CN104198131A - 行波管检漏设备及其应用方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种行波管检漏设备及其应用方法。其中,检漏设备包括密封罩(1)、与密封罩连通的第一抽真空装置(8)、经由排气阀(9)与所述密封罩连通的通氦气装置(10),待测行波管(2)设置于所述密封罩内,所述检漏装置还包括与所述待测行波管连通设置于所述密封罩外部的并联设置的检漏装置(3)和第二抽真空装置(7)且所述检漏装置和所述第二抽真空装置前端还分别设置有第一控制阀(4)和第二控制阀(6)以分别独立控制所述检漏装置与所述待测行波管以及所述第二抽真空装置与所述待测行波管的通断。通过上述设计,实现了可用一般检漏装置对极高真空下的行波管进行检漏。
Description
技术领域
本发明涉及行波管检漏领域,具体地,涉及一种行波管检漏设备及其应用方法。
背景技术
行波管作为真空微波功率放大器件,具有频带宽、增益大、效率高、稳定性高等优点,在各类军用微波发射机中有着广泛的应用。一般地,行波管工作时的真空度要求达到10-6Pa,行波管的真空性能对其使用寿命和工作时的稳定性有着决定性的作用。排气后的行波管不仅要求其具有极高的极限真空度,还要求行波管本身有很低的漏率,从而可以保证行波管内部能较长时间地保持较高的真空度。
行波管的检漏,其目的在于对排气后的行波管通过采用合适的方法,迅速准确的找出漏孔的位置并确定漏率。现有技术中所采用的检漏方法因排气后的行波管真空度不超过10-6Pa,而检漏仪在检漏时其检漏环境的真空度只能维持在10-2Pa这一数量级上,因而使得现有检漏方法只能局限于在行波管排气前利用氦质谱检漏仪进行检漏,排气后的行波管则无法使用该方法进行检漏。
因此,提供一种可以使用一般检漏装置对排气后的处于极高真空下的行波管进行检漏的行波管检漏设备及其应用方法,是本发明亟需解决的问题。
发明内容
针对上述现有技术,本发明的目的在于克服现有技术中所使用的检漏方法只能局限于在行波管排气前利用氦质谱检漏仪进行检漏,排气后则无法根据这种方法进行检漏的问题,提供一种可以使用一般检漏装置对排气后的处于极高真空下的行波管进行检漏的行波管检漏设备及其应用方法。
为了实现上述目的,根据本发明的一个方面,提供了一种行波管检漏设备,其中,所述检漏设备包括密封罩、与密封罩连通的第一抽真空装置、经由排气阀与所述密封罩连通的通氦气装置,待测行波管设置于所述密封罩内,所述检漏装置还包括与所述待测行波管连通设置于所述密封罩外部的并联设置的检漏装置和第二抽真空装置且所述检漏装置和所述第二抽真空装置前端还分别设置有第一控制阀和第二控制阀以分别独立控制所述检漏装置与所述待测行波管以及所述第二抽真空装置与所述待测行波管的通断。
优选地,所述检漏设备还包括第三抽真空装置,所述第三抽真空装置设置于所述待测行波管与所述检漏装置和所述第二抽真空装置并联的交点之间。
优选地,所述第一抽真空装置和所述排气阀由一条管路连出并并联设置,所述通氦气装置设置于所述排气阀远离所述密封罩的一端。
优选地,所述第一抽真空装置为抽气机组,所述第二抽真空装置为机械泵,所述检漏装置为氦质谱检漏仪。
优选地,所述第三抽真空装置为分子泵。
优选地,所述密封罩和所述待测行波管还分别连接有真空计装置。
优选地,所述待测行波管上连接的真空计装置包括分别设置的高真空真空计和低真空真空计。
本发明的另一个方面,还提供了一种采用上述行波管检漏设备在行波管检漏中的应用方法,其中,所述应用方法包括:
闭合第一控制阀,打开第二控制阀,开启第二抽真空装置对待测行波管进行抽真空;
闭合排气阀,开启第一抽真空装置对密封罩进行抽真空至密封罩中的真空度不高于1Pa;
将待测行波管加热至400-600℃并保持24-32小时,在加热过程中持续对待测行波管抽真空至待测行波管中的真空度小于10-6Pa,而后将待测行波管冷却至20-30℃;
关闭第一抽真空装置,打开排气阀,将通氦气装置通过排气阀向密封罩内持续通入氦气;
闭合第二控制阀,打开第一控制阀,用检漏装置对待测行波管进行检测,当检漏装置显示漏气超过15s且漏率持续变大至不小于5×10-10mbar·L/s,则判断待测行波管漏气。
优选地,开启第二抽真空装置对待测行波管进行抽真空之后还包括使用第三抽真空装置对待测行波管进行二次抽真空。
优选地,将待测行波管冷却至20-30℃之后还包括将检漏装置开启并进行预热,待检漏装置稳定工作0.5-1小时后进行本底清零。
本发明通过在待测行波管外部设置密封罩,并将待测行波管和密封罩分别与抽真空装置连接,从而通过抽真空装置分别对待测行波管和密封罩的空间内进行抽真空处理,同时将密封罩与通氦气装置连接,进而使得氦气可以通过排气阀进入密封罩内,同时将抽真空装置闭合,使密封罩与待测行波管进行抽真空后处于密闭的空间内,并将检漏装置打开,通过检漏装置对氦气的高灵敏性,进而对排气后的行波管进行检漏,从而实现了可以使用一般检漏装置对排气后的处于极高真空下的行波管进行检漏。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1是本发明提供的一种行波管检漏装置的结构示意图;
