CN104204012A - 薄膜、工件加工用片材基材及工件加工用片材 - Google Patents

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Abstract

提供一种薄膜，所述薄膜可用作切割片材等各种工件加工用片材的基材，应力缓和性和扩展性高，而且无工件污染的问题且可降低表面粘着性。本发明的薄膜的特征在于：是将含有25℃下的粘度为100~5,000,000mPa·S的能量线固化性树脂和聚合性硅酮化合物的能量线固化性组合物成膜、固化而成。

Description

薄膜、工件加工用片材基材及工件加工用片材
技术领域
本发明涉及一种薄膜，所述薄膜适合用作在进行半导体晶片等被加工物(以下有时记为“工件”)的临时性表面保护、研磨、切割等加工时粘贴、保持该工件的工件加工用片材的基材，另外，涉及含有该薄膜的工件加工用片材基材和具备该基材的工件加工用片材。
背景技术
硅、砷化镓等半导体晶片以大直径的状态进行制备。半导体晶片在表面形成电路后，通过背面研磨从而研磨至规定的厚度，在切断分离(切割)为元件小片(半导体芯片)后转移至作为下一道工序的接合工序。在这些一系列的工序中，使用各种粘合片材或薄膜状粘接剂。
在背面研磨工序中，为了在研磨过程中保持晶片而且保护电路表面免于研磨屑等，使用被称为背面研磨片材的粘合片材。另外，在背面研磨工序之后，有时也会在研磨面进行电路形成等，此时也用粘合片材保护和固定晶片后进行加工。背面研磨片材等背面加工时的表面保护片材由基材和具有压敏粘接性的粘合剂层构成。特别是为了确实地保护表面具有凹凸的电路面，有时会使用利用了较软性且应力缓和性高的基材的粘合片材。
另外，用于切割工序的粘合片材也被称为切割片材，由基材和具有压敏粘接性的粘合剂层构成，在切割半导体晶片等工件时，固定该工件；另外，在切割后用于保持芯片。在切割后，为了使用于增大芯片间隔的扩展(expand)变得容易，有时会使用具有较软性的基材的粘合片材。
在切割工序结束后，拾取芯片，进行模片(ダイ)接合。此时，有时也会使用液态的粘接剂，但近年来多使用薄膜状粘接剂。薄膜状粘接剂被粘贴于半导体晶片的一面，在切割工序中与晶片一同被切断，然后，作为带有粘接剂层的芯片而被拾取，经由粘接剂层将芯片粘接于规定的部位。这样的薄膜状粘接剂通过以下方法得到：在基材薄膜或粘合片材上设置将环氧化合物或聚酰亚胺等粘接剂成膜、半固化而得的层。
此外，还提出了同时兼具切割时的晶片固定功能和模片接合时的模片固定功能的切割·模片接合两用片材。切割·模片接合两用片材由兼具晶片保持功能和模片固定功能的粘接性树脂层和基材构成。粘接性树脂层在切割工序中保持半导体晶片或芯片，在模片接合时作为用以粘合芯片的粘接剂而起作用。粘接性树脂层在切割时与晶片一同被切断，形成与切断的芯片相同形状的粘接性树脂层。在切割结束后，若进行芯片的拾取，则粘接性树脂层与芯片一同从基材剥离。将带有粘接性树脂层的芯片放置于基板，进行加热等，经由粘接性树脂层将芯片与基板粘接。这样的切割·模片接合两用片材是在基材上形成兼具晶片固定功能和模片固定功能的粘接性树脂层而成。
即使在这些对应模片接合的粘接片材类中，为了使扩展工序变得容易，有时也会使用较软性的基材。
另外，为了在芯片的背面形成保护膜，也提出了以下方法：在固化性的树脂层粘贴半导体晶片，将树脂层固化，然后，将半导体晶片与树脂层切割，制备具有固化的树脂层(保护膜)的芯片。这样的保护膜形成用片材在剥离性基材上具有形成保护膜的粘接性树脂层。即使在用于该工序的片材类中，作为用以保持树脂层的基材，有时也会为了对应扩展工序而使用较软性的基材。
以下，将如上所述的表面保护片材、背面研磨片材、切割片材、含有薄膜状粘接剂层的层压片材、切割·模片接合两用片材、保护膜形成用片材统称，称为“工件加工用片材”。另外，有时将具有如上所述的压敏粘接性的粘合剂层或薄膜状粘接剂层、兼具晶片保持功能和模片固定功能的粘接性树脂层和形成保护膜的粘接性树脂层简单地记为“粘接性树脂层”。
作为这样的工件加工用片材，目前将氯乙烯或聚烯烃薄膜等用作基材，但近年来特别是为了确实地保护表面具有凹凸的电路面或为了对应扩展工序而需要使用较软质且应力缓和性高的基材。在这样的工件加工用片材中，提出了各种用作软性基材的树脂薄膜。例如，在专利文献1 (日本特许第3383227号)中，提出了将以下薄膜作为基材的背面研磨片材，所述薄膜是将氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物等能量线固化性树脂成膜、固化而得；另外，在专利文献2 (日本特开2002-141306号公报)中，提出了将以下薄膜作为基材的切割片材，所述薄膜是将氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物等能量线固化性树脂成膜、固化而得。由于这些基材为软性且应力缓和性也优异，所以以表面具有凹凸的半导体晶片的表面保护为代表，将其用作各种工件加工用片材的基材进行了研究。
先前技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第3383227号
专利文献2：日本特开2002-141306号公报。
发明内容
发明所要解决的课题
但是，如专利文献1或专利文献2所记载的将氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物等能量线固化性树脂成膜、固化而得的薄膜，多在表面具有微粘着性(弱的粘合性)，静摩擦系数高。因此，在将工件加工用片材放置于加工用工作台后，片材粘附于工作台，有时会对向之后工序的输送造成障碍。另外，薄膜发生粘连，片材粘附于用以输送片材的辊类，有时也会中断片材的制备或输送。
为了消除这样的问题，通常，作为降低薄膜的静摩擦系数的方法，已知有以下方法：在形成基材的薄膜的表面形成静摩擦系数低的树脂层作为顶涂层的方法，或添加硅油等润滑剂的方法等。但是，由于增加用以形成顶涂层的工序，所以成为制品的价格上升的主要因素。另外，由于顶涂层的厚度薄至2~3μm，所以在涂布形成顶涂层的树脂时产生针孔或发生涂布不均匀等，难以保证品质的均匀性。
