CN104218926A

CN104218926A - 一种力敏延时开关控制电路

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Publication number: CN104218926A
Application number: CN201410439608.4A
Authority: CN
Inventors: 陆俊
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2014-09-01
Filing date: 2014-09-01
Publication date: 2014-12-17

Abstract

本发明属于开关控制领域，提供了一种力敏延时开关控制电路。本发明提供的力敏延时开关控制电路为分立元件构成，通过三个开关管和功能电阻及电容的组合连接，在按压力敏电阻时，稳压二极管反向导通，出现不同的高低电平状态，进而使负载的工作状态按照一个的频率进行切换，本发明提供的力敏延时开关控制电路设计简单，成本很低，在满足小型工业延时控制的基础上，能够很好的控制生产节奏，提高生产效率。

Description

一种力敏延时开关控制电路

技术领域

本发明属于开关控制领域，具体涉及一种力敏延时开关控制电路。

背景技术

目前的瞬时开关一般都采用延时控制电路实现，精密的延时控制电路能够使延时时间控制得非常精准，但是成本非常高，而一般的小型工业生产中，延时控制时间需要操作人员来具体操作。

而现有的延时控制电路一般采用电子开关的关断控制来进行延时控制，其延时时间太长或太短，不容易掌控生产的节奏，使生产效率低下。

发明内容

本发明的目的在于提供一种力敏延时开关控制电路，旨在解决小型工业生产中，延时控制电路效率低下的问题。

为了解决上述问题，本发明是这样实现的：一种力敏延时开关控制电路，所述力敏延时开关控制电路包括：

第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第一电容、二极管、稳压二极管、第一开关管、第二开关管以及第三开关管；

所述第一电阻为力敏电阻，所述第一电阻的第一端与稳压二极管的阴极连接，所述稳压二极管的阳极与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第一电容的第一端、所述第一开关管的高电位端、所述第三电阻的第一端以及所述第七电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端与电源电压的输出端、所述第四电阻的第一端以及所述第五电阻的第一端连接，所述第一电容的第二端接地，所述第一电阻的第二端与所述第八电阻的第一端以及所述第九电阻的第一端连接，所述第八电阻的第二端与所述第一开关管的控制端连接，所述第九电阻的第二端与所述二极管的阴极连接，所述二极管的阳极与所述第四电阻的第一端以及所述第六电阻的第一端连接，所述第七电阻的第二端与所述第二开关管的控制端连接，所述第一开关管的低电位端与所述第二开关管的低电位端共接于地，所述第五电阻的第二端与所述第三开关管的高电位端连接，所述第六电阻的第二端与所述第三开关管的控制端连接，所述第三开关管的低电位端与负载连接。

进一步地，所述第一开关管为第一NPN型三极管，所述第一NPN型三极管的基极为所述第一开关管的控制端，所述第一NPN型三极管的集电极为所述第一开关管的高电位端，所述第一NPN型三极管的发射极为所述第一开关管的低电位端。

进一步地，所述第二开关管为第二NPN型三极管，所述第二NPN型三极管的基极为所述第二开关管的控制端，所述第二NPN型三极管的集电极为所述第二开关管的高电位端，所述第二NPN型三极管的发射极为所述第二开关管的低电位端。

进一步地，所述第三开关管为第三NPN型三极管，所述第三NPN型三极管的基极为第三开关管的控制端，所述第三NPN型三极管的集电极为第三开关管的高电位端，所述第三NPN型三极管的发射极为第三开关管的低电位端。

进一步地，所述第一开关管为第一N型MOS管，所述第一N型MOS管的栅极为第一开关管的控制端，所述第一N型MOS管的漏极为第一开关管的高电位端，所述第一N型MOS管的源极为第一开关管的低电位端。

进一步地，所述第二开关管为第二N型MOS管，所述第二N型MOS管的栅极为所述第二开关管的控制端，所述第二N型MOS管的漏极为所述第二开关管的高电位端，所述第二N型MOS管的源极为所述第二开关管的低电位端。

进一步地，所述第三开关管为第三N型MOS管，所述第三N型MOS管的栅极为所述第三开关管的控制端，所述第三N型MOS管的漏极为所述第三开关管的高电位端，所述第三N型MOS管的源极为所述第三开关管的低电位端。

进一步地，所述第一开关管为第四N型MOS管，所述第四N型MOS管的栅极为第一开关管的控制端，所述第四N型MOS管的漏极为第一开关管的高电位端，所述第四N型MOS管的源极为第一开关管的低电位端。

进一步地，所述第二开关管为第四NPN型三极管，所述第四NPN型三极管的基极为所述第二开关管的控制端，所述第四NPN型三极管的集电极为所述第二开关管的高电位端，所述第四NPN型三极管的发射极为所述第二开关管的低电位端。