图2是本发明提供的一种行波管检漏装置的应用方法。
附图标记说明
1-密封罩 2-待测行波管
3-检漏装置 4-第一控制阀
5-第三抽真空装置 6-第二控制阀
7-第二抽真空装置 8-第一抽真空装置
9-排气阀 10-通氦气装置。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
本发明提供了一种行波管检漏设备,如图1所示,其中,所述检漏设备可以包括密封罩1、与密封罩1连通的第一抽真空装置8、经由排气阀9与所述密封罩1连通的通氦气装置10,待测行波管2可以设置于所述密封罩1内,所述检漏装置还可以包括与所述待测行波管2连通设置于所述密封罩1外部的并联设置的检漏装置3和第二抽真空装置7且所述检漏装置3和所述第二抽真空装置7前端还可以分别设置有第一控制阀4和第二控制阀6以分别独立控制所述检漏装置3与所述待测行波管2以及所述第二抽真空装置7与所述待测行波管2的通断。
本发明通过在待测行波管2外部设置密封罩1,并将待测行波管2和密封罩1分别与抽真空装置连接,从而通过抽真空装置分别对待测行波管2和密封罩1的空间内进行抽真空处理,同时将密封罩1与通氦气装置10连接,进而使得氦气可以通过排气阀9进入密封罩1内,同时将抽真空装置闭合,使密封罩1与待测行波管2进行抽真空后处于密闭的空间内,并将检漏装置3打开,通过检漏装置3对氦气的高灵敏性,进而对排气后的行波管进行检漏,从而实现了可以使用一般检漏装置对排气后的处于极高真空下的行波管进行检漏。
所述待测行波管2可以只连接有第二抽真空装置7以对待测行波管2进行抽真空处理,为了使得待测行波管2可以达到更好的真空效果,在本发明的一种优选的实施方式中,所述检漏设备还可以包括第三抽真空装置5,所述第三抽真空装置5设置于所述待测行波管2与所述检漏装置3和所述第二抽真空装置7并联的交点之间,从而使得待测行波管2可以达到多次抽真空的效果,当然,为了使得抽真空可以有一个递进的过程,第三抽真空装置5可以设置成具有比第二抽真空装置7更好的抽真空效果,例如,第二抽真空装置7可以为常规的机械泵,第三抽真空装置5可以为分子泵,以使得抽真空具有一个递进的过程,同时可以通过机械泵对待测行波管2进行抽真空,使得待测行波管2内的真空度可以达到分子泵所需要的一个真空度,实现了互相协作抽真空的效果。
在本发明的一种更为优选的实施方式中,为了使得所述密封罩1与外界的连通管路尽可能少,以尽量避免漏气等现象的发生,所述第一抽真空装置8和所述排气阀9可以并联设置于一条管路上。所述通氦气装置10可以设置于所述排气阀9远离所述密封罩1的一端以使得所述排气阀9还可以实现对通氦气装置10的开闭。
所述第一抽真空装置8、所述第二抽真空装置7、所述检漏装置3和所述第三抽真空装置5可以为本领域常规使用的相关设备,例如,在本发明中,所述第一抽真空装置8可以为抽气机组,所述第二抽真空装置7可以为机械泵,所述检漏装置3可以为氦质谱检漏仪,所述第三抽真空装置5可以为分子泵。
为了可以对所述密封罩1和所述待测行波管2内部真空度实现实时监控,在本发明的一种更为优选的实施方式中,所述密封罩1和所述待测行波管2还可以分别连接有真空计装置,且所述待测行波管2上连接的真空计装置包括分别设置的高真空真空计和低真空真空计以实现对待测行波管2不同状态下的真空度检测。
本发明还提供了上述任意一项所述的行波管检漏设备在行波管检漏中的应用方法,其中,所述应用方法包括:
闭合第一控制阀4,打开第二控制阀6,开启第二抽真空装置7对待测行波管2进行抽真空;
闭合排气阀9,开启第一抽真空装置8对密封罩1进行抽真空至密封罩1中的真空度不高于1Pa;
将待测行波管2加热至400-600℃并保持24-32小时,在加热过程中持续对待测行波管2抽真空至待测行波管2中的真空度小于10-6Pa,而后将待测行波管2冷却至20-30℃;
关闭第一抽真空装置8,打开排气阀9,将通氦气装置10通过排气阀9向密封罩1内持续通入氦气;
闭合第二控制阀6,打开第一控制阀4,用检漏装置3对待测行波管2进行检测,当检漏装置3显示漏气超过15s且漏率持续变大至不小于5×10-10mbar·L/s,则判断待测行波管2漏气。
当然,在本发明的一种优选的实施方式中,该方法还可以在开启第二抽真空装置7对待测行波管2进行抽真空之后使用第三抽真空装置5对待测行波管2进行二次抽真空以通过多次抽真空使待测行波管2内部真空度达到更高的要求。
为了使得检测效果更好,检测数值更为精确,在本发明的一种更为优选的实施方式中,所述应用方法还可以包括在待测行波管2冷却至20-30℃之后将检漏装置3开启并进行预热,待检漏装置3稳定工作0.5-1小时后进行本底清零。