另外，用作润滑剂的硅油有在薄膜的表面偏析或发生渗出等的可能性，有时会引起工件的污染或薄膜物性不稳定等重大问题。
本发明鉴于如上所述的实际情况而完成，其目的在于：提供应力缓和性或扩展性高，而且无工件污染的问题且可降低表面粘着性的基材薄膜。由于这样的薄膜作为各种工件加工用片材的基材的适应性高，而且也无需形成顶涂层，所以可简化制备工序和降低制备成本。
解决课题的手段
解决上述课题的本发明包含以下要点。
(1) 薄膜，所述薄膜是将含有25℃下的粘度为100~5,000,000mPa·S的能量线固化性树脂和聚合性硅酮化合物的能量线固化性组合物成膜、固化而成。
(2) (1)所记载的薄膜，其中，聚合性硅酮化合物的质量比例为1.0质量%以下。
(3) (1)所记载的薄膜，其中，上述聚合性硅酮化合物为有机改性聚合性硅酮化合物。
(4) (3)所记载的薄膜，其中，上述有机改性聚合性硅酮化合物为氨基甲酸酯改性硅酮(甲基)丙烯酸酯或氨基甲酸酯改性硅酮(甲基)丙烯酸酯低聚物。
(5) (1)~(4)中任一项所记载的薄膜，其中，上述能量线固化性树脂为氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物与能量线聚合性单体的混合物。
(6) 工件加工用片材基材，所述工件加工用片材基材含有上述(1)~(5)中任一项所记载的薄膜。
(7) 工件加工用片材，所述工件加工用片材在上述(6)所记载的基材的至少一面具有粘接性树脂层。
(8) (7)所记载的工件加工用片材，其中，粘接性树脂层为具有压敏粘接性的粘合剂层。
(9) (7)所记载的工件加工用片材，其中，粘接性树脂层为具有压敏粘接性且具有模片固定功能的粘接剂层。
发明的效果
根据本发明，可得到应力缓和性和扩展性高，而且无工件污染的问题且可降低表面粘着性的薄膜。该薄膜由于上述特性优异，所以作为各种工件加工用片材的基材的适应性高，而且由于也无需形成顶涂层，所以可简化制备工序和降低制备成本。
附图说明
[图1] 为本发明的一个实施方式所涉及的工件加工用片材的截面图。
实施发明的最佳方式
以下，针对本发明所涉及的薄膜、含有该薄膜的工件加工用片材基材和具备该基材的工件加工用片材的实施方式，基于附图进行说明。
本发明所涉及的薄膜是将含有能量线固化性树脂和聚合性硅酮化合物的能量线固化性组合物成膜、固化而得。
(能量线固化性树脂)
能量线固化性树脂的23℃下的粘度在100~5,000,000mPa·s、优选300~2,000,000mPa·s、进一步优选500~1,000,000mPa·s的范围内。另外，60℃下的粘度在优选100~200,000mPa·s、进一步优选300~100,000mPa·s的范围内。在粘度过低的情况下，厚膜的涂布变得困难，有时会得不到所希望的厚度的薄膜。另外，在粘度过高的情况下，涂布本身有时会变得困难。
能量线固化性树脂具有若受到能量线照射则固化的性质。因此，若在将适当的粘度的能量线固化性树脂成膜后进行能量线照射，则可得到固化薄膜。
作为能量线固化性树脂，例如可使用氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物、能量线固化性单体、环氧改性丙烯酸酯、远螯聚合物和它们的混合物等，其中，特别优选使用粘度或反应性的控制容易且得到的固化物的应力缓和性和扩展性高的氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物与能量线聚合性单体的混合物。
氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物例如可使具有羟基的(甲基)丙烯酸酯与末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物反应而得，所述末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物是使聚醚型、聚酯型或聚碳酸酯型等多元醇化合物与多元异氰酸酯化合物反应而得。另外，(甲基)丙烯酸酯以包含丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯这两者的含义使用。
多元醇化合物虽然可为聚醚型多元醇、聚酯型多元醇、聚碳酸酯型多元醇中的任一种，但通过使用聚碳酸酯型多元醇可得到更良好的效果。另外，若为多元醇，则无特殊限定，可为2个官能团的二醇、3个官能团的三醇，但从获取的容易性、通用性、反应性等的观点出发，特别优选使用二醇。因此，作为多元醇化合物，优选使用聚醚型二醇、聚酯型二醇、聚碳酸酯型二醇等二醇类。
聚醚型二醇通常以HO-(-R1-O-)n-H表示。此处，R1为亚烷基，优选为碳原子数1~6的亚烷基，特别优选为碳原子数2或3的亚烷基。另外，在碳原子数1~6的亚烷基中优选为亚乙基、亚丙基、亚丁基或四亚甲基，特别优选为亚乙基或亚丙基。另外，n优选为2~200，进一步优选为10~100。具体而言，作为聚醚型二醇，可列举出聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇、聚四亚甲基二醇；作为进一步特别优选的聚醚型二醇，可列举出聚乙二醇、聚丙二醇等。
聚醚型二醇通过与下述多元异氰酸酯化合物的反应生成导入有醚键部(-(-R1-O-)n-)的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物。这样的醚键部可为通过氧化乙烯、氧化丙烯、四氢呋喃等环状醚的开环反应而衍生的结构。
聚酯型二醇指通过多元酸与二醇类的缩合反应而得的二醇。
