CN104193772B - 一种三烷基铟‑***配合物脱***装置 - Google Patents
一种三烷基铟‑***配合物脱***装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104193772B CN104193772B CN201410450662.9A CN201410450662A CN104193772B CN 104193772 B CN104193772 B CN 104193772B CN 201410450662 A CN201410450662 A CN 201410450662A CN 104193772 B CN104193772 B CN 104193772B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ether
- dissociation
- retort
- etherate
- trialkyl indium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 70
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 title abstract description 13
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 3
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000003747 Grignard reaction Methods 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000010977 unit operation Methods 0.000 description 1
Abstract
本发明提供一种三烷基铟‑***配合物脱***装置,通过设置高位槽来进料,反应罐进行搅拌解离,解离后的醚经冷凝器后到接收罐中,脱过醚的三烷基铟的混合物经过出料阀门出料进行精馏,并且在高位槽和冷凝器均连接氮气管通氮气对整个反应进行保护;本装置在解离***的同时,并能实现解离出的***从混合体系中即时分离,将常规的三烷基铟‑***配合物解离***与***分离二个不同流程合并在同一装置中实现;通过本技术方案,在获得相同三烷基铟产品时,脱***的效率提高了20%‑40%;同时由于解离与分离合并在同一个单元操作中,提高生产效率,降低生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及高纯度三烷基铟生产技术领域,尤其涉及一种三烷基铟-***配合物脱***装置。
背景技术
高纯度三甲基铟是金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺外延生长磷化铟及其他铟化合物半导体光电材料的关键原材料。常规高纯度三烷基铟生产主要先通过格式反应制得三烷基铟-***配合物,然后再通过加入新的配体,使三甲基铟与新配体形成新的配体后,再把解离的***分离出来。但现有的技术,无法在解离***同时实现对***的即时分离,给三甲基铟规模化生产增加了设备及人力成本。因此解决上述问题就显得十分必要了。
发明内容
本发明提供了一种三烷基铟-***配合物脱***装置,通过采用该装置,不仅提高了脱***的效率率,还能简化生产设备,降低生产成本。
为了解决上述问题,本发明提供了一种三烷基铟-***配合物脱***装置,包括有反应罐和接收罐,所述反应罐上左侧设置有第一视窗,第一视窗上设置有高位槽;反应罐上右侧连接有纵向“T”形的出料管,出料管的横向的右侧练级有冷凝器,冷凝器下方连接有接收管,接收管末端设置有第二视窗,第二视窗下方连接着接收罐用于接***;出料管的纵向的上侧设置有出料阀门用于出脱醚后的混合物。
进一步改进在于:所述反应罐顶部设置有搅拌器伸入到反应罐内。
进一步改进在于:所述高位槽上右侧设置有进料阀门。
进一步改进在于:所述高位槽顶部连接有氮气管,冷凝器顶部与氮气管相连。
本发明的有益效果:本装置通过设置高位槽来进料,反应罐进行搅拌解离,解离后的醚经冷凝器后到接收罐中,脱过醚的三烷基铟的混合物经过出料阀门出料进行精馏,并且在高位槽和冷凝器均连接氮气管通氮气对整个反应进行保护;本装置在解离***的同时,并能实现解离出的***从混合体系中即时分离,将常规的三烷基铟-***配合物解离***与***分离二个不同流程合并在同一装置中实现;通过本技术方案,在获得相同三烷基铟产品时,脱***的效率提高了20%-40%;同时由于解离与分离合并在同一个单元操作中,提高生产效率,降低生产成本。
附图说明
图1是本发明的示意图。
其中:1-反应罐,2-接收罐,3-第一视窗,4-高位槽,5-出料管,6-冷凝器,7-接收管,8-第二视窗,9-出料阀门,10-搅拌器,11-进料阀门,12-氮气管。
具体实施方式
为了加深对本发明的理解,下面将结合实施例对本发明作进一步详述,该实施例仅用于解释本发明,并不构成对本发明保护范围的限定。
如图1所示,本实施例提供一种三烷基铟-***配合物脱***装置,包括有反应罐1和接收罐2,所述反应罐1上左侧设置有第一视窗3,第一视窗3上设置有高位槽4;反应罐1上右侧连接有纵向“T”形的出料管5,出料管5的横向的右侧练级有冷凝器6,冷凝器6下方连接有接收管7,接收管7末端设置有第二视窗8,第二视窗8下方连接着接收罐2用于接***;出料管5的纵向的上侧设置有出料阀门9用于出脱醚后的混合物;所述反应罐1顶部设置有搅拌器10伸入到反应罐1内;所述高位槽4上右侧设置有进料阀门11;所述高位槽4顶部连接有氮气管12,冷凝器6顶部与氮气管12相连。
本装置通过设置高位槽4来进料,反应罐1进行搅拌解离,解离后的醚经冷凝器6后到接收罐2中,脱过醚的三烷基铟的混合物经过出料阀门9出料进行精馏,并且在高位槽4和冷凝器6均连接氮气管12通氮气对整个反应进行保护;本装置在解离***的同时,并能实现解离出的***从混合体系中即时分离,将常规的三烷基铟-***配合物解离***与***分离二个不同流程合并在同一装置中实现。
通过本技术方案,在获得相同三烷基铟产品时,脱***的效率提高了20%-40%;同时由于解离与分离合并在同一个单元操作中,提高生产效率,降低生产成本。
Claims (1)