进一步地，所述第三开关管为第五N型MOS管，所述第五N型MOS管的栅极为所述第三开关管的控制端，所述第五N型MOS管的漏极为所述第三开关管的高电位端，所述第五N型MOS管的源极为所述第三开关管的低电位端。

本发明提供的力敏延时开关控制电路为分立元件构成，通过三个开关管和功能电阻及电容的组合连接，在按压力敏电阻时，稳压二极管反向导通，出现不同的高低电平状态，进而使负载的工作状态按照一个的频率进行切换，本发明提供的力敏延时开关控制电路设计简单，成本很低，在满足小型工业延时控制的基础上，能够很好的控制生产节奏，提高生产效率。

附图说明

图1是本发明实施例提供的力敏延时开关控制电路的原理结构图；

图2是本发明第一实施例提供的力敏延时开关控制电路的电路结构图；

图3是本发明第二实施例提供的力敏延时开关控制电路的电路结构图；

图4是本发明第三实施例提供的力敏延时开关控制电路的电路结构图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

以下结合具体实施例对本发明的具体实现进行详细描述：

如图1所示，本发明实施例提供了一种力敏延时开关控制电路，该力敏延时开关控制电路包括：

第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第一电容C1、二极管D1、稳压二极管ZD1、第一开关管101、第二开关管102以及第三开关管103；

第一电阻R1为力敏电阻，第一电阻R1的第一端与稳压二极管ZD1的阴极连接，稳压二极管ZD1的阳极与第二电阻R2的第一端连接，第二电阻R2的第二端与第一电容C1的第一端、第一开关管101的高电位端、第三电阻R3的第一端以及第七电阻R7的第一端连接，第三电阻R3的第二端与电源电压VDD的输出端、第四电阻R4的第一端以及第五电阻R5的第一端连接，第一电容C1的第二端接地，第一电阻R1的第二端与第八电阻R8的第一端以及第九电阻R9的第一端连接，第八电阻R8的第二端与第一开关管101的控制端连接，第九电阻R9的第二端与二极管D1的阴极连接，二极管D1的阳极与第四电阻R4的第一端以及第六电阻R6的第一端连接，第七电阻R7的第二端与第二开关管102的控制端连接，第一开关管101的低电位端与第二开关管102的低电位端共接于地，第五电阻R5的第二端与第三开关管103的高电位端连接，第六电阻R6的第二端与第三开关管103的控制端连接，第三开关管103的低电位端与负载连接。

在本发明实施例中，力敏延时开关控制电路还包括一发光二极管和一喇叭，所述发光二极管连接在负载的输入端与第三开关管的低电位端之间，喇叭连接在力敏电阻R1（第一电阻）与稳压二极管ZD1之间，当按压力敏电阻R1时进行鸣笛指示。

实施例一：

图2示出了本发明第一实施例提供的力敏延时开关控制电路的电路结构图，为了便于说明，仅流出本发明第一实施例相关的部分，详述如下：

作为本发明一实施例，第一开关管101为第一NPN型三极管Q1，第一NPN型三极管Q1的基极为第一开关管101的控制端，第一NPN型三极管Q1的集电极为第一开关管101的高电位端，第一NPN型三极管Q1的发射极为第一开关管101的低电位端。

作为本发明一实施例，第二开关管102为第二NPN型三极管Q2，第二NPN型三极管Q2的基极为第二开关管102的控制端，第二NPN型三极管Q2的集电极为第二开关管102的高电位端，第二NPN型三极管Q2的发射极为第二开关管102的低电位端。

作为本发明一实施例，第三开关管103为第三NPN型三极管Q3，第三NPN型三极管Q3的基极为第三开关管103的控制端，第三NPN型三极管Q3的集电极为第三开关管103的高电位端，第三NPN型三极管Q3的发射极为第三开关管103的低电位端。

下面对本发明第一实施例提供的力敏延时开关控制电路的工作原理进行说明：

当接通电源VDD后，按压力敏电阻R1使力敏电阻的电阻急剧降低，稳压二极管ZD1反向导通，然后给第一电容C1充电，松开力敏电阻后由第一电容C1放电维持电路的工作，即延时，延时时间由第一电容C1的容量决定，具体可以根据实际情况进行设置。

实施例二：

图3示出了本发明第二实施例提供的力敏延时开关控制电路的电路结构图，为了便于说明，仅流出本发明第二实施例相关的部分，详述如下：

作为本发明一实施例，第一开关管101为第一N型MOS管Q4，第一N型MOS管Q4的栅极为第一开关管101的控制端，第一N型MOS管Q4的漏极为第一开关管101的高电位端，第一N型MOS管Q4的源极为第一开关管101的低电位端。