作为多元酸，可使用邻苯二甲酸、己二酸、邻苯二甲酸酐、间苯二甲酸、对苯二甲酸、四氢邻苯二甲酸酐、顺式-1,2-二羧酸酐、二甲基对苯二甲酸、单氯邻苯二甲酸、二氯邻苯二甲酸、三氯邻苯二甲酸、四溴邻苯二甲酸等通常公知的多元酸。其中，优选为邻苯二甲酸、己二酸、邻苯二甲酸酐、间苯二甲酸、对苯二甲酸、四氢邻苯二甲酸酐、二甲基对苯二甲酸，特别优选为邻苯二甲酸、己二酸、邻苯二甲酸酐、间苯二甲酸、对苯二甲酸等。
作为二醇类，无特殊限定，例如可列举出乙二醇、二甘醇、丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等。
除此之外，作为聚酯型二醇，可列举出通过上述二醇类与ε-己内酯的开环聚合而得的聚己内酯二醇等。
聚碳酸酯型二醇通常以HO-(-R-O-C(=O)-O)n-R-OH表示。此处，R为可相同或不同的2价烃基，优选为亚烷基，进一步优选为碳原子数2~100的亚烷基，特别优选为碳原子数2~12的亚烷基。另外，在亚烷基中优选为亚乙基、亚丙基、亚丁基、四亚甲基、五亚甲基、六亚甲基，特别优选为五亚甲基、六亚甲基。另外，n优选为1~200，进一步优选为1~100。
具体而言，作为碳酸酯型二醇，可列举出1,4-四亚甲基碳酸酯二醇、1,5-五亚甲基碳酸酯二醇、1,6-六亚甲基碳酸酯二醇、1,2-亚丙基碳酸酯二醇、1,3-亚丙基碳酸酯二醇、2,2-二甲基亚丙基碳酸酯二醇、1,7-七亚甲基碳酸酯二醇、1,8-八亚甲基碳酸酯二醇、1,9-九亚甲基碳酸酯二醇、1,4-环己烷碳酸酯二醇等。
二醇类可单独使用1种或并用2种以上。上述二醇类通过与多元异氰酸酯化合物的反应生成末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物。
作为多元异氰酸酯化合物，例如可使用4,4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-苯二甲基二异氰酸酯、1,4-苯二甲基二异氰酸酯、二苯甲烷-4,4’-二异氰酸酯等，特别优选使用4,4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、四亚甲基二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯、降莰烷二异氰酸酯、二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯等。
接着，使通过上述二醇类与上述多元异氰酸酯化合物的反应而得的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物与具有羟基的(甲基)丙烯酸酯反应得到氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物。作为具有羟基的(甲基)丙烯酸酯，若为1分子内具有羟基和(甲基)丙烯酰基的化合物，则无特殊限定，例如可使用(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基环己酯、(甲基)丙烯酸-5-羟基环辛酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基-3-苯氧基丙酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯，(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯等。
氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物以通式：Z-(Y-(X-Y)m)-Z表示(此处，X为通过二醇类衍生的结构单元，Y为由多元异氰酸酯化合物衍生的结构单元，Z为由具有羟基的(甲基)丙烯酸酯衍生的结构单元)。在上述通式中进行选择使m为优选1~200、进一步优选1~50。
得到的氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物在分子内具有光聚合性双键，具有通过照射能量线聚合固化从而形成皮膜的性质。
本发明中优选使用的氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物的重均分子量在1000~50000、进一步优选2000~40000的范围内。上述氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物可单独使用一种或组合2种以上使用。
由于仅用如上所述的氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物难以成膜的情况多，所以在本发明中优选与能量线固化性单体并用以调整粘度。能量线固化性单体在分子内具有能量线聚合性双键，特别是在本发明中优选使用具有较大体积的基团的丙烯酸酯类化合物。
作为能量线固化性单体的具体例，可列举出(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸双环戊烯基酯、(甲基)丙烯酸双环戊基酯、双环戊烯基氧基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸金刚烷酯、三环癸烷丙烯酸酯等脂环式化合物，丙烯酸苯基羟基丙酯、丙烯酸苄酯、苯酚氧化乙烯改性丙烯酸酯等芳族化合物，或(甲基)丙烯酸四氢糠基酯、丙烯酸吗啉酯、N-乙烯基吡咯烷酮或N-乙烯基己内酰胺等杂环式化合物。另外，也可根据需要使用多官能团(甲基)丙烯酸酯。这样的能量线固化性单体可单独使用或组合多种使用。
相对于100质量份的氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物，上述能量线固化性单体可以优选5~900质量份、进一步优选10~500质量份、特别优选30~200质量份的比例使用。能量线固化性树脂优选含有氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物和能量线固化性单体。