1.一种三烷基铟-***配合物脱***装置,包括有反应罐(1)和接收罐(2),其特征在于:所述反应罐(1)上左侧设置有第一视窗(3),第一视窗(3)上设置有高位槽(4);反应罐(1)上右侧连接有纵向“T”形的出料管(5),出料管(5)的横向的右侧连接有冷凝器(6),冷凝器(6)下方连接有接收管(7),接收管(7)末端设置有第二视窗(8),第二视窗(8)下方连接着接收罐(2)用于接***;出料管(5)的纵向的上侧设置有出料阀门(9)用于出脱醚后的混合物;所述反应罐(1)顶部设置有搅拌器(10)伸入到反应罐(1)内;所述高位槽(4)上右侧设置有进料阀门(11);所述高位槽(4)顶部连接有氮气管(12),冷凝器(6)顶部与氮气管(12)相连。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410450662.9A CN104193772B (zh) | 2014-09-05 | 2014-09-05 | 一种三烷基铟‑***配合物脱***装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410450662.9A CN104193772B (zh) | 2014-09-05 | 2014-09-05 | 一种三烷基铟‑***配合物脱***装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104193772A CN104193772A (zh) | 2014-12-10 |
CN104193772B true CN104193772B (zh) | 2018-01-02 |
Family
ID=52079172
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410450662.9A Active CN104193772B (zh) | 2014-09-05 | 2014-09-05 | 一种三烷基铟‑***配合物脱***装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104193772B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104587939A (zh) * | 2015-01-07 | 2015-05-06 | 安徽亚格盛电子新材料有限公司 | 常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN203741248U (zh) * | 2014-03-17 | 2014-07-30 | 湖北省宏源药业有限公司 | 一种改良型合成乙醛酸的氧化反应及尾气吸收的装置 |
CN204111631U (zh) * | 2014-09-05 | 2015-01-21 | 安徽亚格盛电子新材料有限公司 | 一种三烷基铟-***配合物脱***装置 |
-
2014
- 2014-09-05 CN CN201410450662.9A patent/CN104193772B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN203741248U (zh) * | 2014-03-17 | 2014-07-30 | 湖北省宏源药业有限公司 | 一种改良型合成乙醛酸的氧化反应及尾气吸收的装置 |
CN204111631U (zh) * | 2014-09-05 | 2015-01-21 | 安徽亚格盛电子新材料有限公司 | 一种三烷基铟-***配合物脱***装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104193772A (zh) | 2014-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103130197B (zh) | 一种制作医药级氯化亚砜的连续变压精馏方法及装置 | |
JP2016540744A (ja) | 酸化脱水素化反応を通じたブタジエンの製造方法 | |
CN104193772B (zh) | 一种三烷基铟‑***配合物脱***装置 | |
CN105906512B (zh) | 一种苯二胺同分异构体的单塔分离工艺及装置 | |
CN103936542B (zh) | 一种提高烯烃总转化率的烯烃催化裂解***及方法 | |
CN103086822A (zh) | 一种间戊二烯的分离方法 | |
CN204111631U (zh) | 一种三烷基铟-***配合物脱***装置 | |
CN105237350A (zh) | 丁辛醇生产装置工业废料综合利用方法 | |
CN104557615B (zh) | 一种合成尿素溶液的生产装置 | |
CN104557457A (zh) | 丁醛加氢生产丁醇的反应精馏方法及装置 | |
CN107080966A (zh) | 一种分壁精馏塔及分壁精馏方法 | |
CN204973894U (zh) | 用于生产锂电池三元正极材料前驱体的装置 | |
CN101367708B (zh) | 氮气保护下氯代环己烷的制备工艺 | |
CN106492495A (zh) | 改进的减压蒸馏塔和乙腈精制*** | |
CN203170042U (zh) | 一种蒽菲闪蒸塔 | |
CN104030871B (zh) | 一种分离乙烯裂解汽油c8c9馏分的装置及方法 | |
CN104587939A (zh) | 常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置 | |
CN213313761U (zh) | 一种塑化剂的分离装置 | |
CN205461091U (zh) | 改进的减压蒸馏塔和乙腈精制*** | |
TW201638060A (zh) | 烷基酚製造方法 | |
CN205328907U (zh) | 一种用于一甲基三氯硅烷氯化的生产装置 | |
CN110759802B (zh) | 一种2-甲基-丁烯-1和2-甲基-丁烯-2的同时生产工艺 | |
CN104496822A (zh) | 一种1-氯乙基环己基丙基碳酸酯的制备方法 | |
CN210905024U (zh) | 一种甲醇精馏回收塔的技改装置 | |
CN104177234B (zh) | 一种用于异丙醇生产中副产物二异丙醚的精制提纯装置及方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: No. 88 Baoshun Road, Economic and Technological Development Zone, Wuhu City, Anhui Province, 241000 Patentee after: Anhui Yagesheng Electronic New Materials Co.,Ltd. Address before: 241009 Third Floor, Management Committee of Wuhu Economic and Technological Development Zone, Anhui Province Patentee before: ANHUI ARGOSUN NEW ELECRONIC MATERIALS Co.,Ltd. |
|
CP03 | Change of name, title or address |