装置。其中，作为冷却辊，准备以下的冷却辊。
-冷却辊-
·材质      …Cu-Be合金
·直径      …400mm
·冷却辊表面的算术平均粗糙度Ra  …0.3μm
首先，在坩埚内调制含有Fe、Si、B、C和无法避免的杂质的合金熔液(以下也称为“Fe-Si-B-C系合金熔液”)。具体而言，在将含有Fe、Si、B和无法避免的杂质的母合金熔解得到的熔液中添加碳，使其熔解、混合，由此调制了用于制造下述表1所示非晶合金薄带的合金熔液。
接着，将该Fe-Si-B-C系合金熔液从具有长边的长度142mm×短边的长度0.6mm的矩形(狭缝形状)的开口部的熔液喷嘴的该开口部排出到旋转的冷却辊表面，使其骤冷凝固，制作宽度为142mm、厚度为25μm的非晶合金薄带1000kg。
非晶合金薄带的具体制作条件如下所述。
·合金熔液的排出压力  …20kPa
·冷却辊的圆周速度    …25m/s
·合金熔液温度        …1300℃
·熔液喷嘴前端与冷却辊表面的距离  …200μm
·冷却温度(从合金熔液供给至冷却辊表面开始计时、经过5秒以上之后的温度)                    …170℃
各实施例以及各比较例的非晶合金薄带中的Fe、Si、B和C的量如下述表1所示。
下述表1中，Fe量(at％)、Si量(at％)和B量(at％)分别是以Fe、Si和B的合计量为100.0at％时的量。C量(at％)是相对于Fe、Si和B的合计量100.0at％的量(即以前述合计量为100.0at％时的C的添加量)。
这些量是利用ICP发射光谱分析法测定的量。
《评价》
对于各实施例以及各比较例的非晶合金薄带进行以下的评价。
＜占空系数＞
对于各实施例以及各比较例的非晶合金薄带，分别按照ASTMA900/A900M-01(2006)测定占空系数(％)。
测定结果示于下述表1。
＜脆度＞
对于各实施例以及各比较例的非晶合金薄带分别进行以下所示的脆度评价(脆度的数值化)。
利用上述评价得到的脆度的数值示于下述表1。
关于该评价结果，脆度的数值越小表示脆度越受到抑制、脆度的数值越大表示越脆。
在此，参照图2和图3的同时对于脆度评价进行说明。
图2是示意性显示脆度评价中使用的样品的示意图，图3是示意性显示脆度评价的撕裂后的样品片和撕裂线的示意图。
脆度评价使用如下得到的2个样品片进行：如图2所示，由非晶合金薄带裁出长度1250mm的样品(相当于冷却辊1周)，将该样品于长度方向2等分(在图2中的点划线的位置切断)。
具体而言，对于各样品片，在样品片的长度方向一端开切口而作为撕裂起始点，对样品片施加剪切力，进行撕裂的操作(以下将该操作称为“撕裂操作”)。该撕裂操作沿着样品片的长度方向从长度方向一端进行至长度方向另一端为止。在图3中，用箭头R表示撕裂操作的撕裂方向。
接着，通过目视观察由于撕裂操作而实际产生的撕裂线(例如，图3中的撕裂线T)，确认该撕裂线中在样品片的宽度方向产生的6mm以上的阶跃(图3中尺寸k为6mm以上的阶跃)的个数。
根据该结果，按照下述评价基准来评价每条撕裂线的脆度。
下述评价基准的“1分”表示脆度最受到抑制、“5分”表示最脆。
–每条撕裂线的脆度的评价基准-
1分…每条撕裂线中6mm以上的阶跃为0个
2分…每条撕裂线中6mm以上的阶跃为1～3个
3分…每条撕裂线中6mm以上的阶跃为4～6个
4分…每条撕裂线中6mm以上的阶跃为7～9个
5分…每条撕裂线中6mm以上的阶跃为10个以上(或者，撕裂操作导致样品片崩坏，无法实质上进行样品片长度方向的撕裂)
上述每条撕裂线的脆度评价分别对于如下位置进行：如图2所示，样品片的宽度方向中央部、距离样品片的宽度方向端部6.4mm的位置(2处)、以及距离样品片的宽度方向端部12.8mm的位置(2处)。在图2中，用虚线表示评价位置。评价位置为被2等分的样品片分别各5处，一个样品为10处。即，每个样品产生10条撕裂线。
接着，由10条撕裂线的评价结果算出脆度的平均分，将所得到的平均分作为该样品的脆度的数值。
＜磁通密度(B1、60Hz)＞
对于各实施例以及各比较例的非晶合金薄带，分别按照ASTMA932/A932M-01测定施加频率60Hz、79.557A/m的磁场时的磁通密度(B1、60Hz)。
测定结果示于下述表1。
[表1]
～表1的说明～
·Fe量(at％)、Si量(at％)和B量(at％)分别是以Fe、Si和B的合计量为100.0at％时的量。
·C量(at％)是相对于Fe、Si和B的合计量100.0at％的量(即以Fe、Si和B的合计量为100.0at％时的C的添加量)。
·脆度的数值越小表示脆度越受到抑制、越大表示越脆。
如表1所示，C量为0.2at％～0.6at％的实施例1～9中占空系数优异、脆度(脆性)受到抑制、高的磁通密度得到维持。尤其是确认了C量为0.3at％～0.6at％的实施例2～9中占空系数为88％以上。
另一方面，C量超过0.6at％的比较例1和2中脆度(脆性)变差。
本说明书中参引日本申请2012-058714公开的全部内容。
关于本说明书中记载的全部文献、专利申请以及技术标准，各个文献、专利申请以及技术标准被参引的情况与具体且分别记述时相同程度地参引至本说明书中。

Claims (6)

1.一种非晶合金薄带，其含有Fe、Si、B、C和无法避免的杂质，
以Fe、Si和B的合计量为100.0原子％时，Si量为8.5原子％～9.5原子％、B量为10.0原子％以上且小于12.0原子％，
相对于所述合计量100.0原子％，C量为0.2原子％～0.6原子％，
厚度为10μm～40μm、宽度为100mm～300mm。
2.根据权利要求1所述的非晶合金薄带，其中，所述C量为0.3原子％～0.6原子％。
3.根据权利要求1或2所述的非晶合金薄带，其中，所述B量为10.0原子％～11.5原子％。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的非晶合金薄带，其中，占空系数为88％以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的非晶合金薄带，其中，以Fe、Si和B的合计量为100.0原子％时，Fe量为79.0原子％～80.0原子％、Si量为8.5原子％～9.5原子％、B量为10.5原子％～11.5原子％。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的非晶合金薄带，其是通过单辊法制造的。
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