另外，除上述氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物、能量线固化性单体以外，如上所述，能量线固化性树脂也可使用环氧改性丙烯酸酯、远螯聚合物。
作为环氧改性丙烯酸酯，可列举出双酚A改性环氧丙烯酸酯、二醇改性环氧丙烯酸酯、丙烯改性环氧丙烯酸酯、邻苯二甲酸改性环氧丙烯酸酯等。
作为远螯聚合物，为在分子的两末端具有(甲基)丙烯酰基等具有聚合性双键的基团的聚合物，可列举出硅酮型远螯丙烯酸酯、氨基甲酸酯型远螯丙烯酸酯等。
能量线固化性树脂通过照射能量线而聚合、固化，生成薄膜等固化物。通过在照射能量线时掺合光聚合引发剂，可使基于照射能量线的聚合固化时间以及能量线照射量变少。作为这样的光聚合引发剂，可列举出安息香化合物、苯乙酮化合物、酰基氧化膦化合物、二茂钛化合物、噻吨酮化合物、过氧化物化合物等光引发剂，胺或醌等光增敏剂等，具体而言可列举出1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、安息香、安息香甲醚、安息香***、安息香异丙醚、苄基二苯硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮双异丁腈、联甲苯、双乙酰、β-氯蒽醌等。
相对于100质量份的能量线固化性树脂，光聚合引发剂的使用量优选为0.05~15质量份，进一步优选为0.1~10质量份，特别优选为0.3~5质量份。
能量线固化性树脂由如上所述的具有能量线固化性的各种聚合物、低聚物、单体类和光聚合引发剂构成，是调整成分比使23℃下的粘度在100~5,000,000mPa·s的范围内而成。能量线固化性树脂的粘度有低分子量化合物越多越降低、高分子量体越多越增加的趋势，可通过各成分的掺合比来控制粘度。
能量线固化性树脂虽然不需要含有溶剂等，但为了调整粘度也可含有少量的溶剂。在能量线固化性树脂含有溶剂的情况下，在涂布能量线固化性组合物后有时会需要用以除去溶剂的工序。因此，用于调整粘度的溶剂为少量，相对于100质量份的能量线固化性树脂，可以低于70质量份的比例含有。
(聚合性硅酮化合物)
能量线固化性组合物含有上述能量线固化性树脂和聚合性硅酮化合物。
聚合性硅酮化合物为分子内具有基于硅氧烷键的主骨架(硅酮骨架)和聚合性基团的化合物。
聚合性基团为可与上述能量线固化性树脂聚合的基团，可列举出(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰氧基等具有聚合性双键的基团。优选为(甲基)丙烯酰基。此处，(甲基)丙烯酰基以包含丙烯酰基和甲基丙烯酰基这两者的含义使用。
因此，优选的聚合性硅酮化合物优选为硅酮(甲基)丙烯酸酯或硅酮(甲基)丙烯酸酯低聚物(以下一并称为硅酮(甲基)丙烯酸酯)。此处，(甲基)丙烯酸酯以包含丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯这两者的含义使用。
另外，从提高与上述能量线固化性树脂的相容性的方面出发，聚合性硅酮化合物优选为分子内含有提高与上述能量线固化性树脂的相容性的部位的有机改性聚合性硅酮化合物。作为这样的有机改性聚合性硅酮化合物，例如可列举出氨基甲酸酯改性、氨基改性、烷基改性、环氧改性、羧基改性、醇改性、氟改性、烷基芳烷基聚醚改性、环氧·聚醚改性或聚醚改性的聚合性硅酮化合物。
例如，在能量线固化性树脂含有氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物的情况下，聚合性硅酮化合物优选为氨基甲酸酯改性硅酮(甲基)丙烯酸酯。
氨基甲酸酯改性硅酮(甲基)丙烯酸酯例如可如下得到：使上述多元异氰酸酯与双末端为OH的硅酮化合物反应，得到末端异氰酸酯硅酮化合物，使末端异氰酸酯硅酮化合物与上述含有羟基的(甲基)丙烯酸酯反应。
另外，聚合性硅酮化合物所含有的聚合性基团优选每一分子为1~6个，从使固化物的交联结构为高密度且抑制应力缓和性或扩展性降低的方面出发，进一步优选为2个以下，特别优选为1个。这样的聚合性硅酮化合物可单独使用或组合多种使用。
它们可使用公知或市售的化合物，作为市售品，例如有Daicel-Cytec Corporation (ダイセル·サイテック(株)社)制的商品名“EBECRYL1360”、“EBECRYL350”、“KRM8495”，Arkema K.K. (アルケマ(株)社)制的商品名“CN9800”、“CN990”等。
由于聚合性硅酮化合物具有通过能量线而具有固化性的聚合性基团，所以可与能量线固化性组合物中的能量线固化性树脂聚合。即，将含有上述能量线固化性树脂和聚合性硅酮化合物的组合物成膜·固化，在薄膜中，由于将硅酮结构固定，所以可得到不发生硅酮化合物在薄膜表面偏析或渗出等的薄膜。特别是通过使用氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物作为能量线固化性树脂、使用具有氨基甲酸酯键部位的聚合性硅酮化合物作为聚合性硅酮化合物，可得到相容性高、经时液态物性也稳定的能量线固化性组合物。
(能量线固化性组合物)
能量线固化性树脂组合物含有上述能量线固化性树脂和聚合性硅酮化合物，通过将该能量线固化性树脂组合物成膜、固化而得到薄膜。
由于将能量线固化性组合物成膜·固化而得的薄膜因硅酮结构而抑制表面粘着性，所以难以发生粘连等，工序适应性优异。另外，特别是在使用氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物的情况下，薄膜的应力缓和性和扩展性变高，在加工各种工件时可优选使用。
在达成抑制薄膜表面粘着性的目的的方面，认为薄膜表面的硅酮结构越多越优选。但是，随着聚合性硅酮化合物的掺合量增加，未反应的硅酮化合物增加，未反应的硅酮化合物有时会转移至工件或加工工作台等。因此，能量线固化性组合物中的聚合性硅酮化合物的掺合量通常为10质量%以下，优选为1质量%以下。即使聚合性硅酮化合物为少量的添加，也显著呈现抑制表面粘着性的作用。因此，能量线固化性组合物中的聚合性硅酮化合物的掺合量若为0.01质量%以上则足够，为了使抑制表面粘着性的作用变高，进一步优选设为0.2质量%以上，特别优选为0.5质量%以上。