作为本发明一实施例，第二开关管102为第二N型MOS管Q5，第二N型MOS管Q5的栅极为第二开关管102的控制端，第二N型MOS管Q5的漏极为第二开关管102的高电位端，第二N型MOS管Q5的源极为第二开关管102的低电位端。

作为本发明一实施例，第三开关管103为第三N型MOS管Q6，第三N型MOS管Q6的栅极为第三开关管103的控制端，第三N型MOS管Q6的漏极为第三开关管103的高电位端，第三N型MOS管Q6的源极为第三开关管103的低电位端。

实施例三：

图4示出了本发明第三实施例提供的力敏延时开关控制电路的电路结构图，为了便于说明，仅流出本发明第三实施例相关的部分，详述如下：

作为本发明一实施例，第一开关管101为第四N型MOS管Q7，第四N型MOS管Q7的栅极为第一开关管101的控制端，第四N型MOS管Q7的漏极为第一开关管101的高电位端，第四N型MOS管Q7的源极为第一开关管101的低电位端。

作为本发明一实施例，第二开关管102为第四NPN型三极管Q8，第四NPN型三极管Q8的基极为第二开关管102的控制端，第四NPN型三极管Q8的集电极为第二开关管102的高电位端，第四NPN型三极管Q8的发射极为第二开关管102的低电位端。

作为本发明一实施例，第三开关管103为第五N型MOS管Q9，第五N型MOS管Q9的栅极为第三开关管103的控制端，第五N型MOS管Q9的漏极为第三开关管103的高电位端，第五N型MOS管Q9的源极为第三开关管103的低电位端。

在本发明第二实施例和第三实施例中，工作原理与第一实施例的工作原理相同，只是采用的不同类型的开关管进行组合，其工作原理就不再赘述。

本发明实施例提供的力敏延时开关控制电路为分立元件构成，通过三个开关管和功能电阻及电容的组合连接，在按压力敏电阻时，稳压二极管反向导通，出现不同的高低电平状态，进而使负载的工作状态按照一个的频率进行切换，本发明提供的力敏延时开关控制电路设计简单，成本很低，在满足小型工业延时控制的基础上，能够很好的控制生产节奏，提高生产效率。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述力敏延时开关控制电路包括：

2.如权利要求1所述的力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述第一开关管为第一NPN型三极管，所述第一NPN型三极管的基极为所述第一开关管的控制端，所述第一NPN型三极管的集电极为所述第一开关管的高电位端，所述第一NPN型三极管的发射极为所述第一开关管的低电位端。

3.如权利要求2所述的力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述第二开关管为第二NPN型三极管，所述第二NPN型三极管的基极为所述第二开关管的控制端，所述第二NPN型三极管的集电极为所述第二开关管的高电位端，所述第二NPN型三极管的发射极为所述第二开关管的低电位端。

4.如权利要求3所述的力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述第三开关管为第三NPN型三极管，所述第三NPN型三极管的基极为第三开关管的控制端，所述第三NPN型三极管的集电极为第三开关管的高电位端，所述第三NPN型三极管的发射极为第三开关管的低电位端。

5.如权利要求1所述的力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述第一开关管为第一N型MOS管，所述第一N型MOS管的栅极为第一开关管的控制端，所述第一N型MOS管的漏极为第一开关管的高电位端，所述第一N型MOS管的源极为第一开关管的低电位端。

6.如权利要求5所述的力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述第二开关管为第二N型MOS管，所述第二N型MOS管的栅极为所述第二开关管的控制端，所述第二N型MOS管的漏极为所述第二开关管的高电位端，所述第二N型MOS管的源极为所述第二开关管的低电位端。

7.如权利要求6所述的力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述第三开关管为第三N型MOS管，所述第三N型MOS管的栅极为所述第三开关管的控制端，所述第三N型MOS管的漏极为所述第三开关管的高电位端，所述第三N型MOS管的源极为所述第三开关管的低电位端。

8.如权利要求1所述的力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述第一开关管为第四N型MOS管，所述第四N型MOS管的栅极为第一开关管的控制端，所述第四N型MOS管的漏极为第一开关管的高电位端，所述第四N型MOS管的源极为第一开关管的低电位端。

9.如权利要求8所述的力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述第二开关管为第四NPN型三极管，所述第四NPN型三极管的基极为所述第二开关管的控制端，所述第四NPN型三极管的集电极为所述第二开关管的高电位端，所述第四NPN型三极管的发射极为所述第二开关管的低电位端。

10.如权利要求9所述的力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述第三开关管为第五N型MOS管，所述第五N型MOS管的栅极为所述第三开关管的控制端，所述第五N型MOS管的漏极为所述第三开关管的高电位端，所述第五N型MOS管的源极为所述第三开关管的低电位端。