通过上述技术方案,在待测行波管2上依次连接第三抽真空装置5和第二抽真空装置7,使得待测行波管2可以通过多次抽真空,进而使得待测行波管2内部的真空度可以满足实际使用时的需要,同时在第三抽真空装置5和第二抽真空装置7中间连接检漏装置3,使得检漏装置3可以满足其工作条件,同时,在密封罩1内部通入氦气,使得待测行波管2处于具有氦气的环境下,从而通过检漏装置3对氦气的灵敏性,实现检漏效果,同时为了保证在实际操作中各密封环境内的真空度的可控性,还在密封罩1和待测行波管2上分别连接真空计装置。
以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必要的重复,本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外,本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本发明的思想,其同样应当视为本发明所公开的内容。
Claims (10)
1.一种行波管检漏设备,其特征在于,所述检漏设备包括密封罩(1)、与密封罩(1)连通的第一抽真空装置(8)、经由排气阀(9)与所述密封罩(1)连通的通氦气装置(10),待测行波管(2)设置于所述密封罩(1)内,所述检漏装置还包括与所述待测行波管(2)连通设置于所述密封罩(1)外部的并联设置的检漏装置(3)和第二抽真空装置(7)且所述检漏装置(3)和所述第二抽真空装置(7)前端还分别设置有第一控制阀(4)和第二控制阀(6)以分别独立控制所述检漏装置(3)与所述待测行波管(2)以及所述第二抽真空装置(7)与所述待测行波管(2)的通断。
2.根据权利要求1所述的行波管检漏设备,其特征在于,所述检漏设备还包括第三抽真空装置(5),所述第三抽真空装置(5)设置于所述待测行波管(2)与所述检漏装置(3)和所述第二抽真空装置(7)并联的交点之间。
3.根据权利要求1所述的行波管检漏设备,其特征在于,所述第一抽真空装置(8)和所述排气阀(9)由一条管路连出并并联设置,所述通氦气装置(10)设置于所述排气阀(9)远离所述密封罩(1)的一端。
4.根据权利要求1所述的行波管检漏设备,其特征在于,所述第一抽真空装置(8)为抽气机组,所述第二抽真空装置(7)为机械泵,所述检漏装置(3)为氦质谱检漏仪。
5.根据权利要求2所述的行波管检漏设备,其特征在于,所述第三抽真空装置(5)为分子泵。
6.根据权利要求1所述的行波管检漏设备,其特征在于,所述密封罩(1)和所述待测行波管(2)还分别连接有真空计装置。
7.根据权利要求6所述的行波管检漏设备,其特征在于,所述待测行波管(2)上连接的真空计装置包括分别设置的高真空真空计和低真空真空计。
8.一种采用权利要求1-7中任意一项所述的行波管检漏设备在行波管检漏中的应用方法,其特征在于,所述应用方法包括:
闭合第一控制阀(4),打开第二控制阀(6),开启第二抽真空装置(7)对待测行波管(2)进行抽真空;
闭合排气阀(9),开启第一抽真空装置(8)对密封罩(1)进行抽真空至密封罩(1)中的真空度不高于1Pa;
将待测行波管(2)加热至400-600℃并保持24-32小时,在加热过程中持续对待测行波管(2)抽真空至待测行波管(2)中的真空度小于10-6Pa,而后将待测行波管(2)冷却至20-30℃;
关闭第一抽真空装置(8),打开排气阀(9),将通氦气装置(10)通过排气阀(9)向密封罩(1)内持续通入氦气;
闭合第二控制阀(6),打开第一控制阀(4),用检漏装置(3)对待测行波管(2)进行检测,当检漏装置(3)显示漏气超过15s且漏率持续变大至不小于5×10-10mbar·L/s,则判断待测行波管(2)漏气。
9.根据权利要求8所述的应用方法,其特征在于,开启第二抽真空装置(7)对待测行波管(2)进行抽真空之后还包括使用第三抽真空装置(5)对待测行波管(2)进行二次抽真空。
10.根据权利要求8所述的应用方法,其特征在于,将待测行波管(2)冷却至20-30℃之后还包括将检漏装置(3)开启并进行预热,待检漏装置(3)稳定工作0.5-1小时后进行本底清零。
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 241000 Emshan Road, Yijiang District, Wuhu City, Anhui Province Patentee after: ANHUI HUADONG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY INSTITUTE Co.,Ltd. Address before: 241000 Huaxia science and Technology Park, Wuhu high tech Industrial Development Zone, Anhui Patentee before: Anhui Huadong Polytechnic Institute |
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CP03 | Change of name, title or address |