另外，在能量线固化性组合物中，也可添加碳酸钙、二氧化硅、云母等无机填充剂，铁、铅等金属填充剂，抗静电剂，抗氧化剂，有机润滑剂。此外，除上述成分以外，在能量线固化性组合物中还可含有颜料或染料等着色剂等添加剂。
<薄膜>
本发明所涉及的薄膜是将上述能量线固化性组合物成膜、固化而成。由于该薄膜抑制表面粘着性，所以薄膜不会发生粘连，片材不会粘附于用以输送片材的辊类，不会中断片材的制备或输送。另外，由于本发明的薄膜具有可用作自支撑膜的机械强度，扩展性和应力缓和性优异，所以可特别优选用作背面研磨片材或切割片材等各种工件加工用片材的基材。
另外，本发明的薄膜的厚度优选为10~500μm，进一步优选为30~300μm，特别优选为50~200μm。
作为薄膜的成膜方法，无特殊限制，可使用公知的方法。可优选采用称为浇铸成膜(浇铸成膜)的技术。具体而言，在例如PET薄膜等工序片材上将能量线固化性组合物浇铸成薄膜状后，对涂膜照射紫外线、电子束等能量线进行聚合固化，剥离工序片材而成膜。根据这样的制备方法，在成膜时对树脂施加的应力少，鱼眼的形成少。另外，膜厚度的均匀性也高，厚度精度通常为2%以内。
得到的薄膜由于硅酮结构均匀地分散于膜中，将硅酮结构固定，所以可抑制表面粘着性，并且也不发生硅酮化合物在薄膜表面的偏析或渗出等。具体而言，与工序片材接触侧的薄膜表面的静摩擦系数优选为1.0以下。因此，即使将以该薄膜作为基材的工件加工片材放置于各种加工工作台上，然后取下，片材也不会粘附于加工工作台，向下一道工序的输送可顺利地进行。
另外，由于将硅酮结构固定于膜中，所以也可减少硅酮化合物向其它部件的转移。由此，可抑制工件的污染或薄膜物性不稳定等问题。具体而言，在上述浇铸成膜之后剥离工序片材的情况下，工序片材表面的Si元素比例为硅酮化合物向基材表面的渗出量的指标，通常为1%以下。需说明的是，此处，Si元素比例是指，测定转移至工序片材上的碳、氧、氮和硅的元素量，Si元素相对于转移的元素的总和的质量比例。
<工件加工用片材基材>
本发明的工件加工用片材基材(以下有时简单地称为“基材”)含有上述本发明的薄膜。上述基材可为上述本发明的薄膜的单层或上述本发明的薄膜的多层物。另外，上述基材也可为上述本发明的薄膜与聚烯烃薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜等其它薄膜的层压薄膜。其中，从特别是可得到本发明的效果的方面出发，本发明的薄膜工件加工用片材基材优选为上述本发明的薄膜的单层。
需说明的是，在本发明中，工件加工用片材为在进行半导体晶片等被加工物(工件)的临时性表面保护、研磨、切割等加工时粘贴、保持该工件的表面保护片材、背面研磨片材、切割片材、含有薄膜状粘接剂层的层压片材、切割·模片接合两用片材、保护膜形成用片材等的统称。
另外，在基材上，如下所述，在基材的至少一面具有粘接性树脂层的情况下，为了在与基材的粘接性树脂层接触的面提高与粘接性树脂层的粘附性，也可实施电晕处理或设置底漆等其它的层。此外，在将粘接性树脂层从基材剥离而将粘接性树脂层转印于芯片等的情况下，为了使粘接性树脂层与基材之间的剥离容易，也可对基材表面实施剥离处理。在该情况下，基材的表面张力优选为40mN/m以下，进一步优选为37mN/m以下，特别优选为35mN/m以下。作为用于剥离处理的剥离剂，可使用醇酸类、硅酮类、氟类、不饱和聚酯类、聚烯烃类、蜡类等，但因具有耐热性而特别优选醇酸类、硅酮类、氟类的剥离剂。
为了使用上述剥离剂对基材表面进行剥离处理，只要通过凹版涂布机、迈耶棒涂布机、气刀涂布机、辊式涂布机等直接无溶剂地或溶剂稀释或乳液化后涂布剥离剂，通过常温或加热或电子束固化，或湿式层压或干式层压、热熔融层压、熔融挤出层压、共挤出加工等形成层压体即可。
本发明的工件加工用片材基材可适合用作以下表面保护片材的基材：例如在表面保护片材的基材(具体而言为晶片)的背面研磨中，粘贴于在表面形成有电路的半导体晶片的电路面，在保护电路面的同时研磨晶片的背面，用以制成规定厚度的晶片的表面保护片材。在电路表面，形成来源于电路的凹凸的情况多，通过粘贴表面保护片材，填充凹凸差，保护电路面不受加工中产生的异物或研磨水等损伤。
在使用氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物作为上述基材的构成材料的情况下，由于基材的应力缓和性高，所以基材也随着晶片表面的凹凸形状而变形，将粘接性树脂层填充于晶片面，消除凹凸差，可以平坦的状态保持晶片。另外，由于基材面的表面粘着性低，所以在规定的工序结束后可容易地从研磨工作台取下，向下一道工序的输送也顺利地进行。
此外，在上述背面研磨工序之后，有时会对晶片背面实施各种加工。例如为了在晶片背面进一步形成电路图案，有时会进行蚀刻处理等伴有发热的处理。另外，有时也会在晶片背面加热压接模片接合薄膜。即使在这些工序中，也可通过粘贴本发明的工件加工用片材来保护电路图案。
另外，由于本发明的工件加工用片材基材较软性且扩展适应性优异，特别是芯片间隔易各向同性地扩张，所以扩展后的芯片定向性优异，因此也可适合用作切割片材的基材。切割片材在切割时固定晶片，在切割工序结束后拾取芯片。此时，使用顶针或抽吸套筒等，从切割片材拾取芯片。另外，在拾取芯片时，为了增大芯片彼此的间隔，优选以将芯片固定于切割片材的状态扩展切割片材。芯片间隔因扩展而增大，使得芯片的识别容易；另外，也减少因芯片彼此的接触导致的破损从而也提高成品率。
因此，本发明的基材由于柔软性、扩展性也优异，所以也可适合用作切割片材的基材。
此外，例如从相同的观点出发适合为以下伴有片材等、扩展的用途：在将单片化的芯片从其它片材移置而进行扩展后，用以进行芯片的提起(拾取)。
<工件加工用片材>
本发明的工件加工用片材在上述工件加工用片材基材的至少一面具有粘接性树脂层。
如图1所示，本发明的工件加工用片材1在上述基材2的至少一面具有粘接性树脂层3。工件加工用片材中的粘接性树脂层可根据片材的用途从具有各种功能的树脂中适宜选择。另外，粘接性树脂层3可为单层或多层。此外，粘接性树脂层3可在基材2的一面的整个表面形成或部分地形成。
(粘合剂层)
在将本发明的工件加工用片材用作背面研磨片材等表面保护片材或切割片材的情况下，粘接性树脂层3优选由具有压敏粘接性的粘合剂层构成。
这样的具有压敏粘接性的粘合剂层由目前公知的各种粘接剂形成而得。作为粘合剂，无任何限定，例如可使用橡胶类、丙烯酸类、硅酮类、聚乙烯基醚等粘合剂。其中特别优选粘合力的控制容易的丙烯酸类粘合剂。
丙烯酸类粘合剂以(甲基)丙烯酸酯共聚物作为主要成分。作为(甲基)丙烯酸酯共聚物，可列举出丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸肉豆蔻酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸苄酯、丙烯酸环己酯、丙烯酸异冰片酯等由不具有官能团的烷基构成的(甲基)丙烯酸烷基酯的1种以上单体与根据需要选自以下聚合性单体的1种以上单体的共聚物等：丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酸-2-羟基丙酯、丙烯酸-3-羟基丙酯、丙烯酸-3-羟基丁酯、丙烯酸-4-羟基丁酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸-3-羟基丙酯、甲基丙烯酸-3-羟基丁酯、甲基丙烯酸-4-羟基丁酯等含有羟基的(甲基)丙烯酸烷基酯，丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸、富马酸等含有羧基的化合物，醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯基酯，丙烯腈、甲基丙烯腈等含有氰基的化合物，丙烯酰胺等含有酰胺基的化合物，苯乙烯、乙烯基吡啶等芳族化合物等。需说明的是，在聚合性单体为1种的情况下，虽然并非狭义的共聚物，但也包含这样的情况而统称为共聚物。另外，(甲基)丙烯酸以包含丙烯酸和甲基丙烯酸这两者的含义使用。
(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物中的以下单元的含有比例优选10~98质量%，更优选20~95质量%，进一步优选50~93质量%，所述单元来源于由不具有官能团的烷基构成的(甲基)丙烯酸烷基酯。(甲基)丙烯酸酯共聚物的重均分子量优选10万~250万，更优选20万~150万，特别优选30万~100万。需说明的是，在本说明书中，重均分子量为通过凝胶渗透色谱法测定的换算为标准聚苯乙烯的值。
这些粘合剂可单独使用1种或组合2种以上使用。在这些粘合剂中，优选使用丙烯酸类粘合剂。特别优选用聚异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、氮丙啶类交联剂、螯合物类交联剂等交联剂的1种以上将丙烯酸类共聚物交联而得的丙烯酸类粘合剂。
作为环氧类交联剂，可列举出(1,3-双(N,N-二缩水甘油基氨基甲基)环己烷、N,N,N’,N’-四缩水甘油基-间苯二甲胺、N,N,N’,N’-四缩水甘油基氨基苯基甲烷、三缩水甘油基异氰酸酯、间-N,N-二缩水甘油基氨基苯基缩水甘油醚、N,N-二缩水甘油基甲苯胺、N,N-二缩水甘油基苯胺、季戊四醇聚缩水甘油醚、1,6-己二醇二缩水甘油醚等。
作为聚异氰酸酯类交联剂，可列举出甲苯二异氰酸酯(TDI)、六亚甲基二异氰酸酯(HMDI)、异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)、苯二甲基二异氰酸酯(XDI)、氢化甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯及其氢化物、聚亚甲基聚苯基聚异氰酸酯、亚萘基-1,5-二异氰酸酯、聚异氰酸酯预聚物、聚羟甲基丙烷改性TDI等。
交联剂可单独使用1种或组合2种以上使用。相对于100质量份的丙烯酸类共聚物，交联剂的使用量优选0.01~20质量份。
此外，粘合剂层可为能够通过能量线固化或加热起泡、水溶胀等来控制粘接力的粘合剂。在粘合剂层具有能量线固化性的情况下，通过对粘合剂层照射能量线，降低粘合力，从而使晶片或芯片的剥离更容易。另外，能量线固化型粘合剂层由目前公知的通过照射伽马射线、电子束、紫外线、可见光等能量线而固化的各种能量线固化型粘合剂形成而得，但特别优选使用紫外线固化型粘合剂。
作为能量线固化型粘合剂，例如可列举出在丙烯酸类粘合剂中混合有多官能团能量线固化树脂的粘合剂。作为多官能团能量线固化树脂，可列举出具有多个能量线聚合性官能团的低分子化合物、氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物等。另外，也可使用含有在侧链具有能量线聚合性官能团的丙烯酸类共聚物的粘合剂。作为这样的能量线聚合性官能团，优选(甲基)丙烯酰基。
粘合剂层的玻璃化转变温度(Tg)优选-50℃~30℃，优选为-25℃~30℃。此处，粘合剂层的Tg指以下温度：在层压有粘合剂层的样品的11Hz频率下的动态粘弹性测定中，在-50~50℃的范围内损耗角正切(tanδ)示出最大值。需说明的是，在粘合剂层为能量线固化型粘合剂的情况下，指通过照射能量线而将粘合剂层固化前的玻璃化转变温度。在粘合剂层由上述丙烯酸类粘合剂构成的情况下，粘合剂层的玻璃化转变温度可通过以下方法来控制：限制构成上述丙烯酸类粘合剂的单体的种类和聚合比，根据情况评估添加的紫外线固化性化合物或交联剂的影响。
(薄膜状粘接剂)
另外，在本发明的工件加工用片材1中，粘接性树脂层3可为薄膜状粘接剂。近年来在芯片的模片接合工序中多使用这样的薄膜状粘接剂。这样的薄膜状粘接剂优选是将环氧类粘接剂或聚酰亚胺类粘接剂成膜、半固化而得(B-阶段状态)，可剥离地形成于本发明的工件加工用片材基材上，得到本发明的工件加工用片材1。另外，也可在基材2的一面形成上述粘合剂层，在粘合剂层上层压薄膜状粘接剂。
将薄膜状粘接剂粘贴于半导体晶片。通过将该半导体晶片和薄膜状粘接剂切割为芯片尺寸，可得到带有粘接剂的芯片，将它们从基材或粘合片材拾取，经由粘接剂将芯片固定于规定的位置。需说明的是，在拾取带有粘接剂的芯片时，优选与上述相同地进行扩展。
(粘接剂层)
此外，本发明的工件加工用片材1可为同时兼具切割时的晶片固定功能和模片接合时的模片固定功能的切割·模片接合两用片材。
在本发明的工件加工用片材1为切割·模片接合两用片材的情况下，粘接性树脂层3在切割工序中保持半导体晶片或芯片，在切割时与晶片一同切断，形成与切断的芯片相同形状的粘接性树脂层3。于是，若在切割结束后进行芯片的拾取，则粘接性树脂层3与芯片一同从基材2剥离。粘接性树脂层3在模片接合时作为用以固定芯片的粘接剂起作用。将带有粘接性树脂层3的芯片放置于基板，进行加热等，经由粘接性树脂层3将芯片与基板或其它芯片等被粘物粘接。此处，若粘接性树脂层的加热在将芯片放置于基板后，则不限定其时机，例如可在与放置同时或之后立即进行加热；另外，也可在最终进行的树脂封装时的加热工序中将粘接性树脂层加热。
在本发明的工件加工用片材1为这样的切割·模片接合两用片材的情况下，在基材2上形成具有压敏粘接性且兼具模片固定功能的粘接剂层作为粘接性树脂层3。这样的兼具晶片固定功能和模片固定功能的粘接性树脂层3例如含有上述丙烯酸类粘合剂和环氧粘接剂；另外，根据需要含有能量线固化型化合物和固化助剂等。另外，为了使粘接性树脂层3向芯片的转印容易，切割·模片接合两用片材中的基材2优选进行剥离处理。需说明的是，在拾取带有粘接性树脂层3的芯片时，优选与上述相同地进行扩展。
(保护膜形成层)
此外，在将本发明的工件加工用片材1用作用以在芯片的背面形成保护膜的保护膜形成用片材的情况下，粘接性树脂层3可为用以在芯片的背面形成保护膜的保护膜形成层。在该情况下，在保护膜形成层粘贴半导体晶片，将保护膜形成层固化，制成保护膜，然后，将半导体晶片和保护膜切割，可得到具有保护膜的芯片，但保护膜形成层的固化、切割的顺序无特殊限定。例如，可在切割之前将保护膜形成层固化；另外，也可在切割之后将保护膜形成层固化；此外，还可在最终进行的树脂封装时的加热工序中将保护膜形成层固化。这样的保护膜形成用片材在基材2上具有形成保护膜的粘接性树脂层(保护膜形成层)作为粘接性树脂层3。另外，也可在基材2的一面形成上述粘合剂层，在粘合剂层上层压保护膜形成层。这样的形成保护膜的粘接性树脂层3含有上述丙烯酸类粘合剂、环氧粘接剂和固化助剂；另外，也可根据需要含有填充剂等。
本发明的工件加工用片材1中的粘接性树脂层3的厚度因其用途而各不相同，在用作背面研磨片材等表面保护片材或切割片材的情况下，为30~200μm左右；另外，在用作切割·模片接合两用片材的情况下，为50~300μm左右。
粘接性树脂层3可直接涂布形成于上述基材2的一面或在剥离薄膜上形成粘接性树脂层3后将其转印于基材2上。
作为形成粘接性树脂层3的方法，只要选择公知的方法即可，无特殊限定。作为这样的方法，只要通过凹版涂布机、迈耶棒涂布机、气刀涂布机、辊式涂布机等直接无溶剂地或溶剂稀释或乳液化后涂布粘合剂等粘接性树脂层形成材料，通过常温或加热或电子束固化，或湿式层压或干式层压、热熔融层压、熔融挤出层压、共挤出加工等形成于基材上即可。
以上，针对本发明的工件加工用片材，对粘接性树脂层的代表性的组成和用途进行了概述，但本发明的工件加工用片材中的粘接性树脂层不限于上述粘接性树脂层；另外，其用途也无特殊限定。
实施例
以下，通过实施例更具体地说明本发明，但本发明不限于这些实施例。需说明的是，实施例和比较例的各种物性如下进行评价。
(静摩擦系数)
对于在制备基材时与工序片材接触侧的基材面，在下列条件下测定静摩擦系数。
依据JIS K7125。载重为200g的被粘物：SUS#600 接触时间为1秒。测定装置使用万能试验机((株)岛津制作所制：Autograph (オートグラフ) AG-IS 500N)。
(工序片材表面的Si元素比例)
在制备基材时使用的工序片材的表面，在下列条件下测定4种元素的附着量，求得硅(Si)相对于附着的4种元素的总和的质量比例。
装置：株式会社 岛津制作所 ESCA-3400
真空度：1.0×10-6Pa
X射线源：Mg
发射电流值：10mA
加速电压：10kV
测定元素：碳(C)、氧(O)、氮(N)、硅(Si)。
(粘连性)
使实施例、比较例中得到的薄膜成辊状并在23℃50%RH环境下保管7日后，将薄膜重新卷绕从而确认粘连的有无。
(工序适应性评价)
在下列背面研磨时的工序适应性和切割时的工序适应性中，将工件加工用片材均不固定于装置内的工作台的情况判定为良好，将在任一道工序中固定或发生输送故障的情况判定为差。
(背面研磨时的工序适应性)
使用带式层压机(Lintec Corporation (リンテック社)制“RAD3510F/12”)将实施例、比较例中得到的工件加工用片材粘贴于硅晶片(直径为8英寸，厚度为700μm)，用研磨机(DISCO公司制“DFG8760-RAD2700F/12”)将晶片的背面研磨至50μm，接着，在相同装置内，在已研磨的晶片上将模片固定薄膜(日立化成社制“DF-400”)在层压温度(130℃×3分钟，固化温度：180℃×1分钟)下进行层压。将工件加工用片材固定于装置内的研磨工作台或层压工作台或发生输送故障的情况判定为背面研磨时的工序适应性差。
(切割时的工序适应性)
在实施例、比较例中得到的工件加工用片材的内缘部粘贴硅晶片(直径为6英寸，厚度为350μm)，在外缘部粘贴6英寸用金属制环形框架，使用切割装置(DISCO公司制“DFD-651”)，在以下条件下进行刀具切割从而芯片化。
(切割条件)
装置：DISCO公司制DFD-651
芯片尺寸：10mm×10mm
切割速度：80mm/sec.
刀具：DISCO公司制NBC-ZH2050-27HECC
将工件加工用片材固定于装置内的切割工作台或发生输送故障的情况判定为切割时的工序适应性差。
另外，作为能量线固化性树脂、聚合性硅酮化合物和粘接性树脂(粘合剂)，使用下列成分。
(能量线固化性树脂)
A：掺合有60质量份的两末端具有反应性双键官能团的重均分子量(Mw)为6,000的聚碳酸酯类氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物、15质量份的三环癸烷丙烯酸酯、10质量份的丙烯酸环己酯、15质量份的丙烯酸苯氧基乙酯和0.5质量份的2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦(BASF公司制Lucirin (ルシリン) TPO，固体成分浓度为100质量%)的掺合物(荒川化学制 Beamset (ビームセット) 541 η=6,000mPa·s (25℃))
B：掺合有60质量份的的两末端具有反应性双键官能团的重均分子量(Mw)为6,000的聚碳酸酯类氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物、20质量份的丙烯酸异冰片酯、15质量份的丙烯酸四氢糠基酯、5质量份的丙烯酸苯氧基乙酯和0.5质量份的2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦(BASF公司制Lucirin (ルシリン) TPO，固体成分浓度为100质量%)的掺合物(荒川化学制 Beamset (ビームセット) 543 η=5,000mPa·s (25℃))
C：掺合有40质量份的两末端具有反应性双键官能团的重均分子量(Mw)为10,000的聚酯类氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物、40质量份的丙烯酸异冰片酯、20质量份的丙烯酸-2-羟基苯氧基丙酯和0.5质量份的2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮(BASF公司制：Darocure (ダロキュア) 1173，固体成分浓度为100质量%)的掺合物(荒川化学制 η=4,500mPa·s (25℃))
D：掺合有60质量份的两末端具有反应性双键官能团的重均分子量(Mw)为30,000的聚丙二醇类氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物、40质量份的丙烯酸异冰片酯和0.5质量份的2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮(BASF公司制：Darocure (ダロキュア) 1173，固体成分浓度为100质量%)的掺合物(荒川化学制 η=4,100mPa·s (25℃))。
(聚合性硅酮化合物)
a：Ebecryl350 (Daicel-Cytec Corporation (ダイセルサイテック株式会社)，硅酮二(甲基)丙烯酸酯)
b：CN9800 (Arkema K.K. (アルケマ株式会社)，硅酮二丙烯酸酯)
c：KRM8495 (Daicel-Cytec Corporation (ダイセルサイテック社)制)
d：CN990 (Arkema K.K. (アルケマ株式会社)，分子内含有氨基甲酸酯键的氨基甲酸酯改性硅酮丙烯酸低聚物)。
(粘接性树脂)
相对于由84重量份的丙烯酸丁酯、10重量份的甲基丙烯酸甲酯、1重量份的丙烯酸、5重量份的丙烯酸-2-羟基乙酯构成的共聚物(重均分子量为MW：700,000)的30重量%甲苯溶液，混合有3重量份的多元异氰酸酯化合物(Coronate (コロネート) L (Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd. (日本ポリ氨基甲酸酯社)制)的粘合组合物。
(实施例1)
(能量线固化性组合物)
以规定的比例将表1所记载的能量线固化性树脂和聚合性硅酮化合物混合，得到能量线固化性组合物。表中的聚合性硅酮化合物的添加量表示相对于100质量%的能量线固化性树脂与聚合性硅酮化合物的总和的比例。
(薄膜的制备)
以喷射模片方式于25℃将得到的能量线固化性组合物涂布于作为工序片材的PET薄膜(Toray Industries, Inc. (東レ)制 Lumirror (ルミラー) T60 PET 50 T-60 Toray (トウレ) 50μm产品)上使厚度为100μm，形成能量线固化性组合物层。使用Eye Graphics Co.,Ltd. (アイグラフィクス社)制 皮带传输式紫外线照射装置(商品名：ECS-401GX)作为紫外线照射装置，通过高压汞灯(Eye Graphics Co.,Ltd. (アイグラフィクス社)制高压汞灯 商品名：H04-L41)，在紫外线灯高度为150mm、紫外线灯功率为3kw (换算功率为120mW/cm)、365nm波长光线的照度为271mW/cm2、光量为177mJ/cm2 (紫外线光量计：Orc Manufacturing Co., Ltd. (株式会社オーク製作所社)制 UV-351)的装置条件下进行紫外线照射。在照射紫外线之后，立即在能量线固化性组合物层上层压剥离薄膜(Lintec Corporation (リンテック社)制 SP-PET3801)。需说明的是，进行层压使剥离薄膜的剥离处理面与能量线固化性组合物接触。接着，使用相同的紫外线照射装置，在紫外线灯高度为150mm、365nm波长光线的照度为271mW/cm2、光量为600mJ/cm2 (紫外线光量计：Orc Manufacturing Co., Ltd. (株式会社オーク製作所社)制 UV-351)的条件下，从层压的剥离薄膜侧进行2次紫外线照射，将对能量线固化性组合物层照射的紫外线的总光量设为1377mJ/cm2，将能量线固化性组合物层交联·固化。
接着，从固化的能量线固化性组合物层剥离工序片材和剥离薄膜，得到厚度为100μm的薄膜(基材)。
针对与工序片材接触侧的基材面，测定静摩擦系数。另外，在工序片材的表面(与基材接触的面)，测定Si元素比例。另外，评价粘连性。将结果示出于表1中。
(工件加工用片材的制备)
然后，使用层压机将另外调整的厚度为10μm的粘接性树脂层粘贴于薄膜，得到工件加工用片材。针对工件加工用片材评价工序适应性。将结果示出于表1中。
(实施例2~32和比较例1~4)
使用以规定的比例将表1所记载的能量线固化性树脂和聚合性硅酮化合物混合而得的能量线固化性组合物，除此之外，设为与实施例1相同。需说明的是，在比较例中，不使用聚合性硅酮化合物而将能量线固化性树脂A~D成膜、固化，得到基材。将结果示出于表1中。
根据表1，实施例1~32的工件加工用片材由于静摩擦系数低至1.0以下，降低表面粘着性，所以未发生粘连，并且在装置内片材未粘附于工作台或未发生输送故障，工序适应性良好。此外，可知工序片材表面的Si元素比例也少，由硅酮化合物的渗出等导致的工件污染的可能性也低。
另一方面，不含聚合性硅酮化合物的比较例的工件加工用片材由于静摩擦系数高达1.0以上，有表面粘着性，所以发生粘连或工序适应性差。
[表1]
符号说明
1：工件加工用片材
2：工件加工用片材基材
3：粘接性树脂层。

Claims (9)

1. 薄膜，所述薄膜是将含有25℃下的粘度为100~5,000,000mPa·S的能量线固化性树脂和聚合性硅酮化合物的能量线固化性组合物成膜、固化而成。
2. 权利要求1的薄膜，其中，聚合性硅酮化合物的质量比例为1.0质量%以下。
3. 权利要求1的薄膜，其中，所述聚合性硅酮化合物为有机改性聚合性硅酮化合物。
4. 权利要求3的薄膜，其中，所述有机改性聚合性硅酮化合物为氨基甲酸酯改性硅酮(甲基)丙烯酸酯或氨基甲酸酯改性硅酮(甲基)丙烯酸酯低聚物。
5. 权利要求1~4中任一项的薄膜，其中，所述能量线固化性树脂为氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物与能量线聚合性单体的混合物。
6. 工件加工用片材基材，所述工件加工用片材基材含有权利要求1~5中任一项的薄膜。
7. 工件加工用片材，所述工件加工用片材在权利要求6的基材的至少一面具有粘接性树脂层。
8. 权利要求7的工件加工用片材，其中，粘接性树脂层为具有压敏粘接性的粘合剂层。
9. 权利要求7的工件加工用片材，其中，粘接性树脂层为具有压敏粘接性且具有模片固定功能的粘接剂层